JPH0381332A - カルボニル基及び種々のアルキル化三級アミノ基を含むポリホスファゼン誘導体 - Google Patents
カルボニル基及び種々のアルキル化三級アミノ基を含むポリホスファゼン誘導体Info
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- JPH0381332A JPH0381332A JP2195074A JP19507490A JPH0381332A JP H0381332 A JPH0381332 A JP H0381332A JP 2195074 A JP2195074 A JP 2195074A JP 19507490 A JP19507490 A JP 19507490A JP H0381332 A JPH0381332 A JP H0381332A
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- diethylamino
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- substituent
- polyphosphazene
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G79/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule
- C08G79/02—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule a linkage containing phosphorus
- C08G79/025—Polyphosphazenes
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- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ポリホスファゼン誘導体が紫外線及び可視輻
射線により薄膜の状態で照射される場合に、迅速且つ有
効な架橋法を受けるのに適したポリホスファゼン誘導体
に関する。
射線により薄膜の状態で照射される場合に、迅速且つ有
効な架橋法を受けるのに適したポリホスファゼン誘導体
に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）リン原
子に結合された、置換もしくは未置換のアルコキシル基
、フルオロアルコキシル基、アリールオキシル基及びア
ミノ基を含むポリホスファゼン誘導体の調製方法が、例
えば、下記の如き、従来の刊行物に記載されている。
子に結合された、置換もしくは未置換のアルコキシル基
、フルオロアルコキシル基、アリールオキシル基及びア
ミノ基を含むポリホスファゼン誘導体の調製方法が、例
えば、下記の如き、従来の刊行物に記載されている。
ａ） Ｈ，Ｒ，オールコック（Ａｌｌｃｏｃｋ）著、
＋１リン−窒素化合物（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ−Ｎｉｔ
ｒｏｇｅｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）”アカデｌ ツク・
プレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ） 、ニューヨ
ーク、１９７２年、 ｂ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“ポリ（オルガノホ
スファゼン）−特異の新規な高分子ポリマー（Ｐｏｌｙ
（ｏｒｇａｎｏｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅｓ） −Ｕｎｕ
ｓａｌ Ｎｅｗ ＨｉｇｈＰｏｔｙａ＋ｅｒｓ 、
Ａｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｗ、 Ｉｎｔ、 Ｅｄ、 Ｅｎｇ
ｌ、 １６巻１４７頁（１９７７年）、 ｃ） Ｈ，Ｒ，オールコーク著、′ポリ（オルガノホ
スファゼン） （Ｐｏｌｙ（ｏｒｇａｎｏｐｈｏｓｐ
ｈａｚｅｎｅｓ）） ”Ｃｈｅｍ、 Ｔｅｃｈ、 １
９頁、１９７９年、ｄ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、
“環状ホスファゼンの重合（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉ
ｏｎ ｏｆ Ｃｙｃｌｉｃ Ｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅｓ
）”。
＋１リン−窒素化合物（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ−Ｎｉｔ
ｒｏｇｅｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）”アカデｌ ツク・
プレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ） 、ニューヨ
ーク、１９７２年、 ｂ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“ポリ（オルガノホ
スファゼン）−特異の新規な高分子ポリマー（Ｐｏｌｙ
（ｏｒｇａｎｏｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅｓ） −Ｕｎｕ
ｓａｌ Ｎｅｗ ＨｉｇｈＰｏｔｙａ＋ｅｒｓ 、
Ａｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｗ、 Ｉｎｔ、 Ｅｄ、 Ｅｎｇ
ｌ、 １６巻１４７頁（１９７７年）、 ｃ） Ｈ，Ｒ，オールコーク著、′ポリ（オルガノホ
スファゼン） （Ｐｏｌｙ（ｏｒｇａｎｏｐｈｏｓｐ
ｈａｚｅｎｅｓ）） ”Ｃｈｅｍ、 Ｔｅｃｈ、 １
９頁、１９７９年、ｄ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、
“環状ホスファゼンの重合（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉ
ｏｎ ｏｆ Ｃｙｃｌｉｃ Ｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅｓ
）”。
Ｐｏｌｙｍｅｒ ２１巻、６７３頁（１９８０年）、ｅ
） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“ポリホスファゼン、
及びポリマー化学への無機アプローチ（Ｐｏ１ｙ−ｐｈ
ｏｓｐｈａｚｅｎｓ ５ａｎｄ ｔｈｅ Ｉｎｏｒｇａ
ｎｉｃ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｔ。
） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“ポリホスファゼン、
及びポリマー化学への無機アプローチ（Ｐｏ１ｙ−ｐｈ
ｏｓｐｈａｚｅｎｓ ５ａｎｄ ｔｈｅ Ｉｎｏｒｇａ
ｎｉｃ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｔ。
ｔｈｅ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）”
Ｓｃｉ、 Ｐｒｏｇ、 Ｏｘｆ。
Ｓｃｉ、 Ｐｒｏｇ、 Ｏｘｆ。
６６巻、３５５頁（１９８０年）、
ｆ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、゛リン原子及び窒素
原子の主鎖を有する有機−無機ポリマー野調節した合ｔ
ｃ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ５ｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ
Ｏｒｇａｎｉｃ−Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒｓ ｔｈａｔ ｐｏｓｓｅｓｓ ａ Ｂａｃｋｂｏｎ
ｅｏｆ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ａｎｄ Ｎｉｔｒｏｇ
ｅｎ Ａｔｏｍｓ ＳＭａｃｒｏｍｏｌ。
原子の主鎖を有する有機−無機ポリマー野調節した合ｔ
ｃ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ５ｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ
Ｏｒｇａｎｉｃ−Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒｓ ｔｈａｔ ｐｏｓｓｅｓｓ ａ Ｂａｃｋｂｏｎ
ｅｏｆ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ａｎｄ Ｎｉｔｒｏｇ
ｅｎ Ａｔｏｍｓ ＳＭａｃｒｏｍｏｌ。
Ｃｈｅｍ、５ｕｐｐ１． ４巻、３頁（１９８１年）、
ｇ） Ｇ、Ｌ、ハグナウアー（Ｆｌａｇｎａｕｅｒ）
著、′ポリジクロロホスファゼンの重合の研究（Ｐｏｌ
ｙｄｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅ Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ５ｔｕｄｉｅｓ）”、 Ｊ
。
ｇ） Ｇ、Ｌ、ハグナウアー（Ｆｌａｇｎａｕｅｒ）
著、′ポリジクロロホスファゼンの重合の研究（Ｐｏｌ
ｙｄｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅ Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ５ｔｕｄｉｅｓ）”、 Ｊ
。
Ｍａｃｒｏｍｏｌ、 ５ｃｉ−Ｃｈｅａ＋、 Ａ １６
巻、３８５頁（１９８１年）、 ｈ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“無機巨大分子（Ｉ
ｎｏｒｇａｎｉｃ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）”
、 Ｃｂｅｍ、 Ｅｎｇ。
巻、３８５頁（１９８１年）、 ｈ） Ｈ，Ｒ，オールコック著、“無機巨大分子（Ｉ
ｎｏｒｇａｎｉｃ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）”
、 Ｃｂｅｍ、 Ｅｎｇ。
Ｎｅｗｓ、２２頁（１９８５年）、
