JPH038326A - 固体表面洗浄装置 - Google Patents
固体表面洗浄装置Info
- Publication number
- JPH038326A JPH038326A JP14206789A JP14206789A JPH038326A JP H038326 A JPH038326 A JP H038326A JP 14206789 A JP14206789 A JP 14206789A JP 14206789 A JP14206789 A JP 14206789A JP H038326 A JPH038326 A JP H038326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- cleaned
- solid surface
- fine ice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ブラスト、クリーニング等の表面処理用の
砥粒、研磨材等として用いられる極微細な氷粒子を生成
し、半導体ウェハ等の固体の表面に噴射して洗浄するた
めの固体表面洗浄装置に関するものである。
砥粒、研磨材等として用いられる極微細な氷粒子を生成
し、半導体ウェハ等の固体の表面に噴射して洗浄するた
めの固体表面洗浄装置に関するものである。
［従来の技術］
第４図は従来のこの種の固体表面洗浄装置を示し、微細
凍結粒子を生成するための製氷部（１）に冷却用の液体
窒素（２）が送給される。（３）は純水を噴射するスプ
レーノズルである。生成された微細凍結粒子（４）はノ
ズル（５）により半導体ウェハのような被洗浄物（６）
の表面に向けて噴射される。（７）はオートバルブ、（
８）はブロワ−である。
凍結粒子を生成するための製氷部（１）に冷却用の液体
窒素（２）が送給される。（３）は純水を噴射するスプ
レーノズルである。生成された微細凍結粒子（４）はノ
ズル（５）により半導体ウェハのような被洗浄物（６）
の表面に向けて噴射される。（７）はオートバルブ、（
８）はブロワ−である。
以上の構成により、断熱材で囲まれた製氷部（１）内で
液体窒素等の冷媒（２）を蒸発させることにより製氷部
（１）が冷却される。十分冷却された後、スプレーノズ
ル（３）から超純水を微噴霧し、＠細氷粒子（４）を得
る。こうして得られた微細氷粒子（４）は気体の噴流に
よるエジェクタ一方式によってノズル（５）に送られ、
高純度のＮ２ガスなどをキャリアガスとして、半導体ウ
ェハ等の被洗浄物（６）の表面に噴射され、表面に付着
した汚染物を除去する。この際、微細氷粒子（４）が被
洗浄物（６）の固体表面全体に噴射されるように、噴射
手段であるノズル（５）または固体表面がスキャンニン
グされる機構となっている。
液体窒素等の冷媒（２）を蒸発させることにより製氷部
（１）が冷却される。十分冷却された後、スプレーノズ
ル（３）から超純水を微噴霧し、＠細氷粒子（４）を得
る。こうして得られた微細氷粒子（４）は気体の噴流に
よるエジェクタ一方式によってノズル（５）に送られ、
高純度のＮ２ガスなどをキャリアガスとして、半導体ウ
ェハ等の被洗浄物（６）の表面に噴射され、表面に付着
した汚染物を除去する。この際、微細氷粒子（４）が被
洗浄物（６）の固体表面全体に噴射されるように、噴射
手段であるノズル（５）または固体表面がスキャンニン
グされる機構となっている。
［発明が解決しようとする課題〕
以上のような従来の固体表面洗浄装置は、高純度ガス（
Ｎｔ等）をキャリアガスとして微細氷粒子のみを噴射し
ていた。そのため、固体表面上の汚染物は微細氷粒子に
より一旦除去されるが、微細氷粒子が噴射されていない
固体表面上に汚染物が移動または再付着し、洗浄効率を
低下させていた。
Ｎｔ等）をキャリアガスとして微細氷粒子のみを噴射し
ていた。そのため、固体表面上の汚染物は微細氷粒子に
より一旦除去されるが、微細氷粒子が噴射されていない
固体表面上に汚染物が移動または再付着し、洗浄効率を
低下させていた。
また、被洗浄物の材質（例えばアルミ材料）によっては
表面にダメージが生じるなどの問題があった。
表面にダメージが生じるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細氷粒子により一旦除去された汚染物を速
やかに洗い流し、固体表面に再付着させることがなく、
かつ、アルミ等の比較的軟かい材質の被洗浄物に対して
もダメージが生じない固体表面洗浄装置を得ることを目
的とする。
たもので、微細氷粒子により一旦除去された汚染物を速
やかに洗い流し、固体表面に再付着させることがなく、
かつ、アルミ等の比較的軟かい材質の被洗浄物に対して
もダメージが生じない固体表面洗浄装置を得ることを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る固体表面洗浄装置は、微細氷粒子噴射ノ
ズルに加えて、超純水をスプレーするノズルを設け、微
細氷粒子と超純水を異なった方向より同時に固体表面に
スプレーするようにしたものである。
ズルに加えて、超純水をスプレーするノズルを設け、微
細氷粒子と超純水を異なった方向より同時に固体表面に
スプレーするようにしたものである。
［作 用］
この発明においては、スプレーノズルから噴射された超
純水は、固体表面を洗い流す作用を有しており、微細氷
粒子により除去される汚染物の再付着を防止するととも
に、超純水の適宜の温度と固体表面上に付着した水腹に
より、固体表面に対するダメージを解消する。
