JPH0382984A - Ｘ線露出制御用集束多素子検出器 - Google Patents
Ｘ線露出制御用集束多素子検出器Info
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- JPH0382984A JPH0382984A JP2144604A JP14460490A JPH0382984A JP H0382984 A JPH0382984 A JP H0382984A JP 2144604 A JP2144604 A JP 2144604A JP 14460490 A JP14460490 A JP 14460490A JP H0382984 A JPH0382984 A JP H0382984A
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- ray
- ions
- electron emitting
- exposure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/02—Ionisation chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、Ｘ線装置の自動露出制御に使用されるＸ線検
出器に関し、更に詳しくはＸ線ビーム走査型放射線写真
装置に使用されるＸ線検出器に関する。
出器に関し、更に詳しくはＸ線ビーム走査型放射線写真
装置に使用されるＸ線検出器に関する。
Ｘ線フィルムまたは他のＸ線感知媒体の露出制御は、記
録したＸ線画像から最大の診断情報を得るために必要で
ある。媒体が露出不足であったり、または過度に露出さ
れた場合には、このような多くの媒体の露出範囲が制限
されることによって画像のコントラストで表される詳細
な画像部分が失われることになる。媒体の過露出の場合
には、Ｘ線に対して比較的透明な被撮像体構造のコント
ラストが低減する。露出不足の場合には、Ｘ線に対して
比較的不透明な被撮像体構造のコントラストが減少する
。
録したＸ線画像から最大の診断情報を得るために必要で
ある。媒体が露出不足であったり、または過度に露出さ
れた場合には、このような多くの媒体の露出範囲が制限
されることによって画像のコントラストで表される詳細
な画像部分が失われることになる。媒体の過露出の場合
には、Ｘ線に対して比較的透明な被撮像体構造のコント
ラストが低減する。露出不足の場合には、Ｘ線に対して
比較的不透明な被撮像体構造のコントラストが減少する
。
正確な露出は、異なる組織間のＸ線吸収の差が低く、か
つ組織の厚さ、従って該組織を透過するＸ線の量が画像
領域にわたってかなり変化する乳房撮影のような用途に
おけるように、柔らかい組織を撮像する場合には特に重
要である。
つ組織の厚さ、従って該組織を透過するＸ線の量が画像
領域にわたってかなり変化する乳房撮影のような用途に
おけるように、柔らかい組織を撮像する場合には特に重
要である。
正確な露出を得るためには、しばしば異なるＸ線露出値
でいくつかの画像を記録することが要求される。この方
法の欠点は、患者が余分なＸ線放射にさらされ、余分な
時間および費用を必要とすることである。代わりの方法
として、より多くの露出範囲を可能にするようにＸ線管
電圧Ｋ Ｖ Ｐを調整することによって画像のコントラ
ストを減らずことができる。しかしながら、この方法は
低いコントラストの物体を検出しようとする診断医の能
力を妨害することになる。
でいくつかの画像を記録することが要求される。この方
法の欠点は、患者が余分なＸ線放射にさらされ、余分な
時間および費用を必要とすることである。代わりの方法
として、より多くの露出範囲を可能にするようにＸ線管
電圧Ｋ Ｖ Ｐを調整することによって画像のコントラ
ストを減らずことができる。しかしながら、この方法は
低いコントラストの物体を検出しようとする診断医の能
力を妨害することになる。
従来の「エリアビーム（ａｒｅａ ｂｅａｍ ） Ｊ
Ｘ線装置において、露出は露出時間を変更することによ
って制御される。全画像領域に対する露出は均一であり
、従って、小領域イオン化型Ｘ線検出器または半導体Ｘ
線検出器を使用して自動露出制御を行うことができる。
Ｘ線装置において、露出は露出時間を変更することによ
って制御される。全画像領域に対する露出は均一であり
、従って、小領域イオン化型Ｘ線検出器または半導体Ｘ
線検出器を使用して自動露出制御を行うことができる。
このような検出器は画像領域内の中心に設けられ、検出
器の領域内のＸ線露出を読み取り、全エリアビームの露
出を制御する。
器の領域内のＸ線露出を読み取り、全エリアビームの露
出を制御する。
更に最近においては、狭いＸ線ビームで撮像対象物の領
域を掃引する「ファンビーム」および「フライングスポ
ット」のような走査型Ｘ線システムが画像の異なる部分
の露出または異なる区域内の露出を変更できるようにし
ている。このようなシステムにおいて自動露出制御を行
うには全画像領域にわたる個々の区域の露出読取り値を
発生し得るＸ線検出システムが必要である。
域を掃引する「ファンビーム」および「フライングスポ
ット」のような走査型Ｘ線システムが画像の異なる部分
の露出または異なる区域内の露出を変更できるようにし
ている。このようなシステムにおいて自動露出制御を行
うには全画像領域にわたる個々の区域の露出読取り値を
