JPH0387085A - 超短光パルス発生装置 - Google Patents
超短光パルス発生装置Info
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- JPH0387085A JPH0387085A JP2135949A JP13594990A JPH0387085A JP H0387085 A JPH0387085 A JP H0387085A JP 2135949 A JP2135949 A JP 2135949A JP 13594990 A JP13594990 A JP 13594990A JP H0387085 A JPH0387085 A JP H0387085A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明番ヨ 光計凰 光情報処班 光通信等の光源と
して応用される超短光パルス発生装置に関するものであ
も 従来の技術 半導体レーザを用いて超短光パルスを発生する方法とし
ては 能動モード同期法 受動モード同期法 利得スイ
ッチング法等があも 能動および受動モード同期法につ
いて？ｉ 例えば セミコンダクターズアンドセミメ
タルズ２２巻パートＢチャプター１ （Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒｓ ａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ、ｖｏ
ｌ、２２．ｐａｒｔ Ｂ、Ｃｈａｐｔｅｒ １）に詳し
く解説されていも能動モード同期は半導体レーザへの注
入電流を外部共振器のラウンドトリップ周波数で変調を
行う。
して応用される超短光パルス発生装置に関するものであ
も 従来の技術 半導体レーザを用いて超短光パルスを発生する方法とし
ては 能動モード同期法 受動モード同期法 利得スイ
ッチング法等があも 能動および受動モード同期法につ
いて？ｉ 例えば セミコンダクターズアンドセミメ
タルズ２２巻パートＢチャプター１ （Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒｓ ａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ、ｖｏ
ｌ、２２．ｐａｒｔ Ｂ、Ｃｈａｐｔｅｒ １）に詳し
く解説されていも能動モード同期は半導体レーザへの注
入電流を外部共振器のラウンドトリップ周波数で変調を
行う。
受動モード同期（よ 共振器内に可飽和吸収体を含むこ
とにより行う。いずれの場合も外部共振器のラウンドト
リップ周波数で光パルスが発振し その光パルスの時間
幅としては１〜２０ｐｓのものが得られていも 利得ス
イッチング法（よ 半導体レーザを短い電流パルスで励
起し レーザ発振の過渡応答として生じる緩和振動の最
初のパルスだけを取り出して短パルス光を発生させる方
法であんこの方法で（よ 繰り返し周波数を自由に設定
することができも また 半導体レーザを用いた波長変
換型超短光パルスの発生について（よ 谷へ 豆本ｒＳ
ＨＧを用いた青色レーザ光源によるピコ秒発生」第４９
回応用物理学会学術講演予稿集７ａ−ＺＤ−８に報告さ
れていも 第８図に 従来の波長変換型超短光パルス発
生装置の概略構成図を示ｔ。 １は半導体レー吠 ２は
波長変換素子であり、 ３は光導波ｍ ４．５はレン
Ｘ ６はλ／２板である。半導体レーザ１から出射され
たＴＥモモ−発振の基本波７Ｃ上 レンズ４でコリメ
ートさ札 λ／２板６で偏光方向を９０°変換された後
レンズ５で集光されて波長変換素子２に形成された光導
波路３に入射すも この阪 光導波路３の中を導波する
基本波とチェレンコフ放射される第二高調波８の位相速
度が等しくなり、効率良く第二高調波が発生ずん波長０
．８４μｍの半導体レーザをコムジェネレータを用いて
パルス幅数百ｐｓの短電流パルスで利得スイッチするこ
とにより、パルス幅２０ｐｓ程度の基本波を発生させ、
パルス幅１０ｐｓ程度の波長０．４２μｍの第二高調波
が得られていも 発明が解決しようとする課題 上記従来の技術で述べたように 半導体レーザの能動お
よび受動モード同期法で１よ 半導体レーザの出射光を
外部共振器で再び半導体レーザに帰還してしまうた数
