JPH0382174A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH0382174A JPH0382174A JP1217407A JP21740789A JPH0382174A JP H0382174 A JPH0382174 A JP H0382174A JP 1217407 A JP1217407 A JP 1217407A JP 21740789 A JP21740789 A JP 21740789A JP H0382174 A JPH0382174 A JP H0382174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- light emitting
- light
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電荷注入をｊテう電界発光素子（エレクトロ
ル逅ネッセンス（ＥＬ）素子）に関する。
ル逅ネッセンス（ＥＬ）素子）に関する。
ＥＬ素子は、一般に真性型ＥＬ素子と注入型ＥＬ素子に
分類される。このなかで注入型ＥＬ素子の動作機構は、
ダイオードなどのｐ −ｎ接合に順方向バイアスを印加
して、両側の電極からそれぞれ電子と正孔を注入し、そ
の再結合により光を発生するものである。一般にこのＥ
Ｌ素子は、上記の発光機能を発現する層（発光層〉を、
２つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に電
圧を印加することにより、電気エネルギーを直接光に変
換する発光素子である。この素子の特徴として、直流か
ら交流までの広い駆動周波数範囲で動作し、しかも低電
圧駆動が可能であり、また電気から光への変換効率がよ
いなどの可能性や、従来の発光素子、例えば白熱電球や
、蛍光灯などとは異なり、薄膜パネル、ベルト状、円筒
状等の種々の形状の例えば、線、図、画像等の表示用部
材や、あるいは大面積のパネル等の面状の発光体を実現
化できる可能性を有することである。
分類される。このなかで注入型ＥＬ素子の動作機構は、
ダイオードなどのｐ −ｎ接合に順方向バイアスを印加
して、両側の電極からそれぞれ電子と正孔を注入し、そ
の再結合により光を発生するものである。一般にこのＥ
Ｌ素子は、上記の発光機能を発現する層（発光層〉を、
２つの電極間に配置した構造を有し、これら電極間に電
圧を印加することにより、電気エネルギーを直接光に変
換する発光素子である。この素子の特徴として、直流か
ら交流までの広い駆動周波数範囲で動作し、しかも低電
圧駆動が可能であり、また電気から光への変換効率がよ
いなどの可能性や、従来の発光素子、例えば白熱電球や
、蛍光灯などとは異なり、薄膜パネル、ベルト状、円筒
状等の種々の形状の例えば、線、図、画像等の表示用部
材や、あるいは大面積のパネル等の面状の発光体を実現
化できる可能性を有することである。
この注入型ＥＬ素子に用いられる材料は、従来はＧａＰ
等の無機半導体材料が主に使用されてきた。また、最近
になり正札伝導性と電子伝導性の有機化合物薄膜を２層
重ねた注入型発光ダイオード素子が報告された（ Ｃ，
Ｗ、Ｔａｎｇ ：Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、、
Ｌ±１土ｍ、（１９８７）１９３ ）ａかかる有機材料
を用いた発光素子は、種々の薄膜形成方法が選択でき、
また精度よく大面積で薄膜の形成が可能である等の特徴
を有するため注目されている。
等の無機半導体材料が主に使用されてきた。また、最近
になり正札伝導性と電子伝導性の有機化合物薄膜を２層
重ねた注入型発光ダイオード素子が報告された（ Ｃ，
Ｗ、Ｔａｎｇ ：Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、、
Ｌ±１土ｍ、（１９８７）１９３ ）ａかかる有機材料
を用いた発光素子は、種々の薄膜形成方法が選択でき、
また精度よく大面積で薄膜の形成が可能である等の特徴
を有するため注目されている。
しかしながら、現在知られているＥＬ用の有機材料のみ
で素子を形成した時、発光の強度がある程度限られ、ま
た発光強度が不安定等の問題があり実用化されるに到っ
ていない現状にあり、大面積かつ均一な薄膜の製造が可
能で、しかも量産性に冨み、コスト的にも有利なＥＬ素
子が強く求められている。これに関して、本発明者らは
特願昭６３−２９２４６７号において、無機半導体薄膜
からなる電荷注入層と有機化合物からなる発光層を電極
間に積層した発光素子を提案した。
