JPH0391981A - 周波数可変型安定化光源 - Google Patents
周波数可変型安定化光源Info
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- JPH0391981A JPH0391981A JP22958589A JP22958589A JPH0391981A JP H0391981 A JPH0391981 A JP H0391981A JP 22958589 A JP22958589 A JP 22958589A JP 22958589 A JP22958589 A JP 22958589A JP H0391981 A JPH0391981 A JP H0391981A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気体が持つ光吸収ピークや共振器の共振周波
数などを周波数基準にすることにより、第1の半導体レ
ーザのレーザ光の周波数を高精度に安定化し、さらにこ
の安定化したレーザ光の周波数を基準とし、その周波数
から任意の周波数だけずらして第2の半導体レーザのレ
ーザ光の周波数を固定することによって任意に周波数を
選べるようにした周波数可変型安定化光源に関する。
数などを周波数基準にすることにより、第1の半導体レ
ーザのレーザ光の周波数を高精度に安定化し、さらにこ
の安定化したレーザ光の周波数を基準とし、その周波数
から任意の周波数だけずらして第2の半導体レーザのレ
ーザ光の周波数を固定することによって任意に周波数を
選べるようにした周波数可変型安定化光源に関する。
本発明の光源は、各種光計測用光源を始め、高精度光周
波数基準光源、物理・化学計測用安定化光源、光通信用
光源などに広く利用できる。
波数基準光源、物理・化学計測用安定化光源、光通信用
光源などに広く利用できる。
特に、例えば、高度なコヒーレント性が要求されるヘテ
ロダイン光通信用光源等に利用できる。
ロダイン光通信用光源等に利用できる。
半導体レーザは、駆動電流と周囲温度を変えることによ
ってレーザ光の周波数と光強度を可変することができる
という他のレーザ光源にない特徴を有している. その可変範囲は、周波数が一数G HZ/IIA,
10数G HZ/Kであり、光強度が0.数mW/mA
,一数10μW/Kであることが知られている。
ってレーザ光の周波数と光強度を可変することができる
という他のレーザ光源にない特徴を有している. その可変範囲は、周波数が一数G HZ/IIA,
10数G HZ/Kであり、光強度が0.数mW/mA
,一数10μW/Kであることが知られている。
(発明が解決しようとする課題〕
しかし、以上に述べた長所は反面、駆動電流と周囲温度
の変動によって周波数と光強度が不安定になるという短
所にもなっている。この短所をなくすため従来において
は、光吸収セルを用いて所定の周波数に安定させていた
。例えば、同一出園人等による発明「波長安定化光源J
lil昭63− 248250号)では周囲温度を、任
意に設定した温度の±0.1〜1mK程度の範囲内まで
安定に保ち、その上で周波数を光吸収セル中のガスの光
吸収スペクトル等の周波数基準と比較し、その差分に対
応する駆動電流を半導体レーザに負帰還させ、周波数を
安定化しているため光吸収スペクトルのピーク位置の周
波数のレーザ光しか得られない。また半導体レーザのレ
ーザ光の周波数を固定しただけでは、周波数基準となる
周波数のレーザ光しか得られず、外部変調器を用いなけ
れば、レーザ光の周波数変調ができないという課題があ
った。
の変動によって周波数と光強度が不安定になるという短
所にもなっている。この短所をなくすため従来において
は、光吸収セルを用いて所定の周波数に安定させていた
。例えば、同一出園人等による発明「波長安定化光源J
lil昭63− 248250号)では周囲温度を、任
意に設定した温度の±0.1〜1mK程度の範囲内まで
安定に保ち、その上で周波数を光吸収セル中のガスの光
吸収スペクトル等の周波数基準と比較し、その差分に対
応する駆動電流を半導体レーザに負帰還させ、周波数を
安定化しているため光吸収スペクトルのピーク位置の周
波数のレーザ光しか得られない。また半導体レーザのレ
ーザ光の周波数を固定しただけでは、周波数基準となる
周波数のレーザ光しか得られず、外部変調器を用いなけ
れば、レーザ光の周波数変調ができないという課題があ
った。
(参考文献)
(1)橋本 実.大津 元一;
j j17R b原子発振器のためのレーザ分光及び半
導体レーザの周波数制御J . Trans. IE
E JapanVol.108−C,’88 pT
1.706−712(2)橋本 実,小沢 英隆,大津
元一;「半導体レーザ励起ルビジウム原子発振器」、
電子情報通信学会 OQE85−3 pp.15−
22〔課題を解決するための手段及び作用〕そこで、本
発明では、上記の課題に対して、気体が持つ光吸収ピー
クや共振器の共振周波数などを周波数基準にすることに
より第1の半導体レーザのレーザ光の周波数を安定化し
、その周波数から任意の周波数だけずらして第2の半導
体レーザのレーザ光の周波数を安定にすることで周波数
可変型安定化光源を実現するものである。
導体レーザの周波数制御J . Trans. IE
E JapanVol.108−C,’88 pT
1.706−712(2)橋本 実,小沢 英隆,大津
元一;「半導体レーザ励起ルビジウム原子発振器」、
電子情報通信学会 OQE85−3 pp.15−
22〔課題を解決するための手段及び作用〕そこで、本
発明では、上記の課題に対して、気体が持つ光吸収ピー
クや共振器の共振周波数などを周波数基準にすることに
