JPH0390845A

JPH0390845A - 表面分析方法およびその装置

Info

Publication number: JPH0390845A
Application number: JP1224462A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ninomiya; 健二宮; Keizo Suzuki; 敬三鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-09-01
Filing date: 1989-09-01
Publication date: 1991-04-16
Also published as: US5220169A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は微小領域の表面分析技術にかかわり。

特に９分析領域の設定・把握が容易な表面分析方法およ
びその装置に関する。

〔従来の技術〕

近年、微小領域の表面分析技術が重要になりつつある１
例えば、半導体回路素子表面の残留汚染物の分析、同定
では、数μ璽径〜０．１μ重径程度の微小領域が分析対
象となる。また、表面上での薄膜形成や触媒反応等化学
反応の解析でも、１μ重径以下の領域が分析対象である
。

これらの要求に対し、Ｘ線を試料面上の微小領域に集光
して、試料面から放射される蛍光Ｘ線をａｍする方法が
提案されている（例えば、特開昭６２−２６５５５５号
公報、特開昭６１−８８２００号公報）。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術では、試料面上のどの領域が分析されてい
るかを明確にするための配慮がなされていない０分析領
域の大きさがμ禦オーダあるいはそれ以下になった場合
、適切な分析領域設定・把握手段がなければ、信頼でき
る表面分析は困難である。

本発明の目的は、分析領域の設定・把握が容易に行える
微小領域の表面分析方法およびその装置を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明では、複数の光を試料
面に集光・照射する。

これらの光のうち少なくとも１つの光は、軟Ｘ線から真
空紫外領域の光であり、単色化されている。この光は、
反射型光学素子を用いて試料面上に集光されている。こ
の光の照射領域が、微小領域分析での分析領域となる６
表面分析は、光照射によって試料表面から放出される粒
子（電子、光子、イオン、中性粒子等）をａｍすること
により行われる。特に、放出電子のエネルギーを分析す
る電子分光法は、試料表面の化学状態分析に有用である
。

上記表面分析に使用される以外の光は、分析領域の設定
・把握に用いられる。この光も、光学素子を用いて、そ
の試料面上でのビーム中心が、上記表面分析用光ビーム
の試料面上でのビーム中心に一致するように、集光され
ている。この集光に用いる光学素子は、上述の表面分析
用光学素子と同一でもよいし、異なっていてもよい、こ
の分析領域設定・把握用光ビームの試料面上および試料
面近傍での集光スポットを、拡大ｍ’ｓ手段を用いて観
測する。

〔作用〕

軟Ｘ線から真空紫外領域の光が照射された試料面からは
、電子、光子、イオン、中性粒子等が放出される。従っ
て、これら粒子のエネルギーや種類を解析することによ
って、その照射領域内の元素種や化学結合状態の同定が
可能である。

ところで、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を数μ誼径以下
の領域に集光するためには、超低収差光学素子が必要で
ある。このような光学素子は。

単一の反射鏡では実現できないが、ウオルター型反射鏡
やカークパトリック・ベンツ型反射鏡等の複合非球面反
射鏡により実現できる。そこで、これらを用いることに
より、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を数μｌ径〜工μ重
径以下の微小領域に集光することができる。

反射光学素子には色収差（波長の異なる光に対する集光
特性の違い）がない３表面分析では、表面感度等を変化
させるために、試料面へ照射する光の波長をしばしば変
える。このとき、反射光学素子を用いていれば、照射光
の波長変化に対し、分析領域の位置や大きさは基本的に
は変化しない。

この性質は、微小領域分析にとって不可欠である。

以上述べたように、反射光学素子を用いて、軟Ｘ線から
真空紫外領域の光を試料面上に集光し。

試料面からの放出粒子を観測することにより、微小領域
の表面分析が可能である。

次に１分析領域を設定・把握する手段と作用について説
明する。前述のように、分析領域の設定・把握にも、試
料面上に集光された光を用いる。

この集光に用いる光学素子は、表面分析用の光の集光に
用いた光学素子と同一の反射光学素子でもよいし、別の
光学素子でもよい、特に、前者の場合は、装置系がより
単純化するという利点がある。