発生し得るＸ線検出システムが必要である。
発明の要約
本発明のイオン化検出器においては、Ｘ線ビームは電子
放出器に当たる。この電子放出器はＸ線ビームおよび隔
壁部によって画定される区域内に高エネルギ電子を発生
する。隔壁部はビームに平行にかつ電子放出器の後に延
在している。電子は区域内のガスをイオン化する。チャ
ンネル内の収集電極が電子放出器に対して電圧バイアス
されていて、イオンを収集する。収集された電荷は増幅
器により増幅されて、Ｘ線露出に関連する信号を発生す
る。
放出器に当たる。この電子放出器はＸ線ビームおよび隔
壁部によって画定される区域内に高エネルギ電子を発生
する。隔壁部はビームに平行にかつ電子放出器の後に延
在している。電子は区域内のガスをイオン化する。チャ
ンネル内の収集電極が電子放出器に対して電圧バイアス
されていて、イオンを収集する。収集された電荷は増幅
器により増幅されて、Ｘ線露出に関連する信号を発生す
る。
本発明の目的は、画像領域の面にわたる多数の区域の個
々のＸ線露出読取り値を発生ずる走査型ファンビームＸ
線システムに適したＸ線露出検出器をｉｌＪ！供するこ
とにある。ファンビーム露出領域と検出器チャンネルと
の交差部分は独立に測定し得る露出区域の列を画定して
いる。ファンビームが露出検出器を横切って掃引される
とき、別の区域で受けた露出が測定できる。
々のＸ線露出読取り値を発生ずる走査型ファンビームＸ
線システムに適したＸ線露出検出器をｉｌＪ！供するこ
とにある。ファンビーム露出領域と検出器チャンネルと
の交差部分は独立に測定し得る露出区域の列を画定して
いる。ファンビームが露出検出器を横切って掃引される
とき、別の区域で受けた露出が測定できる。
本発明の他の目的は、感度の増大した露出検出器を提供
することにある。電子放出器、隔壁部および収集電極は
すべて高い原子番号の材料（高い２材料）で構成され、
高エネルギ電子の数を増大し、従って所与のＸ線ビーム
によって生じるイオン化を増大する。電子放出器および
隔壁部には収集電極に対して電圧バイアスが与えられ、
隔壁部によって画定される区域内に静電レンズを形成し
て、Ｘ線により発生されたイオンを収集電極に差し向け
、検出器の感度を更に増大している。
することにある。電子放出器、隔壁部および収集電極は
すべて高い原子番号の材料（高い２材料）で構成され、
高エネルギ電子の数を増大し、従って所与のＸ線ビーム
によって生じるイオン化を増大する。電子放出器および
隔壁部には収集電極に対して電圧バイアスが与えられ、
隔壁部によって画定される区域内に静電レンズを形成し
て、Ｘ線により発生されたイオンを収集電極に差し向け
、検出器の感度を更に増大している。
本発明の別の目的は、区域の感度を容易に整合すること
ができる各区域露出検出器を提供することにある。各区
域の感度は主に電子放出器、隔壁部および集電極の大き
さおよび物理的配置の関数である。これらの各要素の大
きさおよび配置は製造時に正確に制御される。隔壁部は
Ｘ線ビームの方向と一致するように検出器の縁部近くに
おいて傾斜させられ、これにより隔壁部がイオン化区域
を遮ることを防止している。
ができる各区域露出検出器を提供することにある。各区
域の感度は主に電子放出器、隔壁部および集電極の大き
さおよび物理的配置の関数である。これらの各要素の大
きさおよび配置は製造時に正確に制御される。隔壁部は
Ｘ線ビームの方向と一致するように検出器の縁部近くに
おいて傾斜させられ、これにより隔壁部がイオン化区域
を遮ることを防止している。
本発明の他の目的は、自動露出制御を有するＸ線システ
ムにおいてＫＶＰの関数として所望のフィルム密度を生
じるように露出信号とＸ線管電圧（ＫＶＰ）との間の関
係を変更することができるＸ線検出器を提供することに
ある。電子放出器は高い２材の薄い層を低い２材の基板
上に堆積することによって形成される。この高い２材の
層の厚さおよび組成を調整することによってＸ線ＫＶＰ
と検出器電流との関係が著しく影響されることを発見し
た。従って、高い２材の層の厚さおよび組成を変えるこ
とによって、自動露出制御を有するＸ線システムにおけ
るフィルム密度とＫＶＰとの関係を調整することができ
る。
ムにおいてＫＶＰの関数として所望のフィルム密度を生
じるように露出信号とＸ線管電圧（ＫＶＰ）との間の関
係を変更することができるＸ線検出器を提供することに
ある。電子放出器は高い２材の薄い層を低い２材の基板
上に堆積することによって形成される。この高い２材の
層の厚さおよび組成を調整することによってＸ線ＫＶＰ
と検出器電流との関係が著しく影響されることを発見し
た。従って、高い２材の層の厚さおよび組成を変えるこ
とによって、自動露出制御を有するＸ線システムにおけ
るフィルム密度とＫＶＰとの関係を調整することができ
る。
本発明の」二連した目的および他の目的ならびに利点は
以下の説明から明らかになるであろう。以下の説明にお
いては、添付図面を参照して、本発明の好適実施例を示
す。しかしながら、この様な実施例は本発明の全範囲を
必ずしも示しているものではないので、本発明の範囲を
解釈するためには特許請求の範囲を参照されたい。
以下の説明から明らかになるであろう。以下の説明にお
いては、添付図面を参照して、本発明の好適実施例を示
す。しかしながら、この様な実施例は本発明の全範囲を
必ずしも示しているものではないので、本発明の範囲を