ｉ） Ｍ、ブレリア（Ｇｌｅｒｉａ）著、′ポリ（オ
ルガノホスファゼン） （Ｐｏｌｉ（ｏｒｇａｎｏｆ
ｏｓｆａｚｅｎｉ）） ：構造、応用、性質（Ｓｔｒｕ
ｔｔｕｒａ ５Ａｐｐｌｉｃａｚｉｏｎｉ。
ルガノホスファゼン） （Ｐｏｌｉ（ｏｒｇａｎｏｆ
ｏｓｆａｚｅｎｉ）） ：構造、応用、性質（Ｓｔｒｕ
ｔｔｕｒａ ５Ａｐｐｌｉｃａｚｉｏｎｉ。
Ｐｒｏｓｐｅｔｔｉｖｅ）”、Ｃｈｉ＋ｍ、 Ｉｎｄ、
（Ｍｉｌａｎ） 、７０巻（１９８８年）、補充１１
号、１５頁、ｌ） Ｈ，Ｒ，オールコック著“ポリ（
オルガノホスファゼン） （Ｐｏｌｙ（ｏｒｇａｎｏｐ
ｈｏｓｐｈａｚｅｎｓ）”、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、マーク （Ｍａｒｋ） Ｈ，Ｆ、、
ビケールズ（Ｂｉｋａｌｅｓ） Ｎ、Ｍ、、オーバーベ
ルガー（Ｏｖｅｒｂｅｒｇｅｒ）Ｃ，Ｇ、、メンゲズ（
Ｍｅｎｇｅｓ） Ｇ、、クロシュウ４ｙツ（Ｘｒｏｓｃ
ｈｗｉｔｚ）Ｊ、１． 編集、ウイリイ（Ｗｉｌｅｙ）
、ニューヨーク、１９８８年、１３巻、３１頁。
（Ｍｉｌａｎ） 、７０巻（１９８８年）、補充１１
号、１５頁、ｌ） Ｈ，Ｒ，オールコック著“ポリ（
オルガノホスファゼン） （Ｐｏｌｙ（ｏｒｇａｎｏｐ
ｈｏｓｐｈａｚｅｎｓ）”、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、マーク （Ｍａｒｋ） Ｈ，Ｆ、、
ビケールズ（Ｂｉｋａｌｅｓ） Ｎ、Ｍ、、オーバーベ
ルガー（Ｏｖｅｒｂｅｒｇｅｒ）Ｃ，Ｇ、、メンゲズ（
Ｍｅｎｇｅｓ） Ｇ、、クロシュウ４ｙツ（Ｘｒｏｓｃ
ｈｗｉｔｚ）Ｊ、１． 編集、ウイリイ（Ｗｉｌｅｙ）
、ニューヨーク、１９８８年、１３巻、３１頁。
更に、上記の刊行物は、環状ホスファゼン誘導体及びポ
リマーホスファゼン誘導体の商業及び工業の両方の実用
的用途の非常に広い可能性を説明している。二、三の上
記の刊行物は、型（Ｉ）（式中、ｙ及び２は０に等しい
）の−殻構造を有するポリホスファゼン、即ちケトン（
脂肪族、芳香族、またはアルキル芳香族）基またはキノ
ン基を含むポリホスファゼンの台底を記載している。し
かしながら、今までのところ、刊行物は一般式（■）（
式中、ｙ及び２はＯとは異なり、しかも置換基Ｘにより
表わされるケトン基またはキノン基は置換基Ｘ′により
式中で表わされる、種々のアルキル化三級ア果）基を含
む、アルコキシル型、アルコキシル型またはア藁ノ型の
その他の置換基と共にホスファゼン核中に存在する）の
ポリホスファゼン物質の台底を記載しておらず、また示
唆していない。更に、刊行物は、迅速且つ有効な光重合
法を受け、それ故、像再或のための通常でない系（即ち
、ハロゲン化銀の使用に基かない）として使用される可
能性、または印刷回路の調製のためのマイクロエレクト
ロニクス、マイクロリトグラフィー等に於ける適用可能
性を示すのに適した物質としての一般式（Ｉ）により表
わされるポリホスファゼンの使用を記載しておらず、ま
た示唆していない。
リマーホスファゼン誘導体の商業及び工業の両方の実用
的用途の非常に広い可能性を説明している。二、三の上
記の刊行物は、型（Ｉ）（式中、ｙ及び２は０に等しい
）の−殻構造を有するポリホスファゼン、即ちケトン（
脂肪族、芳香族、またはアルキル芳香族）基またはキノ
ン基を含むポリホスファゼンの台底を記載している。し
かしながら、今までのところ、刊行物は一般式（■）（
式中、ｙ及び２はＯとは異なり、しかも置換基Ｘにより
表わされるケトン基またはキノン基は置換基Ｘ′により
式中で表わされる、種々のアルキル化三級ア果）基を含
む、アルコキシル型、アルコキシル型またはア藁ノ型の
その他の置換基と共にホスファゼン核中に存在する）の
ポリホスファゼン物質の台底を記載しておらず、また示
唆していない。更に、刊行物は、迅速且つ有効な光重合
法を受け、それ故、像再或のための通常でない系（即ち
、ハロゲン化銀の使用に基かない）として使用される可
能性、または印刷回路の調製のためのマイクロエレクト
ロニクス、マイクロリトグラフィー等に於ける適用可能
性を示すのに適した物質としての一般式（Ｉ）により表
わされるポリホスファゼンの使用を記載しておらず、ま
た示唆していない。
（課題を解決するための手段）
本発明は、紫外線または可視輻射線にフィルムの状態で
露出される場合に迅速且つ有効な光架橋法に適し、且つ
一般式（１） （式中、Ｘはヒドロキシル官能基またはア逅）官能基に
よりポリホスファゼン鎖に結合され、カルボニル基を含
む置換基を表わし、 Ｘ′はヒドロキシル官能基または７５ノ官能基によりポ
リホスファゼン鎖に結合され、１個以上の種々のアルキ
ル化三級アξノ基を含む付加的な置換基を表わし、 （ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜１５．０００の範囲の整数であ
り、 Ｗ及び２は０以上の値を有し、いずれにしても１５．０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５，０００の範囲の値を有する整数である
） を有するポリホスファゼン誘導体に関する。
露出される場合に迅速且つ有効な光架橋法に適し、且つ
一般式（１） （式中、Ｘはヒドロキシル官能基またはア逅）官能基に
よりポリホスファゼン鎖に結合され、カルボニル基を含
む置換基を表わし、 Ｘ′はヒドロキシル官能基または７５ノ官能基によりポ
リホスファゼン鎖に結合され、１個以上の種々のアルキ
ル化三級アξノ基を含む付加的な置換基を表わし、 （ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜１５．０００の範囲の整数であ
り、 Ｗ及び２は０以上の値を有し、いずれにしても１５．０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５，０００の範囲の値を有する整数である
） を有するポリホスファゼン誘導体に関する。
光架橋法に於いて最大の有効性を製品に付与するために
は、ｙ／（ｙ＋ｗ＋ｚ）の比はできるだけｌに近い値を
有する。
は、ｙ／（ｙ＋ｗ＋ｚ）の比はできるだけｌに近い値を
有する。
本発明の誘導体は、置換基Ｘ及びＸ′を与えるための試
薬として、ヒドロキシル基またはアくノ基を含む化合物
を利用する方法であって、上記の化合物がヒドロキシル
基を含む場合、有機溶媒に溶解された、これらの化合物
が化学量論量の水素化ナトリウムと反応され、こうして
生成されたすトリウム塩が、必要によりテトラアルキル
アンモニウムハライドの存在下に、−ａ式（ＮＰＣｌ
、） 、ｌ（式中、ｎは２０〜１５．０００の範囲の整
数である）のポリジクロロホスファゼンと反応され、上
記の化合物がヒドロキシル基またはアもノ基を含む場合
には、それらは出発反応種及び最終ポリホスファゼン誘
導体の両方が可溶性である有機溶媒からなる反応媒体中
で三級アミンの存在下でポリジクロロホスファゼンと反
応されることを特徴とする上記の方法により調製される
。
薬として、ヒドロキシル基またはアくノ基を含む化合物
を利用する方法であって、上記の化合物がヒドロキシル
基を含む場合、有機溶媒に溶解された、これらの化合物
が化学量論量の水素化ナトリウムと反応され、こうして
生成されたすトリウム塩が、必要によりテトラアルキル
アンモニウムハライドの存在下に、−ａ式（ＮＰＣｌ
、） 、ｌ（式中、ｎは２０〜１５．０００の範囲の整
数である）のポリジクロロホスファゼンと反応され、上
記の化合物がヒドロキシル基またはアもノ基を含む場合
には、それらは出発反応種及び最終ポリホスファゼン誘
導体の両方が可溶性である有機溶媒からなる反応媒体中
で三級アミンの存在下でポリジクロロホスファゼンと反
応されることを特徴とする上記の方法により調製される
。
（発明の詳細な説明）
本発明のポリホスファゼン誘導体及びそれらの調製方法
の特徴は、以下の詳細な説明により一層良く明瞭となる
。
の特徴は、以下の詳細な説明により一層良く明瞭となる
。
上記の誘導体は、一般式（Ｉ）を有する。
（式中、
Ｘは、
次式
％式％
（式中、Ｙは一〇−または−ＮＨ−を表わし、Ｒは直鎖
または分枝鎖の構造を有し１〜３０個の炭素原子を含む
アルキル基、またはアリール基を表わし、 Ｒ′は−ＣＨ２−または置換もしくは未置換のアリール
基もしくは複素環基を表わし、 ｍはＯ〜５の範囲であり得る整数である）を有するヒド
ロキシ置換もしくはアミノ置換カルボニル化合物から誘
導する置換基を表わし、Ｘ′は、１〜３０個の炭素原子
を含む直鎖もしくは分枝鎖を有する脂肪族のアルコール
またはアミンから誘導し、且つ 一般式 Ｒ′Ｊ （ＣＥｌｚ）ｋＹ Ｈ（式中、Ｒ
７／はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル等（これらの基は直鎖ま
たは分枝鎖を有する）を表わし、 ｋは１〜３０の範囲であり得る整数であり、Ｙは一〇−
または−ＮＨ−を表わす） の種々のアルキル化三級アξノ基をも含むか、あるいは （式中、Ｒ＃及びＹは先に定義されたのと同じである） の種々のアルキル化三級アごノ基により環の異なる位置
で置換されたフェノールまたは芳香族アミンから誘導す
る、１個以上の種々のアルキル化三級アミン官能基を有
する付加的な置換基を表わし、（ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜
１５．０００の範囲の整数であり、 Ｗ及び２は０以上の値を有し、いずれにしても１５．０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５．０００の範囲の値を有する整数である
） 上記の式から明らかなように、置換基Ｘを得るために上
記のポリホスファゼン誘導体の調製に使用される化合物
は、脂肪族、芳香族及びアルキル芳香族のケトンまたは
キノンを含む群から選ばれたヒドロキシ置換もしくはア
ミノ置換カルボニル化合物である。一方、付加的な置換
基Ｘ′を得るのに使用される化合物は、互いに同種また
は異種の、直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基を含む三級
アミノ官能基により種々置換された、種々の型の脂肪族
のアルコールもしくはアミン、フェノール及びアニリン
から選ばれる。
または分枝鎖の構造を有し１〜３０個の炭素原子を含む
アルキル基、またはアリール基を表わし、 Ｒ′は−ＣＨ２−または置換もしくは未置換のアリール
基もしくは複素環基を表わし、 ｍはＯ〜５の範囲であり得る整数である）を有するヒド
ロキシ置換もしくはアミノ置換カルボニル化合物から誘
導する置換基を表わし、Ｘ′は、１〜３０個の炭素原子
を含む直鎖もしくは分枝鎖を有する脂肪族のアルコール
