JPH0384484A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0384484A JPH0384484A JP1221030A JP22103089A JPH0384484A JP H0384484 A JPH0384484 A JP H0384484A JP 1221030 A JP1221030 A JP 1221030A JP 22103089 A JP22103089 A JP 22103089A JP H0384484 A JPH0384484 A JP H0384484A
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- JP
- Japan
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- hall
- magnetic sensor
- voltage
- terminals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇呈上坐旦里豆且
本発明は磁気センサ、より詳細にはＶＴＲやプレーヤな
どの磁気テープの読取りヘッドやブラシレスのＤＤモー
タ制御あるいは精密機器の回転部などの角度検出に使用
されるホール効果を用いた高精度磁気センサに関する。
どの磁気テープの読取りヘッドやブラシレスのＤＤモー
タ制御あるいは精密機器の回転部などの角度検出に使用
されるホール効果を用いた高精度磁気センサに関する。
藍監旦技歪
ＧａＡｓなとの半導体を用いたホール素子は、Ｎ極Ｓ極
を区別して検出でき、磁束密度に比例した信号が得られ
ることから、制御機器や自動車などの回転制御部品の角
度検出あるいはホールモータの制御などに第６図に示す
ようなホール素子１１が多数配設された磁気センサが利
用されている。
を区別して検出でき、磁束密度に比例した信号が得られ
ることから、制御機器や自動車などの回転制御部品の角
度検出あるいはホールモータの制御などに第６図に示す
ようなホール素子１１が多数配設された磁気センサが利
用されている。
この磁気センサは、電気的に半絶縁性である１−ＧａＡ
ｓの基板１０にイオン注入を選択的に行なって、十字形
状のｎ−ＧａＡｓ層を形成し、このｎ −ＧａＡｓ層を
それぞれのホール素子（ｒｌ −ＧａＡｓ層）１１とし
て構成されている。
ｓの基板１０にイオン注入を選択的に行なって、十字形
状のｎ−ＧａＡｓ層を形成し、このｎ −ＧａＡｓ層を
それぞれのホール素子（ｒｌ −ＧａＡｓ層）１１とし
て構成されている。
このような磁気センサは各ホール素子１１に四個の端子
１１ｎ、Ｉｔａ、 Ｖｔｎ、 Ｖｚｒｔ （ｎ＝ １〜
３）を有し、それぞれ相対応する２組の端子工１．．、
工２．．を電流端子あるいはＶ ｒｎ＊ Ｖ ａｎをホ
ール端子として、すなわち電流供給あるいはホール電圧
測定用の端子として用いている。たとえば、各ホール素
子のＩｌｎとＩｎｎとの電流端子間に一定電流゛工を流
すと、ホール端子Ｖい−ｖ２ｎ間に、この素子に印加さ
れている磁界の磁束密度Ｂに比例した電圧が発生する。
１１ｎ、Ｉｔａ、 Ｖｔｎ、 Ｖｚｒｔ （ｎ＝ １〜
３）を有し、それぞれ相対応する２組の端子工１．．、
工２．．を電流端子あるいはＶ ｒｎ＊ Ｖ ａｎをホ
ール端子として、すなわち電流供給あるいはホール電圧
測定用の端子として用いている。たとえば、各ホール素
子のＩｌｎとＩｎｎとの電流端子間に一定電流゛工を流
すと、ホール端子Ｖい−ｖ２ｎ間に、この素子に印加さ
れている磁界の磁束密度Ｂに比例した電圧が発生する。
そして、この電圧をそれぞれの専用の電圧計で検出する
ようにしている。したがつて、前記各端子には外部の定
電流供給源やホール電圧測定計器とを接続するためのボ
ンディングバット１２が接続され、これら多数のボンデ
ィングバット１２が前記１−ＧａＡｓの基板１０上に形
成されている。
