JPH0381274A - ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体 - Google Patents
ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体Info
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- JPH0381274A JPH0381274A JP21674089A JP21674089A JPH0381274A JP H0381274 A JPH0381274 A JP H0381274A JP 21674089 A JP21674089 A JP 21674089A JP 21674089 A JP21674089 A JP 21674089A JP H0381274 A JPH0381274 A JP H0381274A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、抗脂血剤として有用なナフタレン誘導体の新
規製法及びその合成中間体に関する。
規製法及びその合成中間体に関する。
（従来の技術）
１−（３−及び／又は４−低級アルコキシフェニル）−
３−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ−２−ナフトエ
酸ラクトン類化合物は優れた抗脂血作用を有する有用な
医薬化合物である。
３−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ−２−ナフトエ
酸ラクトン類化合物は優れた抗脂血作用を有する有用な
医薬化合物である。
従来、これら化合物は、２−（α−ヒドロキシ−３−及
び／又は４−低級アルコキシベンジル）ベンズアルデヒ
ド化合物又はそのジ低級アルキルアセクール キルエステルとを反応させ、生成物を還元的ラクトン化
反応に付すことにより、製造しうることか知られている
（特開昭６１−２６７５４１号）。
び／又は４−低級アルコキシベンジル）ベンズアルデヒ
ド化合物又はそのジ低級アルキルアセクール キルエステルとを反応させ、生成物を還元的ラクトン化
反応に付すことにより、製造しうることか知られている
（特開昭６１−２６７５４１号）。
（発明の構成及び効果）
本発明者らは、鋭意研究の結果、既知の製法と全く反応
経路の異なる、ナフタレン誘導体の新規製法を確立した
。
経路の異なる、ナフタレン誘導体の新規製法を確立した
。
即ち、
本発明によれば、
ｎ■
一般式
（但し、原人は置換又は１Ｆ置換ベンゼン環を表し、Ｒ
１及びＲ２は一方が水素原子又は低級アルコキシ基、他
方が低級アルコキシ基を表す．）で示されるナフタレン
誘導体は、 （１）一般式 ％式％（） （但し、○Ｒ３は保護されたオキシ基を表し、（也の記
号は前記と同一意味を有する。） で示される３化合物を反応させ、 （２）生ａ’ｓを酸処理して一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
テトラヒドロナフタレン化合物のカルボキシル基におけ
る反応性誘導体を製し、（３）該化合物又はその遊離の
カルボキシル体をフッ素イオン供与体で処理し、 （４）かくして得た一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
オキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール
型互変異性体又はそれらのカルボキシル基における反応
性誘導体とギ酸のカルボキシル基における反応性誘導体
とを反応させた後、（５）生成物を更に酸処理して製造
することができる。
１及びＲ２は一方が水素原子又は低級アルコキシ基、他
方が低級アルコキシ基を表す．）で示されるナフタレン
誘導体は、 （１）一般式 ％式％（） （但し、○Ｒ３は保護されたオキシ基を表し、（也の記
号は前記と同一意味を有する。） で示される３化合物を反応させ、 （２）生ａ’ｓを酸処理して一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
テトラヒドロナフタレン化合物のカルボキシル基におけ
る反応性誘導体を製し、（３）該化合物又はその遊離の
カルボキシル体をフッ素イオン供与体で処理し、 （４）かくして得た一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
オキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール
型互変異性体又はそれらのカルボキシル基における反応
性誘導体とギ酸のカルボキシル基における反応性誘導体
とを反応させた後、（５）生成物を更に酸処理して製造
することができる。
原料化合物（ＩＩ）〜（ＩＶ）の反応〔（１）工程〕は
