JPH0384502A - グリッド偏光子 - Google Patents
グリッド偏光子Info
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- JPH0384502A JPH0384502A JP22233789A JP22233789A JPH0384502A JP H0384502 A JPH0384502 A JP H0384502A JP 22233789 A JP22233789 A JP 22233789A JP 22233789 A JP22233789 A JP 22233789A JP H0384502 A JPH0384502 A JP H0384502A
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- grid polarizer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は赤外域で有効な偏光素子であるグリッド偏光子
に関する。
に関する。
Ｂ 従来技術とその問題点
グリッド偏光子は第３図に示すように導体細線七対象党
の波長以下のピッチｄでグリグド状に平行に配列させた
もので、導体グリッドと平行な方向に振動して−７）光
の電界成分はこのグリッド偏光子Ｇで反射され、導体グ
リアトと垂直な方向に振動している光の電界成分はグリ
７ド偏光子を透過する性質を有する。グリブト偏光子Ｇ
は導体グリッドのピッチｄと幅ａがその偏光特性に影響
するピッチ間隔ｄが小さい程偏光特性が良くなシ、ａ／
ｄは０．５〜０．７が良いとされている。従って使用波
長が短かくなＡげなる程、導体グリッドＧのピッチｄｙ
ｚ小さくしなければならないが、小さくすれば、導体グ
リッド単独で導体間の隙間を中空状態に維持することが
難しくなるので透明基板上に導体グリブト金形成してい
るウ グリッド偏光子は可視域と異なシ適当な偏光材料のない
赤外域では有効な偏光素子であるが可視域の偏光プリズ
ム等に比べると偏光度や消光比等偏光特性が劣るという
欠点があシ、純度の高い偏光光を必要とする測定等の分
野ではよシー層の偏光特性の改善が望まれている。また
。
の波長以下のピッチｄでグリグド状に平行に配列させた
もので、導体グリッドと平行な方向に振動して−７）光
の電界成分はこのグリッド偏光子Ｇで反射され、導体グ
リアトと垂直な方向に振動している光の電界成分はグリ
７ド偏光子を透過する性質を有する。グリブト偏光子Ｇ
は導体グリッドのピッチｄと幅ａがその偏光特性に影響
するピッチ間隔ｄが小さい程偏光特性が良くなシ、ａ／
ｄは０．５〜０．７が良いとされている。従って使用波
長が短かくなＡげなる程、導体グリッドＧのピッチｄｙ
ｚ小さくしなければならないが、小さくすれば、導体グ
リッド単独で導体間の隙間を中空状態に維持することが
難しくなるので透明基板上に導体グリブト金形成してい
るウ グリッド偏光子は可視域と異なシ適当な偏光材料のない
赤外域では有効な偏光素子であるが可視域の偏光プリズ
ム等に比べると偏光度や消光比等偏光特性が劣るという
欠点があシ、純度の高い偏光光を必要とする測定等の分
野ではよシー層の偏光特性の改善が望まれている。また
。
可視域の長波長域から赤外域筐で金１枚でカバーできる
グリッド偏光子が望まれていた。
グリッド偏光子が望まれていた。
の長波長側１でカバーするためには、ピッチ０゜１μｍ
８度のグリッド偏光子が必要であシ、現在の製作技術で
は非常に困難であった。
８度のグリッド偏光子が必要であシ、現在の製作技術で
は非常に困難であった。
本発明は、１枚のグリッド偏光子で広い波長範囲上カバ
ーし、入射角に対する偏光特性の劣下が少ないという特
徴を有した壕ま、飛躍的に偏光特性の優れたグリ１ド偏
党子乞提供することを目的とする。
ーし、入射角に対する偏光特性の劣下が少ないという特
徴を有した壕ま、飛躍的に偏光特性の優れたグリ１ド偏
党子乞提供することを目的とする。
Ｃ発明の構成
本発明のグリブト偏光子は、測定光に対して高透Ａ率の
基板の両面に、導体の高密度の平行線パターンに形成し
、かつ基板の両面のグリッドの配列方向が平行になるよ
う形成したものである。
基板の両面に、導体の高密度の平行線パターンに形成し
、かつ基板の両面のグリッドの配列方向が平行になるよ
う形成したものである。
中空のグリッド偏光子のグリ１ド方向に垂直な偏光（Ｓ
偏ｉ）の熾過率金Ｔｌ、平行な偏光（Ｐ偏光）の透過率
’ｋＴｚとする。基板の片面にのみグリッドを形成した
従来のグリッド偏光子では基板透過率をＴとすれば、Ｓ
＠九透過率＃ｉＴ ＨＴ。
偏ｉ）の熾過率金Ｔｌ、平行な偏光（Ｐ偏光）の透過率
’ｋＴｚとする。基板の片面にのみグリッドを形成した
従来のグリッド偏光子では基板透過率をＴとすれば、Ｓ
＠九透過率＃ｉＴ ＨＴ。
Ｐ偏光透過率はＴ２Ｔとなシ。
今１本発明によシ基板両面にグリッドの配列方向が基板
両型で平行になるようグリクド全形戎したグリッド偏光
子の場合、Ｓ偏光透過率はＴ、 ＸＴＸＴ、 ４＝ Ｔ
？ Ｔ、 、同様にＰ偏光透過率ハＴ未Ｔとなう。