出力を大きくとることができないという問題点であっｆ
、 また 装置の構成が複雑型 調整が困難であり九
半導体レーザの利得スイッチング法では簡単な構成で
超短光パルスの発生が可能である力丈 その出力を波長
変換した場合にｊ＆ 現状得られている第二高調波の
出力は小さいた△ 半導体レーザの出射光パルスの高出
力化が課題となっていも 半導体レーザの出射光パルス
（よ 励起する電流パルスのビークを高くすれば大きく
なる力交 パルス幅が数百ｐｓと小さい場合にｉｔ
高ピークの電流パルスを得るのは困難であった 本発明
（よ 上述の問題点に鑑みてなされたもの式 半導体レ
ーザを利得スイッチングする短電流パルスのピークを高
くすることなく、半導体レーザから出射される光パルス
を高出力化することができ、その出射光パルスを波長変
換して得られる第二高調波の光パルスも高出力化するこ
とができる超短光パルス発生装置を提供することを目的
とすも 課題を解決するための手段 本発明の超短光パルス発生装置ζ上 上述の課題を解決
するた△ 半導体基板上に形成された少なくとも活性層
及び閉じ込め層を含む共振器を備え、前記共振器の一部
が前記活性層に電流を注入するための電極を有する利得
領域であり、前記共振器の他部が可飽和吸収領域である
半導体レーザを短電流パルスで励起して利得スイッチン
グする構成あるい（友 前記構成の超短光パルス発生装
置において、半導体レーザと光導波路構造を有する波長
変換素子が光学的に結合した構造を備え、 前記半導体
レーザから出射される超短パルス光を基本波として前記
波長変換素子に結合し 前記波長変換素子からの出力光
として前記基本波の第二高調波を発生する構成を備えた
ものであり、半導体レーザの共振器の第１の端面が高反
射膜を有し 第２の端面が反射防止膜を有する出射端で
あってもよく、また 半導体レーザの可飽和吸収領域が
制御電極を有し 前記可飽和吸収領域と利得領域が電気
的に絶縁された構成であってもよ八作用 本発明では 半導体レーザ（よ 電流が注入されると利
得領域で発光が生じる戟 発光が小さいときは可飽和吸
収領域での吸収が大きく出力光は低レベルである力東
発光が大きくなると可飽和吸収領域の吸収が飽和しはじ
碌 しきい値をこえるとレーザ発振し出力光は高レベル
状態となん 本発明における半導体レーザで（友 短電
流パルスで利得スイッチングを行うと、利得領域の利得
の増加と可飽和吸収領域の吸収の低下の相乗効果により
、通常の半導体レーザよりも大きい光パルス出力が得ら
れも また 本発明では半導体レーザからの光パルス出
力を基本波として波長変換素子に結合すると基本波の第
二高調波が発生する力交 第二高調波は基本波の出力の
２乗に比例して変換されるたな 第二高調波の高出力化
が可能となん実施例 第１図は本発明の第１の実施例による波長変換型超短光
パルス発生装置の概略構成を示すものであって、 ９は
発振波長０．８３ｕ ｍＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系半導
体レーザ、１０はＧａＡｌＡｓ活性Ｉ’ｌｌは長さ２３
０μｍの利得領Ｑ １２，１３はそれぞれ長さ２５μ
ｍの可飽和吸収領域１４は電流注入を行うための電＆
２は波長変換素子、 ３は光導波跋 ４，５はレン′Ｘ
Ｓ ６はλ／２板であも 半導体レーザ９の共振器端面
２０はＡｌ２Ｏ５とＳｉの多層コーティングにより反射
率９６％の高反射率であり、共振器端面２１はＡｈＯｓ
単層コーティングにより反射率３％の低反射率となって
いも波長変換素子２ ｇ；Ｌ Ｚ−ｃｕｔのＬｉＮｂ
Ｏ５基板にプロトン交換により光導波路３ （幅×厚み
＝１．６μｍｘＱ、３５μｍ）を形成したもので、基本
波は最低次ＴＭ導波モーぺ 高調波はＴＭ放射モードの
チェレンコフ放射型のものであも 第２図に半導体レー
ザ９の電流−光出力特性を示す。端面反射率制御により
４０ｍＷ以上の高出力が得られｔも 電極１４よりし
きい値電流の０．７倍のバイアス電流とパルス幅４００
ｐａ。
とにより行う。いずれの場合も外部共振器のラウンドト
リップ周波数で光パルスが発振し その光パルスの時間
幅としては１〜２０ｐｓのものが得られていも 利得ス
イッチング法（よ 半導体レーザを短い電流パルスで励
起し レーザ発振の過渡応答として生じる緩和振動の最