解釈するためには特許請求の範囲を参照されたい。
好適実施例の説明
ここで説明するシステムは乳房撮影および柔らかい組織
を撮像する他の用途に使用されるようになっているが、
本発明は乳房撮影システムに使用するのに限定されるも
のではない。
を撮像する他の用途に使用されるようになっているが、
本発明は乳房撮影システムに使用するのに限定されるも
のではない。
第１図において、本発明を導入した放射線写真システム
はＸ線管１０を有し、このＸ線管１０はＸ線ビーム１３
を柔らかい組織の被撮影体２８を介してＸ線感知媒体３
２に向けて投射するようになっている。
はＸ線管１０を有し、このＸ線管１０はＸ線ビーム１３
を柔らかい組織の被撮影体２８を介してＸ線感知媒体３
２に向けて投射するようになっている。
Ｘ線ビームは主軸２４の周りに均等に分散している。Ｘ
線管１０は以下に説明するように縦方向に主軸２４を掃
引するようにＸ線管のピボット１２上で傾けることがで
きる。
線管１０は以下に説明するように縦方向に主軸２４を掃
引するようにＸ線管のピボット１２上で傾けることがで
きる。
Ｘ線ビーム１３を横切ってスライドするように取り付け
ているフィルタラック１４は本技術分野で知られている
ようにＸ線ビームを減衰させるフィルタ１６を有してい
る。
ているフィルタラック１４は本技術分野で知られている
ようにＸ線ビームを減衰させるフィルタ１６を有してい
る。
フィルタを通ったＸ線ビームは、Ｘ線をファンビーム２
２に形成するビーム長シャッタ１８およびビーム掃引シ
ャッタ２０を通過する。ビーム長シャッタ１８はＸ線フ
ァンビームの横方向の寸法すなわち長さを制御するよう
に横方向３５に独立に調節できるようになっている。ビ
ーム長シャッタ１８の端部はＸ線ビーム１３内に延在し
ているが、テーバが付けられていて、その横方向に対向
する縁部においてＸ線ビームを徐々に減衰するようにな
っている。ビーム掃引シャッタ２ｏは横方向のスリット
を画定し、Ｘ線ビームの縦方向の寸法すなわち厚さを制
御する。ビーム掃引シャッタ２０は、Ｘ線管１０が傾い
たときにＸ線ビームの主軸２４および以下に説明するグ
リッド２６に追従するように縦方向に一緒に移動する。
２に形成するビーム長シャッタ１８およびビーム掃引シ
ャッタ２０を通過する。ビーム長シャッタ１８はＸ線フ
ァンビームの横方向の寸法すなわち長さを制御するよう
に横方向３５に独立に調節できるようになっている。ビ
ーム長シャッタ１８の端部はＸ線ビーム１３内に延在し
ているが、テーバが付けられていて、その横方向に対向
する縁部においてＸ線ビームを徐々に減衰するようにな
っている。ビーム掃引シャッタ２ｏは横方向のスリット
を画定し、Ｘ線ビームの縦方向の寸法すなわち厚さを制
御する。ビーム掃引シャッタ２０は、Ｘ線管１０が傾い
たときにＸ線ビームの主軸２４および以下に説明するグ
リッド２６に追従するように縦方向に一緒に移動する。
このＸ線管１０の傾きとビーム掃引シャッタ２０の動作
によりファンビーム２２が縦方向に掃引される。
によりファンビーム２２が縦方向に掃引される。
ファンビーム２２は柔らかい組織の被撮影体２８のスラ
イス部３０を通って投射され、スライス部３０の像をＸ
線感知媒体３２上に投影するようにグリッド２６によっ
て焦点を合わせられる。減衰したファンビーム２２はＸ
線感知媒体３２を通過し、以下に説明する露出検出器３
４によって検出される。
イス部３０を通って投射され、スライス部３０の像をＸ
線感知媒体３２上に投影するようにグリッド２６によっ
て焦点を合わせられる。減衰したファンビーム２２はＸ
線感知媒体３２を通過し、以下に説明する露出検出器３
４によって検出される。
ファンビーム２２が柔らかい組織の被撮影体２８および
Ｘ線感知媒体３２の表面３６にわたって縦方向に進むに
従って、被撮像体２ｇの連続した映像が形成される。グ
リッド２５は掃引されるファンビーム２２に追従するよ
うにＸ線感知媒体３２の画像領域にわたって縦方向に移
動し、同時にＸ線感知媒体３２上にグリッド線が形成さ
れるのを低減するように縦方向に往復移動する。このよ
うなグリッドの動作は１９８９年６月５日に出願された
「Ｘ線グリッド画像を低減する方法および装置（Ｍｅｔ
ｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｒｅｄ
ｕｃｉｎｇ Ｘ−Ｒａｙ Ｇｒｉｄ Ｉｍａｇｅｓ ）
Ｊという名称の米国特許出願節３６１．９８９号に説
明されている。
Ｘ線感知媒体３２の表面３６にわたって縦方向に進むに
従って、被撮像体２ｇの連続した映像が形成される。グ
リッド２５は掃引されるファンビーム２２に追従するよ
うにＸ線感知媒体３２の画像領域にわたって縦方向に移
動し、同時にＸ線感知媒体３２上にグリッド線が形成さ
れるのを低減するように縦方向に往復移動する。このよ
うなグリッドの動作は１９８９年６月５日に出願された
「Ｘ線グリッド画像を低減する方法および装置（Ｍｅｔ
ｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｒｅｄ
ｕｃｉｎｇ Ｘ−Ｒａｙ Ｇｒｉｄ Ｉｍａｇｅｓ ）
Ｊという名称の米国特許出願節３６１．９８９号に説
明されている。
第２図を参照すると、露出検出器３４は画像領域にわた
って平行に配列された一連の縦方向の検出チャンネル４
０を有する。各検出チャンネル４０は増幅器４４に接続