またはアミンから誘導し、且つ 一般式 Ｒ′Ｊ （ＣＥｌｚ）ｋＹ Ｈ（式中、Ｒ
７／はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル等（これらの基は直鎖ま
たは分枝鎖を有する）を表わし、 ｋは１〜３０の範囲であり得る整数であり、Ｙは一〇−
または−ＮＨ−を表わす） の種々のアルキル化三級アξノ基をも含むか、あるいは （式中、Ｒ＃及びＹは先に定義されたのと同じである） の種々のアルキル化三級アごノ基により環の異なる位置
で置換されたフェノールまたは芳香族アミンから誘導す
る、１個以上の種々のアルキル化三級アミン官能基を有
する付加的な置換基を表わし、（ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜
１５．０００の範囲の整数であり、 Ｗ及び２は０以上の値を有し、いずれにしても１５．０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５．０００の範囲の値を有する整数である
） 上記の式から明らかなように、置換基Ｘを得るために上
記のポリホスファゼン誘導体の調製に使用される化合物
は、脂肪族、芳香族及びアルキル芳香族のケトンまたは
キノンを含む群から選ばれたヒドロキシ置換もしくはア
ミノ置換カルボニル化合物である。一方、付加的な置換
基Ｘ′を得るのに使用される化合物は、互いに同種また
は異種の、直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基を含む三級
アミノ官能基により種々置換された、種々の型の脂肪族
のアルコールもしくはアミン、フェノール及びアニリン
から選ばれる。
本発明のポリホスファゼン誘導体の調製のため、上記の
化合物は、−数式（ＮＰＣ４２ｚ）−（式中、ｎは２０
〜１５，０００の整数である）のポリジクロロホスファ
ゼンと直接に反応されるか、あるいは、上記の化合物が
ヒドロキシル官能基をもつ化合物である場合には水素化
ナトリウムとの反応の後に、反応されることが望ましい
。
化合物は、−数式（ＮＰＣ４２ｚ）−（式中、ｎは２０
〜１５，０００の整数である）のポリジクロロホスファ
ゼンと直接に反応されるか、あるいは、上記の化合物が
ヒドロキシル官能基をもつ化合物である場合には水素化
ナトリウムとの反応の後に、反応されることが望ましい
。
本発明の化合物は、下記の方法の一つに従って調製され
る。
る。
Ａ） Ｘ及びＸ′の両方が、ヒドロキシル基を含む化
合物から誘導する置換基であるべきである場合、適当な
有機溶媒中に溶解された、これらの化合物は、化学量論
量の水素化ナトリウムと反応され、こうして生成された
相当するナトリウム塩が、ポリジクロロホスファゼンの
塩素原子を置換する方法に連続に（または同時に）使用
される。この置換反応は、その置換方法の有効性を高め
るため、またテトラアルキルアンモニウムハライドの存
在下に行ない得る。
合物から誘導する置換基であるべきである場合、適当な
有機溶媒中に溶解された、これらの化合物は、化学量論
量の水素化ナトリウムと反応され、こうして生成された
相当するナトリウム塩が、ポリジクロロホスファゼンの
塩素原子を置換する方法に連続に（または同時に）使用
される。この置換反応は、その置換方法の有効性を高め
るため、またテトラアルキルアンモニウムハライドの存
在下に行ない得る。
Ｂ） Ｘ及びＸ′がヒドロキシル官能基またはアミノ
官能基を含む化合物から誘導する置換基であるべきであ
る場合、それらは三級アミノの存在下でポリジクロロホ
スファゼンと反応され、その三級アミンは、−面で副反
応を最小にするという働きを有し、他面で置換反応から
生じる塩酸の受容体として作用するという働きを有する
。
官能基を含む化合物から誘導する置換基であるべきであ
る場合、それらは三級アミノの存在下でポリジクロロホ
スファゼンと反応され、その三級アミンは、−面で副反
応を最小にするという働きを有し、他面で置換反応から
生じる塩酸の受容体として作用するという働きを有する
。
置換基Ｘ′が、既に三級ア逅ノ基をそれ自体で含み、こ
れはクロロホスファゼン置換反応中に放出される塩酸に
対して遊離三級アミノと同じ作用を奏し得ることが注目
されるべきである。
れはクロロホスファゼン置換反応中に放出される塩酸に
対して遊離三級アミノと同じ作用を奏し得ることが注目
されるべきである。
本発明のポリホスファゼン誘導体は、光架橋法中に最大
の有効性を得るために、できるだけ高いｙの値並びにで
きるだけ低いＷ及び２の値を有するように台底される。
の有効性を得るために、できるだけ高いｙの値並びにで
きるだけ低いＷ及び２の値を有するように台底される。
それは、ヘテロ置換ホスファゼンモノマー単位の数が、
光活性種Ｘをそれが相互作用して遊離基を生成する三級
ア多ノ基のすぐ近くにあるようにできるだけ大きくある
べきであることを意味する。
光活性種Ｘをそれが相互作用して遊離基を生成する三級
ア多ノ基のすぐ近くにあるようにできるだけ大きくある
べきであることを意味する。
置換基Ｘ及びＸ′を与え得る試薬がポリジクロロホスフ
ァゼンと反応される順序は、上記の置換基の塩基性度に
より決められる。特に、高い塩基性度を有する置換基が
最初に反応されて、次に低い塩基性度を有する置換基を
残す。この手段は、最初に反応させられてホスファゼン
鎖に既に結合される低い塩基性度を有する置換基と高い
塩基性度を有する置換基（これは遅れて分子に入る）と
の交換反応を防止するために使用される。
ァゼンと反応される順序は、上記の置換基の塩基性度に
より決められる。特に、高い塩基性度を有する置換基が
最初に反応されて、次に低い塩基性度を有する置換基を
残す。この手段は、最初に反応させられてホスファゼン
鎖に既に結合される低い塩基性度を有する置換基と高い
塩基性度を有する置換基（これは遅れて分子に入る）と
の交換反応を防止するために使用される。
更に、最初に反応される置換基は、それが置換すべき塩
素の理論量に正確に等しい量で使用され、その量は通常
ポリジクロロホスファゼン中の当初に利用できる量の５
０％に相当し、一方、次に反応する置換基は、できるだ
け完全な塩素置換を得るために、その理論量に基いて計
算して１００％を大きく越える量で使用される必要があ
る。
素の理論量に正確に等しい量で使用され、その量は通常
ポリジクロロホスファゼン中の当初に利用できる量の５
０％に相当し、一方、次に反応する置換基は、できるだ
け完全な塩素置換を得るために、その理論量に基いて計
算して１００％を大きく越える量で使用される必要があ
る。
基Ｘ及び基Ｘ′の両方が等しい塩基性度を有する場合に
は、相当する化合物はまた等量でのみ成る溶媒に溶解で
き、−緒に反応させ得る。
は、相当する化合物はまた等量でのみ成る溶媒に溶解で
き、−緒に反応させ得る。
本発明のポリホスファゼン誘導体の調製に関し、反応条
件は、置換基Ｘ及びＸ′を与える化合物の反応性、その
反応に使用される三級アミンの型、及び最終ポリマー中
に得られるべき置換度の如き、因子の関数として広い範
囲にわたって変化し得る。
件は、置換基Ｘ及びＸ′を与える化合物の反応性、その
反応に使用される三級アミンの型、及び最終ポリマー中
に得られるべき置換度の如き、因子の関数として広い範
囲にわたって変化し得る。
一般に、反応温度は２５℃〜２５０℃に変化でき、ポリ
ジクロロホスファゼンの塩素の完全な置換に必要な時間
は１日〜７日に変化できる。低い反応温度は長い反応時
間を伴ない、逆に高い反応温度は短かい反応時間を得る
ことを可能にする。
ジクロロホスファゼンの塩素の完全な置換に必要な時間
は１日〜７日に変化できる。低い反応温度は長い反応時
間を伴ない、逆に高い反応温度は短かい反応時間を得る
ことを可能にする。
反応は有機溶媒または有機溶媒の混合物中で行なわれ、
これらはポリジクロロホスファゼン、ヒドロキシル官能
基を含む置換基Ｘ及びＸ′を与える化合物、そのナトリ
ウム塩、アミノ基を含む置換基Ｘ及びＸ′を与える化合
物、三級アミン及び更にポリホスファゼン誘導体の溶媒
である必要がある。
これらはポリジクロロホスファゼン、ヒドロキシル官能
基を含む置換基Ｘ及びＸ′を与える化合物、そのナトリ
ウム塩、アミノ基を含む置換基Ｘ及びＸ′を与える化合
物、三級アミン及び更にポリホスファゼン誘導体の溶媒
である必要がある。
通常使用される溶媒は、ジグライム、トリグライム、塩
化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ベンゼン、トルエン及びキシレンである。溶媒
量は重要ではなく、反応物質を充分に可溶化するのに充
分な量が使用できる。
化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ベンゼン、トルエン及びキシレンである。溶媒
量は重要ではなく、反応物質を充分に可溶化するのに充
分な量が使用できる。
更に、溶媒は、出発ポリジクロロホスファゼンの塩素原
子によりひき起こされる望ましくない副反応を避けるた
めに充分に無水である必要がある。
子によりひき起こされる望ましくない副反応を避けるた
めに充分に無水である必要がある。
一般に、脂肪族、芳香族、アルキル芳香族のケトンの量
またはヒドロキシ置換もしくはアもノ置換のキノンの量
、並びに台底に使用されるＸ′を与える付加的な試薬の
量は、出発ポリマー中に利用できる塩素原子の数に少な
くとも等しくあるべきである。しかしながら、所望によ
り、塩素原子の完全な置換を確実にするため、過剰のケ
トン化合物またはキノン化合物を使用することが可能で
ある。
またはヒドロキシ置換もしくはアもノ置換のキノンの量
、並びに台底に使用されるＸ′を与える付加的な試薬の
量は、出発ポリマー中に利用できる塩素原子の数に少な
くとも等しくあるべきである。しかしながら、所望によ
り、塩素原子の完全な置換を確実にするため、過剰のケ
トン化合物またはキノン化合物を使用することが可能で
ある。
本発明の誘導体を調製するのに使用されるポリジクロロ
ホスファゼンは高反応性ポリマーであり、これは湿気に
不安定であり、実質的に直鎖の構造を有し、一般に、例
えば、ヘキサクロロシクロホスファゼン（ＮＰＣｌ ２
） ！またはオクタクロロシクロテトラホスファゼン（
ＮＰＣｌ り ４の如き、低分子量の環状オリゴマー、
またはその両方の混合物から出発して、減圧下で、熱塊
重合により調製される。
ホスファゼンは高反応性ポリマーであり、これは湿気に
不安定であり、実質的に直鎖の構造を有し、一般に、例
えば、ヘキサクロロシクロホスファゼン（ＮＰＣｌ ２
） ！またはオクタクロロシクロテトラホスファゼン（
ＮＰＣｌ り ４の如き、低分子量の環状オリゴマー、
またはその両方の混合物から出発して、減圧下で、熱塊