、脱酸剤の存在下で実施することができる。脱酸剤とし
ては、慣用の脱酸剤をいずれも用いることができ、例え
ば、リチウムア旦ド（リチウムジ低級アルキルア湾ド等
）、アリールリチウム（フェニルリチウム等）、低級ア
ルキルリチウムを好適に用いることができる。アセトニ
トリル化合物（■）の保護基（Ｒ３）としては、慣用の
保護基をいずれも用いることができ、例えば、モノ−、
ジー又はトリ低級アルキルシリル基、低級アルコキシ−
低級アルキル基（メトキシメチル基等）、低級アルコキ
シ−低級アルコキシ−低級アルキル基（メトキシメトキ
シメチル基等）、フェニル−低級アルキル基があげられ
る。反応は、テトラヒドロフラン、エーテル、ジグライ
ム、ヘキサン、トルエン、キシレン等の溶媒中、冷却下
、例えば−７８〜−４０°Ｃで実施するのが好適である
。また、当該反応は、アセトニトリル化合物（ＩＩ）と
アクリル酸化合物（ＩＩＩ）とを先ず反応させた後、ア
ルデヒド化合物（ＩＶ）を反応させて実施するのが好ま
しい。
、脱酸剤の存在下で実施することができる。脱酸剤とし
ては、慣用の脱酸剤をいずれも用いることができ、例え
ば、リチウムア旦ド（リチウムジ低級アルキルア湾ド等
）、アリールリチウム（フェニルリチウム等）、低級ア
ルキルリチウムを好適に用いることができる。アセトニ
トリル化合物（■）の保護基（Ｒ３）としては、慣用の
保護基をいずれも用いることができ、例えば、モノ−、
ジー又はトリ低級アルキルシリル基、低級アルコキシ−
低級アルキル基（メトキシメチル基等）、低級アルコキ
シ−低級アルコキシ−低級アルキル基（メトキシメトキ
シメチル基等）、フェニル−低級アルキル基があげられ
る。反応は、テトラヒドロフラン、エーテル、ジグライ
ム、ヘキサン、トルエン、キシレン等の溶媒中、冷却下
、例えば−７８〜−４０°Ｃで実施するのが好適である
。また、当該反応は、アセトニトリル化合物（ＩＩ）と
アクリル酸化合物（ＩＩＩ）とを先ず反応させた後、ア
ルデヒド化合物（ＩＶ）を反応させて実施するのが好ま
しい。
生成物の酸処理〔（２）工程〕は、常法により実施する
ことができる。酸としては、有機酸（トリフルオロ酢酸
、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジクロロ酢
酸等）及び無機酸（硫酸等）をいずれも用いることがで
きる。当該反応は、塩化メチレン、クロロホルム、トル
エン、ジオキサン等の溶媒中、水冷下で実施するのが好
適である。
ことができる。酸としては、有機酸（トリフルオロ酢酸
、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジクロロ酢
酸等）及び無機酸（硫酸等）をいずれも用いることがで
きる。当該反応は、塩化メチレン、クロロホルム、トル
エン、ジオキサン等の溶媒中、水冷下で実施するのが好
適である。
続く、テトラヒドロナフタレン化合物（Ｖ）又はそのカ
ルボキシル基における反応性誘導体のフッ素イオン供与
体による処理〔（３）工程〕は、常法により実施するこ
とができる。フッ素イオン供与体としては、慣用のもの
をいずれも用いることができ、例えば、フッ化アルカリ
金属、フッ化アンモニウム、フッ化テトラ低級アルキル
アンモニウム、フッ化水素の如きフッ素化合物を適宜用
いることができる。当該反応は、塩化メチレン、クロロ
ホルムの如き慣用の有機溶媒中、室温付近で実施するの
が好適である。
ルボキシル基における反応性誘導体のフッ素イオン供与
体による処理〔（３）工程〕は、常法により実施するこ
とができる。フッ素イオン供与体としては、慣用のもの
をいずれも用いることができ、例えば、フッ化アルカリ
金属、フッ化アンモニウム、フッ化テトラ低級アルキル
アンモニウム、フッ化水素の如きフッ素化合物を適宜用
いることができる。当該反応は、塩化メチレン、クロロ
ホルムの如き慣用の有機溶媒中、室温付近で実施するの
が好適である。
かくして得たオキソ−テトラヒドロナフタレン化合物（
■）、そのエノール型互変異性体又はそれらのカルボキ
シル基における反応性誘導体とギ酸のカルボキシル基に
おける反応性誘導体との反応〔（４）工程〕は、例えば
、縮合剤の存在下で実施することができる。縮合剤とし
ては、アルカリ金属アルコキシド（ナトリウムメチラー
ト等）、トリアルキルアミン（トリエチルアミン等）な
どを使用するのが好ましい。反応は、ベンゼン、トルエ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒中、加温
〜加熱下、例えば３０〜５０″Ｃで実施するのが好適で
ある。
■）、そのエノール型互変異性体又はそれらのカルボキ
シル基における反応性誘導体とギ酸のカルボキシル基に
おける反応性誘導体との反応〔（４）工程〕は、例えば
、縮合剤の存在下で実施することができる。縮合剤とし
ては、アルカリ金属アルコキシド（ナトリウムメチラー
ト等）、トリアルキルアミン（トリエチルアミン等）な
どを使用するのが好ましい。反応は、ベンゼン、トルエ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒中、加温
〜加熱下、例えば３０〜５０″Ｃで実施するのが好適で
ある。
続く生成物の酸処理〔（５）工程〕に際しては、前述（
２）工程で用いたのと同じ酸を用いることができる。ま
た、当該反応は、上記（４）工程で用いた溶媒と同じ溶
媒を用い、例えば０〜１０°Ｃで好適に実施することが
できる。
２）工程で用いたのと同じ酸を用いることができる。ま
た、当該反応は、上記（４）工程で用いた溶媒と同じ溶
媒を用い、例えば０〜１０°Ｃで好適に実施することが
できる。
化合物（Ｉ［Ｉ）、（Ｖ）、（Ｖｌ）及びギ酸の各反応
性誘導体としては、例えば、対応する低級アルキルエス
テル、アミド、酸ハライド、混合酸無水物、活性エステ
ル等慣用のものをいずれも好適に用いることができる。
性誘導体としては、例えば、対応する低級アルキルエス
テル、アミド、酸ハライド、混合酸無水物、活性エステ
ル等慣用のものをいずれも好適に用いることができる。
また、本発明の原料化合物（■）、中間体（Ｖ）、（Ｖ
ｌ）及び中間体（ＶＩ）のエノール型互変異性体は、遊
離のまま及び塩のいずれとしても反応に供することがで
き、これらの塩としては、例えば、アルカリ金属塩、ア
ルカリ土類金属塩等を適宜用いることができる。
ｌ）及び中間体（ＶＩ）のエノール型互変異性体は、遊
離のまま及び塩のいずれとしても反応に供することがで
き、これらの塩としては、例えば、アルカリ金属塩、ア
ルカリ土類金属塩等を適宜用いることができる。
上記本発明方法によれば、３−ヒドロキシメチル−２−
ナフトエ酸ラクトン型目的物（１）を工業的有利に製造
することができ、例えば、環Ａが非Ｉ！換ベンゼン環も
しくは低級アルキレンジオキシ基で置換されたベンゼン
環であるか、又は低級アルコキシ基、低級アルキル基、
フェニル−低級アルコキシ基、水酸基及びハロゲン原子
から選ばれる１〜３個で置換されたベンゼン環である目
的物をいずれも好適に製造することができる。また、か
かる目的物（Ｉ）は、所望とあれば、例えば、アルカリ
金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等として
得ることもできる。
ナフトエ酸ラクトン型目的物（１）を工業的有利に製造
することができ、例えば、環Ａが非Ｉ！換ベンゼン環も
しくは低級アルキレンジオキシ基で置換されたベンゼン
環であるか、又は低級アルコキシ基、低級アルキル基、
フェニル−低級アルコキシ基、水酸基及びハロゲン原子
から選ばれる１〜３個で置換されたベンゼン環である目
的物をいずれも好適に製造することができる。また、か
かる目的物（Ｉ）は、所望とあれば、例えば、アルカリ
金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等として
得ることもできる。
上記本発明方法によれば、従来製法とは異なる反応経路
により、原料化合物（Ｉｆ）〜（ＩＶ）からオキソ−テ
トラヒドロナフタレン化合物（ＶＩ）を、実質的に一工
程で、−挙に製造し得るため、目的物（１）を簡便な反
応操作で製造し得るという工業上の利点を得ることがで
きる。
により、原料化合物（Ｉｆ）〜（ＩＶ）からオキソ−テ
トラヒドロナフタレン化合物（ＶＩ）を、実質的に一工
程で、−挙に製造し得るため、目的物（１）を簡便な反
応操作で製造し得るという工業上の利点を得ることがで
きる。
尚、本発明の原料化合物（ｎ）は一般式（但し、環Ａは
前記と同一意味を有する。）で示されるベンズアルデヒ
ド化合物をルイス酸〔例えば、ヨウ化亜鉛（■）］の存
在下、シアン化アルカリ金属及び一般式 ％式％（） （但し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ″は前記と同一意
味を有する。） で示される化合物と反応させて製することができる。
前記と同一意味を有する。）で示されるベンズアルデヒ
ド化合物をルイス酸〔例えば、ヨウ化亜鉛（■）］の存
在下、シアン化アルカリ金属及び一般式 ％式％（） （但し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ″は前記と同一意
味を有する。） で示される化合物と反応させて製することができる。
実施例 １
（１）３．４−ジメトキシベンズアルデヒド４５ｇをア
セトニトリル３００ｄに溶解する。該溶液にシアン化カ
リウム１２０ｇ、ヨウ化亜鉛（■）３０ｇ及びｔｅｒｔ
、−ブチルジメチルシリルクロリド５４．３ｇを加え、
室温で一夜攪拌する。反応液よりアセトニトリルを留去
し、残渣にジエチルエーテルを加えて不溶物をろ去する
。ろ液を水洗、乾燥後、減圧濃縮し、ｎ−ヘキサン及び
イソプロピルエーテルの混液から再結晶して、２− （
３゜４−ジメトキシフェニル） −２−（ｔｅｒｔ、−
ブチルジメチルシリルオキシ）アセトニトリル７３．５
