JPH0384897A - 放電灯点灯装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波出力の帰還信号をスイッチング信号
とする少なくとも１個のスイッチング素子を含んでｔｉ
威される高周波変換回路を有する放電灯点灯装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第６図に直列型インバータを高周波変換Ｍとして有する
放電灯点灯装置の従来例を示す。第６図において、Ｅｌ
は直流電源、Ｑ、、Ｃ２はそれぞれバイポーラトランジ
スタからなるスイッチング素子、Ｄ、、Ｄ２はそれぞれ
スイッチング素子Ｑ、、Ｑ２に逆並列接続したダイオー
ドである。

Ｃ１は直流カット用のコンデンサ、ｌはフィラメントｒ
、、ｒ２を有する放電ランプ、Ｌｌは限流要素であるイ
ンダクタである。Ｃ２は放電ランプｅの両フィラメント
ｆＩ、ｆ２の非電源側端子間に接続したコンデンサで、
インダクタＬ１および放電ランプｌと合わせて共振回路
を構成する。

Ｒ，、Ｒ２は、スイッチング素子Ｑ２の両端電圧を検出
する検出回路を構成する抵抗で、スイッチング素子Ｑ２
の両端電圧を分圧する。ＣＲ，は抵抗Ｒ，，Ｒ２の接続
点の電圧の立ち下がりと同期してスイッチング素子Ｑ２
のスイッチング制御を行う制御回路で、上記抵抗Ｒ，，
Ｒ２の接続点の電圧を基準電圧と比較することによりス
イッチング素子Ｑ２を一定時間オンにする信号を出力す
る。

ＴＲは一次巻線を放電ランプｌへの給電路中に介挿した
信号帰還用のトランスで、二次巻線を抵抗Ｒ３，Ｒ４を
介してスイッチング素子Ｑ１であるバイポーラトランジ
スタのベース・エミッタ間に接続している。

以上のような回路構成の放電灯点灯装置は、制御回路Ｃ
Ｒ，からスイッチング素子Ｑ２であるバイポーラトラン
ジスタのベースに与えられるスイッチング信号とトラン
スＴＲからスイッチング素子Ｑ１であるバイポーラトラ
ンジスタのベースに与えれるスイッチング信号（帰還信
号）とにより、高周波変換回路ＩＶ、を構成する両スイ
ンチング素子Ｑ、、Ｑ２が交互にオンオフ動作し、高周
波変換回路ＴＶ、からインダクタＬＩ、放電ランプＥお
よびコンデンサＣ２からなる負荷回路に高周波電力が供
給され、この高周波電力でもって放電ランプｌが予熱さ
れ、さらに点灯する。

このような回路構成は、上記の負荷回路の固有振動周波
数（共振周波数〉よりもスイッチング周波数が高い場合
に有効となる。

上記のＦＲ戒の場合、スイッチング素子Ｑ、がオフとな
った後、インダクタＬ１に蓄えられたエネルギがインダ
クタＬ１→放電ランプｌのフィラメント「、→コンデン
サＣ２→放電ランプｌのフィラメントｆ２−コンデンサ
Ｃ６−直流型ｍＥ、−ダイオードＤ２→トランスＴ→イ
ンダクタＬ１の経路で振動電流として流れるために、ス
イッチング素子Ｑ２の両端の電圧が下がり、それからス
イッチング素子Ｑ２にオン信号を与えても問題はない。

上記のスイッチング素子Ｑ２のオン幅を変化させると、
高周波変換回路ＩｖＩの出力を制御することができる。

この場合、スイッチング素子Ｑ２のオン期間がスイッチ
ング素子Ｑ、のオン期間より小さくなるにつれて高周波
変換回路ＩＶ、の出力は小さくなる。放電ランプｌの予
熱状態もスイッチング素子Ｑ２のオン期間の幅を狭くす
ることによって制御することができる。

第７図に第６図の各部の波形図を示す。第７図において
１、（ａｔはスイッチング素子Ｑ２を構成するバイポー
ラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧ｖＣＥを、
ｆｂｌはスイッチング素子Ｑ２を通る電流Ｉ。２および
ダイオードＤ２を通る電流１０２の合成電流を、（Ｃ１
はスイッチング素子Ｑ１を通るＴＨ，流ＩＱ＋およびダ
イオードＤ、を通る電流Ｉ。１の合成電流をそれぞれ示
している。