で素子を形成した時、発光の強度がある程度限られ、ま
た発光強度が不安定等の問題があり実用化されるに到っ
ていない現状にあり、大面積かつ均一な薄膜の製造が可
能で、しかも量産性に冨み、コスト的にも有利なＥＬ素
子が強く求められている。これに関して、本発明者らは
特願昭６３−２９２４６７号において、無機半導体薄膜
からなる電荷注入層と有機化合物からなる発光層を電極
間に積層した発光素子を提案した。
本発明者らは、さらに検討を加え、−層耐久性に優れた
発光素子を見出したのでここに開示するものである。
発光素子を見出したのでここに開示するものである。
すなわち、本発明は、２つの電極層を備え、これら２つ
の！極層間に、希土類金属の有機錯体化合物を主に含む
有機化合物薄膜層を有する発光層を設けてなる発光素子
であり、好ましくは、２つの電極層の間に、電荷注入層
を当該発光層に積層して設けた構造の発光素子、である
。
の！極層間に、希土類金属の有機錯体化合物を主に含む
有機化合物薄膜層を有する発光層を設けてなる発光素子
であり、好ましくは、２つの電極層の間に、電荷注入層
を当該発光層に積層して設けた構造の発光素子、である
。
以下、図面を参照しつつ、本発明を説明する。
第１図はその一つの実施の形態を示す゛ものである。２
つの電極層２．４を備えており、これら２つの電極２，
４層間に、希土類金属の有機錯体化合物を主に含む有機
化合物薄膜層３を有する発光層を設けた発光素子である
。また、第２図は本発明の別の実施例であり、２つの電
極１２．１４の間に当該有機化合物薄膜層１３． ｉｔ
荷注入層１５が積層されて設けられている。なお、第２
図において、電荷注入層１５に接する電極を第一電極、
有機化合物Ｆｉ４膜層１３に接する電極を第二電極と称
することにする。
つの電極層２．４を備えており、これら２つの電極２，
４層間に、希土類金属の有機錯体化合物を主に含む有機
化合物薄膜層３を有する発光層を設けた発光素子である
。また、第２図は本発明の別の実施例であり、２つの電
極１２．１４の間に当該有機化合物薄膜層１３． ｉｔ
荷注入層１５が積層されて設けられている。なお、第２
図において、電荷注入層１５に接する電極を第一電極、
有機化合物Ｆｉ４膜層１３に接する電極を第二電極と称
することにする。
本発明における発光層は、希土類金属の有機錯体化合物
を含む有機化合物薄膜である。
を含む有機化合物薄膜である。
希土類金属としては、イツトリウム（Ｙ）、ランタン（
Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ） 、プラセオジム （Ｐｒ）
、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（ｈ＋） 、サマリ
ウム（Ｓｗ）、ユーロピウム（Ｅｕ） 、ガドリニウム
（Ｇｄ） 、テルビウム（Ｔｂ） 、ジスプロシウム（
Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ） 、
ツリウム（ｒ輌） 、 イッテルビウム（Ｙｂ）、
ルテチウム（Ｌｕ）があるが、なかでも セリウム（Ｃ
ｅ） 、プラセオジム（Ｐｒ） 、ネオジム（Ｎｄ）。
Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ） 、プラセオジム （Ｐｒ）
、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（ｈ＋） 、サマリ
ウム（Ｓｗ）、ユーロピウム（Ｅｕ） 、ガドリニウム
（Ｇｄ） 、テルビウム（Ｔｂ） 、ジスプロシウム（
Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ） 、
ツリウム（ｒ輌） 、 イッテルビウム（Ｙｂ）、
ルテチウム（Ｌｕ）があるが、なかでも セリウム（Ｃ
ｅ） 、プラセオジム（Ｐｒ） 、ネオジム（Ｎｄ）。
プロメチウム（Ｐｍ） 、サマリウム（Ｓｍ） 、ユー
ロピウム（Ｅｕ） 、テルビウム（Ｔｂ） 、 ジスプ
ロシウム（Ｄｙ）ホルミウム（■０）＋ エルビウム（
Ｅｒ） 、ツリウム（Ｔａｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ
）が好ましい、これら金属の２価、３価あるいは４価イ
オンが用いられる。
ロピウム（Ｅｕ） 、テルビウム（Ｔｂ） 、 ジスプ
ロシウム（Ｄｙ）ホルミウム（■０）＋ エルビウム（
Ｅｒ） 、ツリウム（Ｔａｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ
）が好ましい、これら金属の２価、３価あるいは４価イ
オンが用いられる。
また、有機化合物の配位子としては、アセチルアセトン
、ジベンゾイルメタン、２−テノイルトリフロロアセト
ンのようなβ−ジケトン基を有するもの；０−ベンゾイ
ル安息香酸、サリチル酸、０−フタル酸のようなカルボ
ン酸基を有するもの：サリチルアルデヒド、０−ヒドロ
キシアセトフヱノン、０−ヒドロキシベンゾフェノンの
ヒドロキシル基に隣接したケトン基あるいはアルデヒド
基を有するもの：８−ヒドロキンキノリンや５，７−ジ
ブロムオキシンのようなオキシンＬ２．２°−ビピリジ
ン、２．２２′−トリピリジン、１．ｔｏ−フェナント
ロリンのようなピリジン類などがあり、これらの配位子
は単独あるいは混合して用いられる。
、ジベンゾイルメタン、２−テノイルトリフロロアセト
ンのようなβ−ジケトン基を有するもの；０−ベンゾイ
ル安息香酸、サリチル酸、０−フタル酸のようなカルボ
ン酸基を有するもの：サリチルアルデヒド、０−ヒドロ
キシアセトフヱノン、０−ヒドロキシベンゾフェノンの
ヒドロキシル基に隣接したケトン基あるいはアルデヒド
基を有するもの：８−ヒドロキンキノリンや５，７−ジ
ブロムオキシンのようなオキシンＬ２．２°−ビピリジ
ン、２．２２′−トリピリジン、１．ｔｏ−フェナント
ロリンのようなピリジン類などがあり、これらの配位子
は単独あるいは混合して用いられる。
また、本発明においては、高い発光量子効率を持ち、外
部摂動を受けやすいπ電子系を有し、容易に励起されや
すい有機化合物を上記の金属錯体と混合して用いること
を妨げるものではない、当該有機化合物としては、例え
ばルブレンなどの縮を多環芳香族炭化水素； ｐ−ター
フェニル、２゜５−ジフェニルオキサゾール、１．４−
ｂｉｓ−（２−メチルスチリル）−ベンゼン、キサンチ
ン、クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェ
ノン、フタロシアニン、芳香族アくン、芳香族ボリア逅
ン、キノン構造を有し、励起状態で錯体を形成する化合
物、ポリアセチレン、ポリシラン、また有機金属錯体で
ある。
部摂動を受けやすいπ電子系を有し、容易に励起されや
すい有機化合物を上記の金属錯体と混合して用いること
を妨げるものではない、当該有機化合物としては、例え
ばルブレンなどの縮を多環芳香族炭化水素； ｐ−ター
フェニル、２゜５−ジフェニルオキサゾール、１．４−
ｂｉｓ−（２−メチルスチリル）−ベンゼン、キサンチ
ン、クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェ
ノン、フタロシアニン、芳香族アくン、芳香族ボリア逅
ン、キノン構造を有し、励起状態で錯体を形成する化合
物、ポリアセチレン、ポリシラン、また有機金属錯体で
ある。
有機化合物薄膜は非晶質、微結晶、微結晶を含む非晶質
、多結晶、単結晶薄膜の形態で用いられる。なお、薄膜
の厚みは特に限定するものではないが、通常５０〜５ｏ
ｏｏ人程度が採用される。勿論、この外の範囲も使用す
ることは可能である。
、多結晶、単結晶薄膜の形態で用いられる。なお、薄膜
の厚みは特に限定するものではないが、通常５０〜５ｏ
ｏｏ人程度が採用される。勿論、この外の範囲も使用す
ることは可能である。
当該の有機化合物薄膜は、真空蒸着法などの各種の物理
的または化学的な薄膜形成法なとで形成されるほか、昇
華法や、塗布法なども有効に用いられる。
的または化学的な薄膜形成法なとで形成されるほか、昇
華法や、塗布法なども有効に用いられる。
本発明において、電荷注入層としては無機半導体薄膜層
を電子または正孔の注入層として有効に用いることがで
きる。また、正孔注入層としては、ア亀ン系の有機化合
物や、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分
子も用いることができる。
を電子または正孔の注入層として有効に用いることがで
きる。また、正孔注入層としては、ア亀ン系の有機化合
物や、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分
子も用いることができる。
本発明におけるかかる無機半導体薄膜層としては、ＩＩ
ＩＪＭの無機半導体薄膜、または２種類以上の無機半導
体薄膜の積層膜よりなる。これらは、非晶質薄膜、微結
晶薄膜、多結晶薄膜、単結晶薄膜、または非晶質と微結
晶が交じり合った薄膜、またこれらの積ＮＴｉ１膜や人
工格子薄膜等が用いられる。
ＩＪＭの無機半導体薄膜、または２種類以上の無機半導