ｇを無色結晶として得る。収率：８８％Ｍ、Ｐ、５４〜
５５℃ （２）リチ９ムジイソプロピル−アミトン容液（ジイソ
プロピルアミン３．６１ｇのテトラヒドロフラン１００
ｍｆｆ１ｉ液及び１．６Ｍｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液２２．３１ｄから水冷下で調製）に、−７０°Ｃ
で、上記（１）の生成物Ｌｏｇのテトラヒドロフラン１
０−溶液、アクリル酸メチル２．７３ｇのテトラヒドロ
フラン２０１１ＩＱ溶液及び３．４−ジメトキシベンズ
アルデヒド５．４ｇのテトラヒドロフラン２０Ｉｄ溶液
を順次滴下する。更に、反応液に酢酸４．７ｇ及び水１
００ｄの混液を加え、室温で有機層を分取したのち、酢
酸エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後溶媒を留去す
る。残渣を塩化メチレンに溶解し、水冷下にトリフルオ
ロ酢酸５ ｍｌを滴下する。水冷下、６時間攪拌したの
ち、水洗、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラム〔溶媒：酢酸エチル−ｎ−ヘキサン（１１））で精
製して、４−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４
−シアノ−ｒ−１−（３゜４−ジメトキシフェニル）−
６，７−シメトキシー１．２．３．４−テトラヒドロ−
ｔ−２−ナフトエ酸メチルニス・チルを油状物として得
る。収率：６２％ Ｎ Ｍ Ｒ（ＣＤＣｌ２． δ）： ０．２４．０．
３３．０．３６．０．４１（ｓｘ４．６１１Ｌ Ｏ，９
１，０，９８（ｓｘ２．９ｔｌ）、 ２．９〜３．３（
ｍ、 ３ＩＩ）、 ３．６〜４．０（ａ＋、 １５１１
） 、 ４．４〜４．６（町ＩＩＩ）、 ６．５〜７．
１（ｍ、 ５１１） （３）上記（２）の生成物１０ｇの塩化メチレン５０！
ｄ溶液に、ＩＭフフ化テトラｎ−ブチルアンモニウムの
テトラヒドロフラン溶液２０．５ｄ及を滴下し、室温で
３０分撹拌する０反応液に１０％クエン酸水溶液５０１
ｄを加え、有機層を分取後、水洗、乾燥、更に濃縮する
。残渣にメタノールを加え、析出品をろ取して、ｒ−１
−（３，４−ジメトキシフェニル）−６，７−シメトキ
シー４−オキソ−１，２，３，４−テトラヒドロ−ｔ−
２−ナフトエ酸メチルエステル６．７ｇを得る。収率：
９１％ Ｍ、ｐ、１４１〜１４２°Ｃ （４）上記（３）の生成物（４−オキソ体）３．２ｇ、
ギ酸メチル１．９２ｇのベンゼン１００ｄ溶液にナトリ
ウムメチラート粉末１．７２ｇを加え、室温で２時間撹
拌した後、５０〜６０°Ｃに加温して６時間加熱する。
セトニトリル３００ｄに溶解する。該溶液にシアン化カ
リウム１２０ｇ、ヨウ化亜鉛（■）３０ｇ及びｔｅｒｔ
、−ブチルジメチルシリルクロリド５４．３ｇを加え、
室温で一夜攪拌する。反応液よりアセトニトリルを留去
し、残渣にジエチルエーテルを加えて不溶物をろ去する
。ろ液を水洗、乾燥後、減圧濃縮し、ｎ−ヘキサン及び
イソプロピルエーテルの混液から再結晶して、２− （
３゜４−ジメトキシフェニル） −２−（ｔｅｒｔ、−
ブチルジメチルシリルオキシ）アセトニトリル７３．５
ｇを無色結晶として得る。収率：８８％Ｍ、Ｐ、５４〜
５５℃ （２）リチ９ムジイソプロピル−アミトン容液（ジイソ
プロピルアミン３．６１ｇのテトラヒドロフラン１００
ｍｆｆ１ｉ液及び１．６Ｍｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液２２．３１ｄから水冷下で調製）に、−７０°Ｃ
で、上記（１）の生成物Ｌｏｇのテトラヒドロフラン１
０−溶液、アクリル酸メチル２．７３ｇのテトラヒドロ
フラン２０１１ＩＱ溶液及び３．４−ジメトキシベンズ
アルデヒド５．４ｇのテトラヒドロフラン２０Ｉｄ溶液
を順次滴下する。更に、反応液に酢酸４．７ｇ及び水１
００ｄの混液を加え、室温で有機層を分取したのち、酢
酸エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後溶媒を留去す
る。残渣を塩化メチレンに溶解し、水冷下にトリフルオ
ロ酢酸５ ｍｌを滴下する。水冷下、６時間攪拌したの
ち、水洗、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラム〔溶媒：酢酸エチル−ｎ−ヘキサン（１１））で精
製して、４−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４
−シアノ−ｒ−１−（３゜４−ジメトキシフェニル）−
６，７−シメトキシー１．２．３．４−テトラヒドロ−
ｔ−２−ナフトエ酸メチルニス・チルを油状物として得
る。収率：６２％ Ｎ Ｍ Ｒ（ＣＤＣｌ２． δ）： ０．２４．０．
３３．０．３６．０．４１（ｓｘ４．６１１Ｌ Ｏ，９
１，０，９８（ｓｘ２．９ｔｌ）、 ２．９〜３．３（