純水は、固体表面を洗い流す作用を有しており、微細氷
粒子により除去される汚染物の再付着を防止するととも
に、超純水の適宜の温度と固体表面上に付着した水腹に
より、固体表面に対するダメージを解消する。
〔実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示し、図において、スプ
レーノズル（９）は超純水を被洗浄物（６）の表面に噴
射するものであり、温度制御器（１０）で超純水の温度
が制御される。
レーノズル（９）は超純水を被洗浄物（６）の表面に噴
射するものであり、温度制御器（１０）で超純水の温度
が制御される。
その他、第４図におけると同一符号は同一部分であり、
説明を省略する。
説明を省略する。
次に動作について説明する。微細氷粒子（４）を生成し
、噴射ノズル（５）を用いてウェハ（６）に微細氷粒子
（４）を噴射するまでは従来技術と同様である。ここで
は、微細氷粒子（４）を噴射ノズル（５）よりウェハ（
６）表面に噴射するとともに、同時にスプレーノズル（
９）より超純水をウェハ（６）表面にスプレーする。
、噴射ノズル（５）を用いてウェハ（６）に微細氷粒子
（４）を噴射するまでは従来技術と同様である。ここで
は、微細氷粒子（４）を噴射ノズル（５）よりウェハ（
６）表面に噴射するとともに、同時にスプレーノズル（
９）より超純水をウェハ（６）表面にスプレーする。
この超純水は温度制御器（１０）によりＯ℃〜６０℃に
制御される。微細氷粒子（４）と超純水の噴射方法の例
を第２図、第３図に示す、噴射ノズル（５）より噴射さ
れる微細氷粒子（４）は、噴射ノズル（５）またはウェ
ハ（６）を移動させることにより図示の矢印のようにス
キャンされ、ウェハ（６）表面の汚染物を除去する。第
２図では上部よりスプレーノズル（９）からウェハ全面
に超純水をスプレーした。
制御される。微細氷粒子（４）と超純水の噴射方法の例
を第２図、第３図に示す、噴射ノズル（５）より噴射さ
れる微細氷粒子（４）は、噴射ノズル（５）またはウェ
ハ（６）を移動させることにより図示の矢印のようにス
キャンされ、ウェハ（６）表面の汚染物を除去する。第
２図では上部よりスプレーノズル（９）からウェハ全面
に超純水をスプレーした。
第３図では同様に上部よりスプレーノズル（９）からウ
ェハ表面に局部的に超純水をスプレーし、同様にスキャ
ンさせた。また、この場合、純水ラインに高圧ポンプ（
１１）を導入し、超純水の高圧ジェットとして噴射する
手段または超音波ノズル（９ａ）を用いた。
ェハ表面に局部的に超純水をスプレーし、同様にスキャ
ンさせた。また、この場合、純水ラインに高圧ポンプ（
１１）を導入し、超純水の高圧ジェットとして噴射する
手段または超音波ノズル（９ａ）を用いた。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、微細氷粒子の噴射ノ
ズルと超純水のスプレーノズルを併用したことにより、
汚染物が被洗浄物に再付着することを防ぎ、速やかに汚
染物を被洗浄物から流し去ることができるとともに、比
較的軟らかい材質の表面に対してもダメージなく洗浄を
行うことができる効果がある。
ズルと超純水のスプレーノズルを併用したことにより、
汚染物が被洗浄物に再付着することを防ぎ、速やかに汚
染物を被洗浄物から流し去ることができるとともに、比
較的軟らかい材質の表面に対してもダメージなく洗浄を
行うことができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の概略立断面図、第２図お
よび第３図はそれぞれ第１図のものの動作を示す要部斜
視図、第４図は従来の固体表面洗浄装置の概略立断面図
である。 （１）・・製氷部、（４）・・微細氷粒子、（５）・噴
射ノズル、（６）・・被洗浄物、（９）・・スプレーノ
ズル。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
よび第３図はそれぞれ第１図のものの動作を示す要部斜
視図、第４図は従来の固体表面洗浄装置の概略立断面図
である。 （１）・・製氷部、（４）・・微細氷粒子、（５）・噴
射ノズル、（６）・・被洗浄物、（９）・・スプレーノ
ズル。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 超純水より超微細氷粒子を製氷する製氷部と、前記超微
細氷粒子を被洗浄物の表面に噴射する噴射ノズルと、超
純水を前記表面に噴射するスプレーノズルとを備えてな
る固体表面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14206789A JPH038326A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 固体表面洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14206789A JPH038326A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 固体表面洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038326A true JPH038326A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15306660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14206789A Pending JPH038326A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 固体表面洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536662A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 |
