JPH0382929A - 放射線環境下での流体漏洩検出素子と流体漏洩検出方法 - Google Patents
放射線環境下での流体漏洩検出素子と流体漏洩検出方法Info
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- JPH0382929A JPH0382929A JP1219038A JP21903889A JPH0382929A JP H0382929 A JPH0382929 A JP H0382929A JP 1219038 A JP1219038 A JP 1219038A JP 21903889 A JP21903889 A JP 21903889A JP H0382929 A JPH0382929 A JP H0382929A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は原子炉、核燃料再処理設備等の放射線環境下で
の流体漏洩検出技術に関し、特に放射線環境下での流体
機器・配管における流体漏洩の発生と渥１ＩＪ１位置を
検出することのできる流体漏洩検出技術に関する。
の流体漏洩検出技術に関し、特に放射線環境下での流体
機器・配管における流体漏洩の発生と渥１ＩＪ１位置を
検出することのできる流体漏洩検出技術に関する。
たとえば、原子炉の一次冷却水は高線量の放射能を有し
、漏洩すると放射能汚染を起こす危険性を有している。
、漏洩すると放射能汚染を起こす危険性を有している。
従って、−次冷却水のような高線量の放射能流体は漏洩
を起こさないよう厳密に監視する必要がある。
を起こさないよう厳密に監視する必要がある。
［従来の技術］
原子力発電設備や再処理８備等における高温、高圧、高
放射能の流体を内包する機器・配管は、破断に至る前に
原子炉や再処理設備を安全に停止させるため、微少の漏
洩も生じさせないように確実かつ短時間で漏洩を検出す
る必要がある４また、停止後速やかに補修、修復対策を
実施するために漏洩位置の検出ができることか望ましい
。
放射能の流体を内包する機器・配管は、破断に至る前に
原子炉や再処理設備を安全に停止させるため、微少の漏
洩も生じさせないように確実かつ短時間で漏洩を検出す
る必要がある４また、停止後速やかに補修、修復対策を
実施するために漏洩位置の検出ができることか望ましい
。
さらに、検出系は簡単であり、かつ同一センサで広い検
出対象領域をカバーできることが望ましい。
出対象領域をカバーできることが望ましい。
現在、高放射能環境下での流体漏洩検出技術としては、
アコースティックエミッションモニタやモイスチャセン
シンクテー１等が開発され、用いられている。
アコースティックエミッションモニタやモイスチャセン
シンクテー１等が開発され、用いられている。
しかしながら、検出精度が十分でないことが多く、検出
感度を上げようとすると、誤信号による停止が起きたり
、検出感度を下げると漏洩か生じているのに検出をしな
かったりすることが生じる。
感度を上げようとすると、誤信号による停止が起きたり
、検出感度を下げると漏洩か生じているのに検出をしな
かったりすることが生じる。
［発明が解決しようとする課題］
以上説明したように、従来の技術によれば放射線環境下
での流体検出技術において検出感度が十分ではなかった
。
での流体検出技術において検出感度が十分ではなかった
。
本発明の目的は、検出感度が十分優れている放射線環境
下で流体漏洩を検出することのできる素子を提供するこ
とである。
下で流体漏洩を検出することのできる素子を提供するこ
とである。
また、本発明の目的は、放射線環境下で十分な感度で流
体漏洩を検出する方法を提供することである。
体漏洩を検出する方法を提供することである。
さらに、流体漏洩検出において、その漏洩位置が検出で
きること、１つのセンサで漏洩検出対象を広範囲にカバ
ーできることか望ましい。
きること、１つのセンサで漏洩検出対象を広範囲にカバ
ーできることか望ましい。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、複数の導電体を近接配置し、その間を
耐放射線性があり、流体を保持・確保できる無機絶縁部
材で絶縁し、流体が漏洩した時には、その流体を無機絶
縁部材で保持・確保する。
耐放射線性があり、流体を保持・確保できる無機絶縁部
材で絶縁し、流体が漏洩した時には、その流体を無機絶
縁部材で保持・確保する。
［作用］
近接配置された複数の導電体の間の無機絶縁部材に流体