重合により調製される。
本発明の目的を形成するポリホスファゼン誘導体を調製
するのに使用される三級アミンは、トリメチルアもン、
トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ
−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミンの如き、一
般式 （式中、Ｒ，、Ｒ，及びＲ５は、夫々、１〜８個の炭素
原子を含むアルキルである）により表わされる三級アミ
ノを含むが、またＮ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピ
ロール等、及び更にピリジンの如き三級アミン、並びに
Ｎ、Ｎ、Ｎ′，Ｎ′−テトラメチレンジアミンの如きジ
アミノ基を含む三級アミノを使用することが可能である
。使用される三級アミノはトリエチルアミン及びＮ、
Ｎ、 Ｎ’ 、 Ｎ’−テトラメチレンジアミンである
ことが好ましい、それらはクロロホスファゼン置換法中
に放出される塩酸を中和するのに必要な化学量論量に対
して大過剰で使用される。
するのに使用される三級アミンは、トリメチルアもン、
トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ
−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミンの如き、一
般式 （式中、Ｒ，、Ｒ，及びＲ５は、夫々、１〜８個の炭素
原子を含むアルキルである）により表わされる三級アミ
ノを含むが、またＮ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピ
ロール等、及び更にピリジンの如き三級アミン、並びに
Ｎ、Ｎ、Ｎ′，Ｎ′−テトラメチレンジアミンの如きジ
アミノ基を含む三級アミノを使用することが可能である
。使用される三級アミノはトリエチルアミン及びＮ、
Ｎ、 Ｎ’ 、 Ｎ’−テトラメチレンジアミンである
ことが好ましい、それらはクロロホスファゼン置換法中
に放出される塩酸を中和するのに必要な化学量論量に対
して大過剰で使用される。
テトラブチルアンモニウムハライドは、ポリジクロロホ
スファゼン（ＮＰＣ１２ｚ） ｎと種々の試薬との置換
反応に触媒として作用する。使用されるハロゲン化物は
テトラブチルアンモニウムハライド、プロミド及びクロ
リドである。ハロゲン化物の中で、テトラブチルアンモ
ニウムプロミドが使用されることが好ましい。
スファゼン（ＮＰＣ１２ｚ） ｎと種々の試薬との置換
反応に触媒として作用する。使用されるハロゲン化物は
テトラブチルアンモニウムハライド、プロミド及びクロ
リドである。ハロゲン化物の中で、テトラブチルアンモ
ニウムプロミドが使用されることが好ましい。
置換基Ｘを与えるためにクロロホスファゼンとの反応に
使用されるケトン化合物またはキノン化合物は、α−ア
ミノアセトン及びα−ヒドロキシアセトン、４−アミノ
ベンゾフェノンもしくは４−ヒドロキシベンゾフェノン
、４−アミノアセトフェノンもしくは４−ヒドロキシア
セトフェノン、４−アもノプロビオフェノンもしくは４
−ヒドロキシプロピオフェノン、４−アミノバレロフエ
ノンもしくは４−ヒドロキシバレロフエノン、２−アミ
ノフルオレノン及び２−ヒドロキシフルオレノン、２−
ヒドロキシメチルアントラキノン、１−もしくは２−ア
ミノアントラキノン、２−ヒドロキシ−ナフトキノン、
等である。
使用されるケトン化合物またはキノン化合物は、α−ア
ミノアセトン及びα−ヒドロキシアセトン、４−アミノ
ベンゾフェノンもしくは４−ヒドロキシベンゾフェノン
、４−アミノアセトフェノンもしくは４−ヒドロキシア
セトフェノン、４−アもノプロビオフェノンもしくは４
−ヒドロキシプロピオフェノン、４−アミノバレロフエ
ノンもしくは４−ヒドロキシバレロフエノン、２−アミ
ノフルオレノン及び２−ヒドロキシフルオレノン、２−
ヒドロキシメチルアントラキノン、１−もしくは２−ア
ミノアントラキノン、２−ヒドロキシ−ナフトキノン、
等である。
置換基Ｘ′を与える付加的な試薬は、
ａ） 例えば、２−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルア箋ノーエタ
ノールもしくは２−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノーエタノ
ール、３− Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミツブロバノールも
しくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノープロパツール、
４−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアごノーブタノールもしくは
４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−ブタノール、等の如き
、１〜３０個の炭素原子を含む直鎖もしくは分枝鎖を有
し、鎖中に、種々のアルキル化三級アミン基を有する脂
肪族アルコール、ｂ〉 例えば３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチ
ルアミノ−フェノールもしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチル
ア５ノーフェノール、４− Ｎ、Ｎ’−ジメチルアξノ
ーフェノールもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア旦ノー
フェノール、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアもノーβ−ナフ
トールもしくは４−Ｎ、Ｎ′−ジエチルアミノ−β−ナ
フトール、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−α−ナフト
ールもしくは６−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノーα−ナフ
トール、等の如き、種々の性質及び複雑さの三級アミノ
基により環中で種々置換され、且つ芳香族環中の異なる
位置に配置される、フェノールまたはナフトールの如き
、芳香族アルコール、 Ｃ） 例えば、２−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア藁ノーエチル
アミンもしくは２−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア逅ノーエチル
アミン、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア逅ノープロピルアミ
ンもしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア果ノープロピルア
ミン、４− Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−ブチルアミ
ンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−ブチルアミ
ン、等の如き、同種または互いに異なる種々のアルキル
化三級ア朶ノ基を賦与された、１〜３個の炭素原子によ
り形成される直鎖もしくは分枝鎖を有する、−級及び二
級の脂肪族アミノ、 ｄ） 例えば、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−アニリ
ンもしくは３−Ｎ、Ｎ’ −ジエチルアミノ−アニリン
、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−４−メチルアニリン
もしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−４−メチルア
ニリン、３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−４−メトキ
シアニリンもしくは３−Ｎ、Ｎ’ジエチルアξノー４−
メトキシアニリン、等、または４−Ｎ、Ｎ’−ジメチル
アミノ−アニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミ
ノアニリン、４−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア壽ノー３−メチ
ルアニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−３
−メチルアニリン、４−Ｎ、Ｎ′−ジメチルアミノ−も
しくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−３−メチルアニ
リン、４−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−３−メトキシア
ニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’ −ジエチルアミノ−３−
メトキシアニリン、６−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−
β−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ、Ｎ’ジエチルアミ
ノ−β−ナフチルアミン、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミ
ノ−α−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ、Ｎ’−ジエチ
ルアミノ−α−ナフチルアミン、等の如き、芳香族環中
に種々の位置に配置された、同種または互いに異なる、
種々の性質及び複雑さの三級アミノ基により環中で種々
置換される、アニリンまたはα−もしくはβ−ナフチル
アミンの類の芳香蜂アミン である。
ノールもしくは２−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノーエタノ
ール、３− Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミツブロバノールも
しくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノープロパツール、
４−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアごノーブタノールもしくは
４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−ブタノール、等の如き
、１〜３０個の炭素原子を含む直鎖もしくは分枝鎖を有
し、鎖中に、種々のアルキル化三級アミン基を有する脂
肪族アルコール、ｂ〉 例えば３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチ
ルアミノ−フェノールもしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチル
ア５ノーフェノール、４− Ｎ、Ｎ’−ジメチルアξノ
ーフェノールもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア旦ノー
フェノール、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアもノーβ−ナフ
トールもしくは４−Ｎ、Ｎ′−ジエチルアミノ−β−ナ
フトール、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−α−ナフト
ールもしくは６−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアくノーα−ナフ
トール、等の如き、種々の性質及び複雑さの三級アミノ
基により環中で種々置換され、且つ芳香族環中の異なる
位置に配置される、フェノールまたはナフトールの如き
、芳香族アルコール、 Ｃ） 例えば、２−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア藁ノーエチル
アミンもしくは２−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア逅ノーエチル
アミン、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア逅ノープロピルアミ
ンもしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア果ノープロピルア
ミン、４− Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−ブチルアミ
ンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−ブチルアミ
ン、等の如き、同種または互いに異なる種々のアルキル
化三級ア朶ノ基を賦与された、１〜３個の炭素原子によ
り形成される直鎖もしくは分枝鎖を有する、−級及び二
級の脂肪族アミノ、 ｄ） 例えば、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−アニリ
ンもしくは３−Ｎ、Ｎ’ −ジエチルアミノ−アニリン
、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−４−メチルアニリン
もしくは３−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−４−メチルア
ニリン、３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−４−メトキ
シアニリンもしくは３−Ｎ、Ｎ’ジエチルアξノー４−
メトキシアニリン、等、または４−Ｎ、Ｎ’−ジメチル
アミノ−アニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミ
ノアニリン、４−Ｎ、Ｎ’−ジメチルア壽ノー３−メチ
ルアニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−３
−メチルアニリン、４−Ｎ、Ｎ′−ジメチルアミノ−も
しくは４−Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−３−メチルアニ
リン、４−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノ−３−メトキシア
ニリンもしくは４−Ｎ、Ｎ’ −ジエチルアミノ−３−
メトキシアニリン、６−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノ−
β−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ、Ｎ’ジエチルアミ
ノ−β−ナフチルアミン、６−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミ
ノ−α−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ、Ｎ’−ジエチ
ルアミノ−α−ナフチルアミン、等の如き、芳香族環中
に種々の位置に配置された、同種または互いに異なる、
種々の性質及び複雑さの三級アミノ基により環中で種々
置換される、アニリンまたはα−もしくはβ−ナフチル
アミンの類の芳香蜂アミン である。
本発明のポリホスファゼン誘導体は、現在、通常の工業
用途に使用される既知の製品と比較して、それらの物理
化学的性質を非常に広い程度に変え、その結果として、
以下のように操作すること、即ち ａ） それらを化合物の上記の類から適当に選択するこ
とにより置換基Ｘを適当に変え、 ｂ） それらを化合物の上記の類から適当に選択するこ
とにより置換基Ｘ′を適当に変え、ｃ） ｙ／ｗ＋ｙ
十ｚの比を適当に変えることにより、またそれらの光反
応性を変えるという可能性を有するという利点を示す。
用途に使用される既知の製品と比較して、それらの物理
化学的性質を非常に広い程度に変え、その結果として、
以下のように操作すること、即ち ａ） それらを化合物の上記の類から適当に選択するこ
とにより置換基Ｘを適当に変え、 ｂ） それらを化合物の上記の類から適当に選択するこ
とにより置換基Ｘ′を適当に変え、ｃ） ｙ／ｗ＋ｙ
十ｚの比を適当に変えることにより、またそれらの光反
応性を変えるという可能性を有するという利点を示す。
このようにして、異なる特性を有し、且つ種々の適用条
件に適した性質を有し、Ｘ及びＸ′にまりへテロ置換さ
れるホスファゼンモノマー単位の量を基準とし、且つ置
換基Ｘ及びＸ′の対が放射線照射下で反応性遊離基種を
生威し得る有効性を基準として前もって決定し得る有効
性及び迅速性でもって架橋し得るホスファゼンコポリマ
ーが得られる。
件に適した性質を有し、Ｘ及びＸ′にまりへテロ置換さ
れるホスファゼンモノマー単位の量を基準とし、且つ置
換基Ｘ及びＸ′の対が放射線照射下で反応性遊離基種を
生威し得る有効性を基準として前もって決定し得る有効
性及び迅速性でもって架橋し得るホスファゼンコポリマ
ーが得られる。
本発明のポリホスファゼン誘導体の使用に関し、それら
は薄い、可撓性の、弾性でしかも接着性のフィルムの形
態で使用でき、これらのフィルムはガラスまたは石英の
基材に付着され、続いて紫外線または可視輻射線で可変
の−続きの時間で照射される。
は薄い、可撓性の、弾性でしかも接着性のフィルムの形
態で使用でき、これらのフィルムはガラスまたは石英の
基材に付着され、続いて紫外線または可視輻射線で可変
の−続きの時間で照射される。
ポリマーフィルム、は、入射放射線に露出された表面領
域中で、光により誘導される架橋プロセスを受け、数秒
〜数分の範囲の上記のプロセスの期間は当該ポリマーの
非常に高度の（二、三の場合には完全な）架橋を生じる
。
域中で、光により誘導される架橋プロセスを受け、数秒
〜数分の範囲の上記のプロセスの期間は当該ポリマーの
非常に高度の（二、三の場合には完全な）架橋を生じる
。
本発明のホスファゼンコポリマーの光架橋のためのこの
方法は、像再生のための特異な系、即ちハロゲン化銀の
使用に基かない系として写真セクタに利用し得る。
方法は、像再生のための特異な系、即ちハロゲン化銀の
使用に基かない系として写真セクタに利用し得る。
実際に、光照射に露出されるポリマーフィルムの表面が
、入射輻射線を透過しないマスクにより一部遮へいされ
る場合には、光照射されないフィルム部分は上記のマス
クにより保護されるのでその初期の可溶性を保持し、一
方、全ての残りのフィルム部分は架橋を受ける。可溶性
のままであるフィルムの部分は続いて適当な溶媒により
溶解されて基材から除去され、その上に、利用された保
護マスクを正確に再生する像を残す。また、この種の光
架橋法は、印刷回路を製造するためのマイクロエレクト
ロニクス、マイクロリトグラフィー等の分野に利用でき
る。
、入射輻射線を透過しないマスクにより一部遮へいされ
る場合には、光照射されないフィルム部分は上記のマス
クにより保護されるのでその初期の可溶性を保持し、一
方、全ての残りのフィルム部分は架橋を受ける。可溶性
のままであるフィルムの部分は続いて適当な溶媒により
溶解されて基材から除去され、その上に、利用された保
護マスクを正確に再生する像を残す。また、この種の光
架橋法は、印刷回路を製造するためのマイクロエレクト
ロニクス、マイクロリトグラフィー等の分野に利用でき
る。
本発明を説明するために、以下の実施例が示される。こ
れらの実施例は、発明の範囲を限定するものではない。
れらの実施例は、発明の範囲を限定するものではない。
裏施旌上
下記の＆ｕ戒、４−ヒドロキシベンゾフェノン−７５％
、３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノール＝２５％
、 （ＮＰ ［０−ＣａＨ４−Ｃｏ−Ｃ６Ｈ５］ ＋、 Ｓ
［０−Ｃ６Ｈ４−３−Ｎ（Ｃ）１３） ｚｌ。、、）
を有するホスファゼンコポリマーの調製ポリジクロロホ
スファゼン１５．０ ｇ （０，１２９３モル＝０．２
５８６当量）を、１０１００Ｏ！、の容量を有する三ロ
フラスコに導入し、それらを約１００ｍ１の無水ジオキ
サン中に若干加熱して溶解した。６０％の水素化ナトリ
ウム６．８２８ ｇ及びテトラブチルアンモニウムプロ
ミド１．５ｇを別の１０００＋忍のフラスコに導入し、
約１００ｍ１のジオキサン中で懸濁した。仕込みロート
中で別途調製された、無水ジオキサン１５０ｍｆｆ１中
の新しく昇華した３−Ｎ。
、３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノール＝２５％
、 （ＮＰ ［０−ＣａＨ４−Ｃｏ−Ｃ６Ｈ５］ ＋、 Ｓ
［０−Ｃ６Ｈ４−３−Ｎ（Ｃ）１３） ｚｌ。、、）
を有するホスファゼンコポリマーの調製ポリジクロロホ
スファゼン１５．０ ｇ （０，１２９３モル＝０．２
５８６当量）を、１０１００Ｏ！、の容量を有する三ロ
フラスコに導入し、それらを約１００ｍ１の無水ジオキ
サン中に若干加熱して溶解した。６０％の水素化ナトリ