反射光学素子には色収差がないため、表面分析に用いる
光の集光用光学素子を、そのまま分析領域設定・把握用
の光の集光用光学素子として使用することができる。

分析領域設定・把握のために試料面上に集光された光の
スポット径（ビーム径）は１分析領域と同程度、すなわ
ちμ鳳径〜０．１μ鳳径のオーダであることが望ましい
。このためには、分析領域設定・把握用の光は、可視光
もしくは可視光より短波長の光（例えば紫外光）でなけ
ればならない。

これらの光は、低収差光学素子を用いて、数μ園〜１μ
鳳径以下の領域に容易に集光することができる。特に、
可視光を使用した場合は、集光スポットを直接目視でき
る。また、紫外光等、可視光より短波長の光を使用した
場合でも、蛍光板等を用いることにより集光スポットを
目視できる。従って、前述の表面分析用光ビームの試料
面上でのビーム中心に、この分析領域設定・把握用光ビ
ームの試料面上でのビーム中心を一致させておけば、分
析領域の設定・把握は、拡大ａｍ手段、例えば光学顕微
鏡を用いて、目視で容易に行うことができる６分析領域
設定・把握用光ビームの光源は任意に選ぶことができる
が、輝度や取扱いの容易さを考えると、レーザ光源が望
ましい。

以下余白〔実施例〕以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

実施例１：第１図に本発明の第１の実施例の構成を示す。

本実施例は本発明の基本的な構成を示したもので。

１０は分析領域設定・把握用光源（以下、領域把握用光
源という）であり、１１は軟Ｘ線や真空紫外領域の光を
出す表面分析用光源である。（分光器を使用する場合１
分光器の出口スリットが光源１１となる。以下同様）０
本実施例では、分析領域設定・把握には可視光が用いら
れ、光源としては、例えばレーザ光源がよい、レーザ光
源としては、Ｈａ−Ｎｏレーザが一般的である。領域把
握用光源１０からの光は、光学系１を用いて試料２の表
面上に集光されている。光学系１は、前述の反射光学素
子を主構成要素として構成されている。

試料２の表面および上記集光によってできる集光スポッ
トの像は、像拡大用の光学系７（例えば光学顕微ＩＩ）
とこれに接続されたカメラ８により拡大像としてとらえ
られ、その映像は表示装置９の画像面上に映し出される
。そして、作業者は、この映像を見ながら１分析したい
領域に集光スポットが一致するように試料２を設置して
いる試料台３の位置を微調整する。

表面分析時には１表面分析用光源１１を、上記した領域
把握用光源１０の位置に移動する・この移動は、コント
ローラ１３で制御された移動機構１２を用いて行われる
。この移動機構１２は、μ鳳オーダの精密移動が可能な
ものである。光学系１には色収差がないため１表面分析
用光源１１からの光も、上記集光スポットと同じ位置に
集光する。すなわち、表示装置１９の画像面上で設定、
確認した試料２の表面上の位置に、表面分析用光源１１
からの光も集光する。この光照射によって試料２の表面
上から放出された粒子（電子、光子、イオン、中性粒子
等）は、検出器４により検出される。ここで、この検出
にエネルギー分析機能が必要であれば、検出器４として
エネルギー分析型検出器を使用する。この検出器４は、
コントローラ５で制御されている。検出器４からの粒子
検出信号は、コントローラ５で処理された後、出力・表
示袋ｗ６に出力される。

本実施例によれば、領域把握用光源ＩＯからの光を集光
して試料２の表面上に照射し、その集光スポットの位置
を表示装置９の画像面上で観測することにより、μ■オ
ーダあるいはそれ以上の精度で分析領域の設定・把握が
可能である。その結果、精密かつ信頼性高く微小領域の
表面分析が可能になる。さらに、２つの光源、すなわち
領域把握用光源１０と表面分析用光源１１に対して同一
の光学系１が使用できるため、装置がコンパクトになる
という利点もある。