され、この増幅器４４は検出チャンネル４０の全長に沿
って受けた全露出量を示す信号をリード線４６に出力す
る。ファンビーム２４の掃引動作における任意の時点に
おいては、ファンビームの露出面積３８は検出チャンネ
ル４０を直角に横切って、各検出チャンネル４０の一部
のみを露出するようになっている。従って、各時点にお
いて、検出チャンネル４０は該検出チャンネル４０とフ
ァンビーム露出面積３８との交差によって形成される区
域４２の瞬時露出値を発生する。本発明による露出検出
器３４はファンビーム装置に使用されて、単に検出チャ
ンネルの長さに沿った露出の測定よりもむしろ、画像領
域内の多数の区域の露出測定値を得ることができる。
って平行に配列された一連の縦方向の検出チャンネル４
０を有する。各検出チャンネル４０は増幅器４４に接続
され、この増幅器４４は検出チャンネル４０の全長に沿
って受けた全露出量を示す信号をリード線４６に出力す
る。ファンビーム２４の掃引動作における任意の時点に
おいては、ファンビームの露出面積３８は検出チャンネ
ル４０を直角に横切って、各検出チャンネル４０の一部
のみを露出するようになっている。従って、各時点にお
いて、検出チャンネル４０は該検出チャンネル４０とフ
ァンビーム露出面積３８との交差によって形成される区
域４２の瞬時露出値を発生する。本発明による露出検出
器３４はファンビーム装置に使用されて、単に検出チャ
ンネルの長さに沿った露出の測定よりもむしろ、画像領
域内の多数の区域の露出測定値を得ることができる。
各区域４２の露出測定を行うことができることにより、
各区域４２の露出を変えることができる。
各区域４２の露出を変えることができる。
特に、ビーム長シャッタ１８はビームが画像領域を掃引
するときに縁部区域４２のファンビームを減衰するよう
に制御することができる。この特徴は柔らかい組織の被
撮影体２８を自動的にマスクし、被撮影体２８の薄い縁
部近くの露出を補正するのに使用することができる。更
に、Ｘ線管１０の電圧は露出測定値の関数として制御す
ることができるので、ファンビームの走査方向（縦方向
）３６に沿った柔らかい組織の被撮影体２８の厚さの変
化から生じる露出の変化を補正することができる。
するときに縁部区域４２のファンビームを減衰するよう
に制御することができる。この特徴は柔らかい組織の被
撮影体２８を自動的にマスクし、被撮影体２８の薄い縁
部近くの露出を補正するのに使用することができる。更
に、Ｘ線管１０の電圧は露出測定値の関数として制御す
ることができるので、ファンビームの走査方向（縦方向
）３６に沿った柔らかい組織の被撮影体２８の厚さの変
化から生じる露出の変化を補正することができる。
第３図および第４図を参照すると、露出検出器３４の上
面はＸ線感知媒体３２を透過したファンビーム２２から
のＸ線を受ける電子放出器５８によって覆われている。
面はＸ線感知媒体３２を透過したファンビーム２２から
のＸ線を受ける電子放出器５８によって覆われている。
電子放出器５８は低い２のプラスティック支持層６２を
有し、この支持層６２の下面には、以下に説明するよう
に所望の補償に応じて約０．１および１０＋ｎｇ／ｃｄ
の間で厚さを変え得る高い２の鉛層６４がコーティング
されている。本技術分野に専門知識を有する者にとって
５ は、鉛以外の飼料をこの用途の鉛コーティング６４の代
わりに使用することができることは明らかであろう。こ
の飼料は高い２を有していなければならず、また薄い層
にすることができるものでなければならない。例えば、
銅または鉄を使用することができる。
有し、この支持層６２の下面には、以下に説明するよう
に所望の補償に応じて約０．１および１０＋ｎｇ／ｃｄ
の間で厚さを変え得る高い２の鉛層６４がコーティング
されている。本技術分野に専門知識を有する者にとって
５ は、鉛以外の飼料をこの用途の鉛コーティング６４の代
わりに使用することができることは明らかであろう。こ
の飼料は高い２を有していなければならず、また薄い層
にすることができるものでなければならない。例えば、
銅または鉄を使用することができる。
ファンビーム２２からのＸ線は鉛コーティング６４に当
たる。この鉛コーティング６４は電子放出器５８の下側
のガス充填空間に高エネルギ電子を放出する。この高エ
ネルギ電子はガス分子に当たってイオン６６を作る。電
子放出器５８は各検出チャンネル５０の境界を画定して
いる隔壁部４８によって支持されている。この隔壁部４
８はグラスファイバにエポキシ樹脂を含浸したもので構
成され、検出チャンネル４０相互間にイオン６６が移動
するのを防止するように作用する。隔壁部４８の側面上
には錫メツキされた銅の集束電極５４が設けられ、この
ため各検出チャンネル４０には該チャンネル４０の長さ
にわたって２つの集束電極５４が平行に伸びている。
たる。この鉛コーティング６４は電子放出器５８の下側
のガス充填空間に高エネルギ電子を放出する。この高エ
ネルギ電子はガス分子に当たってイオン６６を作る。電
子放出器５８は各検出チャンネル５０の境界を画定して
いる隔壁部４８によって支持されている。この隔壁部４
８はグラスファイバにエポキシ樹脂を含浸したもので構
成され、検出チャンネル４０相互間にイオン６６が移動
するのを防止するように作用する。隔壁部４８の側面上
には錫メツキされた銅の集束電極５４が設けられ、この
ため各検出チャンネル４０には該チャンネル４０の長さ
