JPS6281086A - 光送信装置 - Google Patents
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- JPS6281086A JPS6281086A JP60220310A JP22031085A JPS6281086A JP S6281086 A JPS6281086 A JP S6281086A JP 60220310 A JP60220310 A JP 60220310A JP 22031085 A JP22031085 A JP 22031085A JP S6281086 A JPS6281086 A JP S6281086A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信システムに用いる光送信装置、
時に高速変調時にも高消光比で狭いスペクトル幅で動作
する光送信装置に関する。
時に高速変調時にも高消光比で狭いスペクトル幅で動作
する光送信装置に関する。
近年、光フアイバ通信では、単一モードファイバの最低
損失帯である波長１．５μｍ帯を利用した長距離大容量
の光フアイバ通信システムの検討がなされている。
損失帯である波長１．５μｍ帯を利用した長距離大容量
の光フアイバ通信システムの検討がなされている。
ところで波長１．５ μｍ帯では、単一モードファイバ
に波長の違いによって伝搬速度が異なる性質つまり波長
分散がある。このため、長距離大容量の光フアイバ通信
システムには、単一モードファイバの波長分散の影響を
除くため、高速変調時に単一軸モードで発振しかつスペ
クトル幅拡がりの小さな光源が必要とされる。現在、単
一軸モードで発振する上記の光源としては、素子内部に
回折格子を有し、その波長選択性を利用して単一軸モー
ドで発振する分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレーザ）
が開発されている。ＤＦＢレーザは高速変調時にも、単
一軸モードで発振し、変調時のスペクトル幅の拡がりも
比較的狭い半導体レーザであり、１．５μｍ帯ＤＦＢレ
ーザを用いて、ビットレイト１．８Ｇｂ／ｓで６０ｋｍ
の単一モードファイバ伝送が実現されている（藤田他、
１．５μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤを用いた高速長距離光フアイ
バ伝送の検討、昭和５９年度電子通信学会通信部門全国
大会７３９）。
に波長の違いによって伝搬速度が異なる性質つまり波長
分散がある。このため、長距離大容量の光フアイバ通信
システムには、単一モードファイバの波長分散の影響を
除くため、高速変調時に単一軸モードで発振しかつスペ
クトル幅拡がりの小さな光源が必要とされる。現在、単
一軸モードで発振する上記の光源としては、素子内部に
回折格子を有し、その波長選択性を利用して単一軸モー
ドで発振する分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレーザ）
が開発されている。ＤＦＢレーザは高速変調時にも、単
一軸モードで発振し、変調時のスペクトル幅の拡がりも
比較的狭い半導体レーザであり、１．５μｍ帯ＤＦＢレ
ーザを用いて、ビットレイト１．８Ｇｂ／ｓで６０ｋｍ
の単一モードファイバ伝送が実現されている（藤田他、
１．５μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤを用いた高速長距離光フアイ
バ伝送の検討、昭和５９年度電子通信学会通信部門全国
大会７３９）。
前記の報告例では、マーク“１”とスペース“０”の２
値で高速変調された送信光のスペクトル幅拡がりを小さ
くするため、ＤＦＢレーザを発振の閾値以上にバイアス
して動作させている。その結果、ＤＦＢレーザの高速変
調時のスペクトル幅は狭くなり、６０ｋｍの単一モード
ファイバ伝送後の波長分散による感度劣化は約１ｄＢ程
度に抑えられている。
値で高速変調された送信光のスペクトル幅拡がりを小さ
くするため、ＤＦＢレーザを発振の閾値以上にバイアス
して動作させている。その結果、ＤＦＢレーザの高速変
調時のスペクトル幅は狭くなり、６０ｋｍの単一モード
ファイバ伝送後の波長分散による感度劣化は約１ｄＢ程
度に抑えられている。
しかし、上記のＤＦＢレーザを閾値以上にバイアスして
２値の強度変調を行なった場合、スペース“０”の部分
でもレーザ発振するため、消光比の低下による感度劣化