初のパルスだけを取り出して短パルス光を発生させる方
法であんこの方法で（よ 繰り返し周波数を自由に設定
することができも また 半導体レーザを用いた波長変
換型超短光パルスの発生について（よ 谷へ 豆本ｒＳ
ＨＧを用いた青色レーザ光源によるピコ秒発生」第４９
回応用物理学会学術講演予稿集７ａ−ＺＤ−８に報告さ
れていも 第８図に 従来の波長変換型超短光パルス発
生装置の概略構成図を示ｔ。 １は半導体レー吠 ２は
波長変換素子であり、 ３は光導波ｍ ４．５はレン
Ｘ ６はλ／２板である。半導体レーザ１から出射され
たＴＥモモ−発振の基本波７Ｃ上 レンズ４でコリメ
ートさ札 λ／２板６で偏光方向を９０°変換された後
レンズ５で集光されて波長変換素子２に形成された光導
波路３に入射すも この阪 光導波路３の中を導波する
基本波とチェレンコフ放射される第二高調波８の位相速
度が等しくなり、効率良く第二高調波が発生ずん波長０
．８４μｍの半導体レーザをコムジェネレータを用いて
パルス幅数百ｐｓの短電流パルスで利得スイッチするこ
とにより、パルス幅２０ｐｓ程度の基本波を発生させ、
パルス幅１０ｐｓ程度の波長０．４２μｍの第二高調波
が得られていも 発明が解決しようとする課題 上記従来の技術で述べたように 半導体レーザの能動お
よび受動モード同期法で１よ 半導体レーザの出射光を
外部共振器で再び半導体レーザに帰還してしまうた数
出力を大きくとることができないという問題点であっｆ
、 また 装置の構成が複雑型 調整が困難であり九
半導体レーザの利得スイッチング法では簡単な構成で
超短光パルスの発生が可能である力丈 その出力を波長
変換した場合にｊ＆ 現状得られている第二高調波の
出力は小さいた△ 半導体レーザの出射光パルスの高出
力化が課題となっていも 半導体レーザの出射光パルス
（よ 励起する電流パルスのビークを高くすれば大きく
なる力交 パルス幅が数百ｐｓと小さい場合にｉｔ
高ピークの電流パルスを得るのは困難であった 本発明
（よ 上述の問題点に鑑みてなされたもの式 半導体レ
ーザを利得スイッチングする短電流パルスのピークを高
くすることなく、半導体レーザから出射される光パルス
を高出力化することができ、その出射光パルスを波長変
換して得られる第二高調波の光パルスも高出力化するこ
とができる超短光パルス発生装置を提供することを目的
とすも 課題を解決するための手段 本発明の超短光パルス発生装置ζ上 上述の課題を解決
するた△ 半導体基板上に形成された少なくとも活性層
及び閉じ込め層を含む共振器を備え、前記共振器の一部
が前記活性層に電流を注入するための電極を有する利得
領域であり、前記共振器の他部が可飽和吸収領域である
半導体レーザを短電流パルスで励起して利得スイッチン
グする構成あるい（友 前記構成の超短光パルス発生装
置において、半導体レーザと光導波路構造を有する波長
変換素子が光学的に結合した構造を備え、 前記半導体
レーザから出射される超短パルス光を基本波として前記
波長変換素子に結合し 前記波長変換素子からの出力光
として前記基本波の第二高調波を発生する構成を備えた
ものであり、半導体レーザの共振器の第１の端面が高反
射膜を有し 第２の端面が反射防止膜を有する出射端で
あってもよく、また 半導体レーザの可飽和吸収領域が
制御電極を有し 前記可飽和吸収領域と利得領域が電気
的に絶縁された構成であってもよ八作用 本発明では 半導体レーザ（よ 電流が注入されると利
得領域で発光が生じる戟 発光が小さいときは可飽和吸
収領域での吸収が大きく出力光は低レベルである力東
発光が大きくなると可飽和吸収領域の吸収が飽和しはじ
碌 しきい値をこえるとレーザ発振し出力光は高レベル
状態となん 本発明における半導体レーザで（友 短電
流パルスで利得スイッチングを行うと、利得領域の利得
の増加と可飽和吸収領域の吸収の低下の相乗効果により
、通常の半導体レーザよりも大きい光パルス出力が得ら
れも また 本発明では半導体レーザからの光パルス出
力を基本波として波長変換素子に結合すると基本波の第
二高調波が発生する力交 第二高調波は基本波の出力の
２乗に比例して変換されるたな 第二高調波の高出力化
が可能となん実施例 第１図は本発明の第１の実施例による波長変換型超短光
パルス発生装置の概略構成を示すものであって、 ９は