ウム６．８２８ ｇ及びテトラブチルアンモニウムプロ
ミド１．５ｇを別の１０００＋忍のフラスコに導入し、
約１００ｍ１のジオキサン中で懸濁した。仕込みロート
中で別途調製された、無水ジオキサン１５０ｍｆｆ１中
の新しく昇華した３−Ｎ。
Ｎ′−ジメチルアミノフェノール（１９，５１ｇ ＝０
、１４２２モル）（全部の利用できる塩素の５５％に相
当する）の溶液を、上記の懸濁液に滴下して添加した。
、１４２２モル）（全部の利用できる塩素の５５％に相
当する）の溶液を、上記の懸濁液に滴下して添加した。
添加の終了時、及び水素発生の終了時に、フェノールの
完全な反応を得るために、懸濁液を約４時間にわたって
還流下に加熱した。ついで、それを徐々に濾過し、窒素
雰囲気下で、ツユネートをポリジクロロホスファゼン溶
液に直接添加した。全体を２４時間にわたって攪拌下に
還流に保った。
完全な反応を得るために、懸濁液を約４時間にわたって
還流下に加熱した。ついで、それを徐々に濾過し、窒素
雰囲気下で、ツユネートをポリジクロロホスファゼン溶
液に直接添加した。全体を２４時間にわたって攪拌下に
還流に保った。
また、上記の２４時間の期間の開始時に、４−ヒドロキ
シベンゾフェノンナトリウム塩の調製を開始し、その結
果、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノフェノール及び４−
ヒドロキシベンゾフェノンナトリウム塩により部分置換
されたポリマーを同時に用意した。
シベンゾフェノンナトリウム塩の調製を開始し、その結
果、３−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノフェノール及び４−
ヒドロキシベンゾフェノンナトリウム塩により部分置換
されたポリマーを同時に用意した。
２０００ｍｆの容量を有するミロフラスコ中に、６０％
のＮａＨ２０，６９ｇ （０，５１７２モル）及びテト
ラブチルアンモニウムプロミド２ｇを仕込み、それらを
約２００ａ＋ｆの無水ジオキサン中に懸濁した。別途、
仕込みロート中で、４−ヒドロキシベンゾフェノン１０
５ｇを計量し、ついでそれらをジオキサン３００ｍＩｌ
中に溶解し、水素化ナトリウム懸濁液に徐々に滴下した
。水素の発生を観察した。
のＮａＨ２０，６９ｇ （０，５１７２モル）及びテト
ラブチルアンモニウムプロミド２ｇを仕込み、それらを
約２００ａ＋ｆの無水ジオキサン中に懸濁した。別途、
仕込みロート中で、４−ヒドロキシベンゾフェノン１０
５ｇを計量し、ついでそれらをジオキサン３００ｍＩｌ
中に溶解し、水素化ナトリウム懸濁液に徐々に滴下した
。水素の発生を観察した。
添加の終了時に、全ての懸濁液を約２４時間還流した。
この−続きの期間の終了時に、部分置換された懸濁液を
、４−ヒドロキシベンゾフェノンナトリウム塩の懸濁液
中に攪拌しながら注ぎ、その際沈澱したポリマーの固体
ブロックの全てをその中に移すように注意した。ついで
混合物を８０℃に加熱し、この温度に５日間保った。こ
の期間が経過した後、ポリマーを冷却し、過剰の水に注
いだ。
、４−ヒドロキシベンゾフェノンナトリウム塩の懸濁液
中に攪拌しながら注ぎ、その際沈澱したポリマーの固体
ブロックの全てをその中に移すように注意した。ついで
混合物を８０℃に加熱し、この温度に５日間保った。こ
の期間が経過した後、ポリマーを冷却し、過剰の水に注
いだ。
白色の固体が沈澱し、これを再度ＴＨＦに溶解し、水に
更に２回再沈させ、再度ＴＨＦに溶解し、ｎ−へブタン
に２回再沈させ、再度ＴＨＦに一度溶解し、５０％の酢
酸エチル／ｎ−へブタンに再沈させた。白色のゴム状ポ
リマーを得、これを減圧下で２時間乾燥した。
更に２回再沈させ、再度ＴＨＦに溶解し、ｎ−へブタン
に２回再沈させ、再度ＴＨＦに一度溶解し、５０％の酢
酸エチル／ｎ−へブタンに再沈させた。白色のゴム状ポ
リマーを得、これを減圧下で２時間乾燥した。
得られたポリマーの分光分析（ホモポリマーポリ〔ビス
（４−ベンゾイルフェノキシ）〕ホスファゼン（ＮＰＣ
−０−ＣｂＨａ−Ｃｏ−ＣＪｓ） ｚｌ 、ｌ中に含ま
れるベンゾフェノンの吸光係数はこの種のコポリマー中
でも同じ値をもち得るという仮定に基いて行なった）は
、ポリマー中に見られた組成（７５％のベンゾフェノン
基及び２５％の３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノ
ール基）がこの合成中に使用した試薬の量に基いて予想
された組成（５０％のベンシフエノン基及び５０％の３
−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノール基）と異なる
ことを明らかにした。
（４−ベンゾイルフェノキシ）〕ホスファゼン（ＮＰＣ
−０−ＣｂＨａ−Ｃｏ−ＣＪｓ） ｚｌ 、ｌ中に含ま
れるベンゾフェノンの吸光係数はこの種のコポリマー中
でも同じ値をもち得るという仮定に基いて行なった）は
、ポリマー中に見られた組成（７５％のベンゾフェノン
基及び２５％の３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノ
ール基）がこの合成中に使用した試薬の量に基いて予想
された組成（５０％のベンシフエノン基及び５０％の３
−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノール基）と異なる
ことを明らかにした。
取扱い工程中の偶発の光反応を避けるため、このポリマ
ーの調製及び精製の全ての操作は、暗い条件下、または
赤色光の下で行なった。
ーの調製及び精製の全ての操作は、暗い条件下、または
赤色光の下で行なった。
皇嵐皿１
下記の組成；４−ヒドロキシベンゾフェノン＝７５％、
３− Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノフェノール＝２５％、 （ＮＰ ［０−Ｃ６Ｈ４−Ｃｏ−Ｃ６Ｈ５］ １． Ｓ
［０−Ｃ６Ｈ４−Ｎ （Ｃ２Ｈ４）ｚ）。、、）を有
するホスファゼンコポリマーの調製このコポリマーは、
３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノールに代えて３
−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア逅ノフェノールを使用し、台底
及びその後の精製の両方中の暗い条件に関する同じ工夫
をまた採用して、実施例１に記載されるのと同じ様式に
従って調製した。
３− Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノフェノール＝２５％、 （ＮＰ ［０−Ｃ６Ｈ４−Ｃｏ−Ｃ６Ｈ５］ １． Ｓ
［０−Ｃ６Ｈ４−Ｎ （Ｃ２Ｈ４）ｚ）。、、）を有
するホスファゼンコポリマーの調製このコポリマーは、
３−Ｎ、Ｎ’ −ジメチルアミノフェノールに代えて３
−Ｎ、Ｎ’−ジエチルア逅ノフェノールを使用し、台底
及びその後の精製の両方中の暗い条件に関する同じ工夫
をまた採用して、実施例１に記載されるのと同じ様式に
従って調製した。
裏嵐班主
カットオフフィルターによる実施例１の生成物の光架橋
３４０ｎｍ未満の波長を有する入射輻射線を除くように
カットオフフィルターを使用し、下記の様式に従って操
作して、このコポリマーをガラスに付着された薄いフィ
ルムの形態で輻射線で照射した。
カットオフフィルターを使用し、下記の様式に従って操
作して、このコポリマーをガラスに付着された薄いフィ
ルムの形態で輻射線で照射した。
薄いコポリマーフィルムを、ジクロロメタン中のポリマ
ーの溶液の空気中への徐々の蒸発、及び２日間の減圧乾
燥により調製した。ついで、それを９００Ｗのキセノン
（Ｘｅｎｏｎ）ランプにより照射し、その際フィルムを
光源から約３０Ｃ１１に配置し、カットオフフィルター
をフィルムとランプの間に介在させた。
ーの溶液の空気中への徐々の蒸発、及び２日間の減圧乾
燥により調製した。ついで、それを９００Ｗのキセノン
（Ｘｅｎｏｎ）ランプにより照射し、その際フィルムを
光源から約３０Ｃ１１に配置し、カットオフフィルター
をフィルムとランプの間に介在させた。
照射の前及び後にポリマーフィルムに関して行なった分
光分析測定に基いて、光学密度の認められる変化が試験
した露出時間（１０分まで）の全てについて観察されな
かったことは重要である。
光分析測定に基いて、光学密度の認められる変化が試験
した露出時間（１０分まで）の全てについて観察されな
かったことは重要である。
ついで、照射したポリマーフィルムをジクロロメタン中
に浸漬し、数日間攪拌した。
に浸漬し、数日間攪拌した。
照射したポリマーの架橋度は、照射下に形成されたゲル
の比率（％）を測定することにより決定した。
の比率（％）を測定することにより決定した。
これらの材料を取扱い工程中の偶発の光架橋プロセスか
ら防止するために、ホスファゼンコポリマー溶液及び照
射すべき相当するフィルムの両方の全ての取扱い操作及
び貯蔵操作は、暗い条件下、または赤色光の下で行なっ
た。
ら防止するために、ホスファゼンコポリマー溶液及び照
射すべき相当するフィルムの両方の全ての取扱い操作及
び貯蔵操作は、暗い条件下、または赤色光の下で行なっ
た。
このポリマーを用いて得られた結果を、第１図（曲線１
）に示す。この図は照射時間（分）の関数としてのゲル
分率を示す。上記の曲線から、このコポリマーの極めて
高度の架橋が約１〜２分の照射で得ることができること
が明らかである。
）に示す。この図は照射時間（分）の関数としてのゲル
分率を示す。上記の曲線から、このコポリマーの極めて
高度の架橋が約１〜２分の照射で得ることができること
が明らかである。
裏腹明土
カットオフフィルターを用いない、実施例１の生成物の
光架橋 この場合に、カットオフフィルターをポリマーフィルム
と光源との間に介在させなかった以外は、同じ操作条件
下で、先の実施例に記載した試験を繰返した。第１図（
曲線２）に示された結果から、架橋プロセスが実施例３
で観察されたものと比較して一層短かい時間で起こった
ことが注目し得る。
光架橋 この場合に、カットオフフィルターをポリマーフィルム
と光源との間に介在させなかった以外は、同じ操作条件
下で、先の実施例に記載した試験を繰返した。第１図（
曲線２）に示された結果から、架橋プロセスが実施例３
で観察されたものと比較して一層短かい時間で起こった
ことが注目し得る。
裏嵐■工
照射波長の関数としての光架橋法の効率の評価実施例３
に記載されるように薄いフィルムの形態で塗布された実
施例１のポリマーを、この材料のスペクトル応答を調べ
るために、種々の試験で可変波長を有するカットオフフ
ィルターを用いて、等しい−続きの期間にわたって照射
した。
に記載されるように薄いフィルムの形態で塗布された実