実施例２：第２図に本発明の第２の実施例の構成を示す。

本実施例も、２つの光源に対して同一の光学系を用いた
実施例であるが、第１の実施例では、領域把握用光源１
０と表面分析用光源１１の位置を移動していたのに対し
１本実施例では、２つの光源の位置変化は必要ない。

第２図において、１４は表面分析用光源、１６は領域把
握用光源であり、１５は光学系である。

光学系１５は１表面分析用光源１４からの軟Ｘ線。

真空紫外領域の光の一部または全部を通過もしくは透過
させるとともに、領域把握用光源１６からの光の一部ま
たは全部を、反射または通過もしくは透過等を利用して
光学系１に導くための光学系である。この光学系１５を
用いることにより、分析領域設定・把握時と表面分析時
とで、２つの光源の位置を変化させる必要がない、その
他の部品の機能およびその動作に関しては、前記実施例
１と同じである。

本実施例によれば、光学系１５の採用により、実施例１
で述べたように１表面分析用光源１４と領域把握用光源
１Ｇの位置変更の必要なしに、表面分析が可能である。

その結果、前記実施例１に比べて分析作業の迅速化が図
れる。その他の効果は実施例１と同じである。

実施例３：第３図に本発明の第３の実施例の構成を示す。

本実施例も、前記実施例２と同様に、表面分析用光源と
領域把握用光源について、実施例１で述べたような位置
変更を必要とすることなく１表面分析と分析領域の設定
・把握とが可能な実施例である。

第３図において、１７は表面分析用光源、１８は領域把
握用光源であるにの表面分析用光源１７には１図に示す
ようにアパーチャがあり、このアパーチャを領域把握用
光源１８からの光が通過するようになっている。このよ
うに構成することによって、２つの光源からの光を、同
一の光学系１を用いて、試料２の表面上の同じ位置に集
光することができる。その他の部品の機能および動作は
、前記実施例１と同じである。

本実施例によっても、前記実施例２と同等の効果を得る
ことができる。

なお、上記の説明では１表面分析用光源１７にアパーチ
ャがあり、そこを領域把握用光源１８からの光が通過す
るものとしたが、光源１７と光源１８とはその役割が逆
であっても差し支えない。

また、上記の説明では、光源１８からの光を通すのに光
源１７のアパーチャを利用しているが、これに限るもの
ではなく、他の手段１例えば極めて薄く形成された光源
１７を、光源１８からの光が透過するようにすることも
考えられる６本実施例の主眼とすところは、光源１７の
一部を、光源１８からの光の全部または一部が通過もし
くは透過するようにした点にあり、そのような手段を用
いたものは当然本発明に含まれるものである。

実施例４：第４図に本発明の第４の実施例の構成を示す。

前記実施例１においては、表面分析時と分析領域設定・
把握時とで、光学系１．試料２に対して光［１０，１１
を動かしたが、逆に、光源１０．１１を動かさず、光学
系１や試料２を動かしても同様のことができる０本実施
例は、そのような作用をもつように構成された実施例で
ある。

第４図において、光学系１と試料台３は同一の移動機構
１９上にあり、試料２は試料台３上に設置されている６
図は分析領域把握時の状態を示したもので、領域把握用
光源１０が光学系１の光軸上にあるように描かれている
。領域把握用光源１０を用いて分析領域把握後、移動機
構１９を用いて１表面分析月光＠１１が光学系ｌの光軸
上にくるように、光学系１および試料台３を移動する。

このとき、試料２の表面と検出器４との間および試料２
の表面と光学系７との間の距離も変化する。

このため、検出器４および光学系７と試料２の表面との
間が元の距離となるように、検出器４および光学系７を
それぞれ移動機構２０および２１を用いて移動させる。

これら移動機構１９．２０および２１は、それぞれμ雪
オーダの精密移動が可能なものであり、これらの移動は
、コントローラ２２を用いて制御されている。その他の
部品の機能および動作は、前記実施例１と同じである。

