JPH0385071A - 電荷転送撮像装置の駆動方法 - Google Patents
電荷転送撮像装置の駆動方法Info
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- JPH0385071A JPH0385071A JP1222049A JP22204989A JPH0385071A JP H0385071 A JPH0385071 A JP H0385071A JP 1222049 A JP1222049 A JP 1222049A JP 22204989 A JP22204989 A JP 22204989A JP H0385071 A JPH0385071 A JP H0385071A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電荷転送撮像装置の駆動方法に関する。
第４図はインターライン型電荷転送撮像装置の単位画素
の一例を模式的に示したものである。光電変換素子（以
降フォトダイオードと記す）１０１、トランスファゲー
ト１０２、垂直レジスタ１０３より構成されている。前
記垂直レジスタは単位画素当り２電極で構成されている
。前記垂直レジスタは４層駆動されるのが一般的であり
、垂直方向に隣接した２つの単位画素の計４電極で一組
の電極群を構成する。ここで、前記トランスファゲート
の役割をかねる電極１０をφＶ２電極とする。φＶ２電
極の下方の電極をφＶ３電極、φＶ３電極の下方の電極
をφＶ４電極とする。第５図に、第４図の単位画素を有
する電荷撮像装置の従来の駆動方法の一例を示す。
の一例を模式的に示したものである。光電変換素子（以
降フォトダイオードと記す）１０１、トランスファゲー
ト１０２、垂直レジスタ１０３より構成されている。前
記垂直レジスタは単位画素当り２電極で構成されている
。前記垂直レジスタは４層駆動されるのが一般的であり
、垂直方向に隣接した２つの単位画素の計４電極で一組
の電極群を構成する。ここで、前記トランスファゲート
の役割をかねる電極１０をφＶ２電極とする。φＶ２電
極の下方の電極をφＶ３電極、φＶ３電極の下方の電極
をφＶ４電極とする。第５図に、第４図の単位画素を有
する電荷撮像装置の従来の駆動方法の一例を示す。
第５図（ａ）は各電極に印加するクロック波形を示し、
第５図（ｂ）、（Ｃ）はクロック波形の各タイミング■
′〜■′における各部（各電極下）のポテンシャルを模
式的に表しである。第５図（ｂ）で、Ａ−Ａ’は第４図
における垂直レジスタ１０３部分の、縦方向の電極部分
の断面模式図であり、第７図（ｃ）のＢ−Ｂ’はフォト
ダイオード１０１、トランスファゲート１０２、垂直レ
ジスタ１０３部分の水平方向の電極部分の断面模式図で
ある。ここで、フォトダイオード１０１として、ショッ
トキダイオードを描いである。第５図（ａ）において、
φＶ１電極の電位をＶＨレベルにすると、前記トランス
ファゲートが開き、フォトダイオードに蓄積されていた
信号電荷が垂直レジスタに読み出される。読み出された
信号電荷は、φＶ１、φＶ２、φＶ３およびφＶ４電極
に印加されるクロック波形にしたがって、転送される。
第５図（ｂ）、（Ｃ）はクロック波形の各タイミング■
′〜■′における各部（各電極下）のポテンシャルを模
式的に表しである。第５図（ｂ）で、Ａ−Ａ’は第４図
における垂直レジスタ１０３部分の、縦方向の電極部分
の断面模式図であり、第７図（ｃ）のＢ−Ｂ’はフォト
ダイオード１０１、トランスファゲート１０２、垂直レ
ジスタ１０３部分の水平方向の電極部分の断面模式図で
ある。ここで、フォトダイオード１０１として、ショッ
トキダイオードを描いである。第５図（ａ）において、
φＶ１電極の電位をＶＨレベルにすると、前記トランス
ファゲートが開き、フォトダイオードに蓄積されていた
信号電荷が垂直レジスタに読み出される。読み出された
信号電荷は、φＶ１、φＶ２、φＶ３およびφＶ４電極
に印加されるクロック波形にしたがって、転送される。
この動作を順をおって説明する。■′のタイミングでは
、トランスファ電極をかねているφＶ１電極が、ＶＭレ
