JPH03116832A - 固体表面の洗浄方法 - Google Patents

固体表面の洗浄方法

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JPH03116832A
JPH03116832A JP1252076A JP25207689A JPH03116832A JP H03116832 A JPH03116832 A JP H03116832A JP 1252076 A JP1252076 A JP 1252076A JP 25207689 A JP25207689 A JP 25207689A JP H03116832 A JPH03116832 A JP H03116832A
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cleaning
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Toshiaki Omori
大森　寿朗
Itaru Sugano
至 菅野
Hayaaki Fukumoto
福本　隼明
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    • B24C1/08—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for polishing surfaces, e.g. smoothing a surface by making use of liquid-borne abrasives
    • B24C1/086—Descaling; Removing coating films
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、微凍結粒子を生成して、半導体ウェハある
いはレティクルプリント基板等の固体の表面に噴射し、
固体表面に付着した汚染物を除去する、トリクレン洗浄
、フロン洗浄等の代替として一般脱脂洗浄、一般クリー
ン洗浄にも適用される固体表面の洗浄方法に関するもの
である。
［従来の技術］ 第４図および第５図は従来のこの種の洗浄方法を説明す
るための図である。半導体ウェハ等の固体の表面に付着
した汚れを落とすために、第４図に示すようにジェット
ノズル（１）より被洗浄固体（２）の表面に３０Ｋｇ／
ａｍ２・６以上の高圧で超純水が噴射される。これによ
り、被洗浄固体（２）の表面がち汚染物（３）が除去さ
れる。また、第５図に示すように、ジェットノズル（１
）より半導体ウェハ等の被洗浄固体（２）の表面に超純
水を吹き付けると共に、回転軸（４）を軸とする円筒訣
のブラシｃ５）を矢印（Ａ）の方向に回転させながら、
かつ被洗浄固定（２）の表面に接触させて矢印（Ｂ）の
方向に摺動させることにより、被洗浄固体（２）の表面
から汚染物（３）を除去する場合もある。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の固体表面の洗浄は以上のように、噴射される超純
水等の液体の圧力およびブラシによる摩擦力を利用して
行っていた。従って汚染物が微小（粒径１０μｍ以下）
になるにつれ、汚染物の被洗浄固体表面への吸着力が増
し、液体の噴射では汚染物を除去するために作用する力
が弱く、洗浄効果（あるいは除去効果）が低下してしま
う。また、液体の噴射圧力を高（（１００ＫＨ／ｃｎ＋
”・Ｃ以上）すると、液体との摩耗によりジェットノズ
ルの内側の一部が破損し、これが液体と共に噴射されて
被洗浄固体表面を汚染してしまう。またブラシでは、ブ
ラシの摩耗により被洗浄固体表面が汚染され、さらに被
洗浄固体表面から除去されたブラシに付着した汚染物が
、被洗浄固体表面に再付着する恐れもある。従来の固体
表面の洗浄方法には、以上のような課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、強固な付着力により付着した異物、例えば微小
粒子状汚染物および油等の膜状汚染物を固体表面から効
率的に除去できる固体表面の洗浄方法を得ることを目的
とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的に鑑み、この発明は、液体を凍結させて形成