本実施例によっても、実施例１と同等の効果を得ること
ができる。

実施例５：第５図に本発明の第５の実施例の構成を示す。

これまで述べてきた実施例では１表面分析用の光と分析
領域把握用の光は、いずれも同一の光学系を用いて試料
の表面上に集光されていたが、それぞれ別の光学系を用
いて試料の表面上に集光しても１分析領域の設定・把握
に関して同等の効果が得られる０本実施例はそのように
構成された実施例である。

第５図において、２３は軟Ｘ線から真空紫外線までの光
を出す表面分析用光源であり、２５は可視光を出す領域
把握用光源である。集光に用いる光学系のうち、光学系
１は反射光学系であるが、光学系２４は任意の低収差光
学系でよい０表面分析用光源２３からの光は、光学系１
を用いて試料２の表面上に集光されており、また、領域
把握用光源２５からの光を、光学系２４を用いて試料２
の表面上に集光されている。このとき、試料２の表面上
でのこれら両集光スポットの位置が同位置となるように
、換言すれば両集光スポットの中心が互いに一致するよ
うに、光学系１および光学系２４をあらかじめ調整して
おく、その他の部品の機能および動作は、前記実施例１
と同じである。

本実施例では、領域把握用光源２５からの光を試料２の
表面上に集光することにより、その集光スポットの位置
から分析領域の設定・把握を行うことができる。

実施例６：第６図に本発明の第６の実施例の構成を示す。

これまで述べてきた実施例１〜５では、分析領域設定・
把握用の光源が可視光であり、集光スポットがそのまま
目視可能であることを前提にしていた。しかし、分析領
域が小さくなれば、試料２の表面上の分析領域設定・把
握用の集光スポットも小さくなくてはならない６分析領
域設定・把握用の光の波長は、集光スポットの径と同程
度かそれ以下でなければならないから、集光スポットの
径が例えば０．０１μ■というように小さくなると、分
析領域設定・把握用の光源としては、可視光源より短波
長光源１例えば紫外光源を用いることが必要となってく
る。このような短波長光源を用いた場合、試料２の表面
上の集光スポットをそのまま目視することが不可能にな
る０本実施例は、このような場合の一例を示す実施例で
ある。

第６図において、３９は表面分析用光源、２７は可視光
より短波長光を出す領域把握用光源である０表面分析用
光源３９からの光は光学系１を用いて、領域把握用光源
２７からの光は光学系２６を用いて、それぞれ試料２の
表面上に集光されている。そして、前記実施例５と同様
、この両者の光が試料２の表面上の同位置に集光するよ
うに。

光学系１および２６をあらかじめ調整しておく。

前述のように、光学系２６からの集光スポットは。

そのままでは目視できない、そこで、目視のために目視
板２８を用いる。目視板２８は１表面に蛍光材料が薄く
塗布された薄板か、または、蛍光材料を混合した原材料
から作られた薄板、あるいはフィルムでもよい、この目
視板２８は、可視光の一部または全部が透過できるもの
とする。目視板２８は支持台２９に取り付けられており
、試料２の表面のすぐ真上にあり、目視板２８と試料２
の表面との間のギャップが１００μ醜以下となるように
、支持台２９の位置が移動機構４０によって調節されて
いる。ここで、目視板２８を薄く（厚さ１諺鳳以下）作
っておけば、目視板２８（およびその蛍光材料）を通し
て、試料２の表面を表示装置９の画像面上に映し出すこ
とができる。しかも。

目視板２８の表面あるいは内部には蛍光材料があるため
、領域把握用光源２７からの光による集光スポットは、
目視板２８上の輝点となって現われる。そこで、表示袋
［９の画面上のこの輝点と、同じく表示装置９の画面上
に映し出された試料２の表面とを比較することにより、
分析領域の設定・把握が可能である６分析領域設定・把
握後の表面分析時には、目視板２８は、光学系１からの
光ビームに触れない位置まで、移動機構４０を用いて移
動される。その他の部品の機能と動作は前記実施例１と
同じである。