以上に述べたように、スイッチング素子Ｑ２のオン期間
の幅を制御することにより、放電ランプｅの両端の電圧
、すなわちコンデンサＣ２の両端電圧を下げて、点灯時
とは異なる予熱に最適な値の予熱電流を放電ランプｅの
フィラメン）ｆ、。

ｒ２に流すことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のような構成では、スイッチング素
子のスイッチング素子Ｑ２のオン期間の幅を点灯時と予
熱時とで単に異ならせるのみであったので、つぎのよう
な問題が生しる。すなわち、ｉｔ電源投入直後予熱開始
時は、放電ランプｅのフィラメントｒ、、ｒ２の抵抗値
は零に近い値で、予熱電流が安定した状Ｂ（定常予熱時
）の抵抗値の２０Ω程度比べてかなり小さいので、予熱
開始時には、定常予熱時に比べて回路上大きな振動電流
が流れる（高周波変換回路ｒｖ、の出力が定常予熱時に
比べて大きい）ことになる。

なお、電源投入直後の予熱開始時は、負荷回路（Ｌ、、
Ｌ　　Ｃ２）のイノビーダンスがＺ＝３（ωＬ、−１／
ωＣ２） となる。これは、フィラメントｒ１．ｒ２の直列合成抵
抗をＲｆとしたときに、予熱時に上記の負荷回路のイン
ピーダンスＺが Ｚ＝Ｒｆ　＋ｊ　　（ωＬ、−１／ωＣ２）で表される
ことから明らかである。

上記のような大きな振動電流によって、スイッチング素
子Ｑ１を駆動する帰還用のトランスＴＲの二次巻線の起
電力も大きくなり、その分スイソチング素子Ｑ１がオン
となっている時間が長くなり、発振周波数が低くなって
しまう０発振周波数が低くなるということは、この回路
の場合、発振周波数が負荷回路の固有振動周波数、すな
わちインダクタＬ１．放電ランプｌおよびコンデンサＣ
２による共振周波数に近づくことになり、放電ランプＡ
の両端電圧、すなわちコンデンサＣ２の両端電圧が上昇
することになる。この電圧上昇の結果、現象として、電
源投入直後の予熱開始時に放電ランプｌが一瞬閃光する
という問題が生しる。

ここで、フィラメントｒ、、ｒ２の抵抗が小さいと、コ
ンデンサＣ２の両端電圧が上昇することを実証するため
に、つぎのような実験を行った。

第６図における前記放電ランプｌ、インダクタＬ１およ
びコンデンサＣ２からなる負荷回路を、第８図に示すよ
うな抵抗Ｒｆ、コンデンサＣ２およびインダクタＬ２の
直列回路に置き換えてなる放電灯点灯装置において、電
源投入して動作させ、コンデンサＣ２の両端電圧および
発振周波数を測定した。この際、直流電源Ｅ、の電圧が
２８０Ｖ、インダクタＬ、のインダクタンスが１．０５
ｍＨ。

コンデンサＣ，，Ｃ２の容量がそれぞれ０，４７μＦ、
０．０１μＦの条件で、抵抗Ｒｆｌ）＜ｌΩの場合と２
０Ωの場合とで、それぞれ測定した。

この結果、抵抗ＲｆがｌΩの場合は、コンデンサＣ２の
両端電圧（ビーク−ビーク〉が５３２■で、発振周波数
が７０．９２ＫＩ−１ｚであったのに対し、抵抗Ｒｆが
２０Ωの場合は、コンデンサＣ２の両端電圧が３５２　
Ｖテ、発振周波数カフ　４．３５　Ｋ１１ｚであった。

以上の実験結果から、抵抗Ｒｆの抵抗値が小さい場合に
、発振周波数が低くなり、かつコンデンサＣ２の両端電
圧が上がることが明らかである。

この発明の目的は、電源投入直後の予熱開始時の放電ラ
ンプの一瞬の閃光の発生を防Ｉヒすることができる放電
灯点灯装置を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明の放電灯点灯装置は、高周波出力の帰還信号を
スイッチング信号とする少なくとも１個のスイッチング
素子を含んで構成される高周波変換回路で直流電圧を高
周波電圧に変換し、高周波変換回路から放電ランプに高
周波電力を供給してて放電ランプを点灯させるようにな
っている。