が生じるという問題があった。因に、前記の報告例では
消光比の低下により約２ｄＢの感度劣化が生じていた。
２値の強度変調を行なった場合、スペース“０”の部分
でもレーザ発振するため、消光比の低下による感度劣化
が生じるという問題があった。因に、前記の報告例では
消光比の低下により約２ｄＢの感度劣化が生じていた。
本発明の目的は高速変調時にも狭スペクトル幅で発振す
るとともに、消光比劣化の生じない光フアイバ通信用の
光送信装置を提供することにある。
るとともに、消光比劣化の生じない光フアイバ通信用の
光送信装置を提供することにある。
本発明の光送信装置は、送信光源としての半導体レーザ
素子と、前記半導体レーザ素子をパルス変調するための
駆動回路と、前記半導体レーザ素子と光学的に結合され
た可飽和吸収体とを含み、前記可飽和吸収体で前記半導
体レーザ素子からのパルス変調光の消光比改善を行なっ
て、前記可飽和吸収体からの光出力を送信光として用い
ることを特徴とする。
素子と、前記半導体レーザ素子をパルス変調するための
駆動回路と、前記半導体レーザ素子と光学的に結合され
た可飽和吸収体とを含み、前記可飽和吸収体で前記半導
体レーザ素子からのパルス変調光の消光比改善を行なっ
て、前記可飽和吸収体からの光出力を送信光として用い
ることを特徴とする。
次に本発明の作用について述べる。前述のように、高速
変調されたＤＦＢレーザの発振スペクトルを狭くするた
めには、ＤＦＢレーザのバイアス電流を発振閾値以上に
設定するのが望ましいが、この場合には変調光の消光比
劣化が生じる。そこで、本発明では、閾値以上にバイア
スしたＤＦＢレーザの変調光の消光比を改善するために
、可飽和吸収体を用いる。
変調されたＤＦＢレーザの発振スペクトルを狭くするた
めには、ＤＦＢレーザのバイアス電流を発振閾値以上に
設定するのが望ましいが、この場合には変調光の消光比
劣化が生じる。そこで、本発明では、閾値以上にバイア
スしたＤＦＢレーザの変調光の消光比を改善するために
、可飽和吸収体を用いる。
第６図にその原理図を示す。第６図（ａ）に閾値以上に
バイアスし、消光比が低下したＤＦＢレーザの光変調出
力を示す。第６図（ｂ）は可飽和吸収体の先人出力特性
を示す ものである。可飽和吸収体は光入力が一定値
以上になると、急に光吸収型が減少する特性をもつため
、その先人出力特性は第６図（ｂ）の様になる。さて、
第６図（ａ）に示す光変調出力を第６図（ｂ）に示す特
性を持つ可飽和吸収体に入射させる。このとき可飽和吸
収体からの光出力は、第６図（ｃ）に示される様にスペ
ース“Ｏ”の部分の光出力が小さくなった波形となり、
消光比が改善される。また、この可飽和吸収体を用いて
、高速変調されたＤＦＢレーザの発振スペクトル幅をさ
らに狭めることができる。
バイアスし、消光比が低下したＤＦＢレーザの光変調出
力を示す。第６図（ｂ）は可飽和吸収体の先人出力特性
を示す ものである。可飽和吸収体は光入力が一定値
以上になると、急に光吸収型が減少する特性をもつため
、その先人出力特性は第６図（ｂ）の様になる。さて、
第６図（ａ）に示す光変調出力を第６図（ｂ）に示す特
性を持つ可飽和吸収体に入射させる。このとき可飽和吸
収体からの光出力は、第６図（ｃ）に示される様にスペ
ース“Ｏ”の部分の光出力が小さくなった波形となり、
消光比が改善される。また、この可飽和吸収体を用いて
、高速変調されたＤＦＢレーザの発振スペクトル幅をさ
らに狭めることができる。
第７図（ａ）に、発振閾値以上にバイアスし、２値のラ
ンダムパターンで高速変調をかけたＤＦＢレーザの発振
スペクトルを示す。この場合、発振スペクトルには変調
信号のマーク“１”とスペース“０”に対応した２つの
レーザ発振のピークが表われる。そこで、可飽和吸収体
を用いて、スペース“０”の部分の光出力を減少させる
ことにより、発振スペクトルを第７図（ｂ）に示すよう
に、狭くすることができる。
ンダムパターンで高速変調をかけたＤＦＢレーザの発振
スペクトルを示す。この場合、発振スペクトルには変調
信号のマーク“１”とスペース“０”に対応した２つの
レーザ発振のピークが表われる。そこで、可飽和吸収体
を用いて、スペース“０”の部分の光出力を減少させる
ことにより、発振スペクトルを第７図（ｂ）に示すよう
に、狭くすることができる。
以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例である光送信装置の構成