両型で平行になるようグリクド全形戎したグリッド偏光
子の場合、Ｓ偏光透過率はＴ、 ＸＴＸＴ、 ４＝ Ｔ
？ Ｔ、 、同様にＰ偏光透過率ハＴ未Ｔとなう。
ここで従来の片面グリッド偏光子の代表的な′ｉｉ値で
あル基板透過率Ｔ ＝ ０．７ 、 Ｔ＋ ＝０．９８
。
あル基板透過率Ｔ ＝ ０．７ 、 Ｔ＋ ＝０．９８
。
’ｒ２＝ ０．０２で両君の偏光度を比べると、従来品
ではＳ偏光透過率は０．６９ （６９％）、Ｐ偏光透過
率は０．０１４ （１，４％）、偏′ｙ、度は０．９６
（９６％）となる。他方１本発明のグリッド偏光子の場
合。
ではＳ偏光透過率は０．６９ （６９％）、Ｐ偏光透過
率は０．０１４ （１，４％）、偏′ｙ、度は０．９６
（９６％）となる。他方１本発明のグリッド偏光子の場
合。
Ｓ偏５１ｅ透過率Ｈ０，６７（６７４） 、 Ｐ偏ｆｔ
、透過率ハ２．８ Ｘ １０−’ （０，０２８隼）、
偏光度は０．９９９ （９９，９％）となシ、従来品に
比べてＳ偏光透過率の減少はほとんどなく、それに比し
てＰ偏光透過率が著しく低減でき、偏光度もほとんどｌ
となシ著しく性能が向上した。
、透過率ハ２．８ Ｘ １０−’ （０，０２８隼）、
偏光度は０．９９９ （９９，９％）となシ、従来品に
比べてＳ偏光透過率の減少はほとんどなく、それに比し
てＰ偏光透過率が著しく低減でき、偏光度もほとんどｌ
となシ著しく性能が向上した。
Ｄ実施例
第１図は本発明の一実施例の構成を示す。両面研磨した
ＫＨ２−５基板１（厚さ２ ｍ 、外径３０ｎφ）の両
面にＡｕのグリッドパターン３がそのパターンの配列方
向が基板の両面で平行になるように配列して形成した。
ＫＨ２−５基板１（厚さ２ ｍ 、外径３０ｎφ）の両
面にＡｕのグリッドパターン３がそのパターンの配列方
向が基板の両面で平行になるように配列して形成した。
基板とＡｕグリッドパターンの付着力を強めるため、
ＫＨ２−５基板１とＡｕグリッドパターン３の間に厚さ
２０′にのＮｉ−Ｃｒパターン２を形成している。 Ｋ
Ｈ２−５基板１は赤外域全体で透過率がよく、かつ可夜
域にかいても透過率がよ＜０．６μｍ〜６０μ冨あたシ
の領域で透明であシ、その透過率は７０９６程度である
。グリッドパターン３のピッチは０．４μ鳳とした。従
来はピッチ０，４μｍでは使用波長範囲は２μ鳳よシ長
い方であったが。
ＫＨ２−５基板１とＡｕグリッドパターン３の間に厚さ
２０′にのＮｉ−Ｃｒパターン２を形成している。 Ｋ
Ｈ２−５基板１は赤外域全体で透過率がよく、かつ可夜
域にかいても透過率がよ＜０．６μｍ〜６０μ冨あたシ
の領域で透明であシ、その透過率は７０９６程度である
。グリッドパターン３のピッチは０．４μ鳳とした。従
来はピッチ０，４μｍでは使用波長範囲は２μ鳳よシ長
い方であったが。
本発明によう０．６μｍよシ長い波長範囲でも使用でき
るようになった。
るようになった。
第２図に本発明の実施例の製作工程を示す。
四 ＫＨ２−５基板１の片面にＮ１−ＣＲ層２に厚さ２
０ Ａで、ＡＵ層３を厚さ１０００ Ａで順に真空蒸着
しさらにフォトレジスト４として０ＦＰＲ５０００Ｍ２
Ｏ３人にスビンコー）Ｌ、９０℃で３０分間フレツシエ
エアオーブンでプリベークｔ−行った。
０ Ａで、ＡＵ層３を厚さ１０００ Ａで順に真空蒸着
しさらにフォトレジスト４として０ＦＰＲ５０００Ｍ２
Ｏ３人にスビンコー）Ｌ、９０℃で３０分間フレツシエ
エアオーブンでプリベークｔ−行った。
（Ｂ） 上記−で形成したフォトレジスト４上にホロ
グラフイクジ露光法により２九束干渉縞乞焼き付けた１
党源にばＨｅ −Ｃｄレーザー（λ＝４４１６Ａ）ｉ用
い、スベイシャルフイμターと４１１外放吻面睨により
平行光束に作シ、ピクチ間隔は０．４ Ｐｌｎｌ＜２５
００Ｘ／Ｍｌ） 、！： Ｌ７’ｃ。次Ｋｉｆｉ’ｋｆ
ｌ’ｋ。
グラフイクジ露光法により２九束干渉縞乞焼き付けた１
党源にばＨｅ −Ｃｄレーザー（λ＝４４１６Ａ）ｉ用
い、スベイシャルフイμターと４１１外放吻面睨により
平行光束に作シ、ピクチ間隔は０．４ Ｐｌｎｌ＜２５
００Ｘ／Ｍｌ） 、！： Ｌ７’ｃ。次Ｋｉｆｉ’ｋｆ
ｌ’ｋ。
フォトレジスト４の断面形状が正弦半波状、即チａ ／
ｄが０．５となるようにした。この断面形状の調ｇは
、露光時間と現像時間の調整によって行うことができる
。
ｄが０．５となるようにした。この断面形状の調ｇは
、露光時間と現像時間の調整によって行うことができる
。
（Ｃ）次に、上記フォトレジストパターン４をマスクと
してＡｒイオンビームエ７チング金行い。
してＡｒイオンビームエ７チング金行い。
Ｎ１−ＣｒＪ曽２．ＡＵ層３のグリフドパターンに形ｒ
況した。
況した。
上記人ｒイオンビームエグチングは加速電圧５００ｅｖ
、ガス圧１．６ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ ｏ条件下テ
行ッた。
、ガス圧１．６ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ ｏ条件下テ
行ッた。
（鵡 次に・エツチングガスクとして用いたフォトレジ
スト４會バレμタイププラズマエツチング装置を用いて
０２プラズマで灰化除去した。