ようにしている。したがつて、前記各端子には外部の定
電流供給源やホール電圧測定計器とを接続するためのボ
ンディングバット１２が接続され、これら多数のボンデ
ィングバット１２が前記１−ＧａＡｓの基板１０上に形
成されている。
説日が ゛しよ と る６
上記のような従来の磁気センサにおいては、１個のホー
ル素子１１がそれぞれ４個の端子を有し、これらそれぞ
れの端子にボンディングバット１２を接続する必要があ
り、このため基板１０上に多数のボンディングバット１
２を配設する必要がある。しかも、ボンディングバット
１２は少なくとも約５０μｍ０以上の面積を必要とし、
またボンディングバット１２の間隔を約５０ＬＬｍ以下
に狭くできないことから、従来の磁気センサは各ホール
素子１１の密度（配設ピッチ）に制限があり、高精度の
磁場分布を検出できないという課題があった。
ル素子１１がそれぞれ４個の端子を有し、これらそれぞ
れの端子にボンディングバット１２を接続する必要があ
り、このため基板１０上に多数のボンディングバット１
２を配設する必要がある。しかも、ボンディングバット
１２は少なくとも約５０μｍ０以上の面積を必要とし、
またボンディングバット１２の間隔を約５０ＬＬｍ以下
に狭くできないことから、従来の磁気センサは各ホール
素子１１の密度（配設ピッチ）に制限があり、高精度の
磁場分布を検出できないという課題があった。
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであって、
高密度に配設されたホール素子を順次時系列的に選択作
動させることによりボンディングバットの数量を少なく
し、ホール素子を高密度に基板上に配設でき、高精度に
磁場分布を検出できながらしかも小形化が図られた磁気
センサを提供することを目的としている。
高密度に配設されたホール素子を順次時系列的に選択作
動させることによりボンディングバットの数量を少なく
し、ホール素子を高密度に基板上に配設でき、高精度に
磁場分布を検出できながらしかも小形化が図られた磁気
センサを提供することを目的としている。
゛ るｔ・めの
上記目的を達成するために本発明に係る磁気センサは、
基板上に２個以上のホール素子が配設された磁気センサ
において、前記側々のホール素子における電流端子のう
ち少なくとも一方にはスイッチが接続されるとともに各
ホール端子はそれぞれコンデンサを介して検出線に接続
されていることを特徴としている。
基板上に２個以上のホール素子が配設された磁気センサ
において、前記側々のホール素子における電流端子のう
ち少なくとも一方にはスイッチが接続されるとともに各
ホール端子はそれぞれコンデンサを介して検出線に接続
されていることを特徴としている。
たとえば、第５図の回路図に基づいてより詳細に説明す
ると、ホール素子１１の電流端子１１、■２間にはスイ
ッチ１５を介して直流電Ｂ１６が介装され、ホール端子
ｖｌ、Ｖ２にはそれぞれコンデンサ１７．１８を介して
検出線１９．２０により外部検出回路２１が接続されて
いる。
ると、ホール素子１１の電流端子１１、■２間にはスイ
ッチ１５を介して直流電Ｂ１６が介装され、ホール端子
ｖｌ、Ｖ２にはそれぞれコンデンサ１７．１８を介して
検出線１９．２０により外部検出回路２１が接続されて
いる。
ここで、ホール素子１１の電流端子Ｉ−，Ｉｉ間に配設
されているスイッチ１５を閉じ、直流電源１６から一定
電流をながすとホール素子１１は作動状態となり、ホー
ル素子１１に印加されている磁界の磁束密度に対応した
電圧変動、いわゆるホール電圧がホール端子Ｖ、 、Ｖ
、間に誘起される。この誘起されたホール端子Ｖ ｌ、
Ｖ ｓ間の電圧変動はホール端子Ｖ、、Ｖ、個々に接
続されているコンデンサ１７．１８によってコンデンサ
に流れる変位電流に変換される。そして、この変換され
た変位電流が検出線１９．２０を通じて外部検出回路２
１に導かれ、ホール素子１１上に印加されている磁場の
強さなどが検出される。