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| JP2003039028A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-12 | Kakizaki Mamufacuturing Co Ltd | 筐体洗浄方法および筐体洗浄装置 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14206789A patent/JPH038326A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536662A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 |
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| JP2003039028A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-12 | Kakizaki Mamufacuturing Co Ltd | 筐体洗浄方法および筐体洗浄装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6332470B1 (en) | Aerosol substrate cleaner | |
| JPH03116832A (ja) | 固体表面の洗浄方法 | |
| US5723019A (en) | Drip chemical delivery method and apparatus | |
| US6449873B1 (en) | Apparatus and method for dry cleaning of substrates using clusters | |
| JP2001246331A (ja) | 洗浄装置 | |
| KR100740827B1 (ko) | 분사 노즐 및 이를 이용한 세정 시스템 | |
| US12400881B2 (en) | Apparatus and method of substrate edge cleaning and substrate carrier head gap cleaning | |
| JPH07159980A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH038326A (ja) | 固体表面洗浄装置 | |
| KR102637827B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| JPH07201795A (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH0479326A (ja) | 基板表面の洗浄装置 | |
| JPH07256222A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| KR102130713B1 (ko) | 미세입자 세정용 냉각입자 생성장치 및 그 구동방법 | |
| JPH06295894A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2003163195A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0459770B2 (ja) | ||
| JPH02270322A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
| KR102379163B1 (ko) | 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법 | |
| JPH0756323A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP3357037B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| KR100894497B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치및 그 제어 방법 | |
| JP2003007668A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 | |
| US20080163891A1 (en) | Method and apparatus of multi steps atomization for generating smaller diw dropplets for wafer cleaning | |
| JP2006066793A (ja) | ウエハ洗浄方法及びその装置 |