そして、高周波変換回路から放電ランプへの給電路にイ
ンダクタを介挿し、放電ランプの両フィラメントの非電
源側端子間にインダクタおよび放電ランプと合わせて共
振回路を構成するコンデンサを接続している。また、放
電ランプのフィラメントの状態変化を検出しその検出結
果に基づいて高周波変換回路の出力を制御する制御回路
を設けている。

〔作　　　用〕

この発明の構成によれば、高周波変換回路は、高周波出
力の帰還信号をスイッチング信号とする少なくとも１個
のスイッチング素子を含んで構成されるので、高周波変
換回路の出力が変化すれば、スイッチング素子のスイッ
チング周波数が変化する。

一方、電源投入後の放電ランプのフィラメントの予熱時
において、フィラメントの状Ｂ（抵抗）は時間の経過と
もに変化し、それに伴って高周波変換回路の出力が変化
し、スイッチング素子のスイッチング周波数も変化しよ
うとする。このスイッチング素子のスイッチング周波数
は、予熱電流が安定した状態において、フィラメンｌに
適正な予熱電流が流れるように共振回路の共振周波数と
の兼ね合いで設定しであるので、予熱開始時においては
適正な状態にはなっておらず、スイッチング素子のスイ
ッチング周波数が共振回路の共振周波数に近づくことが
ある。この場合に、放電ランプの両フィラメントの非電
源側端子間に接続したコンデンサの両端電圧が過大にな
ろうとする。しかしながら、制御回路がフィラメントの
状態変化を検出しその検出結果に基づいて高周波変換回
路の出力を制御するので、例えば電源投入直後において
フィラメントの抵抗値が小さくて予熱電流が多く流れる
ようなときでも、高周波変換回路の出力の変化を抑える
ことができる。この結果、スイッチング素子のスイッチ
ング周波数が共振回路の共振周波数に近づくのを防止す
ることができる。

したがって、電源投入後の予熱開始時に放電ランプが一
瞬閃光するのを防止することができる。

〔実　施　例〕

この発明の第１の実施例を第１図ないし第３図に基づい
て説明する。この放電灯点灯装置は、第１図に示すよう
に、高周波出力の帰還信号をスイッチング信号とするス
イッチング素子Ｑ１を含んで構成される高周波変換回路
ＩＶ、で直流電圧を高周波電圧に変換し、高周波変換回
路ＩＶ、から放電ランプｌに高周波電力を供給してて放
電ランプｌを点丈丁させるようになっている。

そして、高周波変換回路ｒｖ、から放電ランプｌへの給
電路にインダクタＬ１を介挿し、放電ランプｌの両フィ
ラメントｆ、、ｆ２の非電源側端子間にインダクタＬ、
および放電ランプｅと合わせて共振回路を構成するコン
デンサＣ２を接続している０以上の構成は従来例ど同様
である。

また、放電ランプｌのフィラメントｒ、、ｒ２の状態変
化、すなわち抵抗変化を検出し、その検出結果に基づい
て高周波変換回路ＩＶ、の出力を制御する制御回路ＣＲ
２を設けてあり、この構成が従来例にはない構成である
。

この放電灯点灯装置では、高周波変換回路ＩＶ。

は、高周波出力の帰還信号をスイッチング信号とするス
イッチング素子Ｑ１を含んで構成されるので、高周波変
換回路ＩＶ、の出力が変化すれば、スイッチング素子Ｑ
、、Ｑ２のスイッチング周波数が変化する。

一方、電源投入後の放電ランプｌのフィラメン）ｆ、、
ｆ２の予熱時において、フィラメントｒ、、ｒ２の状態
（抵抗）は時間の経過ともに変化し、それに伴って高周
波変換回路ＩＶ、の出力が変化し、スイッチング素子Ｑ
、、Ｑ２のスイッチング周波数も変化しようとする。こ
のスイッチング素子Ｑ、、Ｑ２のスイッチング周波数は
、予熱電流が安定した状態において、フィラメントｒ、
、ｒ２に適正な予熱電流が流れるように共振回路の共振
周辣数との兼ね合いで設定しであるので、予熱開始時に
おいては適正な状態にはなっておらず、スイッチング素
子Ｑ、、Ｑ２のスイッチング周波数が共振回路の共振周
波数に近づくことがある。この場合に、放電ランプ２０
両フィラメンｌ−ｆ、、ｆ、の非電源側端子間に接続し
たコンデンサＣ２の両端電圧が過大になろうとする。し
かしながら、制御回路ＣＲ２がフィラメントｒ、。