体薄膜の積層膜よりなる。これらは、非晶質薄膜、微結
晶薄膜、多結晶薄膜、単結晶薄膜、または非晶質と微結
晶が交じり合った薄膜、またこれらの積ＮＴｉ１膜や人
工格子薄膜等が用いられる。
これらの薄膜形成に有用な無機半導体材料は、Ｃ，Ｇｅ
、Ｓｉ、Ｓｎなどの一元系の半導体、ＳｉＣなどの二元
系ｒＶ−Ｉｔ／族半導体、ＡｌＳｂ、ＢＮ、ＢＰ、Ｇａ
Ｎ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ１ｎｓｂ、ＩｎＡｓ、
ＩｎＰなどのｍ−ｖ族半導体、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｔｅ、ＺｎＯ，ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅなどの■−■族半導体
材料など、さらに多元系の化合物半導体材料などである
。
、Ｓｉ、Ｓｎなどの一元系の半導体、ＳｉＣなどの二元
系ｒＶ−Ｉｔ／族半導体、ＡｌＳｂ、ＢＮ、ＢＰ、Ｇａ
Ｎ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ１ｎｓｂ、ＩｎＡｓ、
ＩｎＰなどのｍ−ｖ族半導体、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｔｅ、ＺｎＯ，ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅなどの■−■族半導体
材料など、さらに多元系の化合物半導体材料などである
。
ここで好ましい材料であるＳｉ（シリコン）について具
体的に例をあげると、非晶質シリコン（ａ−５ｉ）、水
素化非晶質シリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）、微結晶シリコン
（μｃ−３ｔ ）、多結晶シリコン、単結晶シリコン、
水素化非晶質炭化珪素（５ｉｌ−ｘＣｘ：Ｈ）、微結晶
炭化珪素（μＣ−５ｉＣ）、単結晶炭化珪素、非晶質窒
化珪素、水素化非晶質窒化珪素、微結晶窒化珪素等が好
適に用いられる。
体的に例をあげると、非晶質シリコン（ａ−５ｉ）、水
素化非晶質シリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）、微結晶シリコン
（μｃ−３ｔ ）、多結晶シリコン、単結晶シリコン、
水素化非晶質炭化珪素（５ｉｌ−ｘＣｘ：Ｈ）、微結晶
炭化珪素（μＣ−５ｉＣ）、単結晶炭化珪素、非晶質窒
化珪素、水素化非晶質窒化珪素、微結晶窒化珪素等が好
適に用いられる。
なお、上記の無機半導体薄膜は、その薄膜自体がｐ型ま
たはｎ型の性質を有するものであるか、またはドーピン
グを行い、ｐ型またはｎ型にして用いられる。なお、厚
みは特に限定されないが、通常、１０〜３０００人程度
が使用される。勿論、これ以外のものも使用可能である
。
たはｎ型の性質を有するものであるか、またはドーピン
グを行い、ｐ型またはｎ型にして用いられる。なお、厚
みは特に限定されないが、通常、１０〜３０００人程度
が使用される。勿論、これ以外のものも使用可能である
。
上記の無機半導体薄膜の製造方法としては、光ＣＶＤ法
、プラズ？ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、モレキエラービーム
エピタキシー（ＭＢＥ）法、有機金属分解法（ＭＯＣＶ
Ｄ）、蒸着法、スパッタ法、などの各種の物理的または
化学的な薄膜形成法などが用いられる。
、プラズ？ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、モレキエラービーム
エピタキシー（ＭＢＥ）法、有機金属分解法（ＭＯＣＶ
Ｄ）、蒸着法、スパッタ法、などの各種の物理的または
化学的な薄膜形成法などが用いられる。
本発明における二つの電極層としては、金属。
合金、金属酸化物、金属シリサイドなど、またはそれら
の１種類または２種類以上の積層薄膜が用いられる。よ
り好ましくは、接触している薄膜への電子または正孔の
注入効率のよい材料が選択される。以下、その素子の層
構成が、第２図に示したごとき、例えば、第一電極層、
Ｐ型ａ−３ｔＣ：１１薄膜層からなる無機半導体薄膜層
、希土類金属の有機錯体化合物からなる発光層である有
機物薄膜層、第二電極層の順序で形成された素子に関し
具体的に例示して説明することにする。
の１種類または２種類以上の積層薄膜が用いられる。よ
り好ましくは、接触している薄膜への電子または正孔の
注入効率のよい材料が選択される。以下、その素子の層