が保持、確保されると、流体と空気ないしは真空との誘
電的性質の相違から該複数の導電体間の電気的特性が変
化するにの変化を測定することにより、流体の漏洩を検
出することができる。
が保持、確保されると、流体と空気ないしは真空との誘
電的性質の相違から該複数の導電体間の電気的特性が変
化するにの変化を測定することにより、流体の漏洩を検
出することができる。
［実施例］
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に本発明の１実施例によ
る耐放射線流体漏洩検出素子を示す。
る耐放射線流体漏洩検出素子を示す。
第１図（Ａ＞が断面図を示し、第１図（Ｂ）が１部破断
正面図を示す。
正面図を示す。
第１図（Ａ＞、（Ｂ）に示されるように、２つの導体１
．２がケーブル状に組み合わされて検出素子を構成して
いる。２つの導体１．２の内、導体１は高抵抗線であり
、導体２は低抵抗線である。
．２がケーブル状に組み合わされて検出素子を構成して
いる。２つの導体１．２の内、導体１は高抵抗線であり
、導体２は低抵抗線である。
低抵抗線２は、低抵抗率材料たとえば軟鋼の線で構成さ
れ、高抵抗線１は、比較的高抵抗率の材料たとえばニク
ロム線で構成される。また、高抵抗線１の断面積を相対
的に小さなものとすることによって、抵抗を高めること
を行ってもよい。各導体１．２の周囲はガラス繊維で構
成された感知部誘電体３が取り巻いている。ガラス繊維
は束ねられて配置され、その間に流体を保持・確保する
のに好適な間隙を形成している６ガラスは一般的に水に
対して濡れる性質を有するが、流体をより確実に吸収す
るようガラス繊維表面に適当な表面処理を行ってもよい
。これら感知部誘電体３を備えた２つの導体１．２をま
とめて１次保護絹組４が取り巻いて保護している。この
１次保護編組４は、たとえばガラス繊維で構成される。
れ、高抵抗線１は、比較的高抵抗率の材料たとえばニク
ロム線で構成される。また、高抵抗線１の断面積を相対
的に小さなものとすることによって、抵抗を高めること
を行ってもよい。各導体１．２の周囲はガラス繊維で構
成された感知部誘電体３が取り巻いている。ガラス繊維
は束ねられて配置され、その間に流体を保持・確保する
のに好適な間隙を形成している６ガラスは一般的に水に
対して濡れる性質を有するが、流体をより確実に吸収す
るようガラス繊維表面に適当な表面処理を行ってもよい
。これら感知部誘電体３を備えた２つの導体１．２をま
とめて１次保護絹組４が取り巻いて保護している。この
１次保護編組４は、たとえばガラス繊維で構成される。
このガラス繊維の１次保護編組４の周囲をさらに、たと
えばステンレス（ＳＵＳ）から構成される２次保護編組
５が取り巻いて保護している。この１次保護編組４及び
２次保護編組５は、繊維状の素材で構成され、流体が浸
透することができる構造になっている。漏洩流体は漏洩
時は気体でも、外部で凝縮して液体となれば同様に検出
できる。
えばステンレス（ＳＵＳ）から構成される２次保護編組
５が取り巻いて保護している。この１次保護編組４及び
２次保護編組５は、繊維状の素材で構成され、流体が浸
透することができる構造になっている。漏洩流体は漏洩
時は気体でも、外部で凝縮して液体となれば同様に検出
できる。
このような検出素子の導体１．２は、乾燥した状態では
高い絶縁状態にある。すなわち、導体１と導体２の間は
高抵抗率の空気ないし真空とやはり高抵抗率のガラス繊
維で隔てられており、高い絶縁状態にある。この感知部
誘電体３に、たとえば水が浸透すると、空気ないし真空
を水が置き換えることになる。漏洩箇所で導体１と導体
２の間を浸透した水が短絡すると、第１図（Ｃ）に示す
ような状態になる。すなわち、高抵抗線１のある点か漏
洩した水によって低抵抗線２と電気的に接続される。水
の抵抗率か十分低ければ両導体は短絡する６従って、導
体１．２間の抵抗を測定すると、漏洩した箇所までの高
抵抗線１の長さＸに比例した抵抗が得られる。今、高抵
抗線１の全長Ｑか抵抗Ｒを有するとずれは、Ｘの位置で
漏洩が生じた場合、測定される漏洩箇所まての抵抗はＲ
−ｘ／Ｑ となる、このように漏洩か生じると、その位置に応じた
電気信号を得ることができる。従って、計測端において
漏洩時の検出素子線間電圧を計測して抵抗値を算出し、
それによって簡単に距離Ｘを演算できる。
高い絶縁状態にある。すなわち、導体１と導体２の間は
高抵抗率の空気ないし真空とやはり高抵抗率のガラス繊
維で隔てられており、高い絶縁状態にある。この感知部