にわたって２つの集束電極５４が平行に伸びている。
隔壁部４８は錫メツキされた銅の防護バッド５０に取り
付けられ、このバッド５０はまた電子放出器５８の下側
に平行に位置付けられている検出器基部６０に取り付け
られている。錫メツキされた銅の収集電極５２が防護パ
ッド５０の間に設けられている。
付けられ、このバッド５０はまた電子放出器５８の下側
に平行に位置付けられている検出器基部６０に取り付け
られている。錫メツキされた銅の収集電極５２が防護パ
ッド５０の間に設けられている。
第４図を参照すると、電子放出器５８および集束電極５
４は電源７０によって収集電極５２（アス電位として定
められている）に対して３００ボルトの負電圧にバイア
スされている。？１Ｘｉｌｆｆ７０の負端子は高電圧給
電ワイヤ５６を介して集束電極５４および電子放出器５
８に接続されている。
４は電源７０によって収集電極５２（アス電位として定
められている）に対して３００ボルトの負電圧にバイア
スされている。？１Ｘｉｌｆｆ７０の負端子は高電圧給
電ワイヤ５６を介して集束電極５４および電子放出器５
８に接続されている。
電源７０の正端子は接続トレース部７４（第３図に示す
）を介して防護パッド５０に接続されている。収集電極
５２は増幅器４４を介してアースの基Ｑ％位に接続され
ている。これらの電位の作用は電昇６８により形成され
る静電レンズを形成することである。このｔ／ｐ ？レ
ンズは負のイオン６６を経路７２を通って検出チャンネ
ル４０の容積のほとんど全体から収集電極５２に向ける
ものであっで、アース防護バッド５０よりもむしろ収集
電極５２にイオン６６を差向けることにより検出効率を
高め、このようなチャンネル相互間をドリフトするイオ
ン６６により生じるようなチャンネル間のクロストーク
を低減する。電圧源７０の極性の選択は任意であり、そ
の極性は、反対の極性のイオンが収集電極５２によって
集められるように切換え得ることに注意されたい。その
場合、増幅器４４から発生する信号は反対の極性になる
。
）を介して防護パッド５０に接続されている。収集電極
５２は増幅器４４を介してアースの基Ｑ％位に接続され
ている。これらの電位の作用は電昇６８により形成され
る静電レンズを形成することである。このｔ／ｐ ？レ
ンズは負のイオン６６を経路７２を通って検出チャンネ
ル４０の容積のほとんど全体から収集電極５２に向ける
ものであっで、アース防護バッド５０よりもむしろ収集
電極５２にイオン６６を差向けることにより検出効率を
高め、このようなチャンネル相互間をドリフトするイオ
ン６６により生じるようなチャンネル間のクロストーク
を低減する。電圧源７０の極性の選択は任意であり、そ
の極性は、反対の極性のイオンが収集電極５２によって
集められるように切換え得ることに注意されたい。その
場合、増幅器４４から発生する信号は反対の極性になる
。
電子放出器５８、集束電極５４および収集電極５２に当
たるファンビーム２２から発生する高エネルギ電子はイ
オン６６を発生し、このイオン６６は収集電極５２によ
って集められて増幅器４４の入力に供給される。増幅器
４４はこの電荷を積分して増幅し、検出器チャンネル４
４の全露出量を示す信号を発生する。
たるファンビーム２２から発生する高エネルギ電子はイ
オン６６を発生し、このイオン６６は収集電極５２によ
って集められて増幅器４４の入力に供給される。増幅器
４４はこの電荷を積分して増幅し、検出器チャンネル４
４の全露出量を示す信号を発生する。
Ｘ線ＫＶＰの変更時の露出検出器とＸ線感知媒体との間
の感度の変化は、一般にＫＶＰの関数として検出信号の
補償を必要とする。Ｘ線感知媒体３２の後に位置付けら
れている露出検出器３４はＫ Ｖ Ｐが増大するに従っ
てＸ線感知媒体３２に比較してＸ線に対して更に高感度
になる。電子放出器５８上の鉛コーティング６４の厚さ
を薄くすることによってこの作用を最小にし、用途によ
っては補償を行うことなく、露出検出器の信号によって
直接露出１，１ｊ御を行うことができる。この作用は、
他の用途に要求される場合には、電子放出器５８」二の
高い２の層の厚さを増大することによって逆にすること
ができる。代わりとして、鉛コーティングの代わりに鉛
以外の高いまたは低い２を有する林料を使用して、鉛の
厚いまたは薄い層を使用した場合と同じ効果を発生する
ことができる。
の感度の変化は、一般にＫＶＰの関数として検出信号の
補償を必要とする。Ｘ線感知媒体３２の後に位置付けら
れている露出検出器３４はＫ Ｖ Ｐが増大するに従っ
てＸ線感知媒体３２に比較してＸ線に対して更に高感度
になる。電子放出器５８上の鉛コーティング６４の厚さ
を薄くすることによってこの作用を最小にし、用途によ
っては補償を行うことなく、露出検出器の信号によって
直接露出１，１ｊ御を行うことができる。この作用は、
他の用途に要求される場合には、電子放出器５８」二の
高い２の層の厚さを増大することによって逆にすること
ができる。代わりとして、鉛コーティングの代わりに鉛
以外の高いまたは低い２を有する林料を使用して、鉛の
厚いまたは薄い層を使用した場合と同じ効果を発生する
ことができる。
防護バッド５０は、露出測定を妨げるような集束電極お
よび電子放出器から隔壁部４８の下方に流れるＭ洩電流
を集めるように機能する。
よび電子放出器から隔壁部４８の下方に流れるＭ洩電流
を集めるように機能する。
