JPH0382085A - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体受光素子及びその製造方法Info
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- JPH0382085A JPH0382085A JP1218209A JP21820989A JPH0382085A JP H0382085 A JPH0382085 A JP H0382085A JP 1218209 A JP1218209 A JP 1218209A JP 21820989 A JP21820989 A JP 21820989A JP H0382085 A JPH0382085 A JP H0382085A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体受光素子及びその製造方法、特にＩｎＧａＡｓを
光吸収層としＩｎＰを増倍層としたＩｎｐ／ＩｎＧａＡ
ｓアバランシェフォトダイオード及びその製造方法に関
し、 接合面における濃度分布が急峻なｐｎ接合を有し、製造
上の再現性も高い素子構造の半導体受光素子及びその製
造方法を提供することを目的とし、ｎ型Ｉ ｒｘＧａＡ
ｓ光吸収層とｎ型ＩｎＰ層の中間にｎ型１ ｎＧａＡｓ
Ｐ中間層を設け、前記ｎ型ＩｎＰ層の表面にｎ型不純物
拡散領域を設けた半導体受光素子において、前記ｎ型Ｉ
ｒｈＰｊｌ中の前記ｎ型不純物拡散領域下にＰ型不純物
をイオン注入して形成したＰ型不純物注入層と、前記Ｐ
型不純物注入層下にｎ型不純物をイオン注入して形成し
たｎ型不純物注入層とを有し、前記ｎ型不純物注入層と
ｎ型不純物注入層が接する界面でｐｎ接合を形成するよ
うに構成するや ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体受光素子及びその製造方法、特にＩ ｎ
ＧａＡｓを光吸収層としＩｎＰを増倍層とし？ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓアバランシェフォトダイオード及びその製
造方法に関する。
光吸収層としＩｎＰを増倍層としたＩｎｐ／ＩｎＧａＡ
ｓアバランシェフォトダイオード及びその製造方法に関
し、 接合面における濃度分布が急峻なｐｎ接合を有し、製造
上の再現性も高い素子構造の半導体受光素子及びその製
造方法を提供することを目的とし、ｎ型Ｉ ｒｘＧａＡ
ｓ光吸収層とｎ型ＩｎＰ層の中間にｎ型１ ｎＧａＡｓ
Ｐ中間層を設け、前記ｎ型ＩｎＰ層の表面にｎ型不純物
拡散領域を設けた半導体受光素子において、前記ｎ型Ｉ
ｒｈＰｊｌ中の前記ｎ型不純物拡散領域下にＰ型不純物
をイオン注入して形成したＰ型不純物注入層と、前記Ｐ
型不純物注入層下にｎ型不純物をイオン注入して形成し
たｎ型不純物注入層とを有し、前記ｎ型不純物注入層と
ｎ型不純物注入層が接する界面でｐｎ接合を形成するよ
うに構成するや ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体受光素子及びその製造方法、特にＩ ｎ
ＧａＡｓを光吸収層としＩｎＰを増倍層とし？ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓアバランシェフォトダイオード及びその製
造方法に関する。
［従来の技術］
近年、１こ３μｍ又は１．５５μｍ波長で数ギガビット
／秒の超高速システムの実用化が検討される段階にきて
いる。このような超高速システム用では高感度で高速応
答可能な半導体受光素子が要求される。現在供給可能な
半導体受光素子のなかでは、Ｉ ｎＧａＡｓを光吸収層
としＩｎＰを増倍層としたＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓアバラ
ンシ正フォトダイオードが最も高感度で最も高速応答可
能なものとして期待されている。
／秒の超高速システムの実用化が検討される段階にきて
いる。このような超高速システム用では高感度で高速応
答可能な半導体受光素子が要求される。現在供給可能な
半導体受光素子のなかでは、Ｉ ｎＧａＡｓを光吸収層
としＩｎＰを増倍層としたＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓアバラ
ンシ正フォトダイオードが最も高感度で最も高速応答可
能なものとして期待されている。
従来のＩ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓアバランシェフォトダ
イオードである半導体受光素子を第４図に示す。
イオードである半導体受光素子を第４図に示す。
ｎ型ＩｎＰ基板１０上に形成されたｎ−型ＩｎＧａＡｓ
光吸収層１２とｎ−型ＩｎＰ層１６の間にｎ−型ＩｎＧ