されているスイッチ１５を閉じ、直流電源１６から一定
電流をながすとホール素子１１は作動状態となり、ホー
ル素子１１に印加されている磁界の磁束密度に対応した
電圧変動、いわゆるホール電圧がホール端子Ｖ、 、Ｖ
、間に誘起される。この誘起されたホール端子Ｖ ｌ、
Ｖ ｓ間の電圧変動はホール端子Ｖ、、Ｖ、個々に接
続されているコンデンサ１７．１８によってコンデンサ
に流れる変位電流に変換される。そして、この変換され
た変位電流が検出線１９．２０を通じて外部検出回路２
１に導かれ、ホール素子１１上に印加されている磁場の
強さなどが検出される。
なお、外部検出回路２１では高入力インピーダンスを持
ち、帰還インピーダンスがコンデンサ２２．２３である
オペレーションアンプ２４．２５が用いられ、出力の最
終段階には増幅器２６が用いられている。すなわち、磁
束密度が変化してホール端子Ｖ、、Ｖ、の電圧に、それ
ぞれΔｖ８、Δｖ２の電圧変動が生じると、この時コン
デンサ１７．１８にはΔ工１、Δ工２の変位電流が流れ
る。この場合、電圧変動△Ｖ３、Δｖ２と変位電流ΔＩ
１％Δ■、との間にはコンデンサ１７．１８の容量をＣ
３とすると、 Δ１１＝Ｃ１Δｖ１１Δ１．＝Ｃ，Δ■２の関係がある
。
ち、帰還インピーダンスがコンデンサ２２．２３である
オペレーションアンプ２４．２５が用いられ、出力の最
終段階には増幅器２６が用いられている。すなわち、磁
束密度が変化してホール端子Ｖ、、Ｖ、の電圧に、それ
ぞれΔｖ８、Δｖ２の電圧変動が生じると、この時コン
デンサ１７．１８にはΔ工１、Δ工２の変位電流が流れ
る。この場合、電圧変動△Ｖ３、Δｖ２と変位電流ΔＩ
１％Δ■、との間にはコンデンサ１７．１８の容量をＣ
３とすると、 Δ１１＝Ｃ１Δｖ１１Δ１．＝Ｃ，Δ■２の関係がある
。
この変位電流がオペレーションアンプ２４．２５の出力
側と入力側（−側）とに接続した帰還インピーダンスで
あるコンデンサ２２．２３で積分され、それぞれのオペ
レーションアンプ２４．２５の出力ｖｍ、ｖＡとして、
コンデンサ２２．２３め容量をＣ１とすると、 Ｖｉ ＝−（ＣＩ ／Ｃｍ ）Δ■２、Ｖａ ＝ （
ＣＩ ／Ｃｍ ） ΔＶ＋が生じる。この差ＶＡ−Ｖ、
を取ると検知出力Ｖ ｏｕｔは ｖ、、、＝ （ＣＩ ／Ｃ＊ ）（Δｖ、−ΔＶ＋）＝
（ｃ、／Ｃ＊ ）ΔＶ となり、ホール端子Ｖ＋、Ｖｉ間のホール電圧ΔＶに比
例した出力が検知できる。
側と入力側（−側）とに接続した帰還インピーダンスで
あるコンデンサ２２．２３で積分され、それぞれのオペ
レーションアンプ２４．２５の出力ｖｍ、ｖＡとして、
コンデンサ２２．２３め容量をＣ１とすると、 Ｖｉ ＝−（ＣＩ ／Ｃｍ ）Δ■２、Ｖａ ＝ （
ＣＩ ／Ｃｍ ） ΔＶ＋が生じる。この差ＶＡ−Ｖ、
を取ると検知出力Ｖ ｏｕｔは ｖ、、、＝ （ＣＩ ／Ｃ＊ ）（Δｖ、−ΔＶ＋）＝
（ｃ、／Ｃ＊ ）ΔＶ となり、ホール端子Ｖ＋、Ｖｉ間のホール電圧ΔＶに比
例した出力が検知できる。
庄里
上記手段によれば、基板上に２個以上配設されたホール
素子の電流端子のうち少なくとも一方にはスイッチが接
続されている。したがって、このスイッチを個々に、あ
るいは順次作動させることによって前記例々のホール素
子を選択的にＯＮ状態にすると、個々の動作状態のホー
ル素子のホール端子には、手段のところで詳しく説明し
たようにホール素子に印加されている磁界による磁束密
度に比例したホール電圧が順次発生し、磁束密度が変化
するとこの磁束密度の変化にしたがってホール電圧も変
化する。
素子の電流端子のうち少なくとも一方にはスイッチが接
続されている。したがって、このスイッチを個々に、あ
るいは順次作動させることによって前記例々のホール素
子を選択的にＯＮ状態にすると、個々の動作状態のホー
ル素子のホール端子には、手段のところで詳しく説明し
たようにホール素子に印加されている磁界による磁束密
度に比例したホール電圧が順次発生し、磁束密度が変化
するとこの磁束密度の変化にしたがってホール電圧も変
化する。