ベルであり、フォトダイオードに蓄積された信号電荷Ｑ
は、転送されない。
、トランスファ電極をかねているφＶ１電極が、ＶＭレ
ベルであり、フォトダイオードに蓄積された信号電荷Ｑ
は、転送されない。
■′のタイミングでは、φＶ１電極がＶＨレベルとなり
、前記信号電荷は垂直レジスタへ読み出される。読み出
された信号電荷はＶＬレベルのφＶ３、φＶ４電極によ
り形成されたポテンシャルバリアに囲まれた、ＶＭレベ
ルのφＶ２およびＶＨレベルのφＶ１電極下の低ポテン
シヤル領域に蓄えられる。■′のタイミングで、φＶ１
電極がＶＭレベルになり、トランスファゲート領域のポ
テンシャルが高くなることで、フォトダイオードと垂直
レジスタとが電気的に分離される。■′のタイミングで
は、φＶ２、φＶ３電極下が低ポテンシヤルで、φＶ１
、φＶ４下がポテンシャルバリアとなり、前記信号電荷
は、φＶ２、φＶ３電極下に蓄えられる。■′から■′
にかけて、信号電荷が、第５図（ｂ）において、右方向
に、第４図の単位画素において、下方向に一電極分転送
されたことになる。第５図（ａ）のクロック波形により
、第５図（ｂ）では右方向に第４図では下方向に順次信
号電荷が転送されていく、実際のインターライン型電荷
転送撮像装置においては、並行して下方に転送された各
フォトダイオードの信号電荷は、水平レジスタにより順
次電荷検出部へ転送される。従来のインターライン型電
荷転送撮像装置では、フレーム蓄積駆動または、フィー
ルド蓄積駆動による２：１インタ一レース動作や、垂直
方向に隣接する２画素の信号電荷を足し合わせるノンイ
ンターレース動作等の駆動方法があるが、フォトダイオ
ードからの信号電荷読み出しおよび垂直レジスタにおけ
る転送は、第５図を用いて説明した動作で行っている。
、前記信号電荷は垂直レジスタへ読み出される。読み出
された信号電荷はＶＬレベルのφＶ３、φＶ４電極によ
り形成されたポテンシャルバリアに囲まれた、ＶＭレベ
ルのφＶ２およびＶＨレベルのφＶ１電極下の低ポテン
シヤル領域に蓄えられる。■′のタイミングで、φＶ１
電極がＶＭレベルになり、トランスファゲート領域のポ
テンシャルが高くなることで、フォトダイオードと垂直
レジスタとが電気的に分離される。■′のタイミングで
は、φＶ２、φＶ３電極下が低ポテンシヤルで、φＶ１
、φＶ４下がポテンシャルバリアとなり、前記信号電荷
は、φＶ２、φＶ３電極下に蓄えられる。■′から■′
にかけて、信号電荷が、第５図（ｂ）において、右方向
に、第４図の単位画素において、下方向に一電極分転送
されたことになる。第５図（ａ）のクロック波形により
、第５図（ｂ）では右方向に第４図では下方向に順次信
号電荷が転送されていく、実際のインターライン型電荷
転送撮像装置においては、並行して下方に転送された各
フォトダイオードの信号電荷は、水平レジスタにより順
次電荷検出部へ転送される。従来のインターライン型電
荷転送撮像装置では、フレーム蓄積駆動または、フィー
ルド蓄積駆動による２：１インタ一レース動作や、垂直
方向に隣接する２画素の信号電荷を足し合わせるノンイ
ンターレース動作等の駆動方法があるが、フォトダイオ
ードからの信号電荷読み出しおよび垂直レジスタにおけ
る転送は、第５図を用いて説明した動作で行っている。
第２図は、ＦＩＴ型電荷転送撮像装置である。
フォトダイオード１０１．）ランスファゲート１０２、
垂直レジスタ１０３．メモリ領域１０４゜水平レジスタ
１０５．上部ゲート１０６． ドレイン１０７．中部ゲ
ート１０８．下部ゲート１０９、電荷検出部１１０で構
成されている。前記ＦＩＴ型電荷転送撮像装置の場合も
、フォトダイオード１０１で蓄積された信号電荷の読み
出し動作は第５図で説明した方法と同じである。ＦＩＴ
型電荷転送撮像装置の場合には、シャッタ動作により駆
動することもある。
垂直レジスタ１０３．メモリ領域１０４゜水平レジスタ
１０５．上部ゲート１０６． ドレイン１０７．中部ゲ
ート１０８．下部ゲート１０９、電荷検出部１１０で構
成されている。前記ＦＩＴ型電荷転送撮像装置の場合も
、フォトダイオード１０１で蓄積された信号電荷の読み
出し動作は第５図で説明した方法と同じである。ＦＩＴ
型電荷転送撮像装置の場合には、シャッタ動作により駆
動することもある。
インターレース型およびＦＩＴ型電荷転送撮像装置にお
いて、フォトダイオードの蓄積信号電荷量が垂直レジス
タ転送可能電荷量を越えてしまうと、フォトダイオード
の信号電荷読み出し動作の際レジスタブルーミングが生
じて、映像が劣化する。このため、従来は第４図で示す
単位画素の、フォトダイオードと垂直レジスタの面積比
は、フォトダイオードの最大蓄積電荷量が、垂直レジス
タの転送可能電荷量を越えないように決められてきた。
いて、フォトダイオードの蓄積信号電荷量が垂直レジス
タ転送可能電荷量を越えてしまうと、フォトダイオード
の信号電荷読み出し動作の際レジスタブルーミングが生
じて、映像が劣化する。このため、従来は第４図で示す
単位画素の、フォトダイオードと垂直レジスタの面積比
は、フォトダイオードの最大蓄積電荷量が、垂直レジス
タの転送可能電荷量を越えないように決められてきた。
フォトダイオードの最大蓄積電荷量は、フオドダイオー
ドの単位面積当、りの蓄積容量と、面積と、印加電圧の
積で決まる。単位画素当りのフォトダイオードの割合が
小さくなると不感領域が増えてしまい、かつ、感度が低
下する問題が生じ、一方、フォトダイオードの感度は逆
バイアス印加電圧異存性があり、印加電圧を下げると感
度も低下してしまい、また、トランスファゲートのしき
い値のバラツキによる感度ムラの問題も増大する。従来
のインターライン型およびＦＩＴ型電荷転送撮像装置の
駆動方法においては、上述したフォトダイオードと垂直
レジスタとの面積比率およびフォトダイオードの面積と
印加電圧値の制約条件をすべて満足させなければならず
、フォトダイオードの面積比率および感度が低くなって
しまう問題を抱えていた。
ドの単位面積当、りの蓄積容量と、面積と、印加電圧の
積で決まる。単位画素当りのフォトダイオードの割合が
小さくなると不感領域が増えてしまい、かつ、感度が低
下する問題が生じ、一方、フォトダイオードの感度は逆
バイアス印加電圧異存性があり、印加電圧を下げると感
度も低下してしまい、また、トランスファゲートのしき
い値のバラツキによる感度ムラの問題も増大する。従来
のインターライン型およびＦＩＴ型電荷転送撮像装置の
駆動方法においては、上述したフォトダイオードと垂直
レジスタとの面積比率およびフォトダイオードの面積と
印加電圧値の制約条件をすべて満足させなければならず
、フォトダイオードの面積比率および感度が低くなって
しまう問題を抱えていた。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去した電荷
転送撮像装置の新しい駆動方法を提供する。
転送撮像装置の新しい駆動方法を提供する。
本発明によれば、半導体基板上に二次元的に配列された
複数の光電変換素子と前記各光電変換素子に蓄積された
信号電荷を読み出すトランスファゲートと、前記信号電
荷を並列転送する垂直レジスタと、信号電荷を掃き出す
ドレイン領域と、前記光電変換素子に対応して、垂直レ
ジスタ下部に設けられたメモリ領域と、前記メモリ領域
下部に設けられた前記信号電荷を順次転送する水平レジ
スタと、前記水平レジスタの一端に設けられた電荷検出
部を少なくとも備えた電荷電送撮像装置の駆動方法にお
いて、前記光電変換素子に蓄積されまた信号電荷の一部
のみを前記トランスファゲートおよび前記垂直レジスタ
を介して前記メモリ領域に転送した後、前記光電変換素
子に残された残留信号電荷を前記トランスファゲートお
よび前記垂直レジスタを介して、前記ドレイン領域に掃
き出す一連の動作を垂直ブランキング期間に行った後、
前記メモリ領域に蓄えられていた前記信号電荷を前記水
平レジスタを介して順次、前記電荷検出部へ転送するこ
とを特徴とする電荷転送撮像装置の駆動方法が得られる
。
複数の光電変換素子と前記各光電変換素子に蓄積された
信号電荷を読み出すトランスファゲートと、前記信号電
荷を並列転送する垂直レジスタと、信号電荷を掃き出す
ドレイン領域と、前記光電変換素子に対応して、垂直レ
ジスタ下部に設けられたメモリ領域と、前記メモリ領域
下部に設けられた前記信号電荷を順次転送する水平レジ
スタと、前記水平レジスタの一端に設けられた電荷検出
部を少なくとも備えた電荷電送撮像装置の駆動方法にお
いて、前記光電変換素子に蓄積されまた信号電荷の一部
のみを前記トランスファゲートおよび前記垂直レジスタ
を介して前記メモリ領域に転送した後、前記光電変換素
子に残された残留信号電荷を前記トランスファゲートお
よび前記垂直レジスタを介して、前記ドレイン領域に掃
き出す一連の動作を垂直ブランキング期間に行った後、
前記メモリ領域に蓄えられていた前記信号電荷を前記水
平レジスタを介して順次、前記電荷検出部へ転送するこ
とを特徴とする電荷転送撮像装置の駆動方法が得られる
。
本発明では、トランスファゲートに読み出しとリセット
の２通りのクロック電圧を印加することで、前者の読み
出しクロック電圧をフォトダイオードから読み出される
信号電荷量が垂直レジスタ転送可能電荷量を越えないよ
うに印加することと、後者のリセットクロック電圧を高
電圧にすることで、感度を向上させることが独立に行な
える。このため、フォトダイオードの面積比率を大きく
確保することと、フォトダイオード印加電圧を高くする
ことで感度を向上させることを同時に行うことができる
。
の２通りのクロック電圧を印加することで、前者の読み
出しクロック電圧をフォトダイオードから読み出される
信号電荷量が垂直レジスタ転送可能電荷量を越えないよ
うに印加することと、後者のリセットクロック電圧を高
電圧にすることで、感度を向上させることが独立に行な
える。このため、フォトダイオードの面積比率を大きく
確保することと、フォトダイオード印加電圧を高くする
ことで感度を向上させることを同時に行うことができる
。
第４図はインターライン型電荷転送撮像装置の単位画素
の一例を模式的に示したものである。フォトダイオード
１０１．ｈランスフアゲ−）１０２、垂直レジスタ１０
３より構成されている。前記垂直レジスタは単位画素当
り２電極で構成されている。前記垂直レジスタは４相駆
動されるので、垂直方向に隣接した２つの単位画素の計
４電極で一組の電極群を構成する。ここで、前記トラン
スファゲートの役割をかねる電極１０をφＶ１電極、そ
の下方の電極１１をφＶ２電極とする。
の一例を模式的に示したものである。フォトダイオード
１０１．ｈランスフアゲ−）１０２、垂直レジスタ１０
３より構成されている。前記垂直レジスタは単位画素当
り２電極で構成されている。前記垂直レジスタは４相駆
動されるので、垂直方向に隣接した２つの単位画素の計
４電極で一組の電極群を構成する。ここで、前記トラン
スファゲートの役割をかねる電極１０をφＶ１電極、そ
の下方の電極１１をφＶ２電極とする。
φＶＸ２を極の下方の電極をφＶ３電極、φＶ３電極の
下方の電極をφＶ４電極とする。第４図で示した単位画
素は、第２図で示したＦＩＴ型と呼ばれる電荷転送撮像
装置の単位画素の構成と同じである。ＦＩＴ型電荷転送
撮像装置は第４図で示した単位画素の下方にメモリ領域
１０４．上方にドレイン領域１０７および、付属のゲー
トを有した構成となっており、詳しくは、従来の技術の
章で説明した。
下方の電極をφＶ４電極とする。第４図で示した単位画
素は、第２図で示したＦＩＴ型と呼ばれる電荷転送撮像
装置の単位画素の構成と同じである。ＦＩＴ型電荷転送
撮像装置は第４図で示した単位画素の下方にメモリ領域
１０４．上方にドレイン領域１０７および、付属のゲー
トを有した構成となっており、詳しくは、従来の技術の
章で説明した。
第１図は第２図で示したＦＩＴ型電荷転送撮像装置の本
発明による駆動方法の一実施例を示した図で、第１図（
ａ）は各電極に印加されるクロック波形を示し、第１図
（ｂ）、（ｃ）は第１図（ａ）の各タイミング■〜■に
おける各電極下のポテンシャルおよび信号電荷を模式的
に示している。各電極に印加されるクロックレベルにつ
いての説明は従来の技術の章で詳しく説明した。■のタ
イミングでは、第１図（ｂ）、（ｃ）の■に示したよう
に、フォトダイオード１０１に信号電荷Ｑが蓄積されて
いる。■のタイミングでφＶ１電極にＶＨＩレベルの電
圧が印加されると第１図（ｂ）、（Ｃ）の■に示すよう
に、フォトダイオードに蓄積されていた信号電荷Ｑの一
部ｑがトランスファゲートを介して、垂直レジスタに読
み出される。読み出される信号電荷が、φＶ３およびφ
Ｖ４電極下のバリアポテンシャルで囲まれた、φＶ、φ
Ｖ２電極下の蓄積領域の容量を越えないように、読み出
しのためのクロック電圧レベルＶＨ１を調節しておく、
■のタイミングでは、第１図（ｂ）、（Ｃ）■に示すよ
うに、トランスファゲート領域のバリアポテンシャルに
よって、垂直レジスタとフォトダイオードが電気的に分
離される。■のタイミングから■のタイミングまでの期
間に、φＶ３電極下のポテンシャルが下げられ、φＶ１
電極下のポテンシャルが上げられることにより、第１図
（ｂ）で右方向に１電極分、第２図に示す電荷転送撮像
装置では下方向に１電極分転送される。第１図（ａ）の
■のタイミング以降に示すクロック波形により、フォト
ダイオードから読み出された前記信号電荷は、対応する
メモリ領域１０４に一時蓄積され、水平レジスタ１０５
により順次、電荷検出部１１０に転送される。第１図（
ａ）の■のタイミングでは、全ての前記信号電荷がメモ
リ領域に転送された後であり、第１図（ｂ）、（Ｃ）■
に示すように、垂直レジスタには、信号電荷が残されて
いない、■のタイミングで、トランスファゲートをかね
たφＶ１電極にＶＨルベルよりも高いＶＨ２レベルの電
圧が印加される。この時、第１図（ｂ）、（Ｃ）■に示
すように、フォトダイオードに残留していた電荷は全て
、トランスファゲートを介して、垂直レジスタに転送さ
れる。ＶＨ２レベルを高くすることにより、フォトダイ
オードの感度が向上する。■のタイミングでは、トラン
スファゲート下のバリアポテンシャルにより、フォトダ
イオードと垂直レジスタとは電気的に分離される。■の
タイミングから■のタイミングまでの期間で、垂直レジ
スタに転送された前記残留電荷は、第１図（ｂ）で左方
向、第２図で上方向に１電極分転送される。タイミング
■以降のクロック波形により、前記残留電荷は、第２図
ドレイン１０７に掃き出される。
発明による駆動方法の一実施例を示した図で、第１図（
ａ）は各電極に印加されるクロック波形を示し、第１図
（ｂ）、（ｃ）は第１図（ａ）の各タイミング■〜■に
おける各電極下のポテンシャルおよび信号電荷を模式的
に示している。各電極に印加されるクロックレベルにつ
いての説明は従来の技術の章で詳しく説明した。■のタ
イミングでは、第１図（ｂ）、（ｃ）の■に示したよう
に、フォトダイオード１０１に信号電荷Ｑが蓄積されて
いる。■のタイミングでφＶ１電極にＶＨＩレベルの電
圧が印加されると第１図（ｂ）、（Ｃ）の■に示すよう
に、フォトダイオードに蓄積されていた信号電荷Ｑの一
部ｑがトランスファゲートを介して、垂直レジスタに読
み出される。読み出される信号電荷が、φＶ３およびφ
Ｖ４電極下のバリアポテンシャルで囲まれた、φＶ、φ
Ｖ２電極下の蓄積領域の容量を越えないように、読み出
しのためのクロック電圧レベルＶＨ１を調節しておく、
■のタイミングでは、第１図（ｂ）、（Ｃ）■に示すよ
うに、トランスファゲート領域のバリアポテンシャルに
よって、垂直レジスタとフォトダイオードが電気的に分
離される。■のタイミングから■のタイミングまでの期
間に、φＶ３電極下のポテンシャルが下げられ、φＶ１
電極下のポテンシャルが上げられることにより、第１図
（ｂ）で右方向に１電極分、第２図に示す電荷転送撮像
装置では下方向に１電極分転送される。第１図（ａ）の
■のタイミング以降に示すクロック波形により、フォト
ダイオードから読み出された前記信号電荷は、対応する
メモリ領域１０４に一時蓄積され、水平レジスタ１０５
により順次、電荷検出部１１０に転送される。第１図（
ａ）の■のタイミングでは、全ての前記信号電荷がメモ
リ領域に転送された後であり、第１図（ｂ）、（Ｃ）■
に示すように、垂直レジスタには、信号電荷が残されて
いない、■のタイミングで、トランスファゲートをかね
たφＶ１電極にＶＨルベルよりも高いＶＨ２レベルの電
圧が印加される。この時、第１図（ｂ）、（Ｃ）■に示
すように、フォトダイオードに残留していた電荷は全て
、トランスファゲートを介して、垂直レジスタに転送さ
れる。ＶＨ２レベルを高くすることにより、フォトダイ
オードの感度が向上する。■のタイミングでは、トラン
スファゲート下のバリアポテンシャルにより、フォトダ
イオードと垂直レジスタとは電気的に分離される。■の
タイミングから■のタイミングまでの期間で、垂直レジ
スタに転送された前記残留電荷は、第１図（ｂ）で左方
向、第２図で上方向に１電極分転送される。タイミング
■以降のクロック波形により、前記残留電荷は、第２図
ドレイン１０７に掃き出される。
第２図の構成の電荷転送撮像装置で行った本発明の駆動
方法は、第３図の構成の電荷転送撮像装置でも同様に実
現できる。この場合には、第１図の■、■のタイミング
と■以降のクロック波形で、第１図（ｂ）で左方向に転
送していたのを、右方向に転送するようなりロック波形
に変更すれば良い。
方法は、第３図の構成の電荷転送撮像装置でも同様に実
現できる。この場合には、第１図の■、■のタイミング
と■以降のクロック波形で、第１図（ｂ）で左方向に転
送していたのを、右方向に転送するようなりロック波形
に変更すれば良い。
本発明の駆動方法は内部メモリ領域を有さないインター
レース型電荷転送撮像装置の場合にも実現できる。この
場合には、垂直レジスタで転送されてきた一段ごとの信
号電荷に対応して水平レジスタで順次転送すればよい。
レース型電荷転送撮像装置の場合にも実現できる。この
場合には、垂直レジスタで転送されてきた一段ごとの信
号電荷に対応して水平レジスタで順次転送すればよい。
本発明の駆動方法は、第１図では赤外線受光のためのシ
ョットキ型ダイオードをフォトダイオードに用いた実施
例について説明したが、ＰＮ接合型ダイオード、ＭＩＳ
型ダイオードをフォトダイオードに用いた場合にも同様
に実現できる０本発明は狭バンドギヤツプ半導体である
水銀カドミニウムテルルやインジウムアーンチモンとバ
ンプ電極等によりハイブリッドに組み合わせた電荷転送
撮像装置を駆動した場合にも同じ効果がある。
ョットキ型ダイオードをフォトダイオードに用いた実施
例について説明したが、ＰＮ接合型ダイオード、ＭＩＳ
型ダイオードをフォトダイオードに用いた場合にも同様
に実現できる０本発明は狭バンドギヤツプ半導体である
水銀カドミニウムテルルやインジウムアーンチモンとバ
ンプ電極等によりハイブリッドに組み合わせた電荷転送
撮像装置を駆動した場合にも同じ効果がある。
以上述べたように、本発明では、トランスファゲートに
読み出しとリセットの２通りのクロック電圧を印加する
ので、フォトダイオードの面積比率を大きく確保できる
と同時に、フォトダイオードに高い印加電圧を与えるこ
とによる感度向上をすることができ、不感領域の少ない
電荷転送撮像装置で、高い感度の撮像を行える。
読み出しとリセットの２通りのクロック電圧を印加する
ので、フォトダイオードの面積比率を大きく確保できる
と同時に、フォトダイオードに高い印加電圧を与えるこ
とによる感度向上をすることができ、不感領域の少ない
電荷転送撮像装置で、高い感度の撮像を行える。
第１図は本発明の電荷転送撮像装置駆動方法を示す図、
第２図および第３図は、本発明の駆動方捗を実施する電
荷転送撮像装置の一構成例を示す図、第４図は第２図、
第３図に示した装置およびインターレース型電荷転送撮
像装置の単位画素の平面図、第５図は、電荷転送撮像装
置の従来の駆動方法を示した模式図である。 図において、１０はφＶ１電極、１１はφＶ２ｔ８ｉ、
１０１はフォトダイオード、１０２はトランスファゲー
ト、１０３は垂直レジスタ、１０４はメモリ領域、１０
５は水平レジスタ、１０６は上部ゲート、１０７はドレ
イン、１０８は中部ゲート、１０９は下部ゲート、１１
０は電荷検出部を示す。
第２図および第３図は、本発明の駆動方捗を実施する電
荷転送撮像装置の一構成例を示す図、第４図は第２図、
第３図に示した装置およびインターレース型電荷転送撮
像装置の単位画素の平面図、第５図は、電荷転送撮像装
置の従来の駆動方法を示した模式図である。 図において、１０はφＶ１電極、１１はφＶ２ｔ８ｉ、
１０１はフォトダイオード、１０２はトランスファゲー
ト、１０３は垂直レジスタ、１０４はメモリ領域、１０
５は水平レジスタ、１０６は上部ゲート、１０７はドレ
イン、１０８は中部ゲート、１０９は下部ゲート、１１
０は電荷検出部を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に二次元的に配列された複数の光電変換素
子と、前記各光電変換素子に蓄積された信号電荷を読み
出すトランスファゲートと、前記信号電荷を並列転送す
る垂直レジスタと、信号電化を掃き出すドレインと、前
記光電変換素子に対応して、垂直レジスタ下端に接続し
て設けられたメモリ領域と、前記メモリ領域下端に接続
して設けられた前記信号電荷を順次転送する水平レジス
タと、前記水平レジスタの一端に設けられた電荷検出部
を少なくとも備えた電荷転送撮像装置の駆動方法におい
て、前記光電変換素子に蓄積された信号電荷の一部を前
記トランスファゲートおよび前記垂直レジスタを介して
前記メモリ領域に転送した後、前記光電変換素子に残さ
れた残留信号電荷を前記トランスファゲートおよび前記
垂直レジスタを介して、前記ドレイン領域に掃き出す一
連の動作を垂直ブランキング期間に行った後、前記メモ
リ領域に蓄えられていた前記信号電荷を前記水平レジス
タを介して順次、前記電荷検出部へ転送することを特徴
とする電荷転送撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222049A JPH0779445B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222049A JPH0779445B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385071A true JPH0385071A (ja) | 1991-04-10 |
| JPH0779445B2 JPH0779445B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16776297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222049A Expired - Lifetime JPH0779445B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779445B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503691B1 (ko) * | 1994-05-27 | 2005-10-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체촬상장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214258A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63102478A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1222049A patent/JPH0779445B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214258A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63102478A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503691B1 (ko) * | 1994-05-27 | 2005-10-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체촬상장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0779445B2 (ja) | 1995-08-23 |
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