第５図を参照すると、隔壁部４８はファンビム２２の傾
斜した光線の方向とよく一致するように露出領域３８の
各端部においてわずかに傾斜している。この方向付けは
、イオン化区域に対して集束電極５４が影つけるような
妨害物となる影響９ を低減し、これにより検出チャンネル４０間の均一性を
増大し、縁部の検出チャンネル４０の感度を増大してい
る。
斜した光線の方向とよく一致するように露出領域３８の
各端部においてわずかに傾斜している。この方向付けは
、イオン化区域に対して集束電極５４が影つけるような
妨害物となる影響９ を低減し、これにより検出チャンネル４０間の均一性を
増大し、縁部の検出チャンネル４０の感度を増大してい
る。
本発明の好適実施例について説明したが、本技術分野に
専門知識を有する者にとっては本発明の精神から逸脱す
ることなく多くの変更を行うことができることは明らか
であろう。例えば、チャンネルの間隔および方向付けは
他のＸ線走査システムに合わせて調節し得る。
専門知識を有する者にとっては本発明の精神から逸脱す
ることなく多くの変更を行うことができることは明らか
であろう。例えば、チャンネルの間隔および方向付けは
他のＸ線走査システムに合わせて調節し得る。
第１図は露出検出器の相対的位置を示すファンビームＸ
線放射線写真装置の簡単化された分解斜視図である。 第２図は露出検出チャンネルに対するファンビムの方向
付けおよびその結果形成される帯状の検出区域を示す第
１図の露出検出器の構成を示す斜視図である。 第３図はエンドプレートが取り除かれ、電子放出器の一
部が破断されている第１図の露出検出器の一部分の斜視
図である。 ０ 第４図は露出検出素子に対する電気的接続および露出検
出器内の電界線を示す第１図のライン４−４に沿った露
出検出器の断面図である。 第５図は第１図の露出検出器の隔壁部の横方向位置にお
ける方向付けを示す第１図のライン４４に沿った簡略化
された断面図である。 １０・・・ＸＩＩＡＷ、１３・・・Ｘ線ビーム、１８・
・・ビーム長シャッタ、２０・・ビーム掃引ンヤッタ、
２２・・・ファンビーム、２８・・・柔らかい組織の被
撮影体、３２・・・Ｘ線感知媒体、３４・・・露出検出
器、４０・・・検出チャンネル、４８・・・隔壁部、５
２・・・収集電極、５４・・・集束電極、５８・・・電
子放出器。
線放射線写真装置の簡単化された分解斜視図である。 第２図は露出検出チャンネルに対するファンビムの方向
付けおよびその結果形成される帯状の検出区域を示す第
１図の露出検出器の構成を示す斜視図である。 第３図はエンドプレートが取り除かれ、電子放出器の一
部が破断されている第１図の露出検出器の一部分の斜視
図である。 ０ 第４図は露出検出素子に対する電気的接続および露出検
出器内の電界線を示す第１図のライン４−４に沿った露
出検出器の断面図である。 第５図は第１図の露出検出器の隔壁部の横方向位置にお
ける方向付けを示す第１図のライン４４に沿った簡略化
された断面図である。 １０・・・ＸＩＩＡＷ、１３・・・Ｘ線ビーム、１８・
・・ビーム長シャッタ、２０・・ビーム掃引ンヤッタ、
２２・・・ファンビーム、２８・・・柔らかい組織の被
撮影体、３２・・・Ｘ線感知媒体、３４・・・露出検出
器、４０・・・検出チャンネル、４８・・・隔壁部、５
２・・・収集電極、５４・・・集束電極、５８・・・電
子放出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線放射による励起に応答して電子を発生する一次
電子放出手段と、 前記電子に応答してイオンを発生するイオン化手段と、 前記一次電子放出手段から離れるよう延在し、かつ前記
一次電子放出手段の後に位置付けられて、イオンを区域
内に隔離する隔壁部と、 前記区域内に設けられた収集電極と、 前記収集電極に対する第１の電圧を前記一次電子放出手
段に供給して、イオンを前記収集電極に引き寄せて収集
させるバイアス手段と、 前記収集電極によって収集された電荷に応じた信号を発
生する増幅手段と、 を有する走査型Ｘ線装置用Ｘ線検出器。 ２、Ｘ線ファンビームがビーム面に主軸を中心に形成さ
れ、前記ビーム面に直角な掃引方向に移動するようにし
たファンビームＸ線装置用のＸ線検出器であって、 Ｘ線放射による励起に応答して電子を発生する一次電子
放出手段と、 前記電子に応答してイオンを発生するイオン化手段と、 ビーム掃引方向に平行に伸び、かつ一次電子放出手段の
後に位置付けられて、イオンを第１および第２の区域内
に隔離する隔壁部と、 前記各区域内に設けられている収集電極と、前記収集電
極に対する第１の電圧を前記一次電子放出手段に供給し
て、イオンを前記収集電極に引き寄せて収集させるバイ
アス手段と、 前記収集電極によって収集された電荷に応じた信号を発
生する増幅手段と、 を有するＸ線検出器。 ３、イオンを前記収集電極に集束させる静電レンズ手段
を有する請求項２記載のＸ線検出器。 ４、前記バイアス手段は第２の電圧を前記隔壁部に供給
して、静電レンズを形成する請求項２記載のＸ線検出装
置。 ５、前記隔壁部はファンビームのＸ線に平行な方向に前
記一次電子放出手段から離れるよう延在している請求項
２記載のＸ線検出装置。 ６、前記隔壁部はＸ線放射による励起に応答して電子を
発生する二次電子放出手段を有している請求項２記載の
Ｘ線検出装置。 ７、前記収集電極はＸ線放射による励起に応答して電子
