JPH0388317A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH0388317A
JPH0388317A JP1226204A JP22620489A JPH0388317A JP H0388317 A JPH0388317 A JP H0388317A JP 1226204 A JP1226204 A JP 1226204A JP 22620489 A JP22620489 A JP 22620489A JP H0388317 A JPH0388317 A JP H0388317A
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wafer
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Masakatsu Ota
太田 正克
Akiyoshi Suzuki
章義 鈴木
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は投影露光装置に関するものであり、特にIC,
LSI等の半導体装置を製造する際に使用される、レチ
クルの回路パターン像をウエノ\上に投影する投影露光
装置に関するものである。
〔従来技術〕
Is、 LSI等の半導体装置製造用の投影露光装置で
は、前工程でウェハ上に形成されたパターンと投影光学
系によりウェハ上に投影されるパターン像との重ね合せ
精度を向上させることが重要な課題である。この重ね合
せ精度に影響を与える要因として、本件出願人が特開昭
62−35620号で示しているようにパターン像の投
影倍率誤差と歪曲誤差があるが、従来、投影倍率誤差と
歪曲誤差の双方を良好に補正できる投影露光装置はなか
った。
〔発明の概要〕
本発明の目的は、パターン像の投影倍率誤差と歪曲誤差
の双方を良好に補正できる投影露光装置を提供すること
にある。
この目的を達成するために、本投影露光装置は、物体側
及び像側の双方がテレセントリックな投影光学系を有し
、物体側に配置した第1物体のパターン像を像側に配置
した第2物体上に投影露光する投影露光装置において、
前記投影光学系の前記第1物体に近いレンズを前記投影
光学系の光軸方向に移動せしめて前記パターン像の投影
倍率を調整し、前記第1物体を前記投影光学系の光軸方
向に移動せしめて前記パターン像の歪曲を調整する調整
手段を有している。。
本投影露光装置は、第1物体と、投影光学系の第1物体
に近いレンズとを投影光学系の光軸方向に移動せしめる
調整手段を有しているので、パターン像の投影倍率誤差
と歪曲誤差を良好に補正することが可能になる。
通常の投影露光装置で問題となる歪曲誤差は、主として
投影光学系の対称歪曲収差によるものであるから、この
対称歪曲収差が補正されるように第1物体を投影光学系
の光軸方向へ所定量移動せしめることにより、パターン
像の歪曲誤差が補正できる。
本投影露光装置の幾つかの特徴と具体的構成は以下に示
す実施例に詳しく記載されている。
〔実施例〕 第1図は、本発明の投影露光装置の一実施例を示す概略
図である。
第1図において、lは回路パターンが描かれたレチクル
、2はレチクルlを吸着保持するレチクルチャック、3
はレチクルチャック2に取付けたレチクル駆動装置、4
はレチクル駆動装置4を支持するレチクルステージ、5
は物体側及び像側の双方がテレセントリックな縮小投影
レンズ系、6は投影レンズ系5の、レチクル1に近接配
置したレンズ(以下、「フィールドレンズ6」と称す)
、7は投影レンズ系5の他の幾つかのレンズより成るレ
ンズ系、8はフィールドレンズ7を投影レンズ系5の光
軸AX方向に移動させるレンズ駆動装置、9はレジスト
等の感材が塗布されたウェハ、lOはウェハ9を吸着保
持するウェハチャック、11はウェハチャック9に取付
けたウェハ駆動装置、12はウェハ駆動装置11を指示
し、投影レンズ系5の光軸AXに直交する面内で移動可
能なウェハステージを示す。
レチクル駆動装置3とウェハ駆動装置11は各々圧電素
子等から成り、レチクル駆動装置3によりレチクルチャ
ック2を投影レンズ系5の光軸AX方向に変位せしめて
レチクルlを光軸AX方向に移動させ、ウェハ駆動装置