誘電体３に、たとえば水が浸透すると、空気ないし真空
を水が置き換えることになる。漏洩箇所で導体１と導体
２の間を浸透した水が短絡すると、第１図（Ｃ）に示す
ような状態になる。すなわち、高抵抗線１のある点か漏
洩した水によって低抵抗線２と電気的に接続される。水
の抵抗率か十分低ければ両導体は短絡する６従って、導
体１．２間の抵抗を測定すると、漏洩した箇所までの高
抵抗線１の長さＸに比例した抵抗が得られる。今、高抵
抗線１の全長Ｑか抵抗Ｒを有するとずれは、Ｘの位置で
漏洩が生じた場合、測定される漏洩箇所まての抵抗はＲ
−ｘ／Ｑ となる、このように漏洩か生じると、その位置に応じた
電気信号を得ることができる。従って、計測端において
漏洩時の検出素子線間電圧を計測して抵抗値を算出し、
それによって簡単に距離Ｘを演算できる。
さらに、上にのべた構成は金属及びガラス繊維からなる
無機材料であり、高放射能を浴びてもその性質が変化す
ることが少ない。従って、安定に長期間測定を行うこと
ができる。但し、この方法では、漏洩した流体の抵抗率
が比較的高い場合、位置の測定精度が悪くなる。
無機材料であり、高放射能を浴びてもその性質が変化す
ることが少ない。従って、安定に長期間測定を行うこと
ができる。但し、この方法では、漏洩した流体の抵抗率
が比較的高い場合、位置の測定精度が悪くなる。
第２図（Ａ）、（Ｂ）に第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した
検出素子を用いたマーレーループ方式による検出装置を
示す。
検出素子を用いたマーレーループ方式による検出装置を
示す。
第２図（Ａ）において、センサ１１は第１図（Ａ）、（
Ｂ）に示したような構成のものであり、その内部に低抵
抗線２と高抵抗線１を有している。
Ｂ）に示したような構成のものであり、その内部に低抵
抗線２と高抵抗線１を有している。
さらに、低抵抗の耐熱ケーブル１つが高抵抗線１と先端
で接続されている。このセンサ１１と耐熱ケーブル１つ
を流体の配管２０の下部に配置する。
で接続されている。このセンサ１１と耐熱ケーブル１つ
を流体の配管２０の下部に配置する。
センサ１１中の導体１．２と耐熱ケーブル１９の導体は
、接続コネクタ１２を介して信号伝送用ケーブル１３に
接続される。
、接続コネクタ１２を介して信号伝送用ケーブル１３に
接続される。
直流抵抗ブリッジ回路１０は高抵抗線１と直列に接続さ
れ、ブリッジ回路を構成する直流摺動抵抗器１５を含む
４この直流摺動抵抗器１５と高抵抗線１の接続点間に電
流計１４が接続される。直流電源１７は保護抵抗１６を
介して直流摺動抵抗器１５の摺動端子及びセンサの低抵
抗線２に接続される。また、直流摺動抵抗器１５の摺動
端子と電流計１４とは演算処理装置１８に接続される。
れ、ブリッジ回路を構成する直流摺動抵抗器１５を含む
４この直流摺動抵抗器１５と高抵抗線１の接続点間に電
流計１４が接続される。直流電源１７は保護抵抗１６を
介して直流摺動抵抗器１５の摺動端子及びセンサの低抵
抗線２に接続される。また、直流摺動抵抗器１５の摺動
端子と電流計１４とは演算処理装置１８に接続される。
今、配管２０のある箇所２１に漏洩が発生し、漏洩した
流体がセンサ１１の感知部誘電体３に浸透し、センサ１
１内の高抵抗線１と低抵抗線２を電気的に接続したとす
る。この漏洩が接続コネクタ１２測から距離Ｘの場所で
起きたとする。また、高抵抗線の全長はＱであるとする
。すなわち、直流電源１７からの電圧か高抵抗線の端か
らＸの距離の場所に供給されたことになる。
流体がセンサ１１の感知部誘電体３に浸透し、センサ１
１内の高抵抗線１と低抵抗線２を電気的に接続したとす
る。この漏洩が接続コネクタ１２測から距離Ｘの場所で
起きたとする。また、高抵抗線の全長はＱであるとする
。すなわち、直流電源１７からの電圧か高抵抗線の端か
らＸの距離の場所に供給されたことになる。
この状態を第２図（Ｂ）に概略的に示す。漏洩２１によ
って低抵抗線２が高抵抗線１と接続され、高抵抗線１の
２つの部分と摺動直流抵抗器１５の２つの部分がブリッ
ジ回路の抵抗を構成し、接続点に電流計１４が接続され
ている。摺動抵抗器１５の摺動端子から両端までの距離
の比をＡ：Ｂとし、漏洩が生じた点の位置から高抵抗線
１の両端までの距離の比を図のようにｘ：ｙとする。す
ると、 Ａ ： ｙ＝Ｂ ： ｘ になった時に電流計に電流か流れず、バランス状態か測