を発生する二次ターゲット手段を有している請求項２記
載のＸ線検出装置。 ８、Ｘ線ファンビームがビーム面に主軸を中心に形成さ
れ、Ｘ線ファンビームが画像領域を掃引するように前記
ビーム面に直角な掃引方向に移動するようにした走査型
Ｘ線装置用のＸ線検出器であって、画像領域にわたって
平行な列に配列された複数の検出チャンネルを有し、各
列はＸ線ビームの掃引方向と整列しており、前記各チャ
ンネルが、 Ｘ線放射による励起に応答して電子を発生する一次電子
放出手段と、 電子に応答してイオンを発生するイオン化手段と、 前記一次電子放出手段から離れるように延在し、かつ前
記一次電子放出手段の後に位置付けられて、イオンを区
域内に隔離する隔壁部と、 前記区域内に設けられた収集電極と、 前記収集電極に対する第１の電圧を前記一次電子放出手
段に供給して、イオンを前記収集電極に引き寄せて収集
させるバイアス手段と、 前記収集電極によって収集された電荷に応じた信号を発
生する増幅手段と有していること、を特徴とするＸ線検
出器。 ９、Ｘ線感知媒体に対して測定したＸ線ＫＶＰの変化に
対するＸ線検出器の感度の変化を補償する方法において
、前記Ｘ線検出器が主軸に沿ったＸ線放射による励起に
応答して電子を発生する電子放出手段と、前記電子に応
答してイオンを発生するイオン化手段と、区域内に設け
られている収集電極と、前記収集電極に対する第１の電
圧を一次電子放出手段に供給して、イオンを前記収集電
極に引き寄せて収集させるバイアス手段と、前記収集電
極で収集した電荷に応じた信号を発生する増幅手段とを
有している場合に、 前記主軸に沿って前記電子放出手段の厚さを増大して、
ＫＶＰの増大に対する前記Ｘ線検出器の感度を増大する
ステップを有する方法。 １０、Ｘ線感知媒体に対して測定したＸ線ＫＶＰにおけ
る変化に対するＸ線検出器の感度の変化を補償する方法
において、前記Ｘ線検出器が主軸に沿ったＸ線放射によ
る励起に応答して電子を発生する電子放出手段と、電子
に応答してイオンを発生するイオン化手段と、区域内に
設けられた収集電極と、前記収集電極に対する第１の電
圧を前記電子放出手段に供給して、イオンを前記収集電
極に引き寄せて収集させるバイアス手段と、前記収集電
極によって収集された電荷に応じた信号を発生する増幅
手段とを有している場合に、 前記主軸に沿って前記電子放出手段の原子番号を増大し
て、ＫＶＰの増大に対する前記Ｘ線検出器の感度を増大
するステップを有する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/361,988 US4970398A (en) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | Focused multielement detector for x-ray exposure control |
| US361,988 | 1989-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382984A true JPH0382984A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=23424236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144604A Pending JPH0382984A (ja) | 1989-06-05 | 1990-06-04 | Ｘ線露出制御用集束多素子検出器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4970398A (ja) |
| EP (1) | EP0403135A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0382984A (ja) |
| CA (1) | CA2008845A1 (ja) |
| IL (1) | IL94414A0 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308988A (en) * | 1992-05-18 | 1994-05-03 | Radiation Measurements, Inc. | Analyzer for radiotherapy radiation beam |
| US5357554A (en) * | 1993-09-30 | 1994-10-18 | General Electric Company | Apparatus and method for reducing X-ray grid line artifacts |
| US6448544B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-09-10 | Brandeis University | Low noise, high resolution image detection system and method |
| US6181773B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-01-30 | Direct Radiography Corp. | Single-stroke radiation anti-scatter device for x-ray exposure window |