11によりウェハチャックlOを投影レンズ系5の光軸
AX方向に変位せしめてウェハ9を光軸AX方向に移動
させる。一方、レンズ駆動装置8は空気圧を利用してフ
ィールドレンズ6を投影レンズ系5の光軸AX方向に移
動させるものである。レンズ駆動装置8の具体的な構造
は本件出願人による特開昭62−32613号公報に開
示されているので、ここでは説明を省略する。
レチクル駆動装置3によるレチクルチャック2の駆動は
、レチクル駆動制御系13からの信号に基づいて行なわ
れ、この時、レチクルlの光軸AX方向の位置がレチク
ル位置検出器15により検出される。
また、同様に、レンズ駆動装置8によるフィールドレン
ズ8の駆動は、レンズ駆動制御系16から信号に基づい
て行なわれ、この時、フィールドレンズ8の光軸AX方
向の位置がレンズ位置検出器17により検出される。レ
チクル位置検出器15とレンズ位置検出器17は、光学
式エンコーダーなどの各種位置検出器で構成できる。ま
た、ウェハ駆動装置11によるウェハチャックlOの駆
動はウェハ駆動制御系14からの信号に基づいて行なわ
れ、この時、ウェハ9(の表面)の光軸AX方向の位置
はフォーカス検出器18により検出される。フォーカス
検出jl18は、この種の投影露光装置で従来から使用
されてきたエアーセンサーや光学式センサーで構成され
ている。レチクル位置検出器15、レンズ位置検出器1
7、及びフォーカス検出器18からの各信号はマイクロ
プロセッサ−23へ入力される。一方、投影レンズ系5
の周囲の気圧、気温、湿度の変化を検出するために気圧
センサー19、温度センサー20、湿度センサー21が
設けられ、投影レンズ系5の光吸収による温度変化を検
出するためにレンズ温度センサー22が設けられており
、これら各種センサー19、 20. 21. 22か
らの信号もマイクロプロセッサ−23へ入力される。ま
た、レチクル駆動制御系13、レンズ駆動制御系16、
及びウェハ駆動制御系14はマイクロプロセッサ−23
により制御される。
24はレチクルlの回路パターンを均一な照度で照明す
る照明系を示し、照明系24は波長λ=248.4nm
のレーザー光を放射するKvFエキシマレーザ−を、露
光用の光源として具備している。照明系24からのレー
ザー光はレチクルlと投影レンズ系5を介してウェハ9
上に向けられ、ウェハ9上にレチクルlの回路パターン
像が投影されることになる。本実施例では、遠紫外域の
波長を有するレーザー光で投影露光を行なうために1.
投影レンズ系5を構成する各レンズを、波長λ=248
.4nmの光に対して高い透過率を備えた合成石英(S
iO□)で製造している。
投影レンズ系5の具体的構成を第2図に示す。第2図は
投影レンズ系5の断面図であり、レチクルlとウェハ9
の間に、符号G、〜G1□で示される12枚のレンズが
光軸AXに沿って配列されて、投影レンズ系5が構成さ
れている。第2図において符号G1で示されるレンズが
第1図のフィールドレンズ6を一枚のレンズで構成して
いる。また、符号G2〜G 12で示されるレンズ群が
第1図のレンズ系7に対応している。
第2図に示す投影レンズ系のレンズデータを表1に示す
。表1中、R+(i=1〜24)はレチクルl側から順
に数えて第i番目の面の曲率判明(m m )を、D+
はレチクルl側から順に数えて第i番目と第i+1番目
の面間の軸上肉厚又は軸上空気間隔(m m )を、N
 I(i = 1 = 12 )はレンズQI(i=1
〜12)の屈折率を示す。また、Slはレチクルlの回
路パターン面とレンズG1のレチクル1側の面間の軸上
空気間隔を、S2はレンズG 12のウエノ\9側の面
とウェハ9表面間の軸上空気間隔を示す。
表 S、=100.0O000 表2は、表1に示した投影レンズ系において、レチクル
lとレンズ61間の軸上空気間隔S2、レンズG 11
1とウェハ9間の軸上空気間隔S2及び互いに隣接する
レンズG1とG+++ (i=1xll)間の軸上空気
間隔021 (i=1xll)を各々個別に1mm変化
させた時の、投影レンズ系の像面の像高10 m mの
位置における像点の、対称歪曲収差の変化に伴なうシフ
ト量ΔSD(以下、「対称歪曲変化量ΔSDJと称す。