発振波長０．８３ｕ ｍＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系半導
体レーザ、１０はＧａＡｌＡｓ活性Ｉ’ｌｌは長さ２３
０μｍの利得領Ｑ １２，１３はそれぞれ長さ２５μ
ｍの可飽和吸収領域１４は電流注入を行うための電＆
２は波長変換素子、 ３は光導波跋 ４，５はレン′Ｘ
Ｓ ６はλ／２板であも 半導体レーザ９の共振器端面
２０はＡｌ２Ｏ５とＳｉの多層コーティングにより反射
率９６％の高反射率であり、共振器端面２１はＡｈＯｓ
単層コーティングにより反射率３％の低反射率となって
いも波長変換素子２ ｇ；Ｌ Ｚ−ｃｕｔのＬｉＮｂ
Ｏ５基板にプロトン交換により光導波路３ （幅×厚み
＝１．６μｍｘＱ、３５μｍ）を形成したもので、基本
波は最低次ＴＭ導波モーぺ 高調波はＴＭ放射モードの
チェレンコフ放射型のものであも 第２図に半導体レー
ザ９の電流−光出力特性を示す。端面反射率制御により
４０ｍＷ以上の高出力が得られｔも 電極１４よりし
きい値電流の０．７倍のバイアス電流とパルス幅４００
ｐａ。
繰り返し周波数１０ＭＨｚの短電流パルスを注入して半
導体レーザ９を利得スイッチングすることにより、パル
ス輻２０ｐｓ以下、 ピーク出力２Ｗ以上の従来の２倍
以上の高出力の超短光パルスが得られｆ、、’４３図に
両端に各５μｍ、１５μｍ、２５μｍの可飽和吸収領
域をもつ半導体レーザのピーク出力のバイアス電流依存
性を示す。可飽和吸収の効果が大きいほど大きいピーク
出力が得られｔも 第２図の半導体レーザ９から出射
されたＴＥモモ−発振の光パルスは 基本波７としてレ
ンズ４でコリメートさ花λ／２板６で偏光方向を９０°
変換された後レンズ５で集光されて波長変換素子２に形
成された光導波路３に入射すも この限 光導波路３の
中を導波するＴＭ導波モードの基本波をＴ放射モードの
第二高調波の位相速度が等しくなり、基本波７は波長０
．４１５μｍの第二高調波の光パルス８に変換されてチ
ェレンコフ放射されも 第二高調波出力は基本波出力の
２乗に比例して変換されるたム 従来の４倍以上のピー
ク出力的１０ｍＷの高出力でパルス輻１０ｐｓ以下の第
二高調波が得られｔラ 第４図（ａ）、 （ｂ）に光
オシロスコープで観測した半導体レーザ光と第二高調波
の光パルス波形を示す。第５図（上 本発明の第２の実
施例による超短光パルス発生装置における半導体レーザ
の概略断面図を示すものであって、半導体レーザ１５の
共振器内部に可飽和吸収領域１６が設けられていも こ
のようなレーザで（よ 可飽和吸収領域の長さを作製プ
ロセスで用いるマスクで設定できるた取 同一ウエバ内
で分留りよく同等の特性を示すものが得られ？Ｑ、
第６図は 本発明の第３の実施例による超短光パルス発
生装置における半導体レーザの概略断面図であって、半
導体レーザ１７の可飽和吸収領域１８に制御電極１９が
設けられていも 利得領域１１と可飽和吸収領域１８は
エツチングによって溝２０を形成することにより、電気
的に絶縁されていも 第７図に制御電極１９への印加電
圧を変化したときの利得領域１１への注入電流−光出力
特性を示も 制御電極１９への電圧を変化すると可飽和
吸収領域の吸収係数が変化するたべ しきい値電流が変
化していも 制御電極１９への電圧を変化することは
第１あるいは第２の実施例における半導体レーザ玄 可
飽和吸収領域長を変化することに対応しているが電圧を
変化する場合には連続的に制御できるたべ 利得スイッ
チングを行ったときに光パルスのピーク出力が最大とな
るように制御することができ丸な抵 本実施例では半導
体レーザとして波長０．８μｍ帯のＧａＡｓＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系を用いた八 波長１．３μｍ帯および波長１．５
５μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系あるいは波長０．
６．ｕｎ帯のＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ系であっても同
等の効果が得られ 波長変換も可能であも 発明の、効果 以上の説明から明らかなように 本発明（友 半導体レ
ーザを利得領域と可飽和吸収領域を有する構成をするこ