ａＡｓＰ中間層１４が形成されている。ｎ−型ＩｎＰ層
１層中６中８１等のｎ型不純物を注入したｎ型不純物注
入層１８が形成されている。ｎ−型ＩｎＰ１１６表面に
は、Ｂｅのイオン注入により形成したリング形状のガー
ドリング２０と、受光部分にＣｄを熱拡散したＰ型不純
物拡散領域２２が形成されている。このｎ型不純物拡散
領域２２とｎ型不純物注入層１８とでρｎ接合を形成し
ている。ｎ型不純物注入層１８ｈｐ型不純物拡散ｆｉ域
２２との間に増倍領域が形成される。
光吸収層１２とｎ−型ＩｎＰ層１６の間にｎ−型ＩｎＧ
ａＡｓＰ中間層１４が形成されている。ｎ−型ＩｎＰ層
１層中６中８１等のｎ型不純物を注入したｎ型不純物注
入層１８が形成されている。ｎ−型ＩｎＰ１１６表面に
は、Ｂｅのイオン注入により形成したリング形状のガー
ドリング２０と、受光部分にＣｄを熱拡散したＰ型不純
物拡散領域２２が形成されている。このｎ型不純物拡散
領域２２とｎ型不純物注入層１８とでρｎ接合を形成し
ている。ｎ型不純物注入層１８ｈｐ型不純物拡散ｆｉ域
２２との間に増倍領域が形成される。
ｎ−型ＩｎＰ層１層上６上保護膜２４を介してＴ ｉ
／ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕのＰＥ極２６が形成され、ｎ、
ｊｌＪＩｎＰ基板】Ｏの背面にはＡ ｕ ／ Ｇ ｅの
ｎ ｔ ％ ２８が形成されている。
／ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕのＰＥ極２６が形成され、ｎ、
ｊｌＪＩｎＰ基板】Ｏの背面にはＡ ｕ ／ Ｇ ｅの
ｎ ｔ ％ ２８が形成されている。
一般にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓアバランシェフォトダイオ
ードにはａ Ｂ［（Ｇａｉｎ ＢａｎｄｗｉｄｔｈＭ）
ニよる帯域制限がある。すなわち、利得である増倍率
を大きく取ろうとすると応答できる周波数帯域が低下す
る。Ｉ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓアバランシェフォトダイ
オードの場合、ＧＢ積は通常３０〜５０ＧＨ２であり、
数ギガビット／秒の超高速システムに利用する場合、さ
らに大きなＧＢ積を有し、しかも製造上、再現しやすい
素子構造が必要となる。
ードにはａ Ｂ［（Ｇａｉｎ ＢａｎｄｗｉｄｔｈＭ）
ニよる帯域制限がある。すなわち、利得である増倍率
を大きく取ろうとすると応答できる周波数帯域が低下す
る。Ｉ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓアバランシェフォトダイ
オードの場合、ＧＢ積は通常３０〜５０ＧＨ２であり、
数ギガビット／秒の超高速システムに利用する場合、さ
らに大きなＧＢ積を有し、しかも製造上、再現しやすい
素子構造が必要となる。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように、第４図に示す従来のＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓアバランシェフォトダイオードは、ｐｎ接合を形成す
る一方のｎ型不純物拡散領域２２がｎ型不純物の熱拡散
により形成されている。しかしながら、熱拡散では精密
な深さ制御ができないため安定したｐｎ接合を形成する
ことが困難であるという問題があった。また、良好なｐ
ｎ接合を形成し、大きなＧＢ積を確保するためには、濃
度プロファイル自身もテール部のない急峻なものが求め
られているが、不純物拡散ではそのような濃度プロファ
イルを形成することが困難であるという問題があった。
ｓアバランシェフォトダイオードは、ｐｎ接合を形成す
る一方のｎ型不純物拡散領域２２がｎ型不純物の熱拡散
により形成されている。しかしながら、熱拡散では精密
な深さ制御ができないため安定したｐｎ接合を形成する
ことが困難であるという問題があった。また、良好なｐ
ｎ接合を形成し、大きなＧＢ積を確保するためには、濃
度プロファイル自身もテール部のない急峻なものが求め
られているが、不純物拡散ではそのような濃度プロファ
イルを形成することが困難であるという問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、接合面に
おける濃度分布が急峻なｐｎ接合を有し、製造上の再現
性も高い素子構造の半導体受光素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
おける濃度分布が急峻なｐｎ接合を有し、製造上の再現
性も高い素子構造の半導体受光素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
［ｆｌＢを解決するだめの手段］