図を示したものであり、集積型半導体レーザ素子３２と
周辺電気回路からなっている。
図を示したものであり、集積型半導体レーザ素子３２と
周辺電気回路からなっている。
集積型半導体レーデ素子３２は、ｎ−１ｎＰ基板１の上
に波長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰの活性層２お
よび波長組成１．３．ｕｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光ガ
イド層３を順にエピタキシャル成長させた後、光ガイド
層３０表面のレーザ領域１３となる部分にのみ周期約２
４００人の回折格子１０を形成し、可飽和吸収領域１４
となる部分は平坦な状態として構成されている。その後
、レーザ領域１３および可飽和吸収領域１４の全面を覆
うようにｐ−ＩｎＰのクラッド層４およびｐ” −Ｉｎ
ＧａＡｓＰのキャップ層５を順にエピタキシャル成長さ
せ、レーザ領域１３及び可飽和吸収領域１４のキャップ
層５上にそれぞれ第１．第２の電極６．７を形成し、Ｉ
ｎＰ基板１の下には第３の電極８を形成する。第１゜第
２の電極６．７の間には、両電極間の電気的アイソレー
ションをよくするために、キャップ層５より深い溝９が
形成しである。
に波長組成１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰの活性層２お
よび波長組成１．３．ｕｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光ガ
イド層３を順にエピタキシャル成長させた後、光ガイド
層３０表面のレーザ領域１３となる部分にのみ周期約２
４００人の回折格子１０を形成し、可飽和吸収領域１４
となる部分は平坦な状態として構成されている。その後
、レーザ領域１３および可飽和吸収領域１４の全面を覆
うようにｐ−ＩｎＰのクラッド層４およびｐ” −Ｉｎ
ＧａＡｓＰのキャップ層５を順にエピタキシャル成長さ
せ、レーザ領域１３及び可飽和吸収領域１４のキャップ
層５上にそれぞれ第１．第２の電極６．７を形成し、Ｉ
ｎＰ基板１の下には第３の電極８を形成する。第１゜第
２の電極６．７の間には、両電極間の電気的アイソレー
ションをよくするために、キャップ層５より深い溝９が
形成しである。
また、周辺回路は前述のレーザ領域１３にバイアス電流
２０と変調電流２１を注入するための駆動用電気回路１
１と、可飽和吸収領域１４で光吸収の制御を行うために
可飽和吸収領域１４にバイアス電流２３を注入する制御
用電気回路１２とからなっている。
２０と変調電流２１を注入するための駆動用電気回路１
１と、可飽和吸収領域１４で光吸収の制御を行うために
可飽和吸収領域１４にバイアス電流２３を注入する制御
用電気回路１２とからなっている。
この集積型半導体レーザ素子３２のレーザ領域１３は、
回折格子１００波長選択性を利用して単一軸モード発振
するＤＦＢレーザとして作用する。しかし、この素子で
は、レーザ領域１３の端面１７と可飽和吸収領域１４の
端面１８とで構成される共振器により、光出力にヒステ
リシス特性が生じやすくなる。
回折格子１００波長選択性を利用して単一軸モード発振
するＤＦＢレーザとして作用する。しかし、この素子で
は、レーザ領域１３の端面１７と可飽和吸収領域１４の
端面１８とで構成される共振器により、光出力にヒステ
リシス特性が生じやすくなる。
これを防ぐために本実施例では、可飽和吸収領域１４側
の端面１８には、ＳｉＮを用いて反射率１％以下の無反
射コーテイング膜１５が形成しである。
の端面１８には、ＳｉＮを用いて反射率１％以下の無反
射コーテイング膜１５が形成しである。
さて、この集積型半導体レーザ素子３２のレーザ領域１
３のみに駆動用電気回路１２を介して電流を注入すると
、波長１．５５μｍ付近で単一軸モード発振する。また
、発振閾値電流は４０ｍＡである。この時の集積型半導
体レーザ素子３２の電流対光出力特性を第２図に示す。
３のみに駆動用電気回路１２を介して電流を注入すると
、波長１．５５μｍ付近で単一軸モード発振する。また
、発振閾値電流は４０ｍＡである。この時の集積型半導
体レーザ素子３２の電流対光出力特性を第２図に示す。
ここで、第２図の線（ａ）はレーザ領域１３の端面１７
からの第１の光出力１９であり、第２図の線（Ｃ）は可
飽和吸収領域１４の端面１８からの第２の光出力１６で
ある。可飽和吸収領域１４内の電流の注入されていない
活性層２は、光入力の増加に伴い、光吸収量が減少する