ｆ２の状態変化を検出しその検出結果に基づいて高周波
変換回路ＴＶ、の出力を制御するので、例えば電源投入
直後においてフィラメントｆ１．ｆ２の抵抗値が小さく
て予熱を流が多く流れるようなときでも、高周波変換回
路ＴＶ、の出力の変化を抑えることができる。この結果
、スイッチング素子Ｑ、、Ｑ２のスイッチング周波数が
共振回路の共振周波数に近づくのを防止することができ
る。

したがって、電源投入後の予熱開始時に放電ランプｌが
一瞬閃光するのを防止することができる。

以下、従来例とは異なる構成の制御回路ＣＲ２について
具体的に説明する。

＄１１２２ｊ回路ＣＲ２では、予熱時において、例えば
放電ランプｌのフィラメントｆ２の抵抗値変化を、フィ
ラメントｆ２の両端電圧の変化としてグイオードＤ３お
よびコンデンサＣ３よりなる検出回路で検出し、得られ
た検出電圧を比較増幅部ＣＭ１で比較場幅処理してタイ
マ回路ＴＭ、に加えることにより、タイマ回路ＴＭ、の
出力パルス幅を変化させるようにしている。このタイマ
回路ＴＭ。

は抵抗Ｒ，，Ｒ２よりなる検出回路の電圧によってトリ
ガされて、前記比較増幅部ＣＭ、の出力信号に応じたパ
ルス幅のパルスをスイッチング素子Ｑ２に対するスイッ
チング信号（オン信号）として出力することになる。

この場合、電源投入直後の予熱開始時は、フィラメント
ｆ２の抵抗値が小さく、コンデンサＣ３の両端に現れる
電圧が小さいので、タイマ回８ＴＭ１の出力１ｇ号のパ
ルス幅が小さく、スイッチング素子Ｑ２のオン期間が短
くなり、高周波変換回路ＩＶ、の出力を制限するように
作用する。

一方、定常予熱時には、フィラメントｆ２の抵抗値が大
きくなり、コンデンサＣ３の両＃ｊｔ圧が上昇するので
、タイマ回路ＴＭ、の出力信号のパルス幅が広くなり、
スイッチング素子Ｑ２のオン期間が長くなり、フィラメ
ントｆ、、ｆ２の抵抗値が増大した定常予熱状態におい
て、最適な予熱電流をフィラメントｆ、、ｆ２に流すこ
とができるようになる。

なお、予熱開始時から定常予熱状態へ移行する際に、ス
イッチング素子Ｑ２のオン期間は徐々に長くなって定常
予熱状態に達する。

第２図ｆａｔは予熱開始時のスイッチング素子Ｑ２のス
イッチング信号を示し、第２図（′ｂ）は定常予熱時の
スイッチング素子Ｑ２のスイッチング信号を示す、第２
図（Ｃ）は、上記スイッチング素子Ｑ２のスイッチング
信号におけるハイレベル期間ｔ、とローレベル期間Ｌ２
の比（１２／１．）の時間変化を示している。

第２図ｆａ）の状雇の場合番よ、第２図ｆｂ）の状態に
比べてスイッチング周波数が高くなっている。これによ
って、予熱開始時にスイッチング素子Ｑ１゜Ｑ２のスイ
ッチング周波数が共振回１１（Ｌｌ、Ｚ。

Ｃ２）の共振周波数に近づいてコンデンサＣ２の両端電
圧が過大になるのを防止し、予熱開始時における放電ラ
ンプｌの一瞬の閃光の発生を防止しているのである。

なお、第２図Ｆｂ）の状態で、スイッチング素子Ｑ、、
Ｑ２のスイッチング周波数がフィラメントｆ、、ｆ２の
予熱に最適な値になっている。

なお、スイッチング周波数を上げることで、コンデンサ
Ｃ２の両端電圧を下げて閃光の発生を抑えることができ
るのは、上記インダクタＬ６．放電ランプｌおよびコン
デンサＣ２の共振回路において、コンデンサＣ２の両＠
電圧■ｃ２の周波数特性が第３図のようになっており、
定常予熱時の動作点がＰ点（スイッチング周波数はｆ）
にあり、予熱開始時はＰ′点くスイッチング周波数はｆ
’）にあり、Ｐ′点の方が電圧Ｖ。２が低くなるからで
ある。なお、時間的な経過を見れば、動作点は予熱開拍
後、Ｐ′点から徐々にＰ点へ移ることになる。

