JPH0388322A - 熱処理方法 - Google Patents
熱処理方法Info
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- JPH0388322A JPH0388322A JP22500389A JP22500389A JPH0388322A JP H0388322 A JPH0388322 A JP H0388322A JP 22500389 A JP22500389 A JP 22500389A JP 22500389 A JP22500389 A JP 22500389A JP H0388322 A JPH0388322 A JP H0388322A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- polycrystalline
- semiconductor substrate
- ultraviolet rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱処理方法に関し、特に、半導体薄膜やバル
クの半導体の熱処理を行う場合に適用して好適なもので
ある。
クの半導体の熱処理を行う場合に適用して好適なもので
ある。
本発明は、熱処理方法において、半導体基体上に紫外光
に対して透過性を有する薄膜を形成し、薄膜を介して半
導体基体に紫外光を照射することによって、紫外光の照
射により半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効率
の向上を図ることができるようにしたものである。
に対して透過性を有する薄膜を形成し、薄膜を介して半
導体基体に紫外光を照射することによって、紫外光の照
射により半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効率
の向上を図ることができるようにしたものである。
エキシマ−レーザーは、半導体集積回路や液晶デイスプ
レィなどの製造工程におけるシリコン（Ｓｉ ）の熱処
理への応用が期待されている。
レィなどの製造工程におけるシリコン（Ｓｉ ）の熱処
理への応用が期待されている。
なお、特開昭６１−１４５８１９号公報には、半導体薄
膜にレーザ光吸収層を被着形成し、該レーザ光吸収層に
レーザ光を照射して、上記レーザ光吸収層を介して上記
半導体薄膜を加熱するようにした半導体薄膜の熱処理方
法が提案されているが、本発明による熱処理方法は、紫
外光に対して透過性を有する薄膜を半導体基体上に形成
する点でこの方法とは全く異なるものである。
膜にレーザ光吸収層を被着形成し、該レーザ光吸収層に
レーザ光を照射して、上記レーザ光吸収層を介して上記
半導体薄膜を加熱するようにした半導体薄膜の熱処理方
法が提案されているが、本発明による熱処理方法は、紫
外光に対して透過性を有する薄膜を半導体基体上に形成
する点でこの方法とは全く異なるものである。
上述のＳｔの熱処理へのエキシマ−レーザーの応用の一
例として、パルスレーザ−ビームによる大面積照射が提
案されている。しかし、このエキシマ−レーザーによる
大面積照射は、レーザーヒ−ムパルスのエネルギー不足
により、現状では実現が困難である。このようなエネル
ギー不足が生じる主な理由として、熱処理を行う際のパ
ルスレーザ−ビームのエネルギー効率が低いことが挙げ
られる。このため、このエネルギー効率の向上が望まれ
ていた。
例として、パルスレーザ−ビームによる大面積照射が提
案されている。しかし、このエキシマ−レーザーによる
大面積照射は、レーザーヒ−ムパルスのエネルギー不足
により、現状では実現が困難である。このようなエネル
ギー不足が生じる主な理由として、熱処理を行う際のパ
ルスレーザ−ビームのエネルギー効率が低いことが挙げ
られる。このため、このエネルギー効率の向上が望まれ
ていた。
従って本発明の目的は、紫外光の照射によりＳｉなどの
半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効率の向上を
図ることができる熱処理方法を提供することにある。
半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効率の向上を
図ることができる熱処理方法を提供することにある。
エキシマ−レーザーによる紫外域のパルスレーザ−ビー
ムをＳｉ表面に照射した場合、このパルスレーザ−ビー
ムのエネルギーのほとんどはＳｉ表面での反射により失
われてしまう、従って、エネルギー効率の向上を図るた
めには、この反射によるエネルギー損失を少なくするこ
とが最も有効な方法であると考えられる。
ムをＳｉ表面に照射した場合、このパルスレーザ−ビー
ムのエネルギーのほとんどはＳｉ表面での反射により失
われてしまう、従って、エネルギー効率の向上を図るた
めには、この反射によるエネルギー損失を少なくするこ
とが最も有効な方法であると考えられる。
本発明は、以上の検討に基づいて案出されたものである
。
。
すなわち、上記目的を遠戚するために、本発明は、熱処
理方法において、半導体基体（１，４）上に紫外光に対
して透過性を有する薄膜（５）を形成し、薄膜（５）を
介して半導体基体（１，４）に紫外光（６）を照射する
ようにしている。
理方法において、半導体基体（１，４）上に紫外光に対
して透過性を有する薄膜（５）を形成し、薄膜（５）を
介して半導体基体（１，４）に紫外光（６）を照射する
ようにしている。
薄膜（５）としては、使用する紫外光に対して透過性を
有するものならばどのようなものを用いることも可能で
あるが、具体的には例えばＳｉ０ｇ膜やＳｉＮ膜や５ｉ
ＯＮ膜などが用いられる。また、この薄膜（５）の膜厚
は、半導体基体（１，４）の表面の反射率低減の効果が
最も大きくなるように選ばれのが好ましく、具体的には
例えば２００〜８００人の範囲内に選ばれる。
有するものならばどのようなものを用いることも可能で
あるが、具体的には例えばＳｉ０ｇ膜やＳｉＮ膜や５ｉ
ＯＮ膜などが用いられる。また、この薄膜（５）の膜厚
は、半導体基体（１，４）の表面の反射率低減の効果が
最も大きくなるように選ばれのが好ましく、具体的には
例えば２００〜８００人の範囲内に選ばれる。
半導体基体は、表面がＳｉ０ｇ膜などの絶縁膜により覆
われたＳｉ基板や石英基板やガラス基板などの上に多結
晶Ｓｔ薄膜などの半導体薄膜が形成されたものであって
もよいし、単結晶Ｓｉ基板などの単結晶半導体基板であ
ってもよい。
われたＳｉ基板や石英基板やガラス基板などの上に多結
晶Ｓｔ薄膜などの半導体薄膜が形成されたものであって
もよいし、単結晶Ｓｉ基板などの単結晶半導体基板であ
ってもよい。
紫外光（６）としては、パルスレーザ−ビームが好適に
用いられるが、連続発振のレーザービームを用いること
も可能である。パルスレーザ−ビームとしては、例えば
希ガスハライドエキシマ−レーザーによる紫外域のパル
スレーザ−ビームを用いることができる。具体的には、
例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーによるパルスレーザ
−ビーム（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマ−レーザ
ーによるパルスレーザ−ビーム（波長３５１ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマ−レーザーによるパルスレーザ−ビーム（
波長２４８ ｎｍ）などを用いることができる。
用いられるが、連続発振のレーザービームを用いること
も可能である。パルスレーザ−ビームとしては、例えば
希ガスハライドエキシマ−レーザーによる紫外域のパル
スレーザ−ビームを用いることができる。具体的には、
例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーによるパルスレーザ
−ビーム（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマ−レーザ
ーによるパルスレーザ−ビーム（波長３５１ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマ−レーザーによるパルスレーザ−ビーム（
波長２４８ ｎｍ）などを用いることができる。
上記した手段によれば、半導体基体（１，４）上に紫外
光に対して透過性を有する薄膜（５）を形成することに
より、半導体基体（１，４）の表面による紫外光の反射
率は、この薄膜（５）を形成しない場合に比べて実効的
に小さくなる。そして、この薄１！（５）を介して半導
体基体（１，４）に紫外光を照射することにより、半導
体基体（１゜４）の表面での紫外光の反射によるエネル
ギー損失が少なくなる。これによって、紫外光の照射に
より半導体基体（１，４）の熱処理を行う際のエネルギ
ー効率の向上を図ることができる。また、この熱処理時
に半導体基体（１，４）の表面が薄膜（５）により覆わ
れていることは、この半導体基体（１，４）の表面への
異物の付着などによる汚染を防止する観点から有利であ
る。
光に対して透過性を有する薄膜（５）を形成することに
より、半導体基体（１，４）の表面による紫外光の反射
率は、この薄膜（５）を形成しない場合に比べて実効的
に小さくなる。そして、この薄１！（５）を介して半導
体基体（１，４）に紫外光を照射することにより、半導
体基体（１゜４）の表面での紫外光の反射によるエネル
ギー損失が少なくなる。これによって、紫外光の照射に
より半導体基体（１，４）の熱処理を行う際のエネルギ
ー効率の向上を図ることができる。また、この熱処理時
に半導体基体（１，４）の表面が薄膜（５）により覆わ
れていることは、この半導体基体（１，４）の表面への
異物の付着などによる汚染を防止する観点から有利であ
る。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、多結晶ｓｔｙ膜の熱処理に本発
明を適用した実施例である。
明する。この実施例は、多結晶ｓｔｙ膜の熱処理に本発
明を適用した実施例である。
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例による多結晶５
ｉｌｌ膜の熱処理方法を工程順に示す。
ｉｌｌ膜の熱処理方法を工程順に示す。
この実施例においては、第１図Ａに示すように、まず基
板１の上に例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００℃程
度の低温で例えば膜厚が８００人程度の多結晶Ｓｉ薄膜
２を形成する。この低圧ＣＶＤ法により形成された多結
晶Ｓｉｉ膜２中の結晶粒の粒径は一般に小さく、例えば
５００〜１０００人程度である１次に、この多結晶Ｓｉ
薄膜２に例えばＳｔを例えばドーズ量１ 、 ５ Ｘ
１０ ｌＳ／ｃ４．エネルギ−４０ｋｅＶ程度の条件で
イオン注入することによりこの多結晶５ｉＷＩ膜２を非
晶質化した後、引き続いて不純物として例えばホウ素（
Ｂ）を例えばドーズ量５Ｘ１０”／ｄ、エネルギ−１５
ｋｅＶ程度の条件でイオン注入する。これによって、第
１図Ｂに示すように、Ｂがドープされた非晶質Ｓｉ薄膜
３が形成される。
板１の上に例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００℃程
度の低温で例えば膜厚が８００人程度の多結晶Ｓｉ薄膜
２を形成する。この低圧ＣＶＤ法により形成された多結
晶Ｓｉｉ膜２中の結晶粒の粒径は一般に小さく、例えば
５００〜１０００人程度である１次に、この多結晶Ｓｉ
薄膜２に例えばＳｔを例えばドーズ量１ 、 ５ Ｘ
１０ ｌＳ／ｃ４．エネルギ−４０ｋｅＶ程度の条件で
イオン注入することによりこの多結晶５ｉＷＩ膜２を非
晶質化した後、引き続いて不純物として例えばホウ素（
Ｂ）を例えばドーズ量５Ｘ１０”／ｄ、エネルギ−１５
ｋｅＶ程度の条件でイオン注入する。これによって、第
１図Ｂに示すように、Ｂがドープされた非晶質Ｓｉ薄膜
３が形成される。
次に、このＢドープの非晶質５ｉｆｉｌ膜３を例えば窒
素（Ｎ８）雰囲気中において例えば６００℃程度の低温
で例えば３０時間程度アニールすることにより固相成長
を行う。これによって、第１図Ｃに示すように、結晶粒
径が例えば１μｍ程度以上と極めて大きいｐ型の多結晶
Ｓｉ薄膜４が形成される。
素（Ｎ８）雰囲気中において例えば６００℃程度の低温
で例えば３０時間程度アニールすることにより固相成長
を行う。これによって、第１図Ｃに示すように、結晶粒
径が例えば１μｍ程度以上と極めて大きいｐ型の多結晶
Ｓｉ薄膜４が形成される。
次に第１図りに示すように、この多結晶５ｉｆｌｉ膜４
上に例えばＣＶＤ法により例えば膜厚が５００Å程度の
Ｓｉｎｇ膜５を形成した後、このＳｉｎｇ膜５を介して
多結晶Ｓｉ薄膜４に例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザー
による波長３０８ ｎｍのパルスレーザ−ビーム６を照
射する。このパルスレーザ−ビーム６のエネルギー密度
は、例えば２００〜３００ｍＪ／ｃｄ程度である。また
、パルス幅は例えば６０ｎｓ程度である。このパルスレ
ーザ−ビーム６の照射により多結晶Ｓｉ薄膜４は瞬間的
に高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこ
の多結晶ｓｉｎ膜４中の残留結晶欠陥が低減するととも
に、注入不純物の電気的活性化がほぼ完全に行われる。
上に例えばＣＶＤ法により例えば膜厚が５００Å程度の
Ｓｉｎｇ膜５を形成した後、このＳｉｎｇ膜５を介して
多結晶Ｓｉ薄膜４に例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザー
による波長３０８ ｎｍのパルスレーザ−ビーム６を照
射する。このパルスレーザ−ビーム６のエネルギー密度
は、例えば２００〜３００ｍＪ／ｃｄ程度である。また
、パルス幅は例えば６０ｎｓ程度である。このパルスレ
ーザ−ビーム６の照射により多結晶Ｓｉ薄膜４は瞬間的
に高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこ
の多結晶ｓｉｎ膜４中の残留結晶欠陥が低減するととも
に、注入不純物の電気的活性化がほぼ完全に行われる。
これによって、低抵抗のｐ型の多結晶Ｓｉ薄１１１４が
得られる。
得られる。
第２図は、Ｓｉｎｇ膜５が形成された多結晶Ｓｉ薄膜４
とＳｔ Ｏｘ １１５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄
膜４とについて反射率の波長依存性を示したものである
。第２図に示すように、ＸｅＣＩエキシマ−レーザーに
よるパルスレーザ−ビーム６の波長３０８ｎｍで比べた
場合、５ｉｆｔ膜５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄膜
４の反射率は約６２％であるのに対し、膜厚が５００人
のＳｉｎｇ膜５゛が形成された多結晶５ｉ１１膜４の反
射率は約３６．５％である。
とＳｔ Ｏｘ １１５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄
膜４とについて反射率の波長依存性を示したものである
。第２図に示すように、ＸｅＣＩエキシマ−レーザーに
よるパルスレーザ−ビーム６の波長３０８ｎｍで比べた
場合、５ｉｆｔ膜５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄膜
４の反射率は約６２％であるのに対し、膜厚が５００人
のＳｉｎｇ膜５゛が形成された多結晶５ｉ１１膜４の反
射率は約３６．５％である。
すなわち、Ｓｉｎｇ膜５が形成されていない多結晶５ｔ
ｉｌ膜５の反射率に比べて、膜厚が５００人のＳｉＯ２
膜５が形成された多結晶Ｓｔ薄膜５の反射率は約２５．
５％も低いことがわかる。
ｉｌ膜５の反射率に比べて、膜厚が５００人のＳｉＯ２
膜５が形成された多結晶Ｓｔ薄膜５の反射率は約２５．
５％も低いことがわかる。
第３図は、ＳｉＯオ膜５が形成された多結晶Ｓｔ薄膜４
とＳｉｎｇ膜５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄膜４と
についてパルスレーザ−ビーム６による熱処理を行った
後のシート抵抗のパルスレーザ−ビーム６のエネルギー
密度依存性を示したものである。第３図に示すように、
ＳｉＯ＊膜５が形成された多結晶５ｉｌｌ膜４では、Ｓ
ｉｎｇ膜５が形成されていない多結晶５ｔｆｉｌ膜４に
比べて、同一のシート抵抗値を得るために必要なエネル
ギー密度は約１００ｍＪ／ｃｄ程度も小さくなっている
。すなわち、多結晶Ｓｉ′ｒＲ膜４上にＳｉｎｇ膜５を
形成した状態でパルスレーザ−ビーム６を照射して熱処
理を行うことにより、約１００ｍＪ／ａｉ程度もエネル
ギーを節約することができることがわかる。これは、上
述のように膜厚が５００人のｓｉｏｚＭ５が形成された
多結晶Ｓｔ薄膜４の反射率が５ｉＣｈ膜５が形成されて
いない多結晶Ｓｉ薄膜４の反射率に比べて約２５．５％
も低いことに対応するものである。
とＳｉｎｇ膜５が形成されていない多結晶Ｓｉ薄膜４と
についてパルスレーザ−ビーム６による熱処理を行った
後のシート抵抗のパルスレーザ−ビーム６のエネルギー
密度依存性を示したものである。第３図に示すように、
ＳｉＯ＊膜５が形成された多結晶５ｉｌｌ膜４では、Ｓ
ｉｎｇ膜５が形成されていない多結晶５ｔｆｉｌ膜４に
比べて、同一のシート抵抗値を得るために必要なエネル
ギー密度は約１００ｍＪ／ｃｄ程度も小さくなっている
。すなわち、多結晶Ｓｉ′ｒＲ膜４上にＳｉｎｇ膜５を
形成した状態でパルスレーザ−ビーム６を照射して熱処
理を行うことにより、約１００ｍＪ／ａｉ程度もエネル
ギーを節約することができることがわかる。これは、上
述のように膜厚が５００人のｓｉｏｚＭ５が形成された
多結晶Ｓｔ薄膜４の反射率が５ｉＣｈ膜５が形成されて
いない多結晶Ｓｉ薄膜４の反射率に比べて約２５．５％
も低いことに対応するものである。
また、第３図より、Ｓｉｎｇ膜５が形成された多結晶Ｓ
ｉ′ｖｉＩ膜４では、約３００ｍＪ／ｃｄのエネルギー
密度で約１００Ω／口程度の低いシート抵抗が得られる
ことがわかる。
ｉ′ｖｉＩ膜４では、約３００ｍＪ／ｃｄのエネルギー
密度で約１００Ω／口程度の低いシート抵抗が得られる
ことがわかる。
以上のように、この実施例によれば、Ｂドープの多結晶
Ｓｉ薄膜４上にＳｉＯ，ｌ１５を形成した状態でこのＳ
ｉＯ宜膜５を介して多結晶Ｓｔ薄膜４に紫外域のパルス
レーザ−ビーム６を照射することにより熱処理を行って
いるので、この多結晶Ｓｉ薄膜４の表面でのパルスレー
ザ−ビーム６の反射によるエネルギー損失が少なくなり
、従ってこのパルスレーザ−ビーム６による多結晶Ｓｉ
ｌ膜４の熱処理を行う際のエネルギー効率を高くするこ
とができる。そして、これによって、パルスレーザ−ビ
ーム６による大面積照射が実現可能となる。また、小さ
なエネルギー密度でシート抵抗が低い多結晶Ｓｉ′ｒｉ
ｉ膜４を得ることができる。さらに、パルスレ−ザービ
ーム６による熱処理時に多結晶Ｓｉｆ！膜４の表面がＳ
ｉ０ｇ膜５により覆われているので、この多結晶Ｓｉ薄
膜４の表面が異物の付着などにより汚染されるのを防止
することができる。さらにまた、この実施例における膜
形成や熱処理などはいずれも低温プロセスで行っている
ため、基板１として例えば低融点のガラス基板などを用
いることが可能となる。
Ｓｉ薄膜４上にＳｉＯ，ｌ１５を形成した状態でこのＳ
ｉＯ宜膜５を介して多結晶Ｓｔ薄膜４に紫外域のパルス
レーザ−ビーム６を照射することにより熱処理を行って
いるので、この多結晶Ｓｉ薄膜４の表面でのパルスレー
ザ−ビーム６の反射によるエネルギー損失が少なくなり
、従ってこのパルスレーザ−ビーム６による多結晶Ｓｉ
ｌ膜４の熱処理を行う際のエネルギー効率を高くするこ
とができる。そして、これによって、パルスレーザ−ビ
ーム６による大面積照射が実現可能となる。また、小さ
なエネルギー密度でシート抵抗が低い多結晶Ｓｉ′ｒｉ
ｉ膜４を得ることができる。さらに、パルスレ−ザービ
ーム６による熱処理時に多結晶Ｓｉｆ！膜４の表面がＳ
ｉ０ｇ膜５により覆われているので、この多結晶Ｓｉ薄
膜４の表面が異物の付着などにより汚染されるのを防止
することができる。さらにまた、この実施例における膜
形成や熱処理などはいずれも低温プロセスで行っている
ため、基板１として例えば低融点のガラス基板などを用
いることが可能となる。
この実施例による多結晶Ｓｉｌ膜の熱処理方法は、例え
ばアクティブマトリクス方式の液晶デイスプレィの画素
スイッチング素子などとして用いられる多結晶５ｉｉｉ
膜を用いた薄膜トランジスタ（多結晶Ｓｉ ＴＦＴ）
の製造工程への応用が可能である。
ばアクティブマトリクス方式の液晶デイスプレィの画素
スイッチング素子などとして用いられる多結晶５ｉｉｉ
膜を用いた薄膜トランジスタ（多結晶Ｓｉ ＴＦＴ）
の製造工程への応用が可能である。
この場合には、この多結晶５ｉＴＦＴのソース領域及び
ドレイン領域を低抵抗とすることができるなどの利点が
ある。さらに、この実施例による多結晶５ｉｌｌｌ＊の
熱処理方法は、単結晶Ｓｔ基板に形成された不純物拡散
層の熱処理を行う場合などにも応用が可能である。この
場合には、熱処理時に不純物の再拡散がほとんど生じな
いため、素子の微細化に支障を生じないという利点があ
る。
ドレイン領域を低抵抗とすることができるなどの利点が
ある。さらに、この実施例による多結晶５ｉｌｌｌ＊の
熱処理方法は、単結晶Ｓｔ基板に形成された不純物拡散
層の熱処理を行う場合などにも応用が可能である。この
場合には、熱処理時に不純物の再拡散がほとんど生じな
いため、素子の微細化に支障を生じないという利点があ
る。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、不純物としてＢがド
ープされた多結晶Ｓｉ薄膜４の熱処理を行う場合に本発
明を適用した場合について説明したが、本発明は、不純
物として例えばリン（Ｐ）がドープされた多結晶Ｓｉ薄
膜の熱処理を行う場合にも適用することが可能であるこ
とは勿論、ノンドープの多結晶５ｉｌｌ膜の熱処理を行
う場合にも本発明を適用することが可能である。また、
これらの不純物のドーズ量及び注入エネルギーは、上述
の実施例で用いた数値に限定されるものではない。
ープされた多結晶Ｓｉ薄膜４の熱処理を行う場合に本発
明を適用した場合について説明したが、本発明は、不純
物として例えばリン（Ｐ）がドープされた多結晶Ｓｉ薄
膜の熱処理を行う場合にも適用することが可能であるこ
とは勿論、ノンドープの多結晶５ｉｌｌ膜の熱処理を行
う場合にも本発明を適用することが可能である。また、
これらの不純物のドーズ量及び注入エネルギーは、上述
の実施例で用いた数値に限定されるものではない。
さらに、上述の実施例においては、多結晶５ｉｆｌｌｌ
１２にＳｉをイオン注入することにより非晶質Ｓｔ薄膜
３を形成しているが、例えば低圧ＣＶＤ法やプラズマＣ
ＶＤ法などによりｎ型またはｐ型の不純物がドープされ
た非晶質Ｓｔ薄膜を直接形成することも可能である。
１２にＳｉをイオン注入することにより非晶質Ｓｔ薄膜
３を形成しているが、例えば低圧ＣＶＤ法やプラズマＣ
ＶＤ法などによりｎ型またはｐ型の不純物がドープされ
た非晶質Ｓｔ薄膜を直接形成することも可能である。
また、上述の実施例においては、本発明牽多結晶Ｓｉ薄
膜の熱処理に適用した場合について説明したが、本発明
は、例えば多結晶５ｉｉｌ膜以外の他の半導体″１ｌｌ
ｌの熱処理を行う場合に適用することも可能である。
膜の熱処理に適用した場合について説明したが、本発明
は、例えば多結晶５ｉｉｌ膜以外の他の半導体″１ｌｌ
ｌの熱処理を行う場合に適用することも可能である。
以上述べたように、本発明によれば、半導体基体上に紫
外光に対して透過性を有する薄膜を形成し、この薄膜を
介して半導体基体に紫外光を照射するようにしているの
で、半導体基体の表面での紫外光の反射によるエネルギ
ー損失を少なくすることができ、これによって紫外光の
照射により半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効
率の向上を図ることができる。
外光に対して透過性を有する薄膜を形成し、この薄膜を
介して半導体基体に紫外光を照射するようにしているの
で、半導体基体の表面での紫外光の反射によるエネルギ
ー損失を少なくすることができ、これによって紫外光の
照射により半導体基体の熱処理を行う際のエネルギー効
率の向上を図ることができる。
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例による多結晶Ｓ
ｔ薄膜の熱処理方法を工程順に示す断面図、第２図は５
１０ｍ膜が形成された多結晶Ｓｉ薄膜とＳｉＯ２膜が形
成されていない多結晶Ｓ ｉ ｉ［ＩＩ！とについての
反射率の波長依存性を示すグラフ、第３図はＳｉ０ｇ膜
が形成された多結晶Ｓｉｎ膜とＳｉ０ｇ膜が形成されて
いない多結晶Ｓｉ薄膜とについてパルスレーザ−ビーム
による熱処理を行った後のシート抵抗のパルスレーザ−
ビームのエネルギー密度依存性を示すグラフである。 図面における主要な符号の説明 ｔｓｉ板、 ２．４ ： 多結晶Ｓｉｆ！膜、 ３：非
晶質５ｉｆｉｌ膜、 ５：５ｉＯｚ膜、 ６：パルスレ
ーザ−ビーム。
ｔ薄膜の熱処理方法を工程順に示す断面図、第２図は５
１０ｍ膜が形成された多結晶Ｓｉ薄膜とＳｉＯ２膜が形
成されていない多結晶Ｓ ｉ ｉ［ＩＩ！とについての
反射率の波長依存性を示すグラフ、第３図はＳｉ０ｇ膜
が形成された多結晶Ｓｉｎ膜とＳｉ０ｇ膜が形成されて
いない多結晶Ｓｉ薄膜とについてパルスレーザ−ビーム
による熱処理を行った後のシート抵抗のパルスレーザ−
ビームのエネルギー密度依存性を示すグラフである。 図面における主要な符号の説明 ｔｓｉ板、 ２．４ ： 多結晶Ｓｉｆ！膜、 ３：非
晶質５ｉｆｉｌ膜、 ５：５ｉＯｚ膜、 ６：パルスレ
ーザ−ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基体上に紫外光に対して透過性を有する薄膜を形
成し、 上記薄膜を介して上記半導体基体に紫外光を照射するよ
うにしたことを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22500389A JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
| JP23429698A JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
| JP23429798A JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22500389A JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23429698A Division JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
| JP23429798A Division JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388322A true JPH0388322A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16822558
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22500389A Pending JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
| JP23429798A Pending JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
| JP23429698A Pending JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP23429798A Pending JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
| JP23429698A Pending JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JPH0388322A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6828260B2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ultra-violet treatment of a tunnel barrier layer through an overlayer a tunnel junction device |
| KR101321538B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2013-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| KR101845508B1 (ko) | 2011-04-27 | 2018-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22500389A patent/JPH0388322A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-20 JP JP23429798A patent/JPH11121376A/ja active Pending
- 1998-08-20 JP JP23429698A patent/JPH11121375A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121375A (ja) | 1999-04-30 |
| JPH11121376A (ja) | 1999-04-30 |
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