可飽和吸収体として働くので、第２の光出力１６の電流
対光出力特性には第２図の線（Ｃ）の様にキングが生じ
る。一方、可飽和吸収領域１４に制御用電気回路１２を
介して６ｍＡの電流を注入した場合には、可飽和吸収領
域の光吸収量が減少し、第２の光出力１６の電流対先出
力特性は第２図の線（ｂ＞の様になる。次にこの集積型
半導体レーザ素子３２をビットレイ）２Ｇｂ／ｓのＲＺ
符号で変調した場合について説明する。この場合、レー
デ領域１３からの第１の光出力１９の発振スペクトルが
狭くなる様にレーザ領域１３へのバイアス電流を発振閾
値以上の５０ｍＡに設定し、可飽和吸収領域への注入電
流は、６ｍＡとした。第３図に２Ｇｂ／ｓのＲＺ符号で
変調した時の第１の光出力１９及び第２の光出力１６の
発振スペクトルを示す。レーザ領域１３からの第１の光
出力１９の発振スペクトル（第３図の線（ａ））は変調
信号のマーク“１″、スペース“０”に対応した双峰性
の発振スペクトルであり、発振スペクトルのすそ幅は約
４人であった。一方、可飽和吸収領域１４からの光出力
１６の発振スペクトル（第３図の線（ｂ））は、光出力
の小さいスペース“０”のスペクトルが減衰させられる
ため、発振スペクトルのすそ幅は約１．５人と狭くなっ
ている。
からの第１の光出力１９であり、第２図の線（Ｃ）は可
飽和吸収領域１４の端面１８からの第２の光出力１６で
ある。可飽和吸収領域１４内の電流の注入されていない
活性層２は、光入力の増加に伴い、光吸収量が減少する
可飽和吸収体として働くので、第２の光出力１６の電流
対光出力特性には第２図の線（Ｃ）の様にキングが生じ
る。一方、可飽和吸収領域１４に制御用電気回路１２を
介して６ｍＡの電流を注入した場合には、可飽和吸収領
域の光吸収量が減少し、第２の光出力１６の電流対先出
力特性は第２図の線（ｂ＞の様になる。次にこの集積型
半導体レーザ素子３２をビットレイ）２Ｇｂ／ｓのＲＺ
符号で変調した場合について説明する。この場合、レー
デ領域１３からの第１の光出力１９の発振スペクトルが
狭くなる様にレーザ領域１３へのバイアス電流を発振閾
値以上の５０ｍＡに設定し、可飽和吸収領域への注入電
流は、６ｍＡとした。第３図に２Ｇｂ／ｓのＲＺ符号で
変調した時の第１の光出力１９及び第２の光出力１６の
発振スペクトルを示す。レーザ領域１３からの第１の光
出力１９の発振スペクトル（第３図の線（ａ））は変調
信号のマーク“１″、スペース“０”に対応した双峰性
の発振スペクトルであり、発振スペクトルのすそ幅は約
４人であった。一方、可飽和吸収領域１４からの光出力
１６の発振スペクトル（第３図の線（ｂ））は、光出力
の小さいスペース“０”のスペクトルが減衰させられる
ため、発振スペクトルのすそ幅は約１．５人と狭くなっ
ている。
第４図には、２Ｇｂ／ｓのＲＺ符号で変調した時の第１
の光出力１９及び第２の光出力１６の光変調波形を示す
。レーザ領域１３からの第１の光出力１９の光変調波形
（第４図の線（ａ））はバイアス電流を発振閾値以上と
しているため、消光比が４：１と悪い状態である。一方
、可飽和吸収領域１４からの第２の光出力１６はスペー
ス“０”の光出力が減衰するので、消光比は１５：１ま
で改善されている。
の光出力１９及び第２の光出力１６の光変調波形を示す
。レーザ領域１３からの第１の光出力１９の光変調波形
（第４図の線（ａ））はバイアス電流を発振閾値以上と
しているため、消光比が４：１と悪い状態である。一方
、可飽和吸収領域１４からの第２の光出力１６はスペー
ス“０”の光出力が減衰するので、消光比は１５：１ま
で改善されている。
実際にこの集積型半導体レーザ素子３２の可飽和吸収領
域１４からの光出力１６をアイソレータ及び対物レンズ
を介して、単一モードファイバに入射させ、２Ｇｂ／ｓ
のＲＺ符号で、１００ ｋｍの単一モードファイバ伝送
実験を行なった結果、消光比劣化による感度劣化は０．
５ｄＢ以下程度であった。また波長１．５．ｕｍでの波
長分散１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの単一モードファイバを１
００ ｋｍ伝送した後の分散による感度劣化は０．５ｄ
Ｂと小さくできた。
域１４からの光出力１６をアイソレータ及び対物レンズ
を介して、単一モードファイバに入射させ、２Ｇｂ／ｓ
のＲＺ符号で、１００ ｋｍの単一モードファイバ伝送
実験を行なった結果、消光比劣化による感度劣化は０．
５ｄＢ以下程度であった。また波長１．５．ｕｍでの波
長分散１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの単一モードファイバを１
００ ｋｍ伝送した後の分散による感度劣化は０．５ｄ
Ｂと小さくできた。
第５図は本発明の第２の実施例の光送信装置のブロック
図である。ここでは光源に、１．５５μｍ帯で単一軸モ
ード発振するＤＦＢレーザ２４を用い、可飽和吸収体２
７には、ＩｎＧａＡＳとＩｎＡｌ１ＡＳによる多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造のものを用いた。この可飽和吸収体
２７は、ＩｎＰ基板上に、厚さ１μｍのＩｎＡｌ２ＡＳ
層を形成し、その上に、厚さがそれぞれ８０人のｒｎｃ
ａＡｓ層とｒ ｎＡｌＡｓ層とを交互に３０周期に亘っ
て成長させた構造であり、波長１．５５μｍ付近にエキ
シトンの関与する吸収ピークが存在するものである。
図である。ここでは光源に、１．５５μｍ帯で単一軸モ
ード発振するＤＦＢレーザ２４を用い、可飽和吸収体２
７には、ＩｎＧａＡＳとＩｎＡｌ１ＡＳによる多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造のものを用いた。この可飽和吸収体
２７は、ＩｎＰ基板上に、厚さ１μｍのＩｎＡｌ２ＡＳ
層を形成し、その上に、厚さがそれぞれ８０人のｒｎｃ
ａＡｓ層とｒ ｎＡｌＡｓ層とを交互に３０周期に亘っ
て成長させた構造であり、波長１．５５μｍ付近にエキ
シトンの関与する吸収ピークが存在するものである。
第５図に於いて、ＤＦＢレーザ２４からの光出力３ｏは
対物レンズ２５、戻り光防止のためのアイソレーク２６
を介して、可飽和吸収体２７に入射している。
対物レンズ２５、戻り光防止のためのアイソレーク２６
を介して、可飽和吸収体２７に入射している。
可飽和吸収体２７からの光出力２８は対物レンズ３３を
介して送信用の単一モードファイバ３４に入射している
。また、アイソレータ２６からの光出力３１は、可飽和
吸収体２７の各層に対して垂直に入射している。以上の
構成で、ＤＦＢレーザ２４の発振スペクトルが狭くなる
ように、ＤＦＢレーザ２４を発振閾値以上にバイアスし
、２Ｇｂ／ｓのＲＺ符号で変調した。その結果ＤＦＢレ
ーザ２４からの被変調光である光出力２９は、消光比が
５＝１で発振スペクトル幅のすそ拡がりが４人と云う状
態であった。
介して送信用の単一モードファイバ３４に入射している
。また、アイソレータ２６からの光出力３１は、可飽和
吸収体２７の各層に対して垂直に入射している。以上の
構成で、ＤＦＢレーザ２４の発振スペクトルが狭くなる
ように、ＤＦＢレーザ２４を発振閾値以上にバイアスし
、２Ｇｂ／ｓのＲＺ符号で変調した。その結果ＤＦＢレ
ーザ２４からの被変調光である光出力２９は、消光比が
５＝１で発振スペクトル幅のすそ拡がりが４人と云う状
態であった。
一方、可飽和吸収体２７ではスペース“０”に相当する
光出力が吸収されるため、可飽和吸収体２７からの光出
力２８は、消光比が１８：１と改善され、発振スペクト
ル幅のすそ拡がりも１人と狭くなっている。この光出力
２８を送信光として、１００ ｋｍの単一モードファイ
バを伝送し、受信感度の符号誤り率特性を調べた結果、
消光比劣化及び分散による感度劣化はそれぞれ０．５ｄ
Ｂ以下と小さかった。
光出力が吸収されるため、可飽和吸収体２７からの光出
力２８は、消光比が１８：１と改善され、発振スペクト
ル幅のすそ拡がりも１人と狭くなっている。この光出力
２８を送信光として、１００ ｋｍの単一モードファイ
バを伝送し、受信感度の符号誤り率特性を調べた結果、
消光比劣化及び分散による感度劣化はそれぞれ０．５ｄ
Ｂ以下と小さかった。
以上、前述のように、可飽和吸収体を用いることにより
、ＤＦＢレーザの光変調出力の消光比の改善及び発振ス
ペクトル幅の減少が可能となり、長距離の単一モードフ
ァイバ伝送時にも、受信感度劣化の生じない送信光を得
ることができる。
、ＤＦＢレーザの光変調出力の消光比の改善及び発振ス
ペクトル幅の減少が可能となり、長距離の単一モードフ
ァイバ伝送時にも、受信感度劣化の生じない送信光を得
ることができる。
なお、上記実施例では、光源に１．５μｍ帯で発振する
ＤＦＢレーザを用いたが光源はこれに限らず、例えば単
一軸モード発振する分布帰還形レーザ（ＤＢＲレーザ）
、ファブリ・ペロー型半導体レーザ等を用いてもよい。
ＤＦＢレーザを用いたが光源はこれに限らず、例えば単