上記目的は、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ光吸収贋とｎｌＩｒｘ
Ｐ層の中間にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層を設け、前記ｎ
型Ｉｎ１層の表面にＰ型不純物拡散領域を設けた半導体
受光素子において、前記ｎ型ＩｎＰ層中の前記Ｐ型不純
物拡散領域下にＰ型不純物をイオン注入して形成したＰ
型不純物注入Ｍと、前記Ｐ型不純物注入層下にｎ型不純
物をイオン注入して形成したｎ型不純物注入層とを有し
、前記ｎ型不純物注入層とｎ型不純物注入層が接する界
面でｐｎ接合を形成したことを特徴とする半導体受光素
子によって達成される。
Ｐ層の中間にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層を設け、前記ｎ
型Ｉｎ１層の表面にＰ型不純物拡散領域を設けた半導体
受光素子において、前記ｎ型ＩｎＰ層中の前記Ｐ型不純
物拡散領域下にＰ型不純物をイオン注入して形成したＰ
型不純物注入Ｍと、前記Ｐ型不純物注入層下にｎ型不純
物をイオン注入して形成したｎ型不純物注入層とを有し
、前記ｎ型不純物注入層とｎ型不純物注入層が接する界
面でｐｎ接合を形成したことを特徴とする半導体受光素
子によって達成される。
また、上記目的は、ｎ型ＩｎＰ基板上にｎ型ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層及び第１のｎ型
Ｉｎ１層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第１
のｎ型Ｉｎ１層にｎ型不純物をイオン注入してｎ型不純
物注入層を形成すると共に、ｐ型不純物をイオン注入し
て前記ｎ型不純物注入層上にＰ型不純物注入層を形成す
る工程と、前記第１のｎ型ＩｒｈＰｌ上に第２のｎ型Ｉ
ｎ１層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第２の
ｎ型ＩｎＰ層表面にｐ型不純物を拡散して前記ｎ型不純
物注入層に連続するｐ型不純物拡散領域を形成する工程
ヒを有するこεを特徴とする半導体受光素子の製造方法
によって達成される。
ｓ光吸収層、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層及び第１のｎ型
Ｉｎ１層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第１
のｎ型Ｉｎ１層にｎ型不純物をイオン注入してｎ型不純
物注入層を形成すると共に、ｐ型不純物をイオン注入し
て前記ｎ型不純物注入層上にＰ型不純物注入層を形成す
る工程と、前記第１のｎ型ＩｒｈＰｌ上に第２のｎ型Ｉ
ｎ１層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第２の
ｎ型ＩｎＰ層表面にｐ型不純物を拡散して前記ｎ型不純
物注入層に連続するｐ型不純物拡散領域を形成する工程
ヒを有するこεを特徴とする半導体受光素子の製造方法
によって達成される。
［作用］
本発明によれば、ｐｎ接合をｍ戒する不純物層を共にイ
オン注入により形成したので、接合面における濃度分布
が急峻なｐｎ接合を再現性よく実現できる。
オン注入により形成したので、接合面における濃度分布
が急峻なｐｎ接合を再現性よく実現できる。
［実施例］
本発明の一実施例による半導体受光素子を第１図を用い
て説明する。第４図に示す従来の半導体受光素子ε同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略
にする。
て説明する。第４図に示す従来の半導体受光素子ε同一
の構成要素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略
にする。
ｎｆｆＪＩｎＰ基板１０上には、約２μｍ厚で不純物濃
度が５Ｘ１０”ａｍ−″のｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡ
ｓ光吸収層成２れている。ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡ
ｓ光吸収層成２には、約０．５μｍ厚で不純物濃度が５
Ｘ１０”ｅｒｒｉ−のｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間［１
４が形成され、更にｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間層１４
上には約２μｍ厚で不純物濃度が５Ｘ１０”ａｍ−’の
ｎ−型ＩｎＰ層１６が形成されている。なお、ｎ−型１
ｎＧａＡｓＰ中間層１４はエネルギーギャップＥｇ＝
０゜９〜１．２ｅ■であることが望ましい。