構成が、第２図に示したごとき、例えば、第一電極層、
Ｐ型ａ−３ｔＣ：１１薄膜層からなる無機半導体薄膜層
、希土類金属の有機錯体化合物からなる発光層である有
機物薄膜層、第二電極層の順序で形成された素子に関し
具体的に例示して説明することにする。
第一電極層は、ｐ型ａ−３ｉＣ：ｆｌ半導体薄膜へ正孔
注入効率のよい電極材料をもちいるとよい。この電極材
料として、より具体的に説明すると、−船釣に電子の仕
事関数の大きな金属、合金、金属酸化物などの金属化合
物薄膜や導電性高分子材料、それらの積層された薄膜な
どが用いられる。また、この第一電極から発生する光を
取り出すこともできる。このためには、第一電極が透明
または半透明の物質で形成される。具体的に示すと、ス
ズ酸化物（ＳｎＯり、インジウム酸化物、インジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化物の薄膜、またはそ
れらの積層膜や、ｐｔ、＾ｕ、Ｓｅ、Ｐｄ、ＮｉＪ、Ｔ
ａ、Ｔｅ等の金属や合金薄膜、またそれらの積層膜、Ｃ
ｕｌなどの金属塩薄膜、またそれらの積層膜などが好適
なものとして挙げられる。
注入効率のよい電極材料をもちいるとよい。この電極材
料として、より具体的に説明すると、−船釣に電子の仕
事関数の大きな金属、合金、金属酸化物などの金属化合
物薄膜や導電性高分子材料、それらの積層された薄膜な
どが用いられる。また、この第一電極から発生する光を
取り出すこともできる。このためには、第一電極が透明
または半透明の物質で形成される。具体的に示すと、ス
ズ酸化物（ＳｎＯり、インジウム酸化物、インジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化物の薄膜、またはそ
れらの積層膜や、ｐｔ、＾ｕ、Ｓｅ、Ｐｄ、ＮｉＪ、Ｔ
ａ、Ｔｅ等の金属や合金薄膜、またそれらの積層膜、Ｃ
ｕｌなどの金属塩薄膜、またそれらの積層膜などが好適
なものとして挙げられる。
また、第二の電極層は、希土類金属の有機錯体化合物か
らなる有機物薄膜に電子を注入するため一般的に電子の
仕事関数の小さな金属や合金薄膜、それらの積Ｎ薄膜な
どが用いられる。さらにより具体的には、Ｍｇ＋ ｔ、
Ｌ Ｎａ＋ Ｌ Ｃａ、 Ｒｈ＋ Ｓｒ＋ Ｃｅなどの
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ−
Ａｇ等の合金、ＣＣｓ−０−Ａ 、 Ｃｓ３Ｓｂ 、
Ｎａ、ＫＳｂ、（Ｃｓ） Ｎａ ＪＳｂ、等の薄膜、ま
たそれらの積層薄膜などが好適である。
らなる有機物薄膜に電子を注入するため一般的に電子の
仕事関数の小さな金属や合金薄膜、それらの積Ｎ薄膜な
どが用いられる。さらにより具体的には、Ｍｇ＋ ｔ、
Ｌ Ｎａ＋ Ｌ Ｃａ、 Ｒｈ＋ Ｓｒ＋ Ｃｅなどの
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ−
Ａｇ等の合金、ＣＣｓ−０−Ａ 、 Ｃｓ３Ｓｂ 、
Ｎａ、ＫＳｂ、（Ｃｓ） Ｎａ ＪＳｂ、等の薄膜、ま
たそれらの積層薄膜などが好適である。
本発明の素子は、電極層／発光Ｎ／電極層／発光層／電
極層／発光Ｎ／電極・−・−・−・−・−と多段かさね
てもよい、この素子構造により、色調の調整や多色化な
ども可能である。また、この素子を、平面上に多数なら
べてもよい、この平面上に並べられた素子では、それぞ
れの素子の発光色を変えたり、ＲＧＢフィルターを用い
るなどすることにより、カラー表示用部材としての所望
の機能も発現できる。
極層／発光Ｎ／電極・−・−・−・−・−と多段かさね
てもよい、この素子構造により、色調の調整や多色化な
ども可能である。また、この素子を、平面上に多数なら
べてもよい、この平面上に並べられた素子では、それぞ
れの素子の発光色を変えたり、ＲＧＢフィルターを用い
るなどすることにより、カラー表示用部材としての所望
の機能も発現できる。
以下、実施例により本発明を説明する。
〔実施例１〕
ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚８００人、さらにその上
に８１１０！膜を膜厚２００大形威し、透明導電膜（Ｔ
ＣＯ）を形威し、第一の電極層とした。抵抗加熱真空蒸
着法を用いて、テルビウムアセチルアセトナート（Ｔｂ
（ａｃａｃ） ｓ）で膜厚６００人の発光層を形成し
た。さらに、この層の上に、電子ビーム蒸着法によりＭ
ｇ薄膜を堆積し、第二電極層として、第１図に示すとこ
ろの本発明の発光素子を得た。なおＭｇ金属の蒸着膜の
面積は１Ｃ−角である。
