JPH038332A - 堆積膜パターン形成法 - Google Patents
堆積膜パターン形成法Info
- Publication number
- JPH038332A JPH038332A JP14213689A JP14213689A JPH038332A JP H038332 A JPH038332 A JP H038332A JP 14213689 A JP14213689 A JP 14213689A JP 14213689 A JP14213689 A JP 14213689A JP H038332 A JPH038332 A JP H038332A
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- Japan
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- deposited film
- substrate
- film pattern
- film
- pattern
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野］
本発明は半導体素子や他の電子デバイスの製造法に採用
される堆積膜パターン形成法に関し、特に、工程数の少
ない、絶縁膜の堆積膜形成法に関する。
される堆積膜パターン形成法に関し、特に、工程数の少
ない、絶縁膜の堆積膜形成法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体素子や他の電子デバイスの製造プロセスに
おいて、絶縁膜の形成工程は重要な位置を占めている０
例えば、半導体素子の製造において、酸化珪素系膜は熱
酸化法、常圧ＣＶＤ法により形成され、ゲート酸化膜、
素子分離用酸化膜、眉間絶縁膜として用いられている。
おいて、絶縁膜の形成工程は重要な位置を占めている０
例えば、半導体素子の製造において、酸化珪素系膜は熱
酸化法、常圧ＣＶＤ法により形成され、ゲート酸化膜、
素子分離用酸化膜、眉間絶縁膜として用いられている。
また、窒化珪素膜は減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法に
より形成され、キャパシタ絶縁膜、ＬＯＧＯＳマスク、
バッジベージ３ン膜として用いられている。
より形成され、キャパシタ絶縁膜、ＬＯＧＯＳマスク、
バッジベージ３ン膜として用いられている。
更に、絶縁膜は上記以外の電子デバイスにおいても、例
えば、液晶の絶縁膜、光磁気ディスクの保護、バブルジ
ェットヘッドの蓄熱層などに広く用いられている。
えば、液晶の絶縁膜、光磁気ディスクの保護、バブルジ
ェットヘッドの蓄熱層などに広く用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、これらの堆積膜パターンの形成には、堆積膜形
成後、フォトレジストを塗布し、加熱し、露光装置を用
いてフォトレジストをパターン形状に露光し、現像液を
用いてフォトレジストを現像し、堆積膜をエツチングし
、フォトレジストを剥離するという多くの工程を必要と
するため、堆積膜パターンの形成に要する時間、コスト
、また製品歩留りの点で不十分であった。
成後、フォトレジストを塗布し、加熱し、露光装置を用
いてフォトレジストをパターン形状に露光し、現像液を
用いてフォトレジストを現像し、堆積膜をエツチングし
、フォトレジストを剥離するという多くの工程を必要と
するため、堆積膜パターンの形成に要する時間、コスト
、また製品歩留りの点で不十分であった。
従って、本発明の目的は、少ない工程で堆積膜パターン
を形成することができ、製造に要する時間、費用等を短
縮、軽減し、しかも製品歩留まりの高い堆積膜パターン
形成法を提供することである。
を形成することができ、製造に要する時間、費用等を短
縮、軽減し、しかも製品歩留まりの高い堆積膜パターン
形成法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明の堆積膜パターン形成法は、基体表面を所望のパ
ターン形状に露光しながら、プラズマを利用して該基体
上に該パターン形状に対応した膜質分布の堆積膜を形成
する工程、及び該堆積膜をエツチング処理して該堆積膜
の非露光部又は露光部を除去する工程を含むことを特徴
とする。
ターン形状に露光しながら、プラズマを利用して該基体
上に該パターン形状に対応した膜質分布の堆積膜を形成
する工程、及び該堆積膜をエツチング処理して該堆積膜
の非露光部又は露光部を除去する工程を含むことを特徴
とする。
本発明の堆積膜パターン形成法において、基体表面を所
望のパターン形状に露光する方法とじては、光透過性基
板上に光不透過性材料がパターン形状で設けられた４版
を用いる方法、可干渉光を２方向より照射し、その干渉
縞を基体上に形成する方法等がある。
望のパターン形状に露光する方法とじては、光透過性基
板上に光不透過性材料がパターン形状で設けられた４版
を用いる方法、可干渉光を２方向より照射し、その干渉
縞を基体上に形成する方法等がある。