度が５Ｘ１０”ａｍ−″のｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡ
ｓ光吸収層成２れている。ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡ
ｓ光吸収層成２には、約０．５μｍ厚で不純物濃度が５
Ｘ１０”ｅｒｒｉ−のｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間［１
４が形成され、更にｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間層１４
上には約２μｍ厚で不純物濃度が５Ｘ１０”ａｍ−’の
ｎ−型ＩｎＰ層１６が形成されている。なお、ｎ−型１
ｎＧａＡｓＰ中間層１４はエネルギーギャップＥｇ＝
０゜９〜１．２ｅ■であることが望ましい。
さらに、ＳＮ等のΩ型不純物をイオン注入したｎ型不純
物注入層１８が、ｎ−型ＩｎＰ層１６下部に形成され、
このｎ型不純物注入層１８に接してＭｇ等のＰ型不純物
をイオン注入したＰ型不純物注入層１９が形成されてい
る。これらＰ型不純物注入層１９とｎ型不純物注入ＮＪ
ｉｓによりｐｎ接合を形成している。なお、Ｐ型不純物
注入層１９は上部に形成されたＰ型不純物拡散領域２２
と連続している。
物注入層１８が、ｎ−型ＩｎＰ層１６下部に形成され、
このｎ型不純物注入層１８に接してＭｇ等のＰ型不純物
をイオン注入したＰ型不純物注入層１９が形成されてい
る。これらＰ型不純物注入層１９とｎ型不純物注入ＮＪ
ｉｓによりｐｎ接合を形成している。なお、Ｐ型不純物
注入層１９は上部に形成されたＰ型不純物拡散領域２２
と連続している。
第１図に示す半導体受光素子のａ−ａ’面の濃度分布を
第２図に示す。横軸を深さとし、縦軸を不純物濃度１ρ
１とする。不純物濃度が約５ＸＩＱ ”ｃ ｒｎ−″の
バックグラウンドに対して、比較的なだらかなＰ型不純
物拡散領域２２の濃度分布のテール部にｎ型不純物注入
層１９が連続しており、さらにｎ型不純物注入層１９と
ｎ型不純物注入層１８が共に急峻な濃度分布をもって接
している。
第２図に示す。横軸を深さとし、縦軸を不純物濃度１ρ
１とする。不純物濃度が約５ＸＩＱ ”ｃ ｒｎ−″の
バックグラウンドに対して、比較的なだらかなＰ型不純
物拡散領域２２の濃度分布のテール部にｎ型不純物注入
層１９が連続しており、さらにｎ型不純物注入層１９と
ｎ型不純物注入層１８が共に急峻な濃度分布をもって接
している。
Ｐ型不純物注入層１９及びｎ型不純物注入層１８は共に
不純物をイオン注入することにより形成しているので、
第２図に示すようにｐ型及びｎ型の不純物濃度分布が急
峻であって良好なｐｎ接合が達成できる。
不純物をイオン注入することにより形成しているので、
第２図に示すようにｐ型及びｎ型の不純物濃度分布が急
峻であって良好なｐｎ接合が達成できる。
このように本実施例によ九ばｎ型不純物注入層及びｎ型
不純物注入層により形成しているので、濃度分布が急峻
である良好なｐｎ接合を実現できる。
不純物注入層により形成しているので、濃度分布が急峻
である良好なｐｎ接合を実現できる。
次に、本実施例の半導体受光素子の製造方法について第
３図を用いて説明する。
３図を用いて説明する。
まず、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に２μｍ厚のｎをＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層１２．０．５ツノｒｎ厚のｎ−型１ ｎＧ
ａＡ白Ｐ中白層中間層１４タキシャル成長させるや更に
、ｎ−型ＮｎＧａＡｓＰ中間層Ａｓ上にｎ−’型ＩｎＰ
層１６ａを０．５μｒｎだけエピタキシャル成長させて
１四目成長を終了する（第３図（ａ））。
Ａｓ光吸収層１２．０．５ツノｒｎ厚のｎ−型１ ｎＧ
ａＡ白Ｐ中白層中間層１４タキシャル成長させるや更に
、ｎ−型ＮｎＧａＡｓＰ中間層Ａｓ上にｎ−’型ＩｎＰ
層１６ａを０．５μｒｎだけエピタキシャル成長させて
１四目成長を終了する（第３図（ａ））。
次に、表面より８１イオンを３００ｋｅＶ、ドーズｉ２
〜４ ｘ ｌ ０１２ ／ ｃ ｍ ２の条件でイオン
注入し、ｎ−型ＩｎＰ層１６ａ中にｎ型不純物注入層１
８を形成する。続いてＭｇイオンを１００ｋｅＶ、ドー
ズ量ｌＸｌ０”／ａｍ２の条件でイオン注入し、ｎ−型
ＩｎＰ層１６ａ表面にｎ型不純物注入層１８に接するよ
うにｎ型不純物注入層１９を形成する（第３図（ｂ））
。
〜４ ｘ ｌ ０１２ ／ ｃ ｍ ２の条件でイオン
注入し、ｎ−型ＩｎＰ層１６ａ中にｎ型不純物注入層１
８を形成する。続いてＭｇイオンを１００ｋｅＶ、ドー
ズ量ｌＸｌ０”／ａｍ２の条件でイオン注入し、ｎ−型
ＩｎＰ層１６ａ表面にｎ型不純物注入層１８に接するよ