に８１１０！膜を膜厚２００大形威し、透明導電膜（Ｔ
ＣＯ）を形威し、第一の電極層とした。抵抗加熱真空蒸
着法を用いて、テルビウムアセチルアセトナート（Ｔｂ
（ａｃａｃ） ｓ）で膜厚６００人の発光層を形成し
た。さらに、この層の上に、電子ビーム蒸着法によりＭ
ｇ薄膜を堆積し、第二電極層として、第１図に示すとこ
ろの本発明の発光素子を得た。なおＭｇ金属の蒸着膜の
面積は１Ｃ−角である。
この発光素子に、直流電圧を印加したところ、ｔＯＶ以
上で室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光が観測
された０発光輝度は高く、長時間、安定な発光状態が維
持された。
上で室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光が観測
された０発光輝度は高く、長時間、安定な発光状態が維
持された。
〔実施例２）
ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚８００人、さらにその上
にＳｎ０ｇ膜を膜厚２００λ形威し、透明導電膜（ＴＣ
Ｏ）を形威し、第一の電極層とした。抵抗加熱真空蒸着
法を用いて、テルビウムアセチルアセトナート（Ｔｂ（
ａｃａｃ） ｓ） とルブレンとの混合された薄膜を、
膜厚６００大発光層を形威した。さらに、この層の上に
、電子ビーム蒸着法によりＭｇ薄膜を堆積し、第二電極
層として、第１図に示すところの本発明の発光素子を得
た。なおＭｇ金属の草着腹の面積はｌｃ−角である。
にＳｎ０ｇ膜を膜厚２００λ形威し、透明導電膜（ＴＣ
Ｏ）を形威し、第一の電極層とした。抵抗加熱真空蒸着
法を用いて、テルビウムアセチルアセトナート（Ｔｂ（
ａｃａｃ） ｓ） とルブレンとの混合された薄膜を、
膜厚６００大発光層を形威した。さらに、この層の上に
、電子ビーム蒸着法によりＭｇ薄膜を堆積し、第二電極
層として、第１図に示すところの本発明の発光素子を得
た。なおＭｇ金属の草着腹の面積はｌｃ−角である。
この発光素子に、直流電圧を印加したところ、１０Ｖ以
上で室内蛍光灯下で確認できる明るい黄色の発光が観測
された０発光輝度は高く、長時間、安定な発光状態が維
持された。
上で室内蛍光灯下で確認できる明るい黄色の発光が観測
された０発光輝度は高く、長時間、安定な発光状態が維
持された。
〔実施例３〕
実施例１において、第一の電極と発光層の間にｐ型ａ−
ＳｉＣ：Ｈ１５０人を形威したほかは、実施例１と同様
に形成し、第２図に示す発光素子を得た。
ＳｉＣ：Ｈ１５０人を形威したほかは、実施例１と同様
に形成し、第２図に示す発光素子を得た。
本発光素子において、ＩＴＯ側をプラス、Ｍｇ側をマイ
ナスにすると、電流は電圧の増加とともに増加し、この
逆の極性では電流が流れない、所謂ダイオード特性が得
られた。順方向の電圧印加１０Ｖにおいて、室内の蛍光
灯の下で、明かるい緑色の発光が観測された０発光輝度
は実施例１におけるよりも高く、時間経過に対する輝度
の低下は非常に少なかった。
ナスにすると、電流は電圧の増加とともに増加し、この
逆の極性では電流が流れない、所謂ダイオード特性が得
られた。順方向の電圧印加１０Ｖにおいて、室内の蛍光
灯の下で、明かるい緑色の発光が観測された０発光輝度
は実施例１におけるよりも高く、時間経過に対する輝度
の低下は非常に少なかった。
〔実施例４〕
実施例１において、第一の電極と発光層の間にＰ型ａ−
３ｉＣ：Ｈ１５０人を形威したほかは、実施例２と同様
に形威し、第２図に示す発光素子を得た。
３ｉＣ：Ｈ１５０人を形威したほかは、実施例２と同様
に形威し、第２図に示す発光素子を得た。
本発光素子において、ＩＴＯ側をプラス、Ｍｇ側をマイ
ナスにすると、電流は電圧の増加とともに増加し、この
逆の極性では電流が流れない、所謂ダイオード特性が得
られた。順方向の電圧印加１０Ｖにおいて、室内の蛍光
灯の下で、明かるい黄色の発光が観測された０発光輝度
は実施例１におけるよりも高く、時間経過に対する輝度
の低下は非常に少なかった。
ナスにすると、電流は電圧の増加とともに増加し、この
逆の極性では電流が流れない、所謂ダイオード特性が得
られた。順方向の電圧印加１０Ｖにおいて、室内の蛍光
灯の下で、明かるい黄色の発光が観測された０発光輝度
は実施例１におけるよりも高く、時間経過に対する輝度
の低下は非常に少なかった。
〔実施例５〕
実施例１において、第一電極の上に、チオフェンを電界
重合してポリチオフェンとした積層構造の電極を用いた
。また、第一電極上に発光層として、テルビウムアセチ
ルアセトナ−Ｌ （Ｔｂ（ａｃａｃ） ｓ）を、膜厚６