定できる。この時には、 Ａ−ｘ＝Ｂ−ｙ＝Ｂ （Ｑ−ｘ） ｘ＝Ｑ−Ｂ／ （Ａ十Ｂ） となる。同様に、 ｙ＝Ｑ−Ａ／ （Ａ十Ｂ） となる。
って低抵抗線２が高抵抗線１と接続され、高抵抗線１の
２つの部分と摺動直流抵抗器１５の２つの部分がブリッ
ジ回路の抵抗を構成し、接続点に電流計１４が接続され
ている。摺動抵抗器１５の摺動端子から両端までの距離
の比をＡ：Ｂとし、漏洩が生じた点の位置から高抵抗線
１の両端までの距離の比を図のようにｘ：ｙとする。す
ると、 Ａ ： ｙ＝Ｂ ： ｘ になった時に電流計に電流か流れず、バランス状態か測
定できる。この時には、 Ａ−ｘ＝Ｂ−ｙ＝Ｂ （Ｑ−ｘ） ｘ＝Ｑ−Ｂ／ （Ａ十Ｂ） となる。同様に、 ｙ＝Ｑ−Ａ／ （Ａ十Ｂ） となる。
この関係は、ブリッジ回路内の抵抗値の比によって定ま
り、漏洩によって低抵抗線２と高抵抗線１とがどのよう
な抵抗値で接続されるかによらず成立する。従って、漏
洩する流体が導電性でありさえすれば十分な精度を有す
る検出が可能である。
り、漏洩によって低抵抗線２と高抵抗線１とがどのよう
な抵抗値で接続されるかによらず成立する。従って、漏
洩する流体が導電性でありさえすれば十分な精度を有す
る検出が可能である。
演算処理装置１８は電流計１４が零になるように摺動抵
抗器１５の摺動端子を調整し、その時の摺動端子の位置
に基づいて漏洩箇所Ｘを算出する。
抗器１５の摺動端子を調整し、その時の摺動端子の位置
に基づいて漏洩箇所Ｘを算出する。
なお、漏洩がない状態では、直流摺動抵抗器１５と高抵
抗線１及び耐熱ケーブル１９とは閉じたループを構成し
、同電位にあるので電流計１４の針は振れない。
抗線１及び耐熱ケーブル１９とは閉じたループを構成し
、同電位にあるので電流計１４の針は振れない。
第３図に本発明の他の実施例による、耐放射線流体漏洩
検出素子を示す、たとえば、軟鋼の撚線から構成された
内部導体３１の周囲をガラス繊維からなる感知部誘電体
３２が包み、その外測を軟０ 銅線からなる外部編組導体３３が取り囲み、その周囲を
さらにガラス繊維の編組からなる外部保護編組３４が包
んでいる。感知部誘電体３２、外部編組導体３３、外部
保護編組３４はそれぞれ繊維状の部材から構成され、流
体を浸透、透過させることができる。乾燥した状態では
、内部導（＊３１と外部編組導体３３とは同軸ケーブル
を楕或し、たとえば５０Ω等の一定の特性インピーダン
スを有する。
検出素子を示す、たとえば、軟鋼の撚線から構成された
内部導体３１の周囲をガラス繊維からなる感知部誘電体
３２が包み、その外測を軟０ 銅線からなる外部編組導体３３が取り囲み、その周囲を
さらにガラス繊維の編組からなる外部保護編組３４が包
んでいる。感知部誘電体３２、外部編組導体３３、外部
保護編組３４はそれぞれ繊維状の部材から構成され、流
体を浸透、透過させることができる。乾燥した状態では
、内部導（＊３１と外部編組導体３３とは同軸ケーブル
を楕或し、たとえば５０Ω等の一定の特性インピーダン
スを有する。
外部から空気ないしは真空の誘電率と異なる誘電率を有
する流体が浸透し、内部導体３１と外部編組導体３３と
の間の感知部誘電体３２に保持・確保されると、その部
分で誘電率が変化することにより、同軸ケーブルの特性
インピーダンスが変化する。この特性インピーダンスの
変化を検出すれば、流体の漏洩を検出することかできる
。この漏洩検出素子の場合、流体は必すしも導電性を有
していなくても検出が可能である。
する流体が浸透し、内部導体３１と外部編組導体３３と
の間の感知部誘電体３２に保持・確保されると、その部
分で誘電率が変化することにより、同軸ケーブルの特性
インピーダンスが変化する。この特性インピーダンスの
変化を検出すれば、流体の漏洩を検出することかできる
。この漏洩検出素子の場合、流体は必すしも導電性を有
していなくても検出が可能である。
第４図（Ａ）〜（Ｄ）にパルス反射法による漏洩検出シ
ステムを示す。
ステムを示す。
１
第４図（Ａ＞はシステム構成を概略的に示すブロック図
である６パルス発射検出回＃ｒ４５が第３図に示すよう
な流体８洩検出素子のセンサ４２の内部導体３１と接続
コネクタ４３、ケーブル４４を介して接続される。また
、センサ４２は流体の配管４６に沿って配置され、その
端部を終端抵抗４１によって接地されている。なお、セ
ンサ４２の特性インピーダンスと終端抵抗４１とはマツ
チングさせ、反射がないようにしである。配管４６で漏
洩４７が生じた時に、漏洩４７から流失した流体によっ
て、センサ４２のインピーダンスが局部的に変化する。
である６パルス発射検出回＃ｒ４５が第３図に示すよう