| US6744848B2 (en) | 2000-02-11 | 2004-06-01 | Brandeis University | Method and system for low-dose three-dimensional imaging of a scene |
| SE523589C2 (sv) * | 2002-02-15 | 2004-05-04 | Xcounter Ab | Apparat och metod för detektering av strålning med användning av skanning |
| US6885007B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-04-26 | Cardinal Health 419, L.L.C. | Radiation detection apparatus |
| US7817773B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-10-19 | Dexela Limited | Variable speed three-dimensional imaging system |
| JP2008237631A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮像装置 |
| JP2010012030A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
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| WO2012048296A1 (en) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Turtle Bay Partners, Llc | Three-dimensional focused anti-scatter grid and method for manufacturing thereof |
| US10589066B2 (en) | 2012-12-31 | 2020-03-17 | Clearstream Technologies Limited | Counting apparatus for use in interventional procedures |
| WO2014145966A2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Turtle Bay Partners, Llc | Practical method for fabricating foam interspaced anti-scatter grid and improved grids |
| WO2015019232A2 (en) | 2013-08-08 | 2015-02-12 | Controlrad Systems Inc. | X-ray reduction system |
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| US4764679A (en) * | 1986-08-12 | 1988-08-16 | General Electric Company | Kinestatic charge detector |
-
1989
- 1989-06-05 US US07/361,988 patent/US4970398A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-30 CA CA002008845A patent/CA2008845A1/en not_active Abandoned
- 1990-05-16 IL IL94414A patent/IL94414A0/xx unknown
- 1990-06-04 EP EP19900306068 patent/EP0403135A3/en not_active Withdrawn
- 1990-06-04 JP JP2144604A patent/JPH0382984A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59675A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-05 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線ｃｔ用の電離箱形検出器 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0403135A2 (en) | 1990-12-19 |
| IL94414A0 (en) | 1991-03-10 |
| CA2008845A1 (en) | 1990-12-05 |
| US4970398A (en) | 1990-11-13 |
| EP0403135A3 (en) | 1991-02-27 |
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