なお、上記以外の放電灯点灯装置の動作については従来
例と同様である。

以上に述べたように、この放電灯点灯装置は、制御回路
ＣＲ２によって、フィラメント（、、ｆ２の状態変化、
例えばフィラメント電圧を検出し、このフィラメント電
圧の高低に応じてスイッチング素子Ｑ２のオン期間の幅
を増減制御２Ｉすることにより、予熱開始時のコンデン
サＣ２の両端電圧の過大な状態を防止し、予熱開始時の
放電ランプｌの一瞬の閃光の発生を防止することができ
る。

また、この放電灯点灯装置は、フィラメントｆ２のフィ
ラメント電圧を直接検出してスイッチング素子Ｑ２のオ
ン期間の幅を制御する構成であるので、放電ランプｅの
周囲温度が低温時でも高温時でも、常に最適な予熱を行
うことができる。

この発明の第２の実施例を第４図に基づいて説明する。

この放電灯点灯装置は、第４図に示すように、フィラメ
ントｆ、、ｆ２の状態変化を第１の実施例のように直接
的に検出するのではなく、予熱時におけるフィラメント
ｒ、、ｒ２の状態変化に近似することができる他の回路
を用いて、高周波変換回路ＩＶ２を制御するようにして
いる。

この高周波変換回路■ｖ２は、スイッチング素子Ｑ、、
Ｑ２としてＭＯＳ・ＦＢＴを用いており、ＭＯＳ　−Ｆ
ＥＴ内に存在する寄生ダイオードが第１図のダイオード
Ｄ、、Ｄ２と同じ作用をするので、ダイオードは不要と
なっている。

インダクタＬ２は二次巻線を有し、第１図における帰還
用のトランスＴＲを兼用している。

トランジスタＱ３．Ｑ、は、スイッチング素子Ｑ２の駆
動用に設けられており、抵抗Ｒ６はゲート抵抗、抵抗Ｒ
，，Ｒ７は保護用である。

トランジスタＱ、、Ｑ８は、カレントミラー回路をＩｌ
或し、コンデンサＣ４を充電するｉ流を、抵抗Ｒ，Ｏ，
Ｒ□＋Ｒ４＋　コンデンサＣ６およびトランジスタＱ７
で￥１１し、これによってスイッチング素子Ｑ２のオン
期間を制御している。トランジスタＱ７は放電ランプｌ
を点灯させるためのスイッチで、予熱時はオン状態にな
っている。

ＩＣ３は単安定マルチバイブレーク（μＰＤ４５３８Ｂ
ＣｉＮＥＣ社製）で、抵抗Ｒ，，Ｒ２の電圧がバッファ
回路（μＰＤ４０６９ＵＢＸ２個；　ＮＥＣ社製）ＩＣ
２を介してトリガ入力端子（立ち下がり用）Ｂに加えら
れていて、抵抗Ｒ１゜Ｒ２の電圧が所定値より低下した
ときにトリガされて所定幅のパルス（スイッチング素子
Ｑ２をオンにする）を出力して抵抗Ｒ８，Ｒ，を介して
トランジスタＱ３．Ｑ、をオンオフさせ、これによって
スイッチング素子Ｑ２をスイッチングさせる。

この場合、単安定マルチバイブレータｌＣ１の出力パル
ス幅は、トランジスタＱ、に流れる電流■１とコンデン
サＣ４の容量とで決まる。

ここで、高周波変換回路■Ｖ２および制御回路ＣＲ２の
動作を簡単に説明する。

スイッチング素子Ｑ２がオンとなると、コンデンサＣ１
→放電ランプｌおよびコンデンサＣ２→インダクタＬ２
→スイツチング素子Ｑ２−直流電源Ｅ１−コンデンサＣ
１の経路で振動電流が流れる。

また、スイッチング素子Ｑ２がオフとなると、インダク
タＬ２に蓄えられたエネルギ（振動電流〉がスイッチン
グ素子Ｑ１の寄生ダイオードを介して、インダクタＬ２
→スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオード−コンデンサ
Ｃ１−放電ランプｌおよびコンデンサＣ２→インダクク
Ｌ２の経路で流れる。このとき、インダクタＬ２の二次
巻線によりスイッチング素子Ｑ１には、オン信号が与え
られる。