うにｎ型不純物注入層１９を形成する（第３図（ｂ））
。
次に、ｎ−型ＩｎＰ層１６ａ上に、ｎ−型ＩｎＰ層１６
の残りの１．５μｍ厚のｎ″′型ＩｎＰ層１６ｂをエピ
タキシャル成長（２四目成長）させる（第３図（Ｃ））
。
の残りの１．５μｍ厚のｎ″′型ＩｎＰ層１６ｂをエピ
タキシャル成長（２四目成長）させる（第３図（Ｃ））
。
次に、ｎ−型ＩｎＰ層１層表６表面ｅを拡散してリング
形状のガードリング２０を形成し、また受光部分にＣｄ
を拡散してｎ型不純物注入層１９に連続するようにｎ型
不純物拡散領域２２を形成する。続いて、ｎ−型ＩｎＰ
層１層上６上保護膜２４を介してＴ Ｉ ／ Ｐ ｔ
／ Ａ ｕのｐ＠極２６を形威し、ｎ型ＩｎＰ基板１０
の背面にＡ ｕ ／ Ｇ ｅのｎ電ｆｌｉ２８を形成し
て、半導体受光素子を完成させる（第３図（ｄ））。
形状のガードリング２０を形成し、また受光部分にＣｄ
を拡散してｎ型不純物注入層１９に連続するようにｎ型
不純物拡散領域２２を形成する。続いて、ｎ−型ＩｎＰ
層１層上６上保護膜２４を介してＴ Ｉ ／ Ｐ ｔ
／ Ａ ｕのｐ＠極２６を形威し、ｎ型ＩｎＰ基板１０
の背面にＡ ｕ ／ Ｇ ｅのｎ電ｆｌｉ２８を形成し
て、半導体受光素子を完成させる（第３図（ｄ））。
このように本実施例ではｐｎ接合を構成するｎ型不純物
注入層及びｎＷ不純物注入層をイオン注入により形成し
ているので、注入深さや不純物濃度を精密に制御するこ
とができ、ウェーハ内及びウェーハ間での増ｆΔ領域の
均一性を飛躍的に向上させ、高歩留まりを実現できる。
注入層及びｎＷ不純物注入層をイオン注入により形成し
ているので、注入深さや不純物濃度を精密に制御するこ
とができ、ウェーハ内及びウェーハ間での増ｆΔ領域の
均一性を飛躍的に向上させ、高歩留まりを実現できる。
しかも、ｐｎ接合の濃度分布を急峻にして増倍領域の幅
を狭くするこ七ができるので、５０ＧＨｚ以上のＧ６積
の半導体受光素子を実現できる。また、受光面の不純物
領域はイオン注入でなく熟拡散により形成しでいるので
、表面がダメージを受けずリーク電流の発生を防止でき
る。
を狭くするこ七ができるので、５０ＧＨｚ以上のＧ６積
の半導体受光素子を実現できる。また、受光面の不純物
領域はイオン注入でなく熟拡散により形成しでいるので
、表面がダメージを受けずリーク電流の発生を防止でき
る。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である６
例えば、上記実施例ではイオン注入するｎ型不純物とし
てＳｌを用いたが、他のｎ型不純物でもよい、また、ｎ
型不純物としてＭｇを用いたが、Ｃｄ、Ｚｎ等の他のｎ
型不純物を用いてもよい。
例えば、上記実施例ではイオン注入するｎ型不純物とし
てＳｌを用いたが、他のｎ型不純物でもよい、また、ｎ
型不純物としてＭｇを用いたが、Ｃｄ、Ｚｎ等の他のｎ
型不純物を用いてもよい。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、ｐｎ接合を構成する不純
物層をイオン注入して形成したので、接合面における濃
度分布が急峻なｐｎ接合を実現でき、しかも注入深さや
不純Ｔｈ濃度を精密に制御することができるので、ウェ
ーハ内及びウェーハ間での増倍領域の均一性が飛躍的に
向上し、高歩留まりが実現できる。
物層をイオン注入して形成したので、接合面における濃
度分布が急峻なｐｎ接合を実現でき、しかも注入深さや
不純Ｔｈ濃度を精密に制御することができるので、ウェ
ーハ内及びウェーハ間での増倍領域の均一性が飛躍的に
向上し、高歩留まりが実現できる。
第１図は本発明の一実施例による半導体受光素子の断面
図、 第２図は同半導体受光素子の不純！ｌ！！濃度分布を示
すグラフ、 第３図は同半導体受光素子の製造方法の工程断面図、 第４図は従来の半導体受光素子の断面図である。 図において、 １０・・−″ｎ型１ｒｈＰ基板 １２・・・ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓ光吸収層ｔ ４−＝
ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間層１６−−− ｎ−型Ｉｎ
Ｐ層 １８・・・ｎ型不純物注入層 １９・・・ｎ型不純物注入層 ２０・・・ガードリング ２２・・・ｎ型不純物拡散領域 ２４・・・保護膜 ２６・・・Ｐ電極 ２８・・・ｒｘｔ＆
図、 第２図は同半導体受光素子の不純！ｌ！！濃度分布を示
すグラフ、 第３図は同半導体受光素子の製造方法の工程断面図、 第４図は従来の半導体受光素子の断面図である。 図において、 １０・・−″ｎ型１ｒｈＰ基板 １２・・・ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓ光吸収層ｔ ４−＝
ｎ−型Ｉ ｎＧａＡｓＰ中間層１６−−− ｎ−型Ｉｎ