本実施例によれば、目視板２８を用いることにより、領
域把握用光源として可視光源より短波長の光源を用いる
ことが可能となり、その結果、より微小な分析領域の設
定・把握が可能となる。

なお、厳密に言えば、目視板２８上の蛍光による輝点と
、試料２の表面上の分析領域との間には、若干の位置ず
れが存在する。しかし、目視板２８を十分に薄く作り、
目視板２８と試料２の表面との間のギャップを十分に小
さくすれば、このずれは表面分析に支障をきたさない程
度に小さくするこヒができる本実施例は、蛍光による輝点を観測することで分析領域
の設定・把握を行う一例を示した実施例である１本実施
例で示した同じ手段が、第１図から第５図に示した実施
例１〜５のすべてに応用できることは言うまでもない。

実施例７：第７図に本発明の第７の実施例の構成を示す。

これまで述べてきた実施例では１表面分析用光ビームは
、試料２の表面上をスキャンしなかった。

しかし、表面分析用光ビームが試料の表面上をスキャン
できれば、分析結果を画像情報として得ることができる
。換言すれば、分布情報を得ることができ、化学状態分
布用顕微鏡が実現する。このような場合にも、スキャン
領域を決定するための手段、すなわち分析領域の設定・
把握の手段が必要となる０本実施例はそのように構成さ
れた実施例である。

第７図において、光学系の配置は、第５図に示した実施
例５における光学系の配置と同じである。

表面分析用光源２３からの光は、光学系ｌを用いて試料
２の表面上に集光される。また、領域把握用光源２５か
らの光は、光学系２４を用いて、光源２３からの光と同
じ位置に集光される。この領域把握用光源２５からの光
の試料２の表面上での集光スポットを、光学系７および
カメラ８を用いてｌｌ測することにより、表示装置９の
映像上で分析領域の設定・把握が可能である。

一方、試料２が設置された試料台３は、移動機構３０上
に設置されている。移動機構３０は、コントローラ３１
で制御されており、１μ園以下の位置精度で高速に微小
移動が可能になっている。

コントローラ３１からは、移動機構３０の位置移動量、
すなわち試料２の位置移動量に応じた信号が、処理装置
３２に向けて送り出される。また、検出器４からの粒子
検出信号も、コントローラ５で処理された後、処理装置
３２に入力される。処理装置３２では、これら両信号を
基に、試料２の表面上の各点に対応する粒子検出信号が
求められ。

また、必要に応じて１粒子検出信号に計算処理が加えら
れる。これらの結果は、出力・表示装置３３に入力され
１表面分析結果が画像情報として表示される。

本実施例では、試料２を表面分析用および分析領域設定
・把握用光ビームに対し相対的に移動することにより、
両光ビームが試料２の表面上をスキャンする。このとき
１分析領域設定・把握用光ビームのスキャンを利用して
、試料２の表面上でのスキャン領域の設定・把握ができ
る。

本実施例によれば、試料２の表面上での表面分析用光ビ
ームのスキャンＩ＠囲を設定・把握しながら、表面分析
を行うことが可能である。その結果。

化学状態に関する分布情報を得ることができる。

本実施例は、試料２の微小移動を用いて、両方の光ビー
ムをスキャンする方式の一例であり、この光ビームスキ
ャン方式は、第１図から第６図に示された実施例の集光
手段を有するものすべてに対し適用できる。これらに適
用した場合も、本発明に含まれるものである。

実施例８：第８図に、表面分析用および分析領域設定・把握用光ビ
ームの別のスキャン方式を用いる本発明の第８の実施例
の構成を示す、前述の実施例７では、試料２を微小移動
することによって、両光ビームをスキャンしたが１本実
施例では、反射鏡３４を用いて両光ビームをスキャンす
る。

第８図に示した実施例は、第２図に示した実施例にビー
ムスキャン機構を設置した場合に相当する０表面分析用
光源１４からの光は、光学系１を通過し１反射鏡３４で
反射された後、試料２の表面上に集光する。領域把握用
光源１６からの光も。