００人、で堆積した。これ以外は実施例１と同様に製作
し、本発明の発光素子を得た。
重合してポリチオフェンとした積層構造の電極を用いた
。また、第一電極上に発光層として、テルビウムアセチ
ルアセトナ−Ｌ （Ｔｂ（ａｃａｃ） ｓ）を、膜厚６
００人、で堆積した。これ以外は実施例１と同様に製作
し、本発明の発光素子を得た。
順方向の電圧印加１２Ｖにおいて、室内の蛍光灯の下で
、明かるい緑色の発光が観測された０発光輝度は実施例
１と同程度であり、時間経過に対する輝度の低下は非常
に少なかった。
、明かるい緑色の発光が観測された０発光輝度は実施例
１と同程度であり、時間経過に対する輝度の低下は非常
に少なかった。
本発明は、一つの電極から電子を、もう一方の電極から
正孔を注入して動作する注入型ＥＬ素子において、発光
層に希土類金属の有ｍ錯体化合物からなる発光機能発現
層を用いることにより、十分な発光輝度と発光輝度の安
定性を有するＥＬ素子と威しえたものである。実施例か
らも明らかな如く、本発明のかかる注入型発光素子は、
従来技術においては別置到達できなかった高性能な発光
素子であり、表示用部材等として産業上きわめて有用な
ものであると云わざるを得ない。
正孔を注入して動作する注入型ＥＬ素子において、発光
層に希土類金属の有ｍ錯体化合物からなる発光機能発現
層を用いることにより、十分な発光輝度と発光輝度の安
定性を有するＥＬ素子と威しえたものである。実施例か
らも明らかな如く、本発明のかかる注入型発光素子は、
従来技術においては別置到達できなかった高性能な発光
素子であり、表示用部材等として産業上きわめて有用な
ものであると云わざるを得ない。
第１図ならびに第２図は本発明の素子の層構成の一例を
示す説明図である。 図において、 １．１ｔ−−・・−ｍ−−−・・ガラス板等の基板、２
．１２・・・・・・・−ＴＣＯ薄膜等よりなる第一電極
層、３．１３−−−・・−・・−希土類金属の有機錯体
化合物の有機化合物薄膜からなる発光層、４．１４
Ｍｇ金属薄膜等よりなる第二電極層、１５−・・・
−・・・・−・・ｐ型 ａ−３ｉＣ：Ｈ等の無機半導体
薄膜層からなる電荷注入層である。
示す説明図である。 図において、 １．１ｔ−−・・−ｍ−−−・・ガラス板等の基板、２
．１２・・・・・・・−ＴＣＯ薄膜等よりなる第一電極
層、３．１３−−−・・−・・−希土類金属の有機錯体
化合物の有機化合物薄膜からなる発光層、４．１４
Ｍｇ金属薄膜等よりなる第二電極層、１５−・・・
−・・・・−・・ｐ型 ａ−３ｉＣ：Ｈ等の無機半導体
薄膜層からなる電荷注入層である。
Claims (2)
- （１）２つの電極層を備え、これら２つの電極層間に、
希土類金属の有機錯体化合物を主に含む有機化合物薄膜
層を有する発光層を設けてなることを特徴とする発光素
子。 - （２）２つの電極層の間に、電荷注入層を当該発光層に
積層して設けた請求項１記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21740789A JP3137631B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21740789A JP3137631B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382174A true JPH0382174A (ja) | 1991-04-08 |
| JP3137631B2 JP3137631B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16703714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21740789A Expired - Fee Related JP3137631B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137631B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11339962A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2005347192A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