)と投影倍率の変化−に伴なうシフト量Δβ(以下、「
投影倍率変化量Δβ」と称す。)及び両者の比1ΔSD
/Δβ1を示す。尚、投影レンズ系の光軸から離れる方
向に像点がシフトしたものを正とし、投影レンズ系の光
軸に近づく方向に像点がシフトしたものを負の符号を付
している。
表 2 本実施例では、表2に基づいて対称歪曲収差以外の収差
変動が小さい間隔S1と間隔D2の双方を調整して投影
倍率と対称歪曲を調整することにした。
今、間隔S、の変化量をΔS 1 、間隔D2の変化量
をΔD2とすると、表2より対称歪曲と投影倍率の変化
量ΔSD、Δβは各々次式で表わすことができる。
従って、ΔD 2 + ΔSlが次式で与えられる。
但し、k l= (15,4)−’ 間隔S0、即ち投影レンズ系5とレチクルlの距離の変
化による投影レンズ系5の収差の変化は、投影倍率、ピ
ント位置等の近軸量の変化に比べて少なく、収差量の変
化量と近軸量の変化量の比、即収差量の変化量 近軸量の変化量 が小さい。これは投影レンズ系5内での光線の傾きが物
体面と投影レンズ系の間の光線の傾きに比べて大きく、
レンズ間の空気間隔が変化した場合にはレンズの屈折面
での光線の入射高差が大きくなるので収差変化が大きく
なる為である。従って、本実施例では投影倍率の調整を
レンズG1 (フィールドレンズ6)を動かすことによ
り、主に間隔S1、D2の調整で行ない、歪曲の調整を
レチクルlを動かすことにより、主に間隔S1で行なう
ようにし、これにより、投影露光装置における投影倍率
誤差と対称歪曲誤差の双方を補正する。
第1図に戻り、本投影露光装置における、パターン像の
投影倍率誤差と歪曲誤差の補正方法に関して詳述する。
マイクロプロセッサ−23は、そのメモリ内に投影レン
ズ系5の投影倍率変化量Δβと歪曲変化量ΔSDを求め
るための計算式がプログラムされており、各々の計算式
は、気圧、気温、湿度、及び投影レンズ系5の温度の予
め決めた基準値からの変動量が変数となっている。また
、このメモリには上述の計算式(2)もプログラムされ
ており、ΔβとΔSDの値を計算式(2)に代入するこ
とにより、フィールドレンズ6の移動量とレチクル1の
移動量を求める。尚、ΔβとΔSDの値を気圧、気温、
湿度及び投影レンズ系5の温度変化に基づいて求める計
算式は実験により、導出することができる。
方、投影レンズ系5によるパターン像のフォーカス位置
は、投影レンズ系5の周囲の気圧、気温、湿度及び投影
レンズ系5の温度に依存して変化し、これに加えてレチ
クルl及びフィールドレンズ6の位置にも依存して変化
する。従って、本実施例では、これらの変動要因に基づ
いて投影レンズ系5のフォーカス位置変動量を求めるた
めの計算式を、マイクロプロセッサ−23のメモリ内に
プログラムし、この計算式に基づいてフォーカス位置を
正確に把握するようにしている。
マイクロプロセッサ−23は、気圧センサー19、温度
センサー20、湿度センサー21.レンズ温度センサー
22からの、気圧、気温、湿度、レンズ温度に対応する
各信号を受けて、上述の所定の条件式に基づいて、レチ
クルlの移動量とフィールドレンズ6の移動量を求める
。一方、レチクル位置検出器15及びレンズ位置検出器
17からの、レチクルl及びフィールドレンズ6の(光
軸AX方向に関する)位置に対応した信号が、マイクロ
プロセッサ−23へ入力される。マイクロプロセッサ−
23は、レチクルlの位置信号とレチクルlの移動量に
対応する信号をレチクル駆動制御系13へ入力し、フィ
ールドレンズ6の位置信号とフィールドレンズ6の移動
量に対応する信号をレンズ駆動制御系16へ入力する。
そして、レチクル駆動制御系13がマイクロプロセッサ
−23からの各信号に応じて所定の制御信号をレチクル
駆動装置3へ与え、レチクル駆動装置3によりレチクル
lを光軸AX方向に所定量移動させる。また、レンズ駆
動制御系16がマイクロプロセッサ−23からの各信号
に応じて所定の制御信号をレンズ駆動装置16へ与え、
レンズ駆動装置16によりフィールドレンズ6を光軸A
X方向に所定量移動させる。このレチクル1とフィール
ド・レンズ6の位置の調整により、投影レンズ系5の周
囲の気圧、気温、湿度、及び投影レンズ系5の温度など
の変動に基づくパターン像の投影倍率誤差と歪曲誤差が
補正される。
また、マイクロプロセッサ−23は、レチクル位置検出
器15、レンズ位置検出器17、気圧センサー19、温
度センサー20、湿度センサー21.及びレンズ温度セ
ンサー22からの信号に基いて、投影レンズ系5による
パターン層のフォーカス位置を検出し、フォーカス検出
器18からのウェハ9(の表面)の位置に応じた信号に
基づいて、ウェハ9がフォーカス位置に位置決めされる
ようにウェハ駆動制御系14を制御する。ウェハ駆動制
御系14は、所定の制御信号をウェハ駆動装置11に与
え、ウェハ駆動装置11によりウェハ9を光軸AX方向
に移動させて、パターン像のフォーカス位置にウェハ9
を位置付ける。
以上述べた動作で、パターン像の投影倍率を予め決めた
倍率に補正し、パターン像の歪曲を所定の許容範囲内に
抑えることにより、前工程でウアハ9上に形成されたパ
ターンとパターン像とを正確に重ね合わせることができ
る。また、ウェハ9の位置とパターン像のフォーカス位
置も合致せしめられるので、ウェハ9上に鮮明なパター
ン像を投影することが可能になる。
本実施例では、パターン像の投影倍率を調整するための
可動のフィールドレンズ6を一枚のレンズ(G、)で構
成しているが、フィールドレンズ6を複数個のレンズで
構成しても良い。また、本実施例では、パターン像の投
影倍率及び歪曲の、気圧、気温、湿度及びレンズ温度の
変動に伴なう変化を検出するために、気圧センサー19
、温度センサー20、湿度センサー21.レンズ温度セ
ンサー22からの出力信号を利用していたが、投影レン
ズ系5により投影されたパターン像を撮像装置で撮像し
、パターン像の大きさ及び形状に基づいてパターン像の
投影倍率及び歪曲の変化を検出するようにしても良い。
この時、撮像装置をウェハステージ12に付設しておけ
ば、所望の時期にパターン像の投影倍率や歪曲の変化を
検出することができ、露光装置の構成も複雑にならない
〔発明の効果〕
以上、本発明によれば、物体側及び像側の双方がテレセ
ントリックな投影光学系を有する投影露光装置において
、投影光学系の物体側に配置したレチクル等の物体と、
投影光学系の物体に近いレンズとを投影光学系の光軸方
向に移動せしめる調整手段を有しているので、物体に描
かれたパターンの投影光学系によるパターン像の投影倍
率と歪曲を正確に調整することができる。従って、投影
光学系の周囲の気圧変動等によりパターン像の投影倍率
や歪曲が変化して誤差が生じても、調整手段により、パ
ターン像の投影倍率誤差や歪曲誤差を良好に補正するこ
とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の投影露光装置の一実施例を示す概略図
。 第2図は第1図の装置の投影レンズ系の具体的構成を示
す断面図。 l・・・レチクル 2・・・レチクルチャック 3・・・レチクル駆動装置 4・・・レチクルステージ 5・・・投影レンズ系 6・・・フィルドレンズ 7・・・レンズ系 8・・・レンズ駆動装置 9・・・ウェハー 10・・・ウェハチャック 11・・・ウェハ駆動装置 12・・・ウェハステージ 13・・・レチクル駆動制御系 14・・・ウェハ駆動制御系 15・・・レチクル位置検出器 16・・・レンズ駆動制御系 17・・・レンズ位置検出器 18・・・フォーカス位置検出器 19・・・気圧センサー 20・・・温度センサー 21・・・湿度センサー 22・・・レンズ温度センサー 23・・・マイクロプロセッサー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 物体側及び像側の双方がテレセントリックな投影光学系
    を有し、物体側に配置した第1物体のパターン像を像側
    に配置した第2物体上に投影露光する投影露光装置にお
    いて、前記投影光学系の前記第1物体に近いレンズを前
    記投影光学系の光軸方向に移動せしめて、前記パターン
    像の投影倍率を調整し、前記第1物体を前記投影光学系
    の光軸方向に移動せしめて前記パターン像の歪曲を調整
    する調整手段を有する投影露光装置。
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