スト４會バレμタイププラズマエツチング装置を用いて
０２プラズマで灰化除去した。
この後再びグリフドパターンが形成されていない裏面に
、上記（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）（ロ）の同じ行程＠（ト
）（ｑ（ロ）を行い、グリッド偏光子を完成させた。上
記実施例では片面にグリフドを形成して次にもう片面に
グリ７ド金形成させたが、各工程を両面同時に行うこと
もできる。
、上記（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）（ロ）の同じ行程＠（ト
）（ｑ（ロ）を行い、グリッド偏光子を完成させた。上
記実施例では片面にグリフドを形成して次にもう片面に
グリ７ド金形成させたが、各工程を両面同時に行うこと
もできる。
上記実施例では、導体グリフド３にＡｕ ｆ用い導体付
着膜２は不要である。また、導体グリフド５にλ１１に
用いた場合はエツチングガスとして四塩化炭酸ガス（Ｃ
Ｃ１４）を用する。
着膜２は不要である。また、導体グリフド５にλ１１に
用いた場合はエツチングガスとして四塩化炭酸ガス（Ｃ
Ｃ１４）を用する。
また、上記実施例でばＫＨ２−５基板を用いているがこ
れに限定されるものではなく、所望の波長範囲で透明な
基板音用いればよいことはいうまでもない。さらに、透
明率が悪い基板の場合吸収が少ないものに関しては両面
に反射防止膜上形成した基板を使用すればよい。これに
よう狭い波長範囲にかいては透明率をほぼ１００形にす
ることができ、さらに偏光性能の向上が期待できる。
れに限定されるものではなく、所望の波長範囲で透明な
基板音用いればよいことはいうまでもない。さらに、透
明率が悪い基板の場合吸収が少ないものに関しては両面
に反射防止膜上形成した基板を使用すればよい。これに
よう狭い波長範囲にかいては透明率をほぼ１００形にす
ることができ、さらに偏光性能の向上が期待できる。
、Ｅ 発明の効果
本発明のグリッド偏光子は、基板の両面に配列方向が等
しくなるように高密度で平行な導体パターン會形成した
構成であるので、グリッド偏光子の性能が飛躍的に同上
し、可視域の長波長＃Ｊ″＆で使用できるようになった
。
しくなるように高密度で平行な導体パターン會形成した
構成であるので、グリッド偏光子の性能が飛躍的に同上
し、可視域の長波長＃Ｊ″＆で使用できるようになった
。
第１図ｄ本発明の一実施例の構成図、第２図は本発明の
一実施例の製作工程図、第３図はグリッド偏光子の原理
園である。
一実施例の製作工程図、第３図はグリッド偏光子の原理
園である。
Claims (1)
- （１）赤外域あるいは可視域の長波長域のうち所望の波
長域で高透過率の、あるいは広い波長域にわたって透過
域をもつ基板の両面に金属導体の高密度の平行線パター
ンを、その配列方向が基板の両面で平行になるようにし
て形成したことを特徴とするグリッド偏光子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222337A JP2659024B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | グリッド偏光子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222337A JP2659024B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | グリッド偏光子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384502A true JPH0384502A (ja) | 1991-04-10 |
| JP2659024B2 JP2659024B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16780766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222337A Expired - Fee Related JP2659024B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | グリッド偏光子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659024B2 (ja) |
Cited By (15)
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| JPS61155801U (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-27 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP1222337A patent/JP2659024B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |