JPH0385776A - 有機超電導体を用いた素子 - Google Patents
有機超電導体を用いた素子Info
- Publication number
- JPH0385776A JPH0385776A JP1223799A JP22379989A JPH0385776A JP H0385776 A JPH0385776 A JP H0385776A JP 1223799 A JP1223799 A JP 1223799A JP 22379989 A JP22379989 A JP 22379989A JP H0385776 A JPH0385776 A JP H0385776A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bedt
- ttf
- single crystal
- organic
- metal layer
- Prior art date
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- Pending
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- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、有機超電導体を用いた素子に関し、より詳
しくは、ジョセフソン効果を示す有機超電導体を用いた
素子に関する。
しくは、ジョセフソン効果を示す有機超電導体を用いた
素子に関する。
〈従来の技術〉
従来、ジョセフソン効果を示す素子としては、二つの超
電導体を非常に薄い絶縁層を介して接合したもの、上記
素子において絶縁層の代わりに常導体金属を用いたもの
、超電導体に非常に狭いくびれを作ることにより弱結合
領域を形成したもの、二つの超電導体を非常に小さい領
域で接合したもの等がある。これらは、二つの超電導領
域か弱結合領域を介して接合された構造、つまりジョセ
フソン接合が形成されたものである。
電導体を非常に薄い絶縁層を介して接合したもの、上記
素子において絶縁層の代わりに常導体金属を用いたもの
、超電導体に非常に狭いくびれを作ることにより弱結合
領域を形成したもの、二つの超電導体を非常に小さい領
域で接合したもの等がある。これらは、二つの超電導領
域か弱結合領域を介して接合された構造、つまりジョセ
フソン接合が形成されたものである。
また、ジョセフソン効果を示す素子であって、有機超電
導体を用いたものとしては、特開昭58157182号
公報に示されたように、(TMTSF)2X (Xは、
無機陰イオンを示す)で表されるテトラメチルテトラチ
アフルバレン(以下、「TMTSFJという)系化合物
の単結晶を用いたものが提案されている。
導体を用いたものとしては、特開昭58157182号
公報に示されたように、(TMTSF)2X (Xは、
無機陰イオンを示す)で表されるテトラメチルテトラチ
アフルバレン(以下、「TMTSFJという)系化合物
の単結晶を用いたものが提案されている。
(TMTSF)2Xは、疑似1次元性電導体であるので
、その結晶の一部をバイエルス転移させて、絶縁領域と
することができる。
、その結晶の一部をバイエルス転移させて、絶縁領域と
することができる。
上記素子は、(TMTSF)2Xからなる二つの超電導
体間に絶縁領域を設けたものである。このため、この素
子は、二つの超電導体とその間の絶縁領域とがジョセフ
ソン接合を形成しており、ジョセフソン効果を示す。
体間に絶縁領域を設けたものである。このため、この素
子は、二つの超電導体とその間の絶縁領域とがジョセフ
ソン接合を形成しており、ジョセフソン効果を示す。
この素子は、(TMTSF)2Xの単結晶を用いて製造
され、該単結晶の所定部分に、IKeV以上のエネルギ
ーを有する粒子の極細ビームを照射し、当該部分を絶縁
領域とすることにより製造される。
され、該単結晶の所定部分に、IKeV以上のエネルギ
ーを有する粒子の極細ビームを照射し、当該部分を絶縁
領域とすることにより製造される。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、上記素子に用いられる超電導体である(TMT
SF)2Xは、疑似−次元電導体であるので、高エネル
ギー粒子の照射によってその結晶内に欠陥や損傷が形成
されるという問題があった。
SF)2Xは、疑似−次元電導体であるので、高エネル
ギー粒子の照射によってその結晶内に欠陥や損傷が形成
されるという問題があった。
また、(TMTSF)2Xの単結晶は針状結晶であるた
め、素子として使用することは困難であった。
め、素子として使用することは困難であった。
さらに、(TMTSF)2 Xのうち、(TMTSF)
2 Cg04は、常圧下で超電導を示すが、その臨界温
度(以下、rTcJという)は1.4にと低く、また、
(TMTS F)2 Cl304以外の(TMTSF)
2Xは、高圧fてなければ超電導を示さないため、この
素子をジョセフソン効果を示す素子として使用すること
は困難であった。
2 Cg04は、常圧下で超電導を示すが、その臨界温
度(以下、rTcJという)は1.4にと低く、また、
(TMTS F)2 Cl304以外の(TMTSF)
2Xは、高圧fてなければ超電導を示さないため、この
素子をジョセフソン効果を示す素子として使用すること
は困難であった。
また、上記素子は、高エネルギーを有する粒子ビームを
、(TMTSF)2Xの単結晶に照射することにより製
造されるが、該ビームにより上記単結晶が損傷をうける
虞れがあるという問題もあった。
、(TMTSF)2Xの単結晶に照射することにより製
造されるが、該ビームにより上記単結晶が損傷をうける
虞れがあるという問題もあった。
これらの問題のため、上記素子は、実用化されるにいた
っていない。
っていない。
この発明は、充分に実用に供する有機超電導体を用いた
素子、特にジョセフソン効果を示す素子を提供すること
を目的とする。
素子、特にジョセフソン効果を示す素子を提供すること
を目的とする。
く課題を解決するための手段および作用〉上記問題を解
決するためのこの発明の有機超電導体を用いた素子は、
ビス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン(以下、
rBEDT−TTFJという)系化合物からなる二つの
有機超電導体が、厚さ10〜1000Åの常電導金属か
らなる金属層を介して接合されていることを特徴とする
。
決するためのこの発明の有機超電導体を用いた素子は、
ビス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン(以下、
rBEDT−TTFJという)系化合物からなる二つの
有機超電導体が、厚さ10〜1000Åの常電導金属か
らなる金属層を介して接合されていることを特徴とする
。
上記構成の有機超電導体を用いた素子であれば、二つの
有機超電導体が、厚さ10〜1000Åの常電導金属か
らなる金属層を介して接合されているので、二つの有機
超電導体と金属層とがジョセフソン結合を形成しており
、この素子はジョセフソン効果を示す。
有機超電導体が、厚さ10〜1000Åの常電導金属か
らなる金属層を介して接合されているので、二つの有機
超電導体と金属層とがジョセフソン結合を形成しており
、この素子はジョセフソン効果を示す。
この素子を製造する際には、有機超電導体に対する高エ
ネルギー粒子の照射を必要としないので、有機超電導体
が損傷を受ける虞れはない。
ネルギー粒子の照射を必要としないので、有機超電導体
が損傷を受ける虞れはない。
BEDT−TTF系化合物の単結晶は板状であるので、
その単結晶は、素子の材料として好適に用いられる。
その単結晶は、素子の材料として好適に用いられる。
上記素子の金属層の厚さを10〜1000Åの範囲に限
定したのは、金属層の厚さがIOA未満の場合は、ピン
ホールができ易く、過大電流が流れ、1.、000 A
より大きい場合は、電流が流れ難くなり、いずれの場合
も特性上好ましくないからである。また、金属層の厚さ
は、良好なジョセフソン効果を得るうえから、10〜2
00Aの範囲であることが特に好ましい。
定したのは、金属層の厚さがIOA未満の場合は、ピン
ホールができ易く、過大電流が流れ、1.、000 A
より大きい場合は、電流が流れ難くなり、いずれの場合
も特性上好ましくないからである。また、金属層の厚さ
は、良好なジョセフソン効果を得るうえから、10〜2
00Aの範囲であることが特に好ましい。
また、金属層を形成する金属としては、金、釦白金等の
常導体金属が挙げられるが、薄膜の作成の容易さ、安定
性等の点から金または白金か好ましい。
常導体金属が挙げられるが、薄膜の作成の容易さ、安定
性等の点から金または白金か好ましい。
なお、(B E D T−T T F ) 2 Cu
(N CS ) 2(ジ(イソチオシアナト)銅ジ[ビ
ス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン])および
(BEDT−TTF)2 13 (トリョードジ[ビ
ス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン])のTc
は、それぞれ常圧下で2に、常圧下で11にであり、い
ずれも常圧下において液体ヘリウムによる冷却でバルク
超電導状態とすることができるので、上記素子の有機超
電導体として特に好適に用いられる。
(N CS ) 2(ジ(イソチオシアナト)銅ジ[ビ
ス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン])および
(BEDT−TTF)2 13 (トリョードジ[ビ
ス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン])のTc
は、それぞれ常圧下で2に、常圧下で11にであり、い
ずれも常圧下において液体ヘリウムによる冷却でバルク
超電導状態とすることができるので、上記素子の有機超
電導体として特に好適に用いられる。
この素子を製造する場合は、有機溶媒中に電子供与性原
料としてのBEDT−TTF、およびI3 Cu
(NCS)2−等の電子受容体原料(アクセプター)を
溶解させ、0.5〜2μAの電流を流すことにより、電
気化学的に酸化・還元して行う電解法か、あるいはBE
DT−TTFおよび電子受容体原料の拡散により行う拡
散状により、BEDT−TTF系化合物の単結晶を製造
する。
料としてのBEDT−TTF、およびI3 Cu
(NCS)2−等の電子受容体原料(アクセプター)を
溶解させ、0.5〜2μAの電流を流すことにより、電
気化学的に酸化・還元して行う電解法か、あるいはBE
DT−TTFおよび電子受容体原料の拡散により行う拡
散状により、BEDT−TTF系化合物の単結晶を製造
する。
次いで、該単結晶の一面に、常導体である金属からなる
層を、通常の蒸着法、スパッタリング、CVD法等によ
り形成する。
層を、通常の蒸着法、スパッタリング、CVD法等によ
り形成する。
そして、上記金属層上に、BEDT−TTF系化合物の
単結晶を、前述の場合と同様に形成し、二つの超電導体
とその間に形成された金属層とが、ジョセフソン結合を
形成する。
単結晶を、前述の場合と同様に形成し、二つの超電導体
とその間に形成された金属層とが、ジョセフソン結合を
形成する。
〈実施例〉
BEDT−TTF30mg、CuSCN70mg、KS
CN126mgおよび18−クラウン6−エーテル2I
0mgを、1,1.2−)リクロロエタン96.4ml
と2重量%のエタノール3.6mlとを混合した混合溶
媒に溶解した。該溶液を白金電極を有する電解セルに入
れ、2週間20℃に保ちつつ、0.5μAの電流を流し
て、(BEDT−TTF)2 Cu (SCN)2 (
7)単結晶を成長させた。その結果、白金電極上に6
mm X3mmX0.1mmの黒色平板状の(BEDT
TTF)2 Cu (SCN)2の単結晶1を得た。
CN126mgおよび18−クラウン6−エーテル2I
0mgを、1,1.2−)リクロロエタン96.4ml
と2重量%のエタノール3.6mlとを混合した混合溶
媒に溶解した。該溶液を白金電極を有する電解セルに入
れ、2週間20℃に保ちつつ、0.5μAの電流を流し
て、(BEDT−TTF)2 Cu (SCN)2 (
7)単結晶を成長させた。その結果、白金電極上に6
mm X3mmX0.1mmの黒色平板状の(BEDT
TTF)2 Cu (SCN)2の単結晶1を得た。
この単結晶1を取り出して、エタノールで洗浄して、真
空乾燥した後、第2図に示すように、0i結晶1の成長
端面の一つに、金からなる厚さ150Δの金属層2を蒸
着した。
空乾燥した後、第2図に示すように、0i結晶1の成長
端面の一つに、金からなる厚さ150Δの金属層2を蒸
着した。
次いで、単結晶1に白金リード線を取り付け、金属層2
が上記溶液に浸る状態で、単結晶1を電解セルに戻し、
再び前述の条件下で単結晶を金属層上に形成した。この
結果、第1図に示すように、(BEDT−TTF)2
Cu (SCN)2からなるの二つの超電導体が金から
なる金属層を介して接合された構造を有する素子Aを得
た。
が上記溶液に浸る状態で、単結晶1を電解セルに戻し、
再び前述の条件下で単結晶を金属層上に形成した。この
結果、第1図に示すように、(BEDT−TTF)2
Cu (SCN)2からなるの二つの超電導体が金から
なる金属層を介して接合された構造を有する素子Aを得
た。
第3図に示すように、上記素子Aの(BEDT−TTF
)2 Cu (SCN)2の二つのLll、fl!i品
部分のそれぞれに、リード線3を有する電圧端子4と電
流端子4′ とを接続し、液体ヘリウムで冷却した状態
における電流−電圧特性をマイクロ波照射下で調べたと
ころ、マイクロ波照射によりIcの低−Fと定電流ステ
ップが認められ、ジョセフソン接合が形成されているこ
とが確認された。
)2 Cu (SCN)2の二つのLll、fl!i品
部分のそれぞれに、リード線3を有する電圧端子4と電
流端子4′ とを接続し、液体ヘリウムで冷却した状態
における電流−電圧特性をマイクロ波照射下で調べたと
ころ、マイクロ波照射によりIcの低−Fと定電流ステ
ップが認められ、ジョセフソン接合が形成されているこ
とが確認された。
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の有機超電導体を用いた素子に
おいては、ジョセフソン接合が形成されており、ジョセ
フソン効果を示すので、センサー等に広く利用すること
ができる。
おいては、ジョセフソン接合が形成されており、ジョセ