された微凍結粒子を被洗浄固体の表面に噴射して洗浄を
行い、かつ微凍結粒子の硬度を変えて、被洗浄固体の表
面へのダメージを調整して行う固体表面の洗浄方法にあ
る。
この発明に係る固体表面の洗浄方法では、固体表面に付
着した異物（微小粒子状汚染物および油等の膜状汚染物
）の除去に、微凍結粒子（０，０１μｍ〜５ｆｆｌ１１
１）を用いた。微凍結粒子はキャリアガス（窒素（Ｎ２
）ガス）の圧力により、窒素冷気と共に固体表面に噴射
される。この微凍結粒子は、水（超純水）あるいはアル
コール等の液体を凍結させることにより製造され、液体
の種類、製氷および噴射温度によって硬度を調整し、固
体表面へのダメージを調整する。また、微凍結粒子およ
び窒素冷気を吹き付ける低温洗浄（０°Ｃ〜−１５０℃
）である特徴も有する。
［作用コ この発明においては、微凍結粒子が噴射され固体表面に
衝突する際の運動エネルギーによって汚染物を除去する
。また、汚染物が油等の膜状汚染物である場合には低温
洗浄を行い、汚染物を凝固させて除去する。特に有機膜
については温度変化による収縮作用が働き、被洗浄固体
表面との密着性が低下するので、除去され易くなる。ま
た、微凍結粒子の硬度を被洗浄固体表面の硬度より軟ら
かくした場合、微凍結粒子が被洗浄固体表面に衝突した
際、細かく破砕され、被洗浄固体表面の微小粒子状の汚
染物を取り込み除去する効果と、被洗浄固体表面で跳ね
返らずに被洗浄固体表面上を移動し、こすって汚染物を
除去する効果を持つ。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明による固体表面の洗浄方法の一実施例を説
明するための図である。この発明においては、例えば水
（超純水）あるいはアルコール等の液体を凍結させて微
凍結粒子（７）（粒径０．０１μＩ１１〜５ＩｌｌＩＩ
ｌ）を製造し、噴射ノズル（６）より例えば窒素ガス等
のキャリアガスの圧力［Ｉ　Ｋｇ／ｃｍ２・Ｇ〜１０Ｋ
ｇ／ａｍ２・Ｇ］によって被洗浄固体（２）の表面に向
けて噴射する。微凍結粒子を製造する方法および製造装
置に関しては、例えば特開昭６３−２９５１５号公報（
米国出願第１７７７８４号）等に開示されているので説
明は省略する。この微凍結粒子（７）を噴射する際、被
洗浄固体（２）の表面に破損等が生じないように、微凍
結粒子（７）の硬度が被洗浄固体（２）の硬度と同等か
もしくはそれ以下になるようにする。微凍結粒子（７）
の硬度は、凍結させる液体の種類を変えることにより調
整される。この−例を第１表に示す。
第」−宍 また、凍結粒子の製氷温度あるいは噴射温度を変えるこ
とによっても凍結粒子の硬度を変えることができる６純
水を凍結させた時の硬度と製氷温度との関係を第３図に
示す。
第１図に従ってこの発明による微小粒子状汚染物の洗浄
除去の際のメカニズムを説明する。微凍結粒子（７）は
被洗浄固体（２）に衝突した際、硬度の相違により更に
細かい微凍結粒子（１１）に破砕され、この破砕された
微凍結粒子（１１）が微小粒子状汚染物（９）に衝突し
、また一部は微小粒子状汚染物（９）を取り込み除去す
る。
また第２図には油等の有機膜を除去する際のこの発明の
メカニズムを示す。第２図において、まず微凍結粒子（
７）が有機膜（１０）に衝突し、微凍結粒子（７）に対
して有機膜（１０）の硬度が低い、すなわち有機膜（１
０）のほうが軟らかいために、有機膜（１０）の表面に
凹凸が生じる。微凍結粒子（７）の衝突が数回繰り返さ
れると、有機Ｍ（１０）の表面の凹凸は大きくなり、被
洗浄固体（２）の表面の一部が露出される。被洗浄固体
（２）の表面に衝突した微凍結粒子（７）は、被洗浄固
体（２）より硬度が低いため、表面でより細かい微凍結
粒子（１１）に破砕されると共に、被洗浄固体（２）の
表面で跳ね返らず、被洗浄固体（２）の表面をこするよ
うに広がり、有機膜（１０）の側壁に衝突する。また、
有機１！（１０）には微凍結粒子（７）と共にこれを噴
射させるための窒素ガス（特に図示せず）が当たるよう
にすると、有機ＪＩ！（１０）が冷却されて凝固、縮小
し、被洗浄固体（２）表面との密着性が低下する。この
有機膜（１０）が冷却されて被洗浄固体（２）表面との
密着性が低下する効果と、上記微凍結粒子（１１）が被
洗浄固体〈２）の表面をこする効果が相俟って、より効
果的に有機膜（１０）が除去される。更に、微凍結粒子
が被洗浄固体に当る時、粒子の当った面の表面が液化し
、瞬間的に表面張力が発生し、再び粒子表面に沿って固
まる。
その際、被洗浄固体の表面の汚染物あるいは油分を部分
的に粒子内に取り込み、次の微凍結粒子が洗い流し除去
する。被洗浄固体の物性に従って上述した洗浄メカニズ
ムが複合的に作用する。なお、第２表に、粒径０．３２
２［ｐｍ］のポリスチレン・ラテックス粒子の除去効果
に関して、この発明による洗浄方法と従来の洗浄方法と
を比較して示した。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、固体表面に付着した微
小粒子状汚染物あるいは有機膜を除去する際に、微凍結
粒子を噴射するようにし、かつこの微凍結粒子の硬度を
固体表面の硬度に応じて調整するようにしたことにより
、より高い除去効果すなわち洗浄効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による固体表面の洗浄方法の一実施例
を説明するための説明図、第２図は有機膜を除去する際
のこの発明の他の実施例による洗浄方法を説明するため
の説明図、第３図は純水を凍結させた時の硬度と製氷温
度との関係を示す線図、第４図および第５図は従来の固
体表面の洗浄方法を説明するための説明図である。 図において、（２）は被洗浄固体、（６）はノズル、（
７）と（１１）は微凍結粒子、（９）は汚染物、（１０
）は有機膜である。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）液体を凍結させて形成された微凍結粒子を被洗浄
    固体の表面に噴射して洗浄を行い、かつ上記微凍結粒子
    の硬度を変えて、上記被洗浄固体の表面へのダメージを
    調整して行う固体表面の洗浄方法。
  2. （２）上記微凍結粒子の硬度を上記被洗浄固体の表面の
    硬度以下になるように調整して行う特許請求の範囲第１
    項に記載の固体表面の洗浄方法。
  3. （３）上記凍結させる液体の種類、上記液体を凍結させ
    る製氷温度および凍結された上記微凍結粒子の噴射温度
    の少なくともいずれか１つを変えて、上記微凍結粒子の
    硬度を調整する特許請求の範囲第１項に記載の固体表面
    の洗浄方法。
  4. （４）上記微凍結粒子を窒素ガスの圧力によって、窒素
    ガスの冷気と共に上記被洗浄固体の表面に噴射して低温
    洗浄を行う特許請求の範囲第１項に記載の固体表面の洗
    浄方法。
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US07/588,806 US5147466A (en) 1989-09-29 1990-09-27 Method of cleaning a surface by blasting the fine frozen particles against the surface

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835776B1 (ko) * 2006-04-11 2008-06-05 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05115853A (ja) * 1991-04-19 1993-05-14 Eva Abony Szucs 鋭敏な表面を洗浄する方法および装置
DE4112890A1 (de) * 1991-04-19 1992-10-22 Abony Szuecs Eva Verfahren und vorrichtung zum reinigen von oberflaechen, insbesondere von empfindlichen oberflaechen
FR2678527B1 (fr) * 1991-07-05 1993-09-10 Commissariat Energie Atomique Appareil de stockage et de projection de billes de glace.
DE4122864C2 (de) * 1991-07-11 2003-06-12 Dietrich Martina Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Schälen von Früchten
JP3287424B2 (ja) * 1991-12-31 2002-06-04 ゼロックス・コーポレーション 円筒状基板用の二酸化炭素精密清掃システム
US5354384A (en) * 1993-04-30 1994-10-11 Hughes Aircraft Company Method for cleaning surface by heating and a stream of snow
US5377911A (en) * 1993-06-14 1995-01-03 International Business Machines Corporation Apparatus for producing cryogenic aerosol
US5372652A (en) * 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5366156A (en) * 1993-06-14 1994-11-22 International Business Machines Corporation Nozzle apparatus for producing aerosol
US5486132A (en) * 1993-06-14 1996-01-23 International Business Machines Corporation Mounting apparatus for cryogenic aerosol cleaning
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5378312A (en) * 1993-12-07 1995-01-03 International Business Machines Corporation Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls
US5395454A (en) * 1993-12-09 1995-03-07 Liquid Air Corporation Method of cleaning elongated objects
US5637027A (en) * 1993-12-23 1997-06-10 Hughes Aircraft Company CO2 jet spray system employing a thermal CO2 snow plume sensor
US5727332A (en) * 1994-07-15 1998-03-17 Ontrak Systems, Inc. Contamination control in substrate processing system
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) * 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US6103016A (en) * 1994-12-05 2000-08-15 Lucent Technologies Inc. Mitigation of electrostatic discharges during carbon dioxide cleaning
WO1996029030A1 (en) * 1995-03-17 1996-09-26 Smith & Nephew Richards Inc. Medical implants
US5785581A (en) * 1995-10-19 1998-07-28 The Penn State Research Foundation Supersonic abrasive iceblasting apparatus
US6197951B1 (en) * 1996-06-26 2001-03-06 Archer Daniels Midland Company Starch graft copolymer blast media
US5780619A (en) * 1996-06-26 1998-07-14 U.S. Technology Corporation Starch graft poly(meth)acrylate blast media
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
DE19640945A1 (de) * 1996-10-04 1998-04-16 Polygram Manufacturing & Distr Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial
US5778713A (en) * 1997-05-13 1998-07-14 Waterjet Technology, Inc. Method and apparatus for ultra high pressure water jet peening
US5961732A (en) * 1997-06-11 1999-10-05 Fsi International, Inc Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
US6036786A (en) * 1997-06-11 2000-03-14 Fsi International Inc. Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol
US6740247B1 (en) 1999-02-05 2004-05-25 Massachusetts Institute Of Technology HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching
DE19944390A1 (de) * 1999-09-16 2001-04-05 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und Anlage zum Reinigen von Oberflächen
US6676766B2 (en) * 2000-05-02 2004-01-13 Sprout Co., Ltd. Method for cleaning a substrate using a sherbet-like composition
US6569214B2 (en) 2000-06-01 2003-05-27 U.S. Technology Corporation Composite polymer blast media
JP4011336B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-21 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
US20040091390A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 Bentley Jeffrey B. Method for removal of mold and other biological contaminants from a surface
DE10360011A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Man Roland Druckmaschinen Ag Vorrichtung zum Reinigen von Walzen, Zylindern und Druckformen
DE102009041798A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Khs Gmbh Verfahren zum Ablösen von Etiketten und Verschmutzungen aller Art
FR3054649B1 (fr) * 2016-07-29 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d’un projectile de glace
CN108816938A (zh) * 2018-04-08 2018-11-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2699403A (en) * 1952-05-24 1955-01-11 Emmett J Courts Means and methods for cleaning and polishing automobiles
US4038786A (en) * 1974-09-27 1977-08-02 Lockheed Aircraft Corporation Sandblasting with pellets of material capable of sublimation
US4655847A (en) * 1983-09-01 1987-04-07 Tsuyoshi Ichinoseki Cleaning method
US4617064A (en) * 1984-07-31 1986-10-14 Cryoblast, Inc. Cleaning method and apparatus
GB8505429D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Kue Eng Ltd Blast cleaning
US4631250A (en) * 1985-03-13 1986-12-23 Research Development Corporation Of Japan Process for removing covering film and apparatus therefor
JPS6329515A (ja) * 1986-07-22 1988-02-08 Taiyo Sanso Kk 半導体ウエハの洗浄方法
EP0266859A1 (en) * 1986-10-06 1988-05-11 Taiyo Sanso Co Ltd. Method and apparatus for producing microfine frozen particles
DE3844649C2 (ja) * 1987-06-23 1992-04-23 Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp
JPH02130921A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面洗浄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835776B1 (ko) * 2006-04-11 2008-06-05 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE4030434C2 (de) 1995-08-17
US5147466A (en) 1992-09-15
DE4030434A1 (de) 1991-04-11

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