ｍ、 ３ＩＩ）、 ３．６〜４．０（ａ＋、 １５１１
） 、 ４．４〜４．６（町ＩＩＩ）、 ６．５〜７．
１（ｍ、 ５１１） （３）上記（２）の生成物１０ｇの塩化メチレン５０！
ｄ溶液に、ＩＭフフ化テトラｎ−ブチルアンモニウムの
テトラヒドロフラン溶液２０．５ｄ及を滴下し、室温で
３０分撹拌する０反応液に１０％クエン酸水溶液５０１
ｄを加え、有機層を分取後、水洗、乾燥、更に濃縮する
。残渣にメタノールを加え、析出品をろ取して、ｒ−１
−（３，４−ジメトキシフェニル）−６，７−シメトキ
シー４−オキソ−１，２，３，４−テトラヒドロ−ｔ−
２−ナフトエ酸メチルエステル６．７ｇを得る。収率：
９１％ Ｍ、ｐ、１４１〜１４２°Ｃ （４）上記（３）の生成物（４−オキソ体）３．２ｇ、
ギ酸メチル１．９２ｇのベンゼン１００ｄ溶液にナトリ
ウムメチラート粉末１．７２ｇを加え、室温で２時間撹
拌した後、５０〜６０°Ｃに加温して６時間加熱する。
不溶物をろ去後、トリフルオロ酢酸１０Ｉ！ｄｌを加え
、終夜撹拌する。ＷＩ媒を留去し、残渣をクロロホルム
抽出後、水洗、乾燥、更に濃縮する。残渣にメタノール
を加え、析出晶をろ取して、１−（３，４−ジメトキシ
フェニル）−３−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ−
６，７−シメトキシー２−ナフトエ酸ラクトン１．６ｇ
を無色結晶として得る。収率：５１％ Ｍ、ｐ、２７８°Ｃ（分解） 実施例 ２〜５ （１）対応原料化合物を実施例１−（１）と同様に処理
して下記第１表記載の化合物を得る。
、終夜撹拌する。ＷＩ媒を留去し、残渣をクロロホルム
抽出後、水洗、乾燥、更に濃縮する。残渣にメタノール
を加え、析出晶をろ取して、１−（３，４−ジメトキシ
フェニル）−３−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ−
６，７−シメトキシー２−ナフトエ酸ラクトン１．６ｇ
を無色結晶として得る。収率：５１％ Ｍ、ｐ、２７８°Ｃ（分解） 実施例 ２〜５ （１）対応原料化合物を実施例１−（１）と同様に処理
して下記第１表記載の化合物を得る。
（２）上記（１）の生成物を実施例１−（２）と同様に
処理して、 下記第２表記載の化合物を得る。
処理して、 下記第２表記載の化合物を得る。
注１：ｒ−１−（３，４−ジメトキシフェニル）−ｔ−
２−メトキシカルボニル体である（以下同様）。
２−メトキシカルボニル体である（以下同様）。
（３）上記（２）の生成物を実施例１−（３）と同様に
処理して下記第３表記載の化合物を得る。
処理して下記第３表記載の化合物を得る。
第
表
（４）上記（３）の生成物を実施例１−（４）と同様に
処理して下記第４表記載の化合物を得る。
処理して下記第４表記載の化合物を得る。
第
表
実施例
６〜１６
対応原料化合物を実施例１と同様に処理して、下記第５
表記載の化合物を得る。
表記載の化合物を得る。
第
５
表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、環Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表し、Ｒ＾
１及びＲ＾２は一方が水素原子又は低級アルコキシ基、
他方が低級アルコキシ基を表す。）で示されるオキソ−
テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール型互変異
性体又はそれらのカルボキシル基における反応性誘導体
とギ酸のカルボキシル基における反応性誘導体とを反応
させた後、酸処理し、所望により、更に生成物をその塩
とすることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
ナフタレン誘導体又はその塩の製法。 ２、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、環Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表し、Ｒ＾
１及びＲ＾２は一方が水素原子又は低級アルコキシ基、
他方が低級アルコキシ基、ＯＲ＾３は保護されたオキシ
基を表す。） で示されるテトラヒドロナフタレン化合物又はそのカル
ボキシル基における反応性誘導体をフッ素イオン供与体
で処理し、生成する一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
オキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール
型互変異性体又はそれらのカルボキシル基における反応
性誘導体とギ酸のカルボキシル基における反応性誘導体
とを反応させた後、酸処理し、所望により、更に生成物
をその塩とすることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