施例１のポリマーを、この材料のスペクトル応答を調べ
るために、種々の試験で可変波長を有するカットオフフ
ィルターを用いて、等しい−続きの期間にわたって照射
した。
照射波数の関数としてこれらの試験で得られたケル分率
は、このコポリマーのスペクトル応答カ極紫外から約３
８０〜３９０ ｎｍの範囲であることを証明する。
は、このコポリマーのスペクトル応答カ極紫外から約３
８０〜３９０ ｎｍの範囲であることを証明する。
第１図は、実施例３及び実施例４で行なったゲル分率測
定試験の結果を示すグラフであり、照射時間（分）の関
数としてのゲル分率を示す。
定試験の結果を示すグラフであり、照射時間（分）の関
数としてのゲル分率を示す。
Claims (18)
- （１）下記の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘはヒドロキシル官能基またはアミノ官能基に
よりポリホスファゼン鎖に結合され、カルボニル基を含
む置換基を表わし、 Ｘ′はヒドロキシル官能基またはアミノ官能基によりポ
リホスファゼン鎖に結合され、１個以上の種々のアルキ
ル化三級アミノ基を含む付加的な置換基を表わし、 （ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜１５，０００の範囲の整数であ
り、 ｗ及びｚは０以上の値を有し、いずれにしても１５，０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５，０００の範囲の値を有する整数である
） を有する、カルボニル基及び種々のアルキル化三級アミ
ノ基を含むポリホスファゼン。 - （２）上記の置換基Ｘが、 下記の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｙは−Ｏ−または−ＮＨ−を表わし、Ｒは直鎖
または分枝鎖の構造を有し１〜３０個の炭素原子を含む
アルキル基、またはアリール基を表わし、 Ｒ′は−ＣＨ＿２−または置換もしくは未置換のアリー
ル基もしくは複素環基を表わし、 ｍは０〜５の範囲であり得る整数である） を有することを特徴とする、請求項１記載のポリホスフ
ァチッ誘導体。 - （３）上記の置換基Ｘ′が 下記の式 Ｒ″＿２Ｎ−（ＣＨ＿２）＿ｋ−Ｙ− ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ″は互いに同種または異種であってもよく、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル（これらの基は直鎖または分枝
鎖を有する）を表わし、Ｙは−Ｏ−または−ＮＨ−を表
わす） を有することを特徴とする、請求項１記載のポリホスフ
ァチッ誘導体。 - （４）ｙ／（ｙ＋ｗ＋ｚ）の比が１に近い値を有するこ
とを特徴とする、請求項１記載のポリホスファゼン誘導
体。 - （５）置換基Ｘ及びＸ′を与えるための試薬として、ヒ
ドロキシル基またはアミノ基を含む化合物を用いる、 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘはヒドロキシル官能基またはアミノ官能基に
よりポリホスファゼン鎖に結合され、カルボニル基を含
む置換基を表わし、 Ｘ′はヒドロキシル官能基またはアミノ官能基によりポ
リホスファゼン鎖に結合され、１個以上の種々のアルキ
ル化三級アミノ基を含む付加的な置換基を表わし、 （ｘ＋ｙ＋ｚ）は２０〜１５，０００の範囲の整数であ
り、 ｗ及びｚは０以上の値を有し、いずれにしても１５，０
００より小さい整数であり、 ｙは２０〜１５，０００の範囲の値を有する整数である
） を有する、カルボニル基及び種々のアルキル化三級アミ
ノ基を含むポリホスファチッ誘導体の調製方法であって
、 上記の反応性化合物がヒドロキシル基を含む場合、有機
溶媒に溶解された、これらの化合物が水素化ナトリウム
と反応され、相当するナトリウム塩が、必要によりテト
ラアルキルアンモニウムハライドの存在下に、一般式（
ＮＰＣｌ＿２）＿ｎ（式中、ｎは２０〜１５，０００の
範囲の整数である）のポリジクロロホスファゼンと反応
され、上記の化合物がヒドロキシル基またはアミン基を
含む場合には、それらが三級アミンの存在下でポリジク
ロロホスファゼンと反応されることを特徴とする、上記
のポリホスファゼン誘導体の調製方法。 - （６）置換基Ｘを与えるために使用される上記の化合物
が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ であることを特徴とする、請求項５記載の方法。 - （７）置換基Ｘを与えるために使用される上記の化合物
が、α−アミノアセトンもしくはα−ヒドロキシアセト
ン、４−アミノベンゾフェノンもしくは４−ヒドロキシ
ベンゾフェノン、４−アミノアセトフェノンもしくは４
−ヒドロキシアセトフェノン、４−アミノプロピオフェ
ノンもしくは４−ヒドロキシプロピオフェノン、４−ア
ミノバレロフェノンもしくは４−ヒドロキシバレロフェ
ノン、２−アミノフルオレノンもしくは２−ヒドロキシ
フルオレノン、２−ヒドロキシメチルアントラキノン、
１−もしくは２−アミノアントラキノン、２−ヒドロキ
シナフトキノンであることを特徴とする、請求項６記載
の方法。 - （８）置換基Ｘ′を与えるために使用される上記の化合
物が、 Ｒ″＿２Ｎ−（ＣＨ＿２）＿ｋ−Ｙ−Ｈ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ″はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル（これらの基は
直鎖または分枝鎖を有する）を表わし、 ｋは１〜３０の範囲であり得る整数であり、Ｙは−Ｏ−
または−ＮＨ−を表わす） であることを特徴とする、請求項５記載の方法。 - （９）置換基Ｘ′を与えるために使用される上記の化合
物が、２−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−エタノールもし
くは２−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−エタノール、３−
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−プロパノールもしくは３−
Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノプロパノール、４−Ｎ，Ｎ′
−ジメチルアミノ−ブタノールもしくは４−Ｎ，Ｎ′−
ジエチルアミノ−ブタノール、３−Ｎ，Ｎ′−ジメチル
アミノ−フェノールもしくは３−Ｎ，Ｎ′−ジエチルア
ミノ−フェノール、４−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−フ
ェノールもしくは４−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−フェ
ノール、６−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−β−ナフトー
ルもしくは４−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−β−ナフト
ール、６−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−α−ナフトール
もしくは６−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−α−ナフトー
ル、２−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−エチルアミンもし
くは２−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−エチルアミン、３
−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−プロピルアミンもしくは
３−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−プロピルアミン、４−
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ−ブチルアミンもしくは４−
Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ−ブチルアミン、３−Ｎ，Ｎ
′−ジメチルアミノ−アニリンもしくは３−Ｎ，Ｎ′−
ジエチルアミノ−アニリン、３−Ｎ，Ｎ′−ジメチルア
ミノ−４−メチルアニリンもしくは３−Ｎ，Ｎ′−ジエ
チルアミノ−４−メチルアニリン、３−Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアミノ−４−メトキシアニリンもしくは３−Ｎ，Ｎ
′−ジエチルアミノ−４−メトキシアニリン、４−Ｎ，
Ｎ′−ジメチルアミノ−アニリンもしくは４−Ｎ，Ｎ′
−ジエチルアミノ−アニリン、４−Ｎ，Ｎ′−ジメチル
アミノ−３−メチルアニリンもしくは４−Ｎ，Ｎ′−ジ
エチルアミノ−３−メチルアニリン、４−Ｎ，Ｎ′−ジ
メチルアミノ−もしくは４−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノ
−３−メチルアニリン、４−Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノ
−３−メトキシアニリンもしくは４−Ｎ，Ｎ′−ジエチ
ルアミノ−３−メトキシアニリン、６−Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアミノ−β−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ，Ｎ′
−ジエチルアミノ−β−ナフチルアミン、６−Ｎ，Ｎ′
−ジメチルアミノ−α−ナフチルアミンもしくは６−Ｎ
，Ｎ′−ジエチルアミノ−α−ナフチルアミンであるこ
とを特徴とする、請求項８記載の方法。 - （１０）置換基Ｘ及びＸ′を（ＮＰＣｌ＿２）＿ｎ分子
に導入するための上記の試薬の供給が、匹敵する塩基性
度を有する基Ｘ及び基Ｘ′に関して同時に行なわれ、ま
たは異なる塩基性度を有する基Ｘ及び基Ｘ′に関して連
続時に行なわれることを特徴とする請求項５記載の方法
。 - （１１）置換基Ｘ及びＸ′を（ＮＰＣｌ＿２）＿ｎ分子
に導入するための上記の試薬の供給が導入基の塩基性度
により決められる順序に従って行なわれ、高い塩基性度
を有する置換基が常に最初に導入され、低い塩基性度を
有する置換基が次に導入されることを特徴とする、請求