な流体８洩検出素子のセンサ４２の内部導体３１と接続
コネクタ４３、ケーブル４４を介して接続される。また
、センサ４２は流体の配管４６に沿って配置され、その
端部を終端抵抗４１によって接地されている。なお、セ
ンサ４２の特性インピーダンスと終端抵抗４１とはマツ
チングさせ、反射がないようにしである。配管４６で漏
洩４７が生じた時に、漏洩４７から流失した流体によっ
て、センサ４２のインピーダンスが局部的に変化する。
このインピータンス変化によって入射したパルスが反射
されるようになる。これを検出すれば漏洩が生じたこと
、及び漏洩の位置を検出することができる。
されるようになる。これを検出すれば漏洩が生じたこと
、及び漏洩の位置を検出することができる。
第４図（Ｂ）は検出原理を示す概念図である。
センサ４２の内部導体３１と外部導体３３とがパルス反
射検出回路４５に接続されている。また、センサ４２の
内部導体３１と外部導体３３の＠端は終端抵抗４１でマ
ツチングを取って終端されて２ いる。正常な状態でセンサ４２のケーブルは、たとえば
特性インピーダンスＺＯ＝５０Ωを有する。
射検出回路４５に接続されている。また、センサ４２の
内部導体３１と外部導体３３の＠端は終端抵抗４１でマ
ツチングを取って終端されて２ いる。正常な状態でセンサ４２のケーブルは、たとえば
特性インピーダンスＺＯ＝５０Ωを有する。
今、センサ４２の一部に漏洩４７が生じたとする。
漏洩によって流体が浸透した部分においては、インピー
ダンスＺが低下する。たとえば、水分が浸透するとセン
サ４２のインピーダンスは大きく低下し、通常４０Ω以
下に低下する。この時、パルス発射検出口Ｆ＃１４５か
ら電圧パルスを発射すると、漏洩位置４７におけるセン
サ４２のインピーダンスミスマツチングによってパルス
が反射して、発射点まで戻る。
ダンスＺが低下する。たとえば、水分が浸透するとセン
サ４２のインピーダンスは大きく低下し、通常４０Ω以
下に低下する。この時、パルス発射検出口Ｆ＃１４５か
ら電圧パルスを発射すると、漏洩位置４７におけるセン
サ４２のインピーダンスミスマツチングによってパルス
が反射して、発射点まで戻る。
第４図（Ｃ）は発射パルスと反射パルスの波形の例を示
す、矩形の発射パルス４８を発射した場合、漏洩によっ
て反射され、帰ってくるパルスは４８に示すようにその
波形が変化している。第４図（Ｄ＞において、発射後反
射してパルスが帰ってくるまでの時間をＴ１とすると、
この時間から漏洩の位置が検出できる。また、反射パル
ス波形から漏洩範囲を読み取ることができる。第４図（
Ｄ）はこの波形の１例である。パルス発射後、３ Ｔ１後に反射パルスがあり、その反射パルスの範囲がＴ
２に亘っている場合、センサの信号伝播遅延時間Ｔ Ｏ
（ｎ５ｅｃ／１１）は一定であることから、パルス発射
点から漏洩位置までの距離及び漏洩範囲を計算により求
めることができる。
す、矩形の発射パルス４８を発射した場合、漏洩によっ
て反射され、帰ってくるパルスは４８に示すようにその
波形が変化している。第４図（Ｄ＞において、発射後反
射してパルスが帰ってくるまでの時間をＴ１とすると、
この時間から漏洩の位置が検出できる。また、反射パル
ス波形から漏洩範囲を読み取ることができる。第４図（
Ｄ）はこの波形の１例である。パルス発射後、３ Ｔ１後に反射パルスがあり、その反射パルスの範囲がＴ
２に亘っている場合、センサの信号伝播遅延時間Ｔ Ｏ
（ｎ５ｅｃ／１１）は一定であることから、パルス発射
点から漏洩位置までの距離及び漏洩範囲を計算により求
めることができる。
以上説明した漏洩検出システムは、センサは全て無機材
料で構成され、耐放射線性が高い２まな、耐熱性も高い
ため、高温、高放射能の環境下でも安定な性質を保持す
る。また、漏洩が生じた時、漏洩した流体が液体であれ
ば、そのままの状態で測定ができる。温度１５０−２０
０℃の冷却水のように漏洩した流体が蒸気である場合に
も、外気により冷却されて１１ｍし、外部保護ｌ＃紐３
４、外部編組導体３３を浸透、通過して感知部誘電体３
２に浸透すると、その部分のセンサのインピーダンスか
定常状態と比較して低下し、インピータンス低下部分が
センサの他の部分とインピーダンスミスマツチングを起
こし、検出が可能になる。パルス発射検出回路からミス
マツチング部に向けてパルスが入射すると、パルスはミ
スマツチング部４ で反射され、反射されたパルスがパルス発射検出回路で
検出される。発射したパルスと反射により戻ってきたパ