上記の振動１ｔ＠は、スイッチング素子Ｑ１がオンとな
ることで、コンデンサＣ８→スイツチング素子Ｑ１−イ
ンダクタＬ２−放電ランブｌおよびコンデンサＣ２−コ
ンデンサＣ１の経路で流れる。

さらに、スイッチング素子Ｑ１がオフとなると、インダ
クタＬ２の残留エネルギがインダクタＬ２−放電ランブ
ｌおよびコンデンサＣ２→コンデンサＣ２−直流１ｔＴ
ＡＢ−スイッチング素子Ｑ２の寄生ダイオード→インダ
ククＬ２の経路で流れる。

このとき、スイッチング素子Ｑ２の電圧は、寄生ダイオ
ードがオンとなっているため、Ｏｖとなる。

このときのスイッチング素子Ｑ２の両端電圧の直流電源
Ｅの電圧からＯｖまで立ち下がりの信号をトリガとして
、単安定マルチバイブレークＩＣ。

の動作で一定時間だけスイッチング素子Ｑ２に対してオ
ン信号が与えられることになる。

以下、上記の動作が繰り返される。

つぎに、制御回路ＣＲ２では、フィラメントｒ、、ｒ２
が電源投入後の予熱開始時から定常予熱時まで抵抗値が
徐々に増大するのを、ＣＲ回路のコンデンサＣ５の充電
電流の変化として間接的に検出している。すなわち、電
源投入後のスイッチング素子Ｑ２へのオン信号の幅は、
抵抗Ｒ１゜を介してコンデンサＣ６に流入する充電電流
により決まる（予熱時は、トランジスタＱ７はオンとな
っている）、すなわち、カレントミラー回路に流れる電
流■、は、ＶＤＤ／Ｒ１ｏからｖＤＤ／（ＲＩｇ　＋　
Ｒｈ　）まで、コンデンサＣ５の充電電流カーブで変化
するので、スイッチング素子Ｑ２のオン信号の幅は、予
熱開始時の狭い状態が定常予熱時の広い状態へ時間の経
過とともに変化する。

したがって、電源投入後の予熱開始時には、前記第１の
実施例と同様にスイッチング周波数を高めることができ
、前記第１の実施例と同様に放電ランプｌの閃光の発生
を防止することができる。

この実施例の回路は、放電ランプｌのフィラメントｆ、
、ｆ２の状態変化を直接検出するのではなく、その状態
変化と同しとみなせる他の回路、例えばＣＲ回路の状態
変化を検出してスイッチング素子Ｑ２のオン信号の幅を
制御するので、主点灯回路部と分離することができ、絶
縁等の必要がなく、回路構成が簡単になるという利点が
ある。

この発明の第３の実施例を第５図に基づいて説明する。

この放電灯点灯装置は、電源投入後の予熱時のフィラメ
ントｆ、、ｆ２の状態変化を、スイッチング素子Ｑ２を
流れる振動電流の変化として間接的に検出するように制
御回路ＣＲ３を構成している。

すなわち、この実施例では、予熱時において、フィラメ
ントｆ、、ｆ２の抵抗が小さいときと大きいときとで、
スイッチング素子Ｑ２に流れる振動電流の振幅が異なる
ことに着目し、スイッチング素子Ｑ２に電流検出用とし
て抵抗Ｒ３を直列介挿し、抵抗Ｒ３の両端電圧をコンパ
レータ（μＰＣ４５１；ＮＥＣ社製）■Ｃ３で基準電圧
Ｅ２と比較し、抵抗Ｒ３の両端電圧が基準電圧Ｅ２を超
えたときに抵抗ＲＩ４を通してトランジスタＱ８をオン
にして単安定マルチバイブレータＩＣ，への電源電圧の
供給を遮断して、抵抗ＲＩ５およびコンデンサＣ６によ
るパルス幅の設定に係わらず、強制的に発振停止させる
ように構成している。

ＲＩ３は抵抗である。

このように構成すると、フィラメントｒ、、ｒ２の抵抗
が小さいときは、早いタイミングで抵抗Ｒ３の両端電圧
が基準電圧Ｅ２を超えるので、単安定マルチバイブレー
タＩＣ１が早く発振停止されることになり、出力パルス
のパルス幅が狭くなる。