本発明の堆積膜パターン形成法において、プラズマを利
用して堆積膜を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ
法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等のプ
ラズマを利用する方法であればいかなる方法も用いるこ
とができる。
用して堆積膜を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ
法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等のプ
ラズマを利用する方法であればいかなる方法も用いるこ
とができる。
ここで、基体上に形成された堆積膜は露光を受けた部分
と受けなかった部分とでは、その電気的特性、光学的特
性、物理的特性、耐エツチング性、化学組成等の点で膜
質が異なっている。
と受けなかった部分とでは、その電気的特性、光学的特
性、物理的特性、耐エツチング性、化学組成等の点で膜
質が異なっている。
以下に、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の特徴事項の一部を模式的に示している
説明概要図であり、第２図は本発明の堆積膜パターン形
成法の前段工程で用いられる装置の概要断面図であり、
第３図は本発明の堆積膜パターン形成法の前段工程で用
いられる、グレーティングや液晶の配向量のパターニン
グに適用できる装置の概要断面図であり、図中、１は入
射光、２は光不透過性材料がパターン形状で設けられて
いる光透過性置版、３は被覆される基体、４は形成され
た堆積膜の露光部、５は形成された堆積膜の非露光部、
６はプラズマ励起されたガス、７は排気、８は光源、９
はハーフ及び全反射ミラー１０は高周波電源、１１は直
接にプラズマ励起される原料ガス、１２は直接にはプラ
ズマ励起されない原料ガス、１３は窓曇り防止用ガス、
１４はレンズ等の投影光学系、１５は光透過窓である。
説明概要図であり、第２図は本発明の堆積膜パターン形
成法の前段工程で用いられる装置の概要断面図であり、
第３図は本発明の堆積膜パターン形成法の前段工程で用
いられる、グレーティングや液晶の配向量のパターニン
グに適用できる装置の概要断面図であり、図中、１は入
射光、２は光不透過性材料がパターン形状で設けられて
いる光透過性置版、３は被覆される基体、４は形成され
た堆積膜の露光部、５は形成された堆積膜の非露光部、
６はプラズマ励起されたガス、７は排気、８は光源、９
はハーフ及び全反射ミラー１０は高周波電源、１１は直
接にプラズマ励起される原料ガス、１２は直接にはプラ
ズマ励起されない原料ガス、１３は窓曇り防止用ガス、
１４はレンズ等の投影光学系、１５は光透過窓である。
本発明の堆積膜パターン形成法は、第２図に示す装置を
用いる場合は、まず、原料ガス１１として、例えば酸化
珪素成膜の場合はＮ、Ｏ又は０８、窒化珪素の場合はＮ
、又はＭＨＩ 、原料ガス１２として例えば５ｉ８４等
、窓量り防止用ガス１３として原料ガス１１と同種のガ
スを反応器内に導入する０反応器内の圧力を排気７側に
設けたコンダクタンス調整器により、例えばＩ Ｏ−”
Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下の適当な値に調節する６
次に可視光、紫外光等ｌを４版２に照射して、母板上の
パターンを投影光学系１４により光透過窓１５を通して
基体３に投影してその基体表面をパターン形状に、例え
ば０．１Ｗ／ｃが以下１０Ｗ／ａｍ１以上の適当な照度
で露光する。露光を受けた部分には、密度が高（てエツ
チングされ難い酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜が形成さ
れる。一方、高周波電源１０により高周波出力を、例え
ばＩＯＷ以上５ｋＷ以下の適当な電力で投入してプラズ
マ励起し、原料ガスｌｌ及び１２を分解し、基体３上に
堆積膜を形成させる。その後、基体３を適宜のエツチン
グ剤に浸してその堆積膜をエツチング処理すると、耐エ
ツチング性の高い堆積膜が形成された堆積膜の露光部４
は残り、非露光部５は除去されて、基体上に堆積膜パタ
ーンが形成される。
用いる場合は、まず、原料ガス１１として、例えば酸化
珪素成膜の場合はＮ、Ｏ又は０８、窒化珪素の場合はＮ
、又はＭＨＩ 、原料ガス１２として例えば５ｉ８４等
、窓量り防止用ガス１３として原料ガス１１と同種のガ
スを反応器内に導入する０反応器内の圧力を排気７側に
設けたコンダクタンス調整器により、例えばＩ Ｏ−”
Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下の適当な値に調節する６
次に可視光、紫外光等ｌを４版２に照射して、母板上の
パターンを投影光学系１４により光透過窓１５を通して
基体３に投影してその基体表面をパターン形状に、例え
ば０．１Ｗ／ｃが以下１０Ｗ／ａｍ１以上の適当な照度
で露光する。露光を受けた部分には、密度が高（てエツ