とによって、ピーク出力の大きな超短光パルスが得られ
るという効果を有するものであも また上記半導体レー
ザの光パルス出力を基本波として光導波路型波長変換素
子に入射すると、基本波の出力の２乗に比例した第二高
調波が得られるた△ 短波長の超短光パルスの高出力化
が可能となるという効果を有するものであも
導体レーザ９を利得スイッチングすることにより、パル
ス輻２０ｐｓ以下、 ピーク出力２Ｗ以上の従来の２倍
以上の高出力の超短光パルスが得られｆ、、’４３図に
両端に各５μｍ、１５μｍ、２５μｍの可飽和吸収領
域をもつ半導体レーザのピーク出力のバイアス電流依存
性を示す。可飽和吸収の効果が大きいほど大きいピーク
出力が得られｔも 第２図の半導体レーザ９から出射
されたＴＥモモ−発振の光パルスは 基本波７としてレ
ンズ４でコリメートさ花λ／２板６で偏光方向を９０°
変換された後レンズ５で集光されて波長変換素子２に形
成された光導波路３に入射すも この限 光導波路３の
中を導波するＴＭ導波モードの基本波をＴ放射モードの
第二高調波の位相速度が等しくなり、基本波７は波長０
．４１５μｍの第二高調波の光パルス８に変換されてチ
ェレンコフ放射されも 第二高調波出力は基本波出力の
２乗に比例して変換されるたム 従来の４倍以上のピー
ク出力的１０ｍＷの高出力でパルス輻１０ｐｓ以下の第
二高調波が得られｔラ 第４図（ａ）、 （ｂ）に光
オシロスコープで観測した半導体レーザ光と第二高調波
の光パルス波形を示す。第５図（上 本発明の第２の実
施例による超短光パルス発生装置における半導体レーザ
の概略断面図を示すものであって、半導体レーザ１５の
共振器内部に可飽和吸収領域１６が設けられていも こ
のようなレーザで（よ 可飽和吸収領域の長さを作製プ
ロセスで用いるマスクで設定できるた取 同一ウエバ内
で分留りよく同等の特性を示すものが得られ？Ｑ、
第６図は 本発明の第３の実施例による超短光パルス発
生装置における半導体レーザの概略断面図であって、半
導体レーザ１７の可飽和吸収領域１８に制御電極１９が
設けられていも 利得領域１１と可飽和吸収領域１８は
エツチングによって溝２０を形成することにより、電気
的に絶縁されていも 第７図に制御電極１９への印加電
圧を変化したときの利得領域１１への注入電流−光出力
特性を示も 制御電極１９への電圧を変化すると可飽和
吸収領域の吸収係数が変化するたべ しきい値電流が変
化していも 制御電極１９への電圧を変化することは
第１あるいは第２の実施例における半導体レーザ玄 可
飽和吸収領域長を変化することに対応しているが電圧を
変化する場合には連続的に制御できるたべ 利得スイッ
チングを行ったときに光パルスのピーク出力が最大とな
るように制御することができ丸な抵 本実施例では半導
体レーザとして波長０．８μｍ帯のＧａＡｓＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系を用いた八 波長１．３μｍ帯および波長１．５
５μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系あるいは波長０．
６．ｕｎ帯のＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ系であっても同
等の効果が得られ 波長変換も可能であも 発明の、効果 以上の説明から明らかなように 本発明（友 半導体レ
ーザを利得領域と可飽和吸収領域を有する構成をするこ
とによって、ピーク出力の大きな超短光パルスが得られ
るという効果を有するものであも また上記半導体レー
ザの光パルス出力を基本波として光導波路型波長変換素
子に入射すると、基本波の出力の２乗に比例した第二高
調波が得られるた△ 短波長の超短光パルスの高出力化
が可能となるという効果を有するものであも
第１図は本発明の第１の実施例による波長変換型超短光
パルス発生装置の概略構成阻 第２図は第１の実施例に
おける半導体レーザの電流−光出力特性は 第３図は可
飽和吸収領域の異なる半導体レーザのピーク出力のバイ
アス電流依存性は第４図（ａ）、 （ｂ）は半導体レー
ザ光 第二高調波パルス波形は 第５図は本発明の第２
の実施例における半導体レーザの概略断面は 第６図は
本発明の第３の実施例における半導体レーザの概略断面
は第７図は第３の実施例における半導体レーザの電流−
光出力特性は 第８図は従来例における波長変換型超短
光パルス発生装置の概略構成図であも２パ・・・波長変
換素子、３・・・・光導波ｉ ９，１５゜１７・・・
・半導体レーｆ、 １０・・・・活性態 １１・・・
・利得類［１２，１３，１６，１８・・・・可飽和吸収
領域 １４・・・・電極 １９・・・・制御電極
パルス発生装置の概略構成阻 第２図は第１の実施例に
おける半導体レーザの電流−光出力特性は 第３図は可
飽和吸収領域の異なる半導体レーザのピーク出力のバイ
アス電流依存性は第４図（ａ）、 （ｂ）は半導体レー
ザ光 第二高調波パルス波形は 第５図は本発明の第２
の実施例における半導体レーザの概略断面は 第６図は
本発明の第３の実施例における半導体レーザの概略断面
は第７図は第３の実施例における半導体レーザの電流−
光出力特性は 第８図は従来例における波長変換型超短
光パルス発生装置の概略構成図であも２パ・・・波長変
換素子、３・・・・光導波ｉ ９，１５゜１７・・・
・半導体レーｆ、 １０・・・・活性態 １１・・・
・利得類［１２，１３，１６，１８・・・・可飽和吸収
領域 １４・・・・電極 １９・・・・制御電極
Claims (5)
- （１）半導体基板上に形成された少なくとも活性層及び
閉じ込め層を含む共振器を備え、前記共振器の一部が前
記活性層に電流を注入するための電極を有する利得領域
であり、前記共振器の他部が可飽和吸収領域である半導
体レーザを短電流パルスで励起して利得スイッチングす
ることを特徴とする超短光パルス発生装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の超短光パルス発生装
置と光導波路構造を有する波長変換素子が光学的に結合
した構造を備え、前記半導体レーザから出射される超短
パルス光を基本波として前記波長変換素子に結合し、前
記波長変換素子からの出力光として前記基本波の第二高
調波を発生することを特徴とする波長変換型超短光パル
ス発生装置。 - （３）半導体レーザの共振器の第１の端面が高反射膜を
有し、第２の端面が反射防止膜を有する出射端であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
超短光パルス発生装置。 - （４）半導体レーザの可飽和吸収領域を前記半導体レー
ザ共振器端面から離れた前記共振器内部に備えたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の超
短光パルス発生装置。 - （５）半導体レーザの可飽和吸収領域が制御電極を有し
、前記可飽和吸収領域と利得領域が電気的に絶縁されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の超短光パルス発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-170159 | 1989-06-30 | ||
| JP17015989 | 1989-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387085A true JPH0387085A (ja) | 1991-04-11 |
| JPH07112095B2 JPH07112095B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15899778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2135949A Expired - Lifetime JPH07112095B2 (ja) | 1989-06-30 | 1990-05-25 | 超短光パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112095B2 (ja) |
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| JPH07112095B2 (ja) | 1995-11-29 |
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