一軸モード発振する分布帰還形レーザ（ＤＢＲレーザ）
、ファブリ・ペロー型半導体レーザ等を用いてもよい。
また、光源の発振波長は１．５μｍ帯に限らず、波長１
．３μｍ帯でもよい。また、可飽和吸収体には、半導体
で構成されたものを用いたが、可飽和吸収体の材料は半
導体に限らず、レーザの発振波長で可飽和吸収の効果を
示すものであればいかなるものでもよい。
．３μｍ帯でもよい。また、可飽和吸収体には、半導体
で構成されたものを用いたが、可飽和吸収体の材料は半
導体に限らず、レーザの発振波長で可飽和吸収の効果を
示すものであればいかなるものでもよい。
本発明による光送信装置では、高速変調時にも狭いスペ
クトル幅で発振するとともに、消光比の高い光変調波形
が得られる。
クトル幅で発振するとともに、消光比の高い光変調波形
が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す光送信装置の構成
図、 第２図はこの光送信装置の電流対光出力特性を示す線図
、 第３図は前記光送信装置の発振スペクトル特性を示す線
図、 第４図は前記光送信装置の光変調波形を示す線図、 第５図は本発明の第２の実施例を示す光送信装置のブロ
ック図、 第６図および第７図は本発明の詳細な説明するための線
図である。 １ ・・・・・・・・・・・・・・・ ｎ−１ｎＰ基板
２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 活性層３ ・・
・・・・・・・・・・・・・ 光ガイド層４ ・・・・
・・・・・・・・・・・ クラッド層５ ・・・・・・
・・・・・・・・・ キャップ層６．７．８ ・・・
電極 ９・・・・・・・・・・・・・・・溝 １０ ・・・・・・・・・・・・・・・ 回折格子１
１ ・・・・・・・・・・・・・・・ 駆動用電気回
路１２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御用電
気回路１３ ・・・・・・・・・・・・・・・ レー
ザ領域１４ ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽
和吸収領域１５ ・・・・・・・・・・・・・・・
無反射コーテイング膜１６、１９．２８．２９．３０．
３１・・・ 光出力１７、１８ ・・・・・・・・・
端面２０ ・・・・・・・・・・・・・・・ バイ
アス電流２１ ・・・・・・・・・・・・・・・ 変
調電流２３ ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御
電流２４ ・・・・・・・・・・・・・・・ ＤＦＢ
レーザ２５、３３・・・・・・・・・・・・ 対物レン
ズ２６ ・・・・・・・・・・・・・・・ アイソレ
ータ２７ ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽和
吸収体３２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 集積
型半導体レーザ素子３４ ・・・・・・・・・・・・
・・・ 単一モードファイバ代理人 弁理士 岩 佐
義 幸 第２図 第３図 第４図 （Ｃ） 可１四佃ΩＩＬＩｌスイ本カ゛らの
（ｂ） 可ｉ秒十ロｐ及リスイ本の売出力
光入社カ性寺小生第６図
図、 第２図はこの光送信装置の電流対光出力特性を示す線図
、 第３図は前記光送信装置の発振スペクトル特性を示す線
図、 第４図は前記光送信装置の光変調波形を示す線図、 第５図は本発明の第２の実施例を示す光送信装置のブロ
ック図、 第６図および第７図は本発明の詳細な説明するための線
図である。 １ ・・・・・・・・・・・・・・・ ｎ−１ｎＰ基板
２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 活性層３ ・・
・・・・・・・・・・・・・ 光ガイド層４ ・・・・
・・・・・・・・・・・ クラッド層５ ・・・・・・
・・・・・・・・・ キャップ層６．７．８ ・・・
電極 ９・・・・・・・・・・・・・・・溝 １０ ・・・・・・・・・・・・・・・ 回折格子１
１ ・・・・・・・・・・・・・・・ 駆動用電気回
路１２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御用電
気回路１３ ・・・・・・・・・・・・・・・ レー
ザ領域１４ ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽
和吸収領域１５ ・・・・・・・・・・・・・・・
無反射コーテイング膜１６、１９．２８．２９．３０．
３１・・・ 光出力１７、１８ ・・・・・・・・・
端面２０ ・・・・・・・・・・・・・・・ バイ
アス電流２１ ・・・・・・・・・・・・・・・ 変
調電流２３ ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御
電流２４ ・・・・・・・・・・・・・・・ ＤＦＢ
レーザ２５、３３・・・・・・・・・・・・ 対物レン
ズ２６ ・・・・・・・・・・・・・・・ アイソレ
ータ２７ ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽和
吸収体３２ ・・・・・・・・・・・・・・・ 集積
型半導体レーザ素子３４ ・・・・・・・・・・・・
・・・ 単一モードファイバ代理人 弁理士 岩 佐
義 幸 第２図 第３図 第４図 （Ｃ） 可１四佃ΩＩＬＩｌスイ本カ゛らの
（ｂ） 可ｉ秒十ロｐ及リスイ本の売出力
光入社カ性寺小生第６図
Claims (1)
- （１）送信光源としての半導体レーザ素子と、前記半導
体レーザ素子をパルス変調するための駆動回路と、前記
半導体レーザ素子と光学的に結合された可飽和吸収体と
を含み、前記可飽和吸収体で前記半導体レーザ素子から
のパルス変調光の消光比改善を行なって前記可飽和吸収
体からの光出力を送信光として用いることを特徴とする
光送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220310A JPS6281086A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220310A JPS6281086A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281086A true JPS6281086A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16749136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220310A Pending JPS6281086A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281086A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312881A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 可変波長変換素子 |
| JPH0387085A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超短光パルス発生装置 |
| JP2005236209A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザー光源 |
| JP2014178688A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Emcore Corp | 光変調器製造及び動作方法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220310A patent/JPS6281086A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312881A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 可変波長変換素子 |
| JPH0387085A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超短光パルス発生装置 |
| JP2005236209A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザー光源 |
| JP2014178688A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Emcore Corp | 光変調器製造及び動作方法 |
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