同様に反射されて、表面分析用光源１４からの光と同位
置に集光する。従って、領域把握用光源１６からの光の
試料２の表面上の集光スポットから１分析領域の設定・
把握が可能である。

表面分析用光ビームおよび分析領域設定・把握用光ビー
ムの試料２の表面上でのスキャンは、反射鏡３４とその
駆動機構３５を用いて行われる。

すなわち、駆動機構３５によって、光学系ｌの光軸に対
する反射鏡３４の角度が変化するが、この角度変化を連
続的に行うことにより、上記両光ビームの試料２の表面
上でのスキャンが可能となる。

駆動機構３５は、コントローラ３６を用いて制御されて
いる。コントローラ３６からは、光学系１の光軸に対す
る反射ｆｉ３４の角度に対応した。すなわち上記両光ビ
ームの試料２の表面上での位置に対応した信号が、処理
装置！！３２に送られる。この信号は、前述の実施例７
でのコントローラ３１からの信号と同じ目的で用いられ
る。その他の部分については、実施例２および実施例７
と同じである。

本実施例によっても、前述の実施例７と同じ効果が得ら
れる。このスキャン方式は、第１図から第３図に示され
た実施例の集光手段を有するものに適用できる。これら
に適用した場合も、本発明゛に含まれるものである。

実施例９：第９図に１表面分析用および分析領域設定・把握用光ビ
ームのさらに別のスキャン方式を用いた本発明の第９の
実施例の構成を示す０本実施例では、光学系１を両光源
に対し微小移動させることにより両光ビームをスキャン
する。

第９図において、光学系１は駆動機構３７の上に設置さ
れている。駆動機構３７は、コントローラ３８を用いて
制御されており、μ真オーダあるいはそれ以上の精度で
高速に微小移動が可能となっている。この光学系ｌの微
小移動により、表面分析用光ビームおよび分析領域設定
・把握用光ビームの、試料２の表面上でのスキャンが可
能となる０本実施例においても、前記実施例８と同様、
コントローラ３８からは、上記両光ビームの試料２の表
面上での位置に対応した信号が、処理装置３２に向けて
送り出されている。その他の部分については、実施例７
および８と同じである。

本実施例によっても、前述の実施例７および８と同等の
効果が得られる。

以上に述べた実施例では、分析領域設定・把握時には、
表面分析用光ビームは必ずしも必要ではなく、また、表
面分析時には、分析領域設定・把握用光ビームは必ずし
も必要ではない、従って、実施例１から９（第１図から
第９図）においては、必要に応じて、これら光ビームの
どちらか一方を、例えば電源を切る、あるいは遮蔽板等
を用いて試料面に当らないようにするなどの手段によっ
て。

カットできるようになっている。

また、以上述べた実施例を組み合わせた実施例も１本発
明に含まれることは言うまでもない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を含む複
数の光を、試料面上の同位置に集光・照射することによ
り、分析領域を設定・把握して微小領域を表面分析する
ことが可能となり、その結果、高精度に信頼性の高い表
面分析が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第９図は、それぞれ本発明の一実施例の構成
図である。〈符号の説明〉ｌ・・・光学系３・・・試料台５、■３．２２、・・・コントローラ６・・・出力・表示装置８・・・カメラ１０．１６．１８゜１１．１４．１７．１２．１９〜２１゜・・・移動機構１５．２４゜２８・・・目視板３２・・・処理装置３４・・・反射鏡２６・・・光学系２９・・・支持台３３・・・出力・表示装置２・・・試料４・・・検出器３１．３６．３８７・・・光学系９・・・表示装置２５．２７・・・領域把握用光源２３．３９・・・表面分析用光源３０．３５．３７．４０