| KR101231457B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP21740789A patent/JP3137631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11339962A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2005347192A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
| KR101231457B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| US9362457B2 (en) | 2009-03-24 | 2016-06-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3137631B2 (ja) | 2001-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5128587A (en) | Electroluminescent device based on organometallic membrane | |
| US5989738A (en) | Organic electroluminescent component with charge transport layer | |
| Kido et al. | Bright red light‐emitting organic electroluminescent devices having a europium complex as an emitter | |
| KR950000111B1 (ko) | 발광소자(Luminescence element) | |
| US6414431B1 (en) | Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production | |
| EP0700917A2 (en) | New organometallic complexes for use in light emitting devices | |
| JPH1097895A5 (ja) | ||
| JP2003045676A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| Hong et al. | Spectrally-narrow blue light-emitting organic electroluminescent devices utilizing thulium complexes | |
| CN104124316B (zh) | 一种无机电致发光器件及其制备方法 | |
| AU4954497A (en) | Polymer light emitting diode | |
| JP2788531B2 (ja) | 有機錯体発光素子 | |
| Withnall et al. | AC powder electroluminescent displays | |
| JP3328654B2 (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP2837223B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| JPH0382174A (ja) | 発光素子 | |
| WO2000056122A1 (fr) | Dispositif el organique | |
| JP2837171B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JPH02196475A (ja) | 薄膜型発光素子 | |
| WO2008023620A1 (en) | Light-emitting device and display | |
| JPH02207488A (ja) | 薄膜型発光素子 | |
| JPH02253593A (ja) | 発光素子 | |
| JPH03196492A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPH04276668A (ja) | 電荷注入型エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH02139893A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |