JPH04324614A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH04324614A JPH04324614A JP3093948A JP9394891A JPH04324614A JP H04324614 A JPH04324614 A JP H04324614A JP 3093948 A JP3093948 A JP 3093948A JP 9394891 A JP9394891 A JP 9394891A JP H04324614 A JPH04324614 A JP H04324614A
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- JP
- Japan
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- exposure
- chip
- pattern
- wafer
- layer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法及び露光装置
に係り、詳しくは半導体集積回路の製造におけるフォト
リソグラフィー技術に適用することができ、特にチップ
内での重ね合わせ精度を向上させることができる露光方
法及び露光装置に関する。
に係り、詳しくは半導体集積回路の製造におけるフォト
リソグラフィー技術に適用することができ、特にチップ
内での重ね合わせ精度を向上させることができる露光方
法及び露光装置に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩは高集積化が要求されており
、ＬＳＩ等の回路パターンを微細化しつつＬＳＩチップ
を大型化することが要求されており、また、回路パター
ンの微細化に見合った高い重ね合わせ精度が要求されて
いる。
、ＬＳＩ等の回路パターンを微細化しつつＬＳＩチップ
を大型化することが要求されており、また、回路パター
ンの微細化に見合った高い重ね合わせ精度が要求されて
いる。
【０００３】
【従来の技術】従来の露光方法においては、露光チップ
の投影レンズ縮率は各層毎に補正しておらず、チップ配
列間隔のみを補正しながら行っていた。
の投影レンズ縮率は各層毎に補正しておらず、チップ配
列間隔のみを補正しながら行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の露光装
置には、その装置に投影レンズ縮率補正機構を設けてい
るものがあり、この場合装置のシステム定数（現場作業
者が通常変更禁止されている定数）として入れていた。 このため、同一の層であっても層間に別の層を焼き付け
たい場合、各層が各プロセスの影響を受けて伸縮してい
るため各層毎に投影レンズ縮率を変えなければならず、
露光装置のシステム基本プログラムに一々補正値を入力
しなおさなければならず非常に面倒で作業ミスが多くな
る等実用的でなく、このため、実際には行われていなか
った。
置には、その装置に投影レンズ縮率補正機構を設けてい
るものがあり、この場合装置のシステム定数（現場作業
者が通常変更禁止されている定数）として入れていた。 このため、同一の層であっても層間に別の層を焼き付け
たい場合、各層が各プロセスの影響を受けて伸縮してい
るため各層毎に投影レンズ縮率を変えなければならず、
露光装置のシステム基本プログラムに一々補正値を入力
しなおさなければならず非常に面倒で作業ミスが多くな
る等実用的でなく、このため、実際には行われていなか
った。
【０００５】次に、ウエーハ上のチップサイズを測定し
てチップ毎に投影レンズ縮率を補正する露光方法もある
が、この方法では縮率が変わり易く誤差が大きくて実用
的でなかった。
てチップ毎に投影レンズ縮率を補正する露光方法もある
が、この方法では縮率が変わり易く誤差が大きくて実用
的でなかった。
【０００６】これらの従来の露光方法では、チップ配列
間隔の補正のみを行っていたが、特にウエーハがＬＳＩ
製造プロセスを経るにしたがって、ウエーハがプロセス
の影響を受けて伸縮してしまい、これに伴い、ウエーハ
上のチップサイズも伸縮してしまう。そして、最初の層
の時の縮率のままで露光すると、次の層では縮率が変わ
っているためチップ内で重ね合わせずれを生じてしまう
という問題があった。このため、ＬＳＩ等の製造歩留り
を悪くしていた。
間隔の補正のみを行っていたが、特にウエーハがＬＳＩ
製造プロセスを経るにしたがって、ウエーハがプロセス
の影響を受けて伸縮してしまい、これに伴い、ウエーハ
上のチップサイズも伸縮してしまう。そして、最初の層
の時の縮率のままで露光すると、次の層では縮率が変わ
っているためチップ内で重ね合わせずれを生じてしまう
という問題があった。このため、ＬＳＩ等の製造歩留り
を悪くしていた。
【０００７】そこで、本発明は、以上の点を鑑み、チッ
プ内での重ね合わせ精度を向上させることができ、ＬＳ
Ｉ等の製造歩留りを向上させることができる露光方法及
び露光装置を提供することを目的としている。
プ内での重ね合わせ精度を向上させることができ、ＬＳ
Ｉ等の製造歩留りを向上させることができる露光方法及
び露光装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法は
上記目的達成のため、露光チップの各層毎のチップサイ
ズを変えてパターン露光するものである。
上記目的達成のため、露光チップの各層毎のチップサイ
ズを変えてパターン露光するものである。
【０００９】本発明による露光方法は上記目的達成のた
め、露光チップの各層毎の投影レンズ縮率を変えてパタ
ーン露光するものである。
め、露光チップの各層毎の投影レンズ縮率を変えてパタ
ーン露光するものである。
【００１０】本発明による露光装置は上記目的達成のた
め、投影レンズ縮率補正機構を有する投影露光装置にお
いて、露光チップの各層毎の露光プログラム内に縮率補
正値を含むようにしたものである。
め、投影レンズ縮率補正機構を有する投影露光装置にお
いて、露光チップの各層毎の露光プログラム内に縮率補
正値を含むようにしたものである。
【００１１】
【作用】上記問題は、■各層の露光プログラム毎に縮率
補正値が入力できるようにしておく、■ウエーハの伸縮
量をチップの伸縮量として投影パターン縮率補正値とし
て使用する、■複数個のチップサイズの統計的平均値（
１個で行う場合よりも誤差を小さくでき好ましい）を用
いてウエーハ内の全チップを同一の縮率補正値で露光す
る、■設計上のチップサイズをそのまま露光配列間隔と
して用いるのではなく、露光装置にセットしたマスクが
ウエーハ上に投影された実際のチップサイズを測定し、
その結果をもとに露光配列間隔を決定して露光する、■
露光装置ではなくマスク上のチップパターンのサイズを
各層毎に変えたマスクを使用する、■マスクの温度を変
えてマスクを伸縮させてパターンサイズの縮率を補正す
る等によって解決することができる。
補正値が入力できるようにしておく、■ウエーハの伸縮
量をチップの伸縮量として投影パターン縮率補正値とし
て使用する、■複数個のチップサイズの統計的平均値（
１個で行う場合よりも誤差を小さくでき好ましい）を用
いてウエーハ内の全チップを同一の縮率補正値で露光す
る、■設計上のチップサイズをそのまま露光配列間隔と
して用いるのではなく、露光装置にセットしたマスクが
ウエーハ上に投影された実際のチップサイズを測定し、
その結果をもとに露光配列間隔を決定して露光する、■
露光装置ではなくマスク上のチップパターンのサイズを
各層毎に変えたマスクを使用する、■マスクの温度を変
えてマスクを伸縮させてパターンサイズの縮率を補正す
る等によって解決することができる。
【００１２】このように本発明では、投影パターンの縮
率を層毎に変えて露光するようにしたため、ウエーハの
伸縮があっても精度良くチップ内の重ね合わせを行うこ
とができる。
率を層毎に変えて露光するようにしたため、ウエーハの
伸縮があっても精度良くチップ内の重ね合わせを行うこ
とができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した露光装置の露光プログラ
ムの構成を示す図である。従来の露光方法では、投影パ
ターンの縮率補正はこの図１に示す第１レベルでのシス
テム定数に組み入れて行っていた。この理由は、縮率補
正そのものが露光装置の気圧、温度等の環境変化に対す
る補正として使用されていたり、装置立ち上げ時の縮率
の微調整に使用されていたからである。しかしながら、
前述で指摘してきたように、ウエーハはプロセスを経る
にしたがい伸縮しており、ウエーハ上のチップサイズは
各層毎に微小だが異なっている。このため、伸縮補正値
としては図１に示す如く第３レベルのプログラム内にパ
ラメータとして有していることが望ましい。
１は本発明の一実施例に則した露光装置の露光プログラ
ムの構成を示す図である。従来の露光方法では、投影パ
ターンの縮率補正はこの図１に示す第１レベルでのシス
テム定数に組み入れて行っていた。この理由は、縮率補
正そのものが露光装置の気圧、温度等の環境変化に対す
る補正として使用されていたり、装置立ち上げ時の縮率
の微調整に使用されていたからである。しかしながら、
前述で指摘してきたように、ウエーハはプロセスを経る
にしたがい伸縮しており、ウエーハ上のチップサイズは
各層毎に微小だが異なっている。このため、伸縮補正値
としては図１に示す如く第３レベルのプログラム内にパ
ラメータとして有していることが望ましい。
【００１４】従って、本実施例では、各層毎の露光プロ
グラム内に縮率補正値を含むようにし、各層毎の縮率を
変えてパターン露光するというものである。このように
、各層間のウエーハの縮率差を求めて入力しておけば、
露光パターン（マスク）を変更する度に縮率補正する必
要をなくすことができる他、ウエーハの伸縮があっても
精度良くチップ内の重ね合わせを行うことができる。ま
た、露光装置がウエーハ上チップの縮率（またはサイズ
）を測定する機構を必ずしも有さないで済ませることが
できる。
グラム内に縮率補正値を含むようにし、各層毎の縮率を
変えてパターン露光するというものである。このように
、各層間のウエーハの縮率差を求めて入力しておけば、
露光パターン（マスク）を変更する度に縮率補正する必
要をなくすことができる他、ウエーハの伸縮があっても
精度良くチップ内の重ね合わせを行うことができる。ま
た、露光装置がウエーハ上チップの縮率（またはサイズ
）を測定する機構を必ずしも有さないで済ませることが
できる。
【００１５】次に、本発明においては、露光チップの縮
率を補正するためにウエーハの縮率測定値を求め、この
求めた縮率測定値に基づいてパターン露光するようにし
てもよい。以下具体的に説明する。図２（ａ）に示す如
くチップサイズとチップの配列間隔は第１層の露光時に
は一定の関係を有しているため、チップの伸縮量（ ｐ
ｐｍ）とウエーハの伸縮量（ ｐｐｍ）は同一の筈であ
る。従って、従来技術を用いてチップ配列間隔の伸縮量
を求めて、その結果の伸縮量（ ｐｐｍ）をそのままこ
れから露光する投影チップパターンの縮率補正値として
用いればよい。具体的には、図２（ｂ）に示す如く斜線
部のチップの位置を求めることでウエーハ全体の伸縮量
を求め（これは従来技術と同様）、次いで、この伸縮量
を投影レンズの縮率補正値として与えた後、ウエーハ全
面をパターン露光する。
率を補正するためにウエーハの縮率測定値を求め、この
求めた縮率測定値に基づいてパターン露光するようにし
てもよい。以下具体的に説明する。図２（ａ）に示す如
くチップサイズとチップの配列間隔は第１層の露光時に
は一定の関係を有しているため、チップの伸縮量（ ｐ
ｐｍ）とウエーハの伸縮量（ ｐｐｍ）は同一の筈であ
る。従って、従来技術を用いてチップ配列間隔の伸縮量
を求めて、その結果の伸縮量（ ｐｐｍ）をそのままこ
れから露光する投影チップパターンの縮率補正値として
用いればよい。具体的には、図２（ｂ）に示す如く斜線
部のチップの位置を求めることでウエーハ全体の伸縮量
を求め（これは従来技術と同様）、次いで、この伸縮量
を投影レンズの縮率補正値として与えた後、ウエーハ全
面をパターン露光する。
【００１６】次に、本発明においては、露光チップを補
正するためにウエーハ上のチップのサイズを複数個測定
し、その統計的平均値を求めて縮率補正値とし、ウエー
ハ上の全チップを同一の投影パターン縮率補正値でパタ
ーン露光するようにしてもよい。以下、具体的に説明す
る。従来では、ウエーハ上のチップの大きさの伸縮に対
する補正方法は、図３（ａ）に示す如く各チップ毎に測
定して補正を各チップ毎に変化させて行なっていた。し
かしながら、この方法では測定誤差等によってチップ毎
に補正量にばらつきを生じ、ＬＳＩの層（工程）が進む
につれて各チップ間でばらつきが大きくなって好ましく
ない。これに対して本発明では、図３（ｂ）に示す如く
各チップ毎に補正するのではなく、ウエーハ内の複数の
チップの大きさ（伸縮量）を計測し、その統計的平均値
を用いてウエーハ上の全てのチップを同一の伸縮補正値
でパターン露光するというものであり、この方法によれ
ば、全て同一のチップサイズで露光することができ、工
程が進んでもチップ間のばらつきを小さくすることがで
きる。なお、伸縮量の測定は、チップまたはダイシング
ライン間に設けた少なくとも２点以上のマーク間隔の測
定を行い、設計値との比較を行えばよい。
正するためにウエーハ上のチップのサイズを複数個測定
し、その統計的平均値を求めて縮率補正値とし、ウエー
ハ上の全チップを同一の投影パターン縮率補正値でパタ
ーン露光するようにしてもよい。以下、具体的に説明す
る。従来では、ウエーハ上のチップの大きさの伸縮に対
する補正方法は、図３（ａ）に示す如く各チップ毎に測
定して補正を各チップ毎に変化させて行なっていた。し
かしながら、この方法では測定誤差等によってチップ毎
に補正量にばらつきを生じ、ＬＳＩの層（工程）が進む
につれて各チップ間でばらつきが大きくなって好ましく
ない。これに対して本発明では、図３（ｂ）に示す如く
各チップ毎に補正するのではなく、ウエーハ内の複数の
チップの大きさ（伸縮量）を計測し、その統計的平均値
を用いてウエーハ上の全てのチップを同一の伸縮補正値
でパターン露光するというものであり、この方法によれ
ば、全て同一のチップサイズで露光することができ、工
程が進んでもチップ間のばらつきを小さくすることがで
きる。なお、伸縮量の測定は、チップまたはダイシング
ライン間に設けた少なくとも２点以上のマーク間隔の測
定を行い、設計値との比較を行えばよい。
【００１７】次に、本発明においては、予め投影チップ
パターンのサイズを求め、この求めたサイズに基づいて
ウエーハ上での露光配列間隔を設定して露光配列するよ
うにしてもよい。以下、具体的に説明する。図２で説明
した露光方法では、チップサイズと配列間隔の大きさの
関係が一定でなければならない。このため、第１層の露
光装置の投影レンズの縮率とウエーハステージの座標の
物指しとを常に一定に管理しておく必要がある。ここで
は、投影レンズの縮率を高精度に管理することなく、図
２で説明した露光方法を適用するものである。まず、図
４（ａ）に示す如くマスク上にその投影パターンのサイ
ズを測定できるマークを少なくとも２つ以上入れておき
、次いで、このマスクを露光装置にセットし、ウエーハ
上での上記マークの投影パターン間隔を測定する。この
測定には例えばウエーハステージに設けたパターン検出
器を用いればよく、これには種々の公知技術を利用する
ことができる。例えば図４（ｂ）に示す如くウエーハス
テージ上のマークをマスク側のマークと同時に観測して
位置を検出すればよく、これを例えばレチクル左右２点
のマークに対して行う。
パターンのサイズを求め、この求めたサイズに基づいて
ウエーハ上での露光配列間隔を設定して露光配列するよ
うにしてもよい。以下、具体的に説明する。図２で説明
した露光方法では、チップサイズと配列間隔の大きさの
関係が一定でなければならない。このため、第１層の露
光装置の投影レンズの縮率とウエーハステージの座標の
物指しとを常に一定に管理しておく必要がある。ここで
は、投影レンズの縮率を高精度に管理することなく、図
２で説明した露光方法を適用するものである。まず、図
４（ａ）に示す如くマスク上にその投影パターンのサイ
ズを測定できるマークを少なくとも２つ以上入れておき
、次いで、このマスクを露光装置にセットし、ウエーハ
上での上記マークの投影パターン間隔を測定する。この
測定には例えばウエーハステージに設けたパターン検出
器を用いればよく、これには種々の公知技術を利用する
ことができる。例えば図４（ｂ）に示す如くウエーハス
テージ上のマークをマスク側のマークと同時に観測して
位置を検出すればよく、これを例えばレチクル左右２点
のマークに対して行う。
【００１８】次に、本発明においては、投影チップパタ
ーンのサイズをウエーハステージの座標計で求めるよう
にしてもよい。以下、具体的に説明する。本発明の如く
ステージ上のマークとマスク側のマークの比較において
、例えば右のマークを測定し、次いで、ステージ側のマ
ークをステージ移動で移動させ、左側に持っていってレ
チクル側マーク位置をステージ移動量に対応させて測定
する。このようにすると、マスク投影チップの大きさを
測定する物指しと実際に露光配列する時のステージ移動
の物指しとが一致するため、ステージ座標の正しさの管
理を不要にすることができる。具体的には、図５（ａ）
、（ｂ）に示す如く、ウエーハ側のステージ上のマーク
と投影されたレチクル側のマークの両者のマークを位置
合わせして中心に合わせ、その時の座標をχＲ とする
。次いで、ステージ上マークをステージ移動によって移
動して位置合わせし、この時のステージ座標をχＬ と
読みとする。このχＲ −χＬ がレチクル投影マーク
のマーク間隔となる。このマーク間隔とチップの大きさ
は同一マスク上にあるため、一定関係にあり、これから
チップ配列間隔を決め、ウエーハ上にチップパターンを
露光配列していけばよい。
ーンのサイズをウエーハステージの座標計で求めるよう
にしてもよい。以下、具体的に説明する。本発明の如く
ステージ上のマークとマスク側のマークの比較において
、例えば右のマークを測定し、次いで、ステージ側のマ
ークをステージ移動で移動させ、左側に持っていってレ
チクル側マーク位置をステージ移動量に対応させて測定
する。このようにすると、マスク投影チップの大きさを
測定する物指しと実際に露光配列する時のステージ移動
の物指しとが一致するため、ステージ座標の正しさの管
理を不要にすることができる。具体的には、図５（ａ）
、（ｂ）に示す如く、ウエーハ側のステージ上のマーク
と投影されたレチクル側のマークの両者のマークを位置
合わせして中心に合わせ、その時の座標をχＲ とする
。次いで、ステージ上マークをステージ移動によって移
動して位置合わせし、この時のステージ座標をχＬ と
読みとする。このχＲ −χＬ がレチクル投影マーク
のマーク間隔となる。このマーク間隔とチップの大きさ
は同一マスク上にあるため、一定関係にあり、これから
チップ配列間隔を決め、ウエーハ上にチップパターンを
露光配列していけばよい。
【００１９】次に、本発明においては、露光装置に用い
るマスクのＬＳＩパターンが各層間で倍率を変えてある
ものを用いてもよい。以下、具体的に説明する。今まで
は露光装置側で縮率補正する露光方法について述べてき
たが、そのような縮率補正機構を有さなくてもマスク側
で補正してあるものを用意して行ってもよい。例えば図
６に示すように、ウエーハが伸縮する場合はマスク上の
チップパターンを全て同一のサイズでマスク上に形成す
るのではなく、予めマスク上のチップサイズを各層での
伸縮量と同量だけ伸縮させたチップパターンを形成して
おけばよい。
るマスクのＬＳＩパターンが各層間で倍率を変えてある
ものを用いてもよい。以下、具体的に説明する。今まで
は露光装置側で縮率補正する露光方法について述べてき
たが、そのような縮率補正機構を有さなくてもマスク側
で補正してあるものを用意して行ってもよい。例えば図
６に示すように、ウエーハが伸縮する場合はマスク上の
チップパターンを全て同一のサイズでマスク上に形成す
るのではなく、予めマスク上のチップサイズを各層での
伸縮量と同量だけ伸縮させたチップパターンを形成して
おけばよい。
【００２０】次に、本発明においては、投影露光装置に
用いるマスクの伸縮を行って投影パターンの縮率補正を
行うようにしてもよく、マスクの伸縮は例えばマスクの
温度をかえて熱膨張によって行えばよい。以下、具体的
に説明する。通常の光を用いる露光装置では、レンズや
ミラーで縮小率の補正を行うことができるが、Ｘ線のよ
うな（レンズ、ミラーがない）場合には困難であるので
、このような場合には、図６で説明した露光方法が有効
であるが、その他の手段としてはマスクを伸縮させてウ
エーハ上の投影パターンの伸縮を補正してもよい。Ｘ線
用のマスクは、Ｓｉ等の半導体や金属で形成されている
ため、比較的熱による線膨張係数が大きい。したがって
、マスク周囲の雰囲気温度を変えてマスクに熱膨張を起
こさせて伸縮量を調整するとよい（図７）。
用いるマスクの伸縮を行って投影パターンの縮率補正を
行うようにしてもよく、マスクの伸縮は例えばマスクの
温度をかえて熱膨張によって行えばよい。以下、具体的
に説明する。通常の光を用いる露光装置では、レンズや
ミラーで縮小率の補正を行うことができるが、Ｘ線のよ
うな（レンズ、ミラーがない）場合には困難であるので
、このような場合には、図６で説明した露光方法が有効
であるが、その他の手段としてはマスクを伸縮させてウ
エーハ上の投影パターンの伸縮を補正してもよい。Ｘ線
用のマスクは、Ｓｉ等の半導体や金属で形成されている
ため、比較的熱による線膨張係数が大きい。したがって
、マスク周囲の雰囲気温度を変えてマスクに熱膨張を起
こさせて伸縮量を調整するとよい（図７）。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、チップ内の重ね合わせ
精度を向上させることができ、ＬＳＩ等の製造歩留りを
向上させることができるという効果がある。
精度を向上させることができ、ＬＳＩ等の製造歩留りを
向上させることができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した露光プログラムの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図３】従来例の露光方法と本発明に適用できる露光方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図４】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図５】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図７】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
Claims (10)
- 【請求項１】 露光チップの各層毎のチップサイズを
変えてパターン露光することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 露光チップの各層毎の投影レンズ縮率
を変えてパターン露光することを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 投影レンズ縮率補正機構を有する投影
露光装置において、露光チップの各層毎の露光プログラ
ム内に縮率補正値を含むようにしたことを特徴とする露
光装置。 - 【請求項４】 露光チップの縮率を補正するためにウ
エーハの縮率測定値を求め、求めた該縮率測定値に基づ
いてパターン露光することを特徴とする請求項２記載の
露光方法。 - 【請求項５】 露光チップの縮率を補正するためにウ
エーハ上のチップのサイズを複数個測定し、その統計的
平均値を求めて縮率補正値とし、ウエーハ上の全チップ
を同一の投影パターン縮率補正値に基づいてパターン露
光することを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項６】 予め投影チップパターンのサイズを求
め、求めた該サイズに基づいてウエーハ上での露光配列
間隔を設定して露光配列することを特徴とする請求項２
記載の露光方法。 - 【請求項７】 前記投影チップパターンのサイズをウ
エーハステージの座標計で求めることを特徴とする請求
項６記載の露光方法。 - 【請求項８】 露光装置に用いるマスクのＬＳＩパタ
ーンが、各層間で倍率を変えてあることを特徴とする請
求項１記載の露光方法。 - 【請求項９】 投影露光装置に用いるマスクの伸縮を
行って投影パターンの縮率補正を行うことを特徴とする
請求項１記載の露光方法。 - 【請求項１０】 マスクの伸縮がマスクの温度を変え
て熱膨張によって行われることを特徴とする請求項９記
載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093948A JPH04324614A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093948A JPH04324614A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324614A true JPH04324614A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14096662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3093948A Pending JPH04324614A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324614A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313331A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS63104420A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH0388317A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Canon Inc | 投影露光装置 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3093948A patent/JPH04324614A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313331A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
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