ナフタレン誘導体又はその塩の製法。 ３、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼、ＣＨ＿２＝ＣＨ−
ＣＯＯＨの反応性誘導体及び▲数式、化学式、表等があ
ります▼（但し、環Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表
し、Ｒ＾１及びＲ＾２は一方が水素原子又は低級アルコ
キシ基、他方が低級アルコキシ基、ＯＲ＾３は保護され
たオキシ基を表す。） で示される３化合物を反応させ、生成物を酸処理して一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
テトラヒドロナフタレン化合物のカルボキシル基におけ
る反応性誘導体を製した後、該化合物又はその遊離のカ
ルボキシル体をフッ素イオン供与体で処理し、生成する
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
オキソ−テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール
型互変異性体又はそれらのカルボキシル基における反応
性誘導体とギ酸のカルボキシル基における反応性誘導体
とを反応させた後、酸処理し、所望により、更に生成物
をその塩とすることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
ナフタレン誘導体又はその塩の製法。 ４、環Ａが非置換ベンゼン環；低級アルキレンジオキシ
基で置換されたベンゼン環；又は低級アルコキシ基、低
級アルキル基、フェニル−低級アルコキシ基、水酸基、
ハロゲン原子から選ばれる１〜３個で置換されたベンゼ
ン環である請求項１〜３記載の製法。 ５、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、環Ａは置換又は非置換ベンゼン環を表し、Ｒ＾
１及びＲ＾２は一方が水素原子又は低級アルコキシ基、
他方が低級アルコキシ基を表す。）で示されるオキソ−
テトラヒドロナフタレン化合物、そのエノール型互変異
性体又はそれらのカルボキシル基における反応性誘導体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21674089A JPH0381274A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21674089A JPH0381274A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0381274A true JPH0381274A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16693191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21674089A Pending JPH0381274A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | ナフタレン誘導体の製法及びその合成中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0381274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998007705A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Naphtholactams and lactones as bone morphogenetic protein active agents |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP21674089A patent/JPH0381274A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998007705A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Naphtholactams and lactones as bone morphogenetic protein active agents |
| US6030967A (en) * | 1996-08-20 | 2000-02-29 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Naphtholactams and lactones as bone morphogenetic protein active agents |
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