Claims

【特許請求の範囲】１、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を試料表面に照射する
ことで得られる物理量から試料表面の情報を得る表面分
析方法において、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を含む複
数の光の試料面上への集光により、分析領域を設定・把
握して分析を行うことを特徴とする表面分析方法。２、請求項１に記載の表面分析方法において、軟Ｘ線か
ら真空紫外領域の光と、可視光または可視光より短波長
の光とを試料面上へ集光し、可視光または可視光より短
波長の光の集光により分析領域を設定・把握して分析を
行うことを特徴とする表面分析方法。３、請求項２に記載の表面分析方法において、試料面上
に集光された軟Ｘ線から真空紫外領域の光の集光スポッ
ト中心に、その集光スポット中心が一致するよう可視光
または可視光より短波長の光を前記試料面上に集光する
ことにより、分析領域を設定・把握して分析を行うこと
を特徴とする表面分析方法。４、請求項２または３に記載の表面分析方法において、
可視光の光源がレーザ光源であることを特徴とする表面
分析方法。５、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表面分析
方法において、軟Ｘ線から真空紫外領域の光の試料面上
への集光を、反射を利用した光学素子を用いて行うこと
を特徴とする表面分析方法。６、請求項５に記載の表面分析方法において、分析領域
を設定・把握するための光の試料面上への集光を、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光を試料面上へ集光するための光
学素子と同一の光学素子を用いて行うことを特徴とする
表面分析方法。７、請求項６に記載の表面分析方法において、同一の光
学素子を用いて波長の異なる複数の光を集光するための
手段が、光源に対する光学素子の移動であることを特徴
とする表面分析方法。８、請求項６に記載の表面分析方法において、同一の光
学素子を用いて波長の異なる複数の光を集光するための
手段が、軟Ｘ線から真空紫外領域の光の一部または全部
を通過もしくは透過せしめるとともに、分析領域の設定
・把握のための光の一部または全部を反射または通過も
しくは透過せしめる光学素子あるいは光学系あるいは物
体の使用であることを特徴とする表面分析方法。９、請求項６に記載の表面分析方法において、同一の光
学素子を用いて波長の異なる複数の光を集光するための
手段が、光学素子に対する光源の移動であることを特徴
とする表面分析方法。１０、請求項５に記載の表面分析方法において、分析領
域を設定・把握するための光の試料面上への集光を、軟
Ｘ線から真空紫外領域の光の試料面上え集光する手段と
は独立した手段により行うことを特徴とする表面分析方
法。１１、請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の表面
分析方法において、光照射により試料面の近傍に設置さ
れた物体から発する蛍光を基に、分析領域の設定・把握
を行うことを特徴とする表面分析方法。１２、請求項６に記載の表面分析方法において、軟Ｘ線
から真空紫外領域の光ビーム、および分析領域を設定・
把握するための光ビームの、試料面上でのスキャンを可
能にしたことを特徴とする表面分析方法。１３、請求項１０に記載の表面分析方法において、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光ビーム、および分析領域を設定
・把握するための光ビームの、試料面上でのスキャンを
可能にしたことを特徴とする表面分析方法。１４、請求項１２または１３に記載の表面分析方法にお
いて、試料面上でのスキャンを、試料の光学素子に対す
る微小移動で行うことを特徴とする表面分析方法。１５、請求項１２に記載の表面分析方法において、試料
面上でのスキャンを、反射鏡での光の反射を利用して行
うことを特徴とする表面分析方法。１６、請求項１２に記載の表面分析方法において、試料
面上でのスキャンを、光学素子の光源に対する微小移動
で行うことを特徴とする表面分析方法。１７、請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の表面
分析方法において、試料の表面分析を、軟Ｘ線から真空
紫外領域の光の試料面への照射により発生する荷電粒子
または光子または中性粒子の検出により行うことを特徴
とする表面分析方法。１８、請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の表面
分析方法において、試料の表面分析を、軟Ｘ線から真空
紫外領域の光の試料面への照射により発生する電子また