Ｐ層 １８・・・ｎ型不純物注入層 １９・・・ｎ型不純物注入層 ２０・・・ガードリング ２２・・・ｎ型不純物拡散領域 ２４・・・保護膜 ２６・・・Ｐ電極 ２８・・・ｒｘｔ＆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層とｎ型ＩｎＰ層の中間に
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層を設け、前記ｎ型ＩｎＰ層の
表面にｐ型不純物拡散領域を設けた半導体受光素子にお
いて、 前記ｎ型ＩｎＰ層中の前記ｐ型不純物拡散領域下にｐ型
不純物をイオン注入して形成したｐ型不純物注入層と、 前記ｐ型不純物注入層下にｎ型不純物をイオン注入して
形成したｎ型不純物注入層とを有し、前記ｐ型不純物注
入層とｎ型不純物注入層が接する界面でｐｎ接合を形成
したことを特徴とする半導体受光素子。 ２、ｎ型ＩｎＰ基板上にｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、ｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ中間層及び第１のｎ型ＩｎＰ層をエピ
タキシャル成長させる工程と、前記第１のｎ型ＩｎＰ層
にｎ型不純物をイオン注入してｎ型不純物注入層を形成
すると共に、Ｐ型不純物をイオン注入して前記ｎ型不純
物注入層上にＰ型不純物注入層を形成する工程と、 前記第１のｎ型ＩｎＰ層上に第２のｎ型ＩｎＰ層をエピ
タキシャル成長させる工程と、 前記第２のｎ型ＩｎＰ層表面にｐ型不純物を拡散して前
記ｐ型不純物注入層に連続するＰ型不純物拡散領域を形
成する工程と を有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218209A JPH0382085A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218209A JPH0382085A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382085A true JPH0382085A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16716332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218209A Pending JPH0382085A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382085A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312864A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Inax Corp | 浴槽エプロンの浴槽への取付構造および浴槽エプロン同士の連結構造 |
| JP2009028320A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Inax Corp | 浴槽エプロンにおける外蓋の取付け構造 |
| US9497387B2 (en) | 2007-01-23 | 2016-11-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods and systems for inter-layer image prediction signaling |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1218209A patent/JPH0382085A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312864A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Inax Corp | 浴槽エプロンの浴槽への取付構造および浴槽エプロン同士の連結構造 |
| US9497387B2 (en) | 2007-01-23 | 2016-11-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods and systems for inter-layer image prediction signaling |
| JP2009028320A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Inax Corp | 浴槽エプロンにおける外蓋の取付け構造 |
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