チングされ難い酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜が形成さ
れる。一方、高周波電源１０により高周波出力を、例え
ばＩＯＷ以上５ｋＷ以下の適当な電力で投入してプラズ
マ励起し、原料ガスｌｌ及び１２を分解し、基体３上に
堆積膜を形成させる。その後、基体３を適宜のエツチン
グ剤に浸してその堆積膜をエツチング処理すると、耐エ
ツチング性の高い堆積膜が形成された堆積膜の露光部４
は残り、非露光部５は除去されて、基体上に堆積膜パタ
ーンが形成される。
エツチング処理としては、例えば弗酸な含有するエツチ
ング液等によるウェットエツチングや、例えばＣＣＬ等
を用いたドライエツチング等が使用される。
ング液等によるウェットエツチングや、例えばＣＣＬ等
を用いたドライエツチング等が使用される。
また、第３図に示す装置を用いる場合には、本発明の堆
積膜パターン形成法は、第２図に示す装置を用いる場合
と同様にして、まず原料ガスを反応器内に導入し、圧力
を調節する。次に、例えばハロゲンランプ、ＫｒＦエキ
シマレーザ等の光源８からの光をハーフミラ−で２つに
、はぼ等しい強度に分岐し、その一方を基体３に照射し
、他の一方を全反射ミラーで反射させて基体３に照射し
て、即ち二方向から基体３に照射して、基体３上に干渉
縞を形成し、パターン形状に露光する。この場合に、レ
ーザの波長（λ）と入射角度（θ）は希望するパターン
ピッチｄ＝λ／２ｓｉｎθが得られるように設定する。
積膜パターン形成法は、第２図に示す装置を用いる場合
と同様にして、まず原料ガスを反応器内に導入し、圧力
を調節する。次に、例えばハロゲンランプ、ＫｒＦエキ
シマレーザ等の光源８からの光をハーフミラ−で２つに
、はぼ等しい強度に分岐し、その一方を基体３に照射し
、他の一方を全反射ミラーで反射させて基体３に照射し
て、即ち二方向から基体３に照射して、基体３上に干渉
縞を形成し、パターン形状に露光する。この場合に、レ
ーザの波長（λ）と入射角度（θ）は希望するパターン
ピッチｄ＝λ／２ｓｉｎθが得られるように設定する。
そして、上記と同様にしてプラズマＣＶＤにより堆積膜
を形成する。その後、上記と同様にエツチングにより非
露光部を除去して基体３上に堆積膜パターンを形成する
。
を形成する。その後、上記と同様にエツチングにより非
露光部を除去して基体３上に堆積膜パターンを形成する
。
上記した例においては、露光を受けた部分が非露光部よ
りエツチングされ難くなる材料の例を示したが、本発明
は上記した例に限定されるものではなく、露光を受けた
部分が非露光部よりエツチングされやすくなる材料、例
えばＰＭＭＡ等にも適用し得る。
りエツチングされ難くなる材料の例を示したが、本発明
は上記した例に限定されるものではなく、露光を受けた
部分が非露光部よりエツチングされやすくなる材料、例
えばＰＭＭＡ等にも適用し得る。
実施例１
第２図に示した装置を用い、前記したようにして実施し
た。即ち原料ガス１１としてＮＪを６０ｓｃｃｍ、原料
ガス１２としてＳｉＨ４を２０５ｃａｆｆｉ、窓曇り防
止用ガス１３としてＮ、０を６０ ｓｃｃｍ導入し、反
応器内の圧力なＬＯＴｏｒｒとした。光源として高圧水
銀ランプを用い、フィルターによりｇ線（４３６ｎｍ）
だけを母板２に照射し、パターンを５：１の縮小投影レ
ンズを通して基体３上に投影した。照度は０．５ ｗ
／ ｃｍ”であった、高周波電源１０から５００Ｗの高
周波出力を投入し、１０分間成膜して、厚さ６３００人
の５ｉＯｚ堆積膜を形成した。その後、その基体を緩衝
弗酸に１分間浸し、５ｉｎｓをウェットエツチング処理
して１．０μｍライン・アンド・スペースのパターンを
形成した。
た。即ち原料ガス１１としてＮＪを６０ｓｃｃｍ、原料
ガス１２としてＳｉＨ４を２０５ｃａｆｆｉ、窓曇り防
止用ガス１３としてＮ、０を６０ ｓｃｃｍ導入し、反
応器内の圧力なＬＯＴｏｒｒとした。光源として高圧水
銀ランプを用い、フィルターによりｇ線（４３６ｎｍ）
だけを母板２に照射し、パターンを５：１の縮小投影レ
ンズを通して基体３上に投影した。照度は０．５ ｗ
／ ｃｍ”であった、高周波電源１０から５００Ｗの高
周波出力を投入し、１０分間成膜して、厚さ６３００人
の５ｉＯｚ堆積膜を形成した。その後、その基体を緩衝
弗酸に１分間浸し、５ｉｎｓをウェットエツチング処理
して１．０μｍライン・アンド・スペースのパターンを
形成した。
実施例２
第３図に示した装置を用い、前記したようにして実施し
た。即ち原料ガス１１として８．０を８゜ＳＣＣｍ、原
料ガス１２としてＳｉ）＋４を２０ ｓｅｃｍ、窓曇り
防止用ガス１３としてＮ、０を４０５ｅｃａ＋導入し、
反応器内の圧力を１０Ｔｏｒｒとした。光源としてＮ２
レーザを用いた０分岐したレーザ光をそれぞれ基体の垂
直線に対して２２″の角度で基体に０．５ｗ／ａｍ”の
照度で照射した。高周波型［１０から４００Ｗの高周波
出力を投入し、２分間成膜して、厚さ１１００人のＳｉ
Ｏ□堆積膜を形成した。
た。即ち原料ガス１１として８．０を８゜ＳＣＣｍ、原
料ガス１２としてＳｉ）＋４を２０ ｓｅｃｍ、窓曇り
防止用ガス１３としてＮ、０を４０５ｅｃａ＋導入し、
反応器内の圧力を１０Ｔｏｒｒとした。光源としてＮ２
レーザを用いた０分岐したレーザ光をそれぞれ基体の垂
直線に対して２２″の角度で基体に０．５ｗ／ａｍ”の
照度で照射した。高周波型［１０から４００Ｗの高周波
出力を投入し、２分間成膜して、厚さ１１００人のＳｉ
Ｏ□堆積膜を形成した。
その後、その基体を緩衝弗酸に１分間浸し、ＳｉＯ□を
ウェットエツチング処理して１．５μｍピッチの液晶配
向に用いられるグレーティングパターンを形成した。
ウェットエツチング処理して１．５μｍピッチの液晶配
向に用いられるグレーティングパターンを形成した。
【発明の効果］
本発明の堆積膜パターン形成法によれば、工程数が成膜
とエツチングの二工程のみと大幅に減少し、工程数が多
い従来法の欠点である堆積膜パターンの形成に要する長
時間、コスト、歩留まりの課題を大幅に改善できる。
とエツチングの二工程のみと大幅に減少し、工程数が多
い従来法の欠点である堆積膜パターンの形成に要する長
時間、コスト、歩留まりの課題を大幅に改善できる。
第１図は本発明の特徴事項の一部を模式的に示している
説明概要図であり、第２図は本発明の堆積膜パターン形
成法の前段工程で用いられる装置の概要断面図であり、
第３図は本発明の堆積膜パターン形成法の前段工程で用
いられる、グレーティングや液晶の配向量のバターニン
グに適用できる装置の概要断面図である。 図中、１は入射光、２は光不透過性材料がパターン形状
で設けられている光透過性母板、３は被覆される基体、
４は形成された堆積膜の露光部、５は形成された堆積膜
の非露光部、６はプラズマ励起されたガス、７は排気、
８は光源、９はハーフ及び全反射ミラー、１０は高周波
電源、ｌｌは直接にプラズマ励起される原料ガス、１２
は直接にはプラズマ励起されない原料ガス、１３は窓曇
り防止用ガス、１４はレンズ等の投影光学系、１５は光
透過窓である。
説明概要図であり、第２図は本発明の堆積膜パターン形
成法の前段工程で用いられる装置の概要断面図であり、
第３図は本発明の堆積膜パターン形成法の前段工程で用
いられる、グレーティングや液晶の配向量のバターニン
グに適用できる装置の概要断面図である。 図中、１は入射光、２は光不透過性材料がパターン形状
で設けられている光透過性母板、３は被覆される基体、
４は形成された堆積膜の露光部、５は形成された堆積膜
の非露光部、６はプラズマ励起されたガス、７は排気、
８は光源、９はハーフ及び全反射ミラー、１０は高周波
電源、ｌｌは直接にプラズマ励起される原料ガス、１２
は直接にはプラズマ励起されない原料ガス、１３は窓曇
り防止用ガス、１４はレンズ等の投影光学系、１５は光
透過窓である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体表面を所望のパターン形状に露光しながら、プ
ラズマを利用して該基体上に該パターン形状に対応した
膜質分布の堆積膜を形成する工程、及び該堆積膜をエッ
チング処理して該堆積膜の非露光部又は露光部を除去す
る工程を含むことを特徴とする堆積膜パターン形成法。 ２、前記エッチング処理がウェットエッチング処理であ
る請求項１記載の堆積膜パターン形成法。 ３、前記堆積膜が窒化硅素膜である請求項１記載の堆積
膜パターン形成法。 ４、前記堆積膜が酸化硅素膜である請求項１記載の堆積
膜パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14213689A JPH038332A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 堆積膜パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14213689A JPH038332A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 堆積膜パターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038332A true JPH038332A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15308206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14213689A Pending JPH038332A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 堆積膜パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038332A (ja) |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14213689A patent/JPH038332A/ja active Pending
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