このホール端子に発生した電圧変動はコンデンサに流れ
る変位電流に変換され、この変換された変位電流が前記
検出線を流れて外部に配設されているオペレーションア
ンプなどによって検出される。
る変位電流に変換され、この変換された変位電流が前記
検出線を流れて外部に配設されているオペレーションア
ンプなどによって検出される。
したがって、ホール端子にコンデンサを介して接続され
ている検出線を共通化することができ、ボンディングバ
ットの数量を減らすことが可能となる。また、ボンディ
ングバットの減少に対応する分だけホール素子の配設密
度を高めることが可能となり、磁束密度分布の高精度な
検出が可能となる。さらに磁気センサ自体の小形化も可
能となる。
ている検出線を共通化することができ、ボンディングバ
ットの数量を減らすことが可能となる。また、ボンディ
ングバットの減少に対応する分だけホール素子の配設密
度を高めることが可能となり、磁束密度分布の高精度な
検出が可能となる。さらに磁気センサ自体の小形化も可
能となる。
衷施舅
以下、本発明に係る磁気センサの実施例を図面に基づい
て説明する。なお、従来例と機能を同一にする構成部品
には同一の符合を付すこととする。
て説明する。なお、従来例と機能を同一にする構成部品
には同一の符合を付すこととする。
第１図は本発明に係る磁気センサの一実施例を示してお
り、本実施例に係るホール素子１１はＳｉ基板３０上に
ヘテロエピタキシャル成長技術で成長させたｎ−ＧａＡ
ｓ（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”Ｃｍ−’）層３１を、
フォトリソグラフィによって選択的にエツチングするこ
とにより十字形状に構成されている。ｎ−ＧａＡｓ層３
１とＳｉ基板３０との間には第２図に示すように、高抵
抗なｉ −ＧａＡｓ層またはＣａＦ２層などからなる絶
縁層３２で電気的に分離されている。また、第１図に示
すようにＳｉ基板３０上にはＭＯ３形トランジスタから
なるシフトレジスタ３３ｉ３よびスイッチングトランジ
スタ１５が形成され、これらスイッチングトランジスタ
１５はホール素子１１の電流端子工、。と直流電源１６
との間に介装され、前記シフトレジスタ３３の制御信号
によりＯＮまたはＯＦＦ状態となる。電流端子の他の一
方工、。はアース線３５に接続されている。
り、本実施例に係るホール素子１１はＳｉ基板３０上に
ヘテロエピタキシャル成長技術で成長させたｎ−ＧａＡ
ｓ（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”Ｃｍ−’）層３１を、
フォトリソグラフィによって選択的にエツチングするこ
とにより十字形状に構成されている。ｎ−ＧａＡｓ層３
１とＳｉ基板３０との間には第２図に示すように、高抵
抗なｉ −ＧａＡｓ層またはＣａＦ２層などからなる絶
縁層３２で電気的に分離されている。また、第１図に示
すようにＳｉ基板３０上にはＭＯ３形トランジスタから
なるシフトレジスタ３３ｉ３よびスイッチングトランジ
スタ１５が形成され、これらスイッチングトランジスタ
１５はホール素子１１の電流端子工、。と直流電源１６
との間に介装され、前記シフトレジスタ３３の制御信号
によりＯＮまたはＯＦＦ状態となる。電流端子の他の一
方工、。はアース線３５に接続されている。
また、ホール素子１１ｉ３よびその周辺部上には第２図
に示すようにＣＶＤ法によって、厚さ約５００人のＳｉ
Ｏ□膜３６膜形６されており、さらにホール端子Ｖｌ、
Ｖｌ上にはＡｕ／ Ｇｅ／ Ｎｉ合金などの金属材料が
蒸着されて電極３７が形成され、電極３７とホール端子
Ｖｌ、Ｖ２および５ｉ（ｈ膜３６とによりコンデンサ１
７．１８が形成さている。このコンデンサ１７．１８の
電極３７側の一端は第１図に示すように検出線１９、あ
るいは検出線２０にそれぞれ接続されている。そして、
検出線１９．２０は第３図に示すような検知回路に接続
されている。
に示すようにＣＶＤ法によって、厚さ約５００人のＳｉ