は光子のエネルギー分析で行うことを特徴とする表面分
析方法。１９、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を発生する光源と、
該光とは異なる他の光を発生する光源と、これら光源か
らの光を試料面上へ集光する集光手段と、上記他の光の
試料面上または試料面近傍での集光スポットを観測する
手段とを具備してなることを特徴とする表面分析装置。２０、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を発生する光源と、
可視光または可視光より短波長の光を発生する光源と、
これら光源からの光を試料面上へ集光する集光手段と、
上記可視光または可視光より短波長の光の試料面上また
は試料面近傍での集光スポットを観測する手段とを具備
してなることを特徴とする表面分析装置。２１、請求項２０に記載の表面分析装置において、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光を試料面上へ集光する集光手段
と、該光による試料面上での集光スポット中心に、その
集光スポット中心が一致するように調整された可視光ま
たは可視光より短波長の光を試料面上へ集光する集光手
段とを備えたことを特徴とする表面分析装置。２２、請求項１９ないし２１のいずれか１項に記載の表
面分析装置において、軟Ｘ線から真空紫外領域の光の試
料面への照射により発生する荷電粒子または光子または
中性粒子を検出する手段を備えたことを特徴とする表面
分析装置。２３、請求項１９ないし２１のいずれか１項に記載の表
面分析装置において、軟Ｘ線から真空紫外領域の光の試
料面への照射により発生する電子または光子のエネルギ
ー分析手段を備えたことを特徴とする表面分析装置。２４、請求項２０または２１に記載の表面分析装置にお
いて、可視光を発生する光源がレーザ光源であることを
特徴とする表面分析装置。２５、請求項２２または２３に記載の表面分析装置にお
いて、軟Ｘ線から真空紫外領域の光以外の光を発生する
光源が、可視レーザ光源であることを特徴とする表面分
析装置。２６、請求項１９ないし２５のいずれか１項に記載の表
面分析装置において、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を試
料面上へ集光する集光手段が、反射を利用した光学素子
であることを特徴とする表面分析装置。２７、請求項２６に記載の表面分析装置において、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光以外の光を試料面上へ集光する
集光手段が、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を試料面上へ
集光する集光手段と同一であることを特徴とする表面分
析方法。２８、請求項２７に記載の表面分析装置において、光源
に対して光学素子を移動する移動手段を備えたことを特
徴とする表面分析装置。２９、請求項２７に記載の表面分析装置において、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光の一部または全部を通過もしく
は透過せしめるとともに、この光を発生する光源以外の
光源から発生した光の一部または全部を反射または通過
もしくは透過せしめる光学素子あるいは光学系あるいは
物体を備えたことを特徴とする表面分析装置。３０、請求項２７に記載の表面分析装置において、光学
素子に対して光源を移動する移動手段を備えたことを特
徴とする表面分析装置。３１、請求項２６に記載の表面分析装置において、軟Ｘ
線から真空紫外領域の光以外の光を試料面上へ集光する
集光手段が、軟Ｘ線から真空紫外領域の光を試料面上へ
集光する集光手段とは独立した集光手段であることを特
徴とする表面分析装置。３２、請求項２７または３１に記載の表面分析装置にお
いて、光照射により蛍光を発する物体を試料面の近傍に
設置したことを特徴とする表面分析装置。３３、請求項２７に記載の表面分析装置において、試料
面上に集光・照射される光ビームの、試料面上でのスキ
ャン手段を備えたことを特徴とする表面分析装置。３４、請求項３１に記載の表面分析装置において、試料
面上に集光・照射される光ビームの、試料面上でのスキ
ャン手段を備えたことを特徴とする表面分析装置。３５、請求項３３または３４に記載の表面分析装置にお
いて、スキャン手段が、光学素子に対する試料の微小移
動によるものであることを特徴とする表面分析装置。３６、請求項３３に記載の表面分析装置において、スキ
ャン手段が、光学素子に対する反射鏡の角の角度変化に
よるものであることを特徴とする表面分析装置。３７、請求項３３に記載の表面分析装置において、スキ
ャン手段が、光源に対する光学素子の微小移動によるも
のであることを特徴とする表面分析装置。