フソン効果を示すので、センサー等に広く利用すること
ができる。
また、BEDT−TTF系化合物の単結晶は、平板状で
あり、室温で多量に台底することができるので、この素
子は、容易かつ多量に製造することができる。
あり、室温で多量に台底することができるので、この素
子は、容易かつ多量に製造することができる。
特に、有機超電導体が、(B E D T −T T
F )2Cu (NC5)2又は(B E D T
T T F ) z 13である場合、上記化合物は
、常圧下、液体ヘリウムによる冷却によって超電導状態
となるので、その素子がジョセフソン効果を示す状態に
容易に保つことかできるという効果を奏する。
F )2Cu (NC5)2又は(B E D T
T T F ) z 13である場合、上記化合物は
、常圧下、液体ヘリウムによる冷却によって超電導状態
となるので、その素子がジョセフソン効果を示す状態に
容易に保つことかできるという効果を奏する。
第1図はこの発明にかかる素子の一実施例を示す斜視図
、第2図はこの発明の素子に用いられる有機超電導体の
単結晶に金属層を設けた状態を示す斜視図であり、第3
図は上記素子に端子を接続した状態を示す斜視図である
。 A ・・ 素子、 ・・単結晶、 2 ・・ 常導体。
、第2図はこの発明の素子に用いられる有機超電導体の
単結晶に金属層を設けた状態を示す斜視図であり、第3
図は上記素子に端子を接続した状態を示す斜視図である
。 A ・・ 素子、 ・・単結晶、 2 ・・ 常導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ビス(エチレンジチオ)テトラチアフ ルバレン系化合物からなる二つの有機超 電導体が、厚さが10〜1000Åの常 電導金属からなる金属層を介して接合さ れていることを特徴とする有機超電導体 を用いた素子。 2、上記有機超電導体が、(BEDT− TTF)_2Cu(NCS)_2または (BEDT−TTF)_2I_3である請求項1記載の
有機超電導体を用いた素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223799A JPH0385776A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 有機超電導体を用いた素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223799A JPH0385776A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 有機超電導体を用いた素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385776A true JPH0385776A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16803900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223799A Pending JPH0385776A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 有機超電導体を用いた素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010025303A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Takano Co Ltd | 流量制御弁 |
| US9362476B2 (en) * | 2010-03-26 | 2016-06-07 | Ohio University | Engineering of an ultra-thin molecular superconductor by charge transfer |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223799A patent/JPH0385776A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010025303A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Takano Co Ltd | 流量制御弁 |
| US9362476B2 (en) * | 2010-03-26 | 2016-06-07 | Ohio University | Engineering of an ultra-thin molecular superconductor by charge transfer |
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