項５記載の方法。 - （１２）置換基Ｘ及びＸ′を（ＮＰＣｌ＿２）＿ｎ分子
に導入するための上記の試薬の量が、出発ポリジクロロ
ホスファゼン中の利用できる塩素の数に少なくとも相当
することを特徴とする、請求項５記載の方法。 - （１３）ポリジクロロホスファゼンとの上記の反応が１
日〜７日の期間にわたって２５〜２５０℃の範囲の温度
で行なわれることを特徴とする、請求項５記載の方法。 - （１４）反応媒体がジグライム、トリグライム、塩化メ
チレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ベンゼン、トルエン及びキシレンの如き、有機溶媒
からなることを特徴とする、請求項５記載の方法。 - （１５）上記の三級アミンがトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−プロ
ピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモル
ホリン，Ｎ−メチルピロール、ピリジン，Ｎ，Ｎ，Ｎ′
，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミンであることを特
徴とする、請求項５記載の方法。 - （１６）上記の三級アミンがクロロホスファゼン置換法
中に放出される塩酸を中和するのに必要な化学量論量に
対して大過剰で使用されることを特徴とする、請求項１
５記載の方法。 - （１７）一般式（ I ）を有するポリホスファゼン誘導
体がフィルムの形態である場合に、放射線照射による光
架橋法に於ける、上記のポリホスファゼン誘導体の使用
。 - （１８）ハロゲン化銀の使用を伴なわない方法による像
の再生の写真分野に於ける、一般式（ I ）を有するポ
リホスファゼン誘導体の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8921293A IT1231179B (it) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | Derivati polifosfazenici contenenti gruppi carbonilici e gruppi amminici terziari variamente alchilati |
| IT21293A/89 | 1989-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0381332A true JPH0381332A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=11179656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195074A Pending JPH0381332A (ja) | 1989-07-25 | 1990-07-25 | カルボニル基及び種々のアルキル化三級アミノ基を含むポリホスファゼン誘導体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5260103A (ja) |
| EP (1) | EP0410287B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0381332A (ja) |
| AT (1) | ATE129726T1 (ja) |
| DE (1) | DE69023288T2 (ja) |
| ES (1) | ES2090062T3 (ja) |
| IT (1) | IT1231179B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003005479A1 (ja) * | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 株式会社ブリヂストン | 非水電解液電池、電極安定化剤、ホスファゼン誘導体及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747604A (en) * | 1996-04-01 | 1998-05-05 | The Penn State Research Foundation | Polyphosphazenes with unsaturated side groups useful as reaction intermediates, cross-linkable polymers, and as components of interpenetrating polymer networks |
| JP4184158B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2008-11-19 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | ホスホニトリル酸エステルの製造法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3844983A (en) * | 1970-05-01 | 1974-10-29 | Horizons Inc | Arrangement related to inflatable life rafts room temperature curing poly(fluoroalkoxyphosphazene)copolymers and terpolymers |
| CA1136155A (en) * | 1978-09-08 | 1982-11-23 | William L. Hergenrother | Polyphosphazene polymers containing substituent groups which are pendently bonded to phosphorus through nitrogen |
| US4237263A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-02 | The Firestone Tire & Rubber Company | Poly(monoalkyl group containing organophosphazenes) and method for their preparation |
| US4242499A (en) * | 1979-07-27 | 1980-12-30 | The Firestone Tire & Rubber Company | Colored polymers comprising poly(organophosphazenes) with chromophores as substituent groups |
| US4495174A (en) * | 1982-06-21 | 1985-01-22 | Research Corporation | Anesthetic polyorganophosphazenes |
| EP0200854A3 (en) * | 1985-02-11 | 1989-04-26 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Phosphazene homopolymers and copolymers having hydroxylated or amino derivatives of carbazole or of naphthalene as substituents |
-
1989
- 1989-07-25 IT IT8921293A patent/IT1231179B/it active
-
1990
- 1990-07-17 US US07/553,417 patent/US5260103A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-18 DE DE69023288T patent/DE69023288T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-18 ES ES90113750T patent/ES2090062T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-18 AT AT90113750T patent/ATE129726T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-07-18 EP EP90113750A patent/EP0410287B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-25 JP JP2195074A patent/JPH0381332A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003005479A1 (ja) * | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 株式会社ブリヂストン | 非水電解液電池、電極安定化剤、ホスファゼン誘導体及びその製造方法 |
| JP4588319B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2010-12-01 | 株式会社ブリヂストン | 非水電解液電池及び非水電解液電池用電極安定化剤 |
Also Published As
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| DE69023288T2 (de) | 1996-04-04 |
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| IT8921293A0 (it) | 1989-07-25 |
| US5260103A (en) | 1993-11-09 |
| IT1231179B (it) | 1991-11-22 |
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| EP0410287B1 (en) | 1995-11-02 |
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| ATE129726T1 (de) | 1995-11-15 |
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