ルスの時間差を用いて、演算回路により演算を行い、漏
洩位置、漏洩範囲を検出することかできる。
料で構成され、耐放射線性が高い２まな、耐熱性も高い
ため、高温、高放射能の環境下でも安定な性質を保持す
る。また、漏洩が生じた時、漏洩した流体が液体であれ
ば、そのままの状態で測定ができる。温度１５０−２０
０℃の冷却水のように漏洩した流体が蒸気である場合に
も、外気により冷却されて１１ｍし、外部保護ｌ＃紐３
４、外部編組導体３３を浸透、通過して感知部誘電体３
２に浸透すると、その部分のセンサのインピーダンスか
定常状態と比較して低下し、インピータンス低下部分が
センサの他の部分とインピーダンスミスマツチングを起
こし、検出が可能になる。パルス発射検出回路からミス
マツチング部に向けてパルスが入射すると、パルスはミ
スマツチング部４ で反射され、反射されたパルスがパルス発射検出回路で
検出される。発射したパルスと反射により戻ってきたパ
ルスの時間差を用いて、演算回路により演算を行い、漏
洩位置、漏洩範囲を検出することかできる。
以上説明した実施例において、感知部誘電体はガラス繊
維で構成したが、その他セラミック繊維等を用いること
もできる。耐放射線の高い無機材料で形成することか重
要である。
維で構成したが、その他セラミック繊維等を用いること
もできる。耐放射線の高い無機材料で形成することか重
要である。
以上、実方也例に沿って本発明を説明したか、本発明は
これら実施例に限定されるものではない。
これら実施例に限定されるものではない。
たとえば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なこ
とは当業者には自明であろう。
とは当業者には自明であろう。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、放射線環境下に
おいて、流体の漏洩を高精度に安定に検出することがで
きる。
おいて、流体の漏洩を高精度に安定に検出することがで
きる。
また、検出素子をケーブル状の形態とすることにより、
広い範囲に亘って同一の検出素子によっ５ て漏洩を検出することができる。
広い範囲に亘って同一の検出素子によっ５ て漏洩を検出することができる。
センサか耐熱性、耐放射線性を有する無機材料で製造さ
れているため、放射線環境下の高温状態でも経時変化す
ることなく長期間安定に漏洩を検出することかできる。
れているため、放射線環境下の高温状態でも経時変化す
ることなく長期間安定に漏洩を検出することかできる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の実施例による
耐放射線流体漏洩検出素子を示し、第１図（Ａ）は断面
図、第１図（Ｂ）は１部破断正面図、第１図（Ｃ）は等
価回路図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）はマーレーループ方式による検出
装置を示し、第２図（Ａ）は構成を示すブロック図、第
２図（Ｂ）は要部の等価回路図、第３図は本発明の他の
実施例による流体漏洩検出素子を示し、第３図（Ａ）は
断面図、第３図（Ｂ）は１部破断正面図、 第４図（Ａ）〜（Ｄ）はパルス反射法による漏洩検出シ
ステムを示し、第４図（Ａ）はシステム構成を示すブロ
ック図、第４図（Ｂ）は検出原理６ を説明する線図、第４図（Ｃ）は発射パルスと反射パル
スの波形を示す線図、第４図（Ｄ）は検出信号の検出波
形図である。 図において、 ０ １ ２ ３ ４ ５ 導体（高抵抗線） 導体（低抵抗線） 感知部誘電体（ガラス繊維） １次保護編組（ガラスｍ維） ２次保護編組 直流抵抗ブリッジ回路 内部導体 感知部誘電体（ガラス繊維） 外部編組導体 外部保護編組 パルス発射検出回路
耐放射線流体漏洩検出素子を示し、第１図（Ａ）は断面
図、第１図（Ｂ）は１部破断正面図、第１図（Ｃ）は等
価回路図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）はマーレーループ方式による検出
装置を示し、第２図（Ａ）は構成を示すブロック図、第
２図（Ｂ）は要部の等価回路図、第３図は本発明の他の
実施例による流体漏洩検出素子を示し、第３図（Ａ）は
断面図、第３図（Ｂ）は１部破断正面図、 第４図（Ａ）〜（Ｄ）はパルス反射法による漏洩検出シ
ステムを示し、第４図（Ａ）はシステム構成を示すブロ
ック図、第４図（Ｂ）は検出原理６ を説明する線図、第４図（Ｃ）は発射パルスと反射パル