その後、フィラメン）ｒ、、ｆ２の抵抗が増加するにつ
れて抵抗Ｒ３の両端電圧が基準電圧Ｅ２を超えるタイミ
ングが遅れ、したがって単安定マルチバイブレークＩＣ
，の発振停止も遅れ、出力パルスのパルス幅が徐々に広
くなっていき、最終的に予熱に最適なパルス幅となる。

単安定マルチバイブレークＩＣ，が発振停止してスイッ
チング素子Ｑ２がオフとなった後は、バッファＩＣ２か
らのトリガ信号待ちの状態となる。

なお、高周波変換回路Ｉ■３は、スイッチング素子Ｑ１
がバイポーラトランジスタで構成され、スイッチング素
子Ｑ２がＭＯＳ−ＦＥＴで構成され、第１図の回路およ
び第４図の回路とも、構成が一部異なるが高周波変換動
作自体は、前記の実施例のものと同様であるから、その
説明は省く。

また、この実施例の場合、予熱が終われば、基準電圧Ｅ
２のレベルを高（して、単安定マルチバイブレークＩＣ
１の発振動作が強制停止されないようにする必要がある
。

この実施例も、フィラメントｆ、、ｆ２の状態を直接検
出するものでないため、回路構成が簡単である。しかも
、フィラメントｒ１．ｒ２の状態変化に応答する箇所で
検出を行っているので、周囲温度の変化等に対する予熱
制御も可能となる。

放電ランプｌの一瞬の閃光の発生を防止できるという効
果は第１および第２の実施例と同様である。

なお、上記各実施例は、高周波変換回路ｉｖ。

〜ＩＶ３として、直列インノく一夕を示した力（−１こ
れに限らず、一方式のインノく一夕であっても、自動型
のもの、すなわち高周波出力のシ苗還イ言号をスイッチ
ング信号とする少なくとも１個のスイッチング素子を含
んで構成されるものなら、どのようなものでもこの発明
を適用できる。

〔発　明　の　効　果〕

この発明の放電灯点灯装置によ泪ｆ、放電ランプのフィ
ラメントの状態変化を検出しその）灸出斧吉果に基づい
て高周波変換回路の出力をｍ’ｌ　２Ｔｊするｍ制御回
路を設けたので、放電ランプのフィラメントの予熱開始
時において、高周波変換回路の出力力（予熱安定時と大
きく異なっても、スイッチンク′素子のスイッチング周
波数が共振回路の共振周波数に近づくのを防止すること
ができ、した力くってコンデンサの両端電圧が過大とな
ること（よなく、予熱開始時の放電ランプの一瞬の閃光
を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例の放電灯点灯装置の構
成を示す回路図、第２図は第１図の各部のタイムチャー
ト、第３図はコンデンサＣ２の電圧の周波数特性図、第
４図はこの発明の第２の実施例の放電灯点灯装置の構成
を示す回路図、第５図はこの発明の第３の実施例の放電
灯点灯装置の構成を示す回路図、第６図は放電灯点灯装
置の従来例の構成を示す回路図、第７図は第６図の各部
の波形図、第８図は負荷回路の回路図である。 ＩＶ、・・・高周波変換回路、ＣＲ２・・・制御回路、
Ｅｌ・・・直流電源、Ｑ、、Ｑ２・・・スイ・ノチング
素子、ｌ・・・放電ランプ、Ｃ２・・・コンデンサ、Ｌ
　、・・・インダクタ ＴＶ。 ＣＲ２ １ ２ ２ ・−゛高司／１！変換回路 ・・−剥卸Ｂ路 ・・・直え１ｉ！′虚 −・Ｘイーノ十ンク゛素チ ・・−木Ｏｔランフ。 一一フンテ゛ンサ 第 図 第 図 吋閣 第 ６ 図 ＴＶ。 ／ ／ 第 図 ／ＶＣＥ 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高周波出力の帰還信号をスイッチング信号とする少なく
   とも１個のスイッチング素子を含んで構成され直流電圧
   を高周波電圧に変換する高周波変換回路と、この高周波
   変換回路から高周波電力が供給されて点灯する放電ラン
   プと、前記高周波変換回路から前記放電ランプへの給電
   路に介挿したインダクタと、前記放電ランプの両フィラ
   メントの非電源側端子間に接続して前記インダクタおよ
   び放電ランプと合わせて共振回路を構成するコンデンサ
   と、前記放電ランプのフィラメントの状態変化を検出し
   その検出結果に基づいて前記高周波変換回路の出力を制
   御する制御回路とを備えた放電灯点灯装置。