Ｏ□膜３６膜形６されており、さらにホール端子Ｖｌ、
Ｖｌ上にはＡｕ／ Ｇｅ／ Ｎｉ合金などの金属材料が
蒸着されて電極３７が形成され、電極３７とホール端子
Ｖｌ、Ｖ２および５ｉ（ｈ膜３６とによりコンデンサ１
７．１８が形成さている。このコンデンサ１７．１８の
電極３７側の一端は第１図に示すように検出線１９、あ
るいは検出線２０にそれぞれ接続されている。そして、
検出線１９．２０は第３図に示すような検知回路に接続
されている。
該検知回路は前述の手段の項で説明した外部検出回路２
１と同一のちのであり、すなわち、帰還インピーダンス
としてコンデンサ２２．２３が用いられたオペレーショ
ンアンプ２４．２５を有し、出力の最終段階には増幅器
２６が用いられている。
１と同一のちのであり、すなわち、帰還インピーダンス
としてコンデンサ２２．２３が用いられたオペレーショ
ンアンプ２４．２５を有し、出力の最終段階には増幅器
２６が用いられている。
次に第４図を用いて本実施例に係る磁気センサの動作を
説明する。
説明する。
Ｓ＋ 、Ｓｓ 、Ｓ−はスイッチングトランジスタ１５
のゲート電圧波形を第１図中皮から順番に、Ｖ １ イ
Ｖ ２２、ＶＩ２、Ｖａｔ、Ｖ１３．ｖｉａはホールｇ
子Ｖ ＋ ｒ、Ｖ ｚ ｒ・・・の電圧波形を第１図中
皮から順番に、またＶＡ、Ｖ、 、Ｖ、、、はオペレー
ションアンプ２４．２５および増幅器２６の出力波形を
それぞれ表わしている。そして、ｔｏ−ｔ＠は最初のス
イッチングトランジスタ１５のゲート電圧をハイレベル
にし、このスイッチングトランジスタ１５がＯＮ状態と
なった時刻をｔｏとし、この七〇を基準とした時刻を表
示している。
のゲート電圧波形を第１図中皮から順番に、Ｖ １ イ
Ｖ ２２、ＶＩ２、Ｖａｔ、Ｖ１３．ｖｉａはホールｇ
子Ｖ ＋ ｒ、Ｖ ｚ ｒ・・・の電圧波形を第１図中
皮から順番に、またＶＡ、Ｖ、 、Ｖ、、、はオペレー
ションアンプ２４．２５および増幅器２６の出力波形を
それぞれ表わしている。そして、ｔｏ−ｔ＠は最初のス
イッチングトランジスタ１５のゲート電圧をハイレベル
にし、このスイッチングトランジスタ１５がＯＮ状態と
なった時刻をｔｏとし、この七〇を基準とした時刻を表
示している。
たとえば、シフトレジスタ３３からの制御信号によって
、最初のスイッチングトランジスタ１５をＯＮ状態とす
る（第４図Ｓ、）、ＯＮ状態となったスイッチングトラ
ンジスタ１５に接続されているホール素子１１に一定の
電流Ｉが流れ、ホール端子■、およびＶａｔにはオフセ
ット電圧に、その時の磁束密度に比例した電圧を加えた
電圧変動が生じる（第４図Ｖ０、■□）、この時（ｔｏ
〜ｔｒ）、他のスイッチングトランジスタ１５はＯＦＦ
状態となっている（第４図Ｓ、、Ｓ、）ため、他のホー
ル端子（Ｖ＋ｉ、Ｖｘｚ、Ｖ＋−、Ｖｉｓ） ニハＴ１
１圧変動は生じない、したがって、検出線１９．２０に
はホール端子ｖ、、！３よびＶ、に生じた変動電圧によ
るコンデンサの変位電流のみが流れる。この変位電流は
検知回路（第３図）のコンデンサ２３．２２で積分され
電圧に変換される。
、最初のスイッチングトランジスタ１５をＯＮ状態とす
る（第４図Ｓ、）、ＯＮ状態となったスイッチングトラ
ンジスタ１５に接続されているホール素子１１に一定の
電流Ｉが流れ、ホール端子■、およびＶａｔにはオフセ
ット電圧に、その時の磁束密度に比例した電圧を加えた
電圧変動が生じる（第４図Ｖ０、■□）、この時（ｔｏ
〜ｔｒ）、他のスイッチングトランジスタ１５はＯＦＦ
状態となっている（第４図Ｓ、、Ｓ、）ため、他のホー
ル端子（Ｖ＋ｉ、Ｖｘｚ、Ｖ＋−、Ｖｉｓ） ニハＴ１
１圧変動は生じない、したがって、検出線１９．２０に
はホール端子ｖ、、！３よびＶ、に生じた変動電圧によ
るコンデンサの変位電流のみが流れる。この変位電流は
検知回路（第３図）のコンデンサ２３．２２で積分され
電圧に変換される。
ホール端子Ｖ０、Ｖ ｘ ｒ 上電極３７（１７）、３
７（１８）との間にそれぞれ構成されるコンデンサ１７
．１８の容量と帰還インピーダンスとしてのコンデンサ
２３．２２の容量とがそれぞれ等しい場合、オペレーシ
ョンアンプ２５．２４の出力電圧変動Ｖ Ａ 、 Ｖ
ｍとホール端子Ｖｌ＋、■、の電圧変動はそれぞれ等し
くなる。したがって、オペレーションアンプ２５とオペ
レーションアンプ２４との出力電圧変動の差（ｖＡ−Ｖ
Ｂ ）を利得１倍の差動増幅器２６で求めればその特待
た値がホール端子Ｖｌｌ、Ｖ ２１間の電圧の差すなわ
ちホール効果によって生じる磁束密度に比例したホール
電圧である。
７（１８）との間にそれぞれ構成されるコンデンサ１７
．１８の容量と帰還インピーダンスとしてのコンデンサ
２３．２２の容量とがそれぞれ等しい場合、オペレーシ
ョンアンプ２５．２４の出力電圧変動Ｖ Ａ 、 Ｖ
ｍとホール端子Ｖｌ＋、■、の電圧変動はそれぞれ等し
くなる。したがって、オペレーションアンプ２５とオペ
レーションアンプ２４との出力電圧変動の差（ｖＡ−Ｖ
Ｂ ）を利得１倍の差動増幅器２６で求めればその特待
た値がホール端子Ｖｌｌ、Ｖ ２１間の電圧の差すなわ
ちホール効果によって生じる磁束密度に比例したホール
電圧である。
スイッチングトランジスタ１５をＯＦＦ状態にすると、
スイッチングトランジスタ１５をＯＮ状態にする以前の
状態となり、逆の電圧変動がホール端子Ｖ目、Ｖａｔに
生じることにより、検出電圧がＯＮ状態にする以前の電
圧に戻る。
スイッチングトランジスタ１５をＯＮ状態にする以前の
状態となり、逆の電圧変動がホール端子Ｖ目、Ｖａｔに
生じることにより、検出電圧がＯＮ状態にする以前の電
圧に戻る。
同様にして１次のホール素子１１を順次ＯＮ状態にする
ことでホール素子１１個々での磁束密度を検出すること
ができる。
ことでホール素子１１個々での磁束密度を検出すること
ができる。
及亘曵苅遇
以上詳述したように、本発明に係る磁気センサは同一基
板上に２個以上のホール素子が配設された磁気センサに
おいて、前記側々のホール素子における電流端子のうち
少なくとも一方にはスイッチが接続され、ホール端子に
はそれぞれコンデンサを介して検出線が接続されている
ので、ホール素子の配設密度を制限していた外部との接
続用ボンディングバット数が少なくなり、ホール素子の
高密度な配設が可能となり、磁束密度分布の高精度な検
出を行なうことができる。したがって、ブラシレスのＤ
Ｄモータ制御あるいは精密機器の回転部などの角度検出
を高精度に制御あるいは検出することができる６また、
ボンディングパット数が少なくなることによって磁気セ
ンサ自体を小形化することができ、制御あるいは検出機
器の小型化・軽量化にも有効である。
板上に２個以上のホール素子が配設された磁気センサに
おいて、前記側々のホール素子における電流端子のうち
少なくとも一方にはスイッチが接続され、ホール端子に
はそれぞれコンデンサを介して検出線が接続されている
ので、ホール素子の配設密度を制限していた外部との接
続用ボンディングバット数が少なくなり、ホール素子の
高密度な配設が可能となり、磁束密度分布の高精度な検
出を行なうことができる。したがって、ブラシレスのＤ
Ｄモータ制御あるいは精密機器の回転部などの角度検出
を高精度に制御あるいは検出することができる６また、
ボンディングパット数が少なくなることによって磁気セ
ンサ自体を小形化することができ、制御あるいは検出機
器の小型化・軽量化にも有効である。
第１図は本発明に係る磁気センサの一実施例を示す平面
図、第２図はホール素子部の断面図、第３図は外部検出
回路図、第４図は磁気センサの動作を説明するための各
端子における電圧波形のタイムチャート図、第５図は本
発明に係る手段を説明するための回路図、第６図は従来
の磁気センサを示す平面図である。 １１・・・ホール素子、１５・・・スイッチングトラン
ジスタ（スイッチ）、１７．１８・・・コンデンサ１９
．２０・・・検出線、３０・”Ｓｉ基板（基板）Ｉｔ、
Ｉｚ・・・電流端子、 Ｖ＋、Ｖ＊・・・ホール端子
図、第２図はホール素子部の断面図、第３図は外部検出
回路図、第４図は磁気センサの動作を説明するための各
端子における電圧波形のタイムチャート図、第５図は本
発明に係る手段を説明するための回路図、第６図は従来
の磁気センサを示す平面図である。 １１・・・ホール素子、１５・・・スイッチングトラン
ジスタ（スイッチ）、１７．１８・・・コンデンサ１９
．２０・・・検出線、３０・”Ｓｉ基板（基板）Ｉｔ、
Ｉｚ・・・電流端子、 Ｖ＋、Ｖ＊・・・ホール端子
Claims (1)
- （１）基板上に２個以上のホール素子が配設された磁気
センサにおいて、前記個々のホール素子における電流端
子のうち少なくとも一方にはスイッチが接続されるとと
もにホール端子はそれぞれコンデンサを介して検出線に
接続されていることを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221030A JPH0384484A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221030A JPH0384484A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384484A true JPH0384484A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16760387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1221030A Pending JPH0384484A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248389A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | オフセットキャンセル方法及びその回路並びに磁気センサ |
| JP2013132152A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | New Japan Radio Co Ltd | Ｄｃブラシレスモータ駆動回路 |
| JP2013535661A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-09-12 | レム・インテレクチュアル・プロパティ・エスエイ | ホールセンサーシステム |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1221030A patent/JPH0384484A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248389A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | オフセットキャンセル方法及びその回路並びに磁気センサ |
| JP2013535661A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-09-12 | レム・インテレクチュアル・プロパティ・エスエイ | ホールセンサーシステム |
| US9453892B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-09-27 | Lem Intellectual Property Sa | Hall sensor system |
| JP2013132152A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | New Japan Radio Co Ltd | Ｄｃブラシレスモータ駆動回路 |
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