スの波形を示す線図、第４図（Ｄ）は検出信号の検出波
形図である。 図において、 ０ １ ２ ３ ４ ５ 導体（高抵抗線） 導体（低抵抗線） 感知部誘電体（ガラス繊維） １次保護編組（ガラスｍ維） ２次保護編組 直流抵抗ブリッジ回路 内部導体 感知部誘電体（ガラス繊維） 外部編組導体 外部保護編組 パルス発射検出回路
Claims (2)
- （１）、近接配置された複数の導電体の組と、前記複数
の導電体間を絶縁すると共に流体が接触した時にその流
体を保持確保することのできる耐放射線性のある無機絶
縁部材と、電極を有することを特徴とする放射線環境下
での流体漏洩検出素子。 - （２）、放射線環境下で、流体を内包する機器・配管近
傍に請求項１記載の流体漏洩検出素子を配置し、 前記機器・配管から流体が漏洩して、前記流体漏洩検出
素子の無機絶縁部材中に保持確保された時、前記複数の
導電体間の電気的特性を測定することにより、前記流体
の漏洩を検出する放射線環境下での流体漏洩検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219038A JPH0382929A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 放射線環境下での流体漏洩検出素子と流体漏洩検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219038A JPH0382929A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 放射線環境下での流体漏洩検出素子と流体漏洩検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382929A true JPH0382929A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16729284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219038A Pending JPH0382929A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 放射線環境下での流体漏洩検出素子と流体漏洩検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334568A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | Ｃａｔｖ中継器及びその浸水検知方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517407A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-06 | Toshiba Corp | Detector for vapor leakage position |
| JPS57114833A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-16 | Toshiba Corp | Leakage detector |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219038A patent/JPH0382929A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517407A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-06 | Toshiba Corp | Detector for vapor leakage position |
| JPS57114833A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-16 | Toshiba Corp | Leakage detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334568A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | Ｃａｔｖ中継器及びその浸水検知方法 |
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