より第1の半導体レーザのレーザ光の周波数を安定化し
、その周波数から任意の周波数だけずらして第2の半導
体レーザのレーザ光の周波数を安定にすることで周波数
可変型安定化光源を実現するものである。
この実現により、
(1)第1の半導体レ〜ザのレーザ光の周波数から任意
の周波数だけずらした第2の半導体レーザのレーザ光を
出力光として用いることにより、任意の周波数のレーザ
光を得ることかで゛きる。
の周波数だけずらした第2の半導体レーザのレーザ光を
出力光として用いることにより、任意の周波数のレーザ
光を得ることかで゛きる。
(2)電気光学効果を利用した周波数シフターを用いて
レーザ光の周波数を変澗させた場合、変調周波数の精度
はあまり良くないが、ビート周波数をカウンタすること
により変調周波数を制御することとすれば、デジタル的
に制御できるために、高精度な制御ができる。
レーザ光の周波数を変澗させた場合、変調周波数の精度
はあまり良くないが、ビート周波数をカウンタすること
により変調周波数を制御することとすれば、デジタル的
に制御できるために、高精度な制御ができる。
第1図は本発明の周波数可変型安定化光源の一実施例を
示したものである。
示したものである。
第工の半導体レーザ1から出力されたレーザ光を、第1
のレーザ光取出用ビームスプリッタ8を?して周波敗弁
別器2に入射する。
のレーザ光取出用ビームスプリッタ8を?して周波敗弁
別器2に入射する。
周波数弁別器2は、所定の周波数だけを吸収する特性(
光吸収特性)を有し、所望の光吸収特性が得られるよう
にしたエタロン.干渉装置,フィルタ,光吸収セルなど
を用いることができる。
光吸収特性)を有し、所望の光吸収特性が得られるよう
にしたエタロン.干渉装置,フィルタ,光吸収セルなど
を用いることができる。
本実施例では光吸収セルを用いた場合について説明する
。
。
光吸収セルの中には、ルビジウム(1?b) ,セシウ
ム(Cs),アセチレンガス(C.H2),水蒸気(H
20),炭酸ガス(Go■)等のガスが単独でまたは複
数種類封入されており、特定光の周波数において封入物
質で定まる吸収スペクトルを有する。
ム(Cs),アセチレンガス(C.H2),水蒸気(H
20),炭酸ガス(Go■)等のガスが単独でまたは複
数種類封入されており、特定光の周波数において封入物
質で定まる吸収スペクトルを有する。
第2図は、光吸収ガスとしてアセチレンガスを封入した
場合の光吸収セルにおける吸収スペクトルの一例を示し
たものである。この図から明らかなように,レーザ光の
周波数(横軸)が変化するのに対応してレーザ光が光吸
収セルを透過(実施例がエタロン.干渉装置等の場合は
通過)する透過光強度(縦軸)も変化する。
場合の光吸収セルにおける吸収スペクトルの一例を示し
たものである。この図から明らかなように,レーザ光の
周波数(横軸)が変化するのに対応してレーザ光が光吸
収セルを透過(実施例がエタロン.干渉装置等の場合は
通過)する透過光強度(縦軸)も変化する。
先ず、第1の周波数安定化光′/R9について説明する
。
。
第1の半導体レーザlのレーザ光の周波数をiに安定化
することを考える。この場合、実際の周波数がflであ
ったとして、周波数f1は周波数fmの近傍にあるとす
る。第2図から、周波数fm, flにおける透過光強
度は、それぞれPm, PIである。
することを考える。この場合、実際の周波数がflであ
ったとして、周波数f1は周波数fmの近傍にあるとす
る。第2図から、周波数fm, flにおける透過光強
度は、それぞれPm, PIである。
この透過光強度P1のときの透過光を、第1図に示すよ
うに、第1の受光器3で電圧に変換し、さらに第1の増
幅器4で増幅する。その増幅した後の電圧をv1とする
。同様に透過光強度PII1のときの透過光の第1の増
幅器4における出力電圧はVmである。基準電圧源5の
出力電圧をVmに固定し、差動増幅器6で基準電圧源5
の出力と第1の増幅器4の出力との差分をとる。その差
出力を第1の駆動電流a7に負帰還すれば、常にVm−
Vlの関係となり、第1の半導体レ〜ザ1のレーザ光
は、周波数fmに固定されることになる。
うに、第1の受光器3で電圧に変換し、さらに第1の増
幅器4で増幅する。その増幅した後の電圧をv1とする
。同様に透過光強度PII1のときの透過光の第1の増
幅器4における出力電圧はVmである。基準電圧源5の
出力電圧をVmに固定し、差動増幅器6で基準電圧源5
の出力と第1の増幅器4の出力との差分をとる。その差
出力を第1の駆動電流a7に負帰還すれば、常にVm−
Vlの関係となり、第1の半導体レ〜ザ1のレーザ光
は、周波数fmに固定されることになる。
このレーザ光は、第1のレーザ光取出用ビームスプリッ
タ8によって外部に出力される。
タ8によって外部に出力される。
つぎに、第2の周波数安定化光源19について説゛明す
る。
る。
第2の半導体レーザ10から出力されたレーザ光と第1
の周波数安定化光源9つまり.第1のレーザ光取出用ビ
ームスプリッタ8から出力されたレーザ光とを合波器1
1で合波することによって光ビト信号を発生させ、その
光ビート信号を第2の受光器12で電気ビート信号に変
換する。この電気ビート信号を第2の増幅器13で増幅
し、その出力をブリスケーラ14でd分のlまで分周す
る。
の周波数安定化光源9つまり.第1のレーザ光取出用ビ
ームスプリッタ8から出力されたレーザ光とを合波器1
1で合波することによって光ビト信号を発生させ、その
光ビート信号を第2の受光器12で電気ビート信号に変
換する。この電気ビート信号を第2の増幅器13で増幅
し、その出力をブリスケーラ14でd分のlまで分周す
る。
仮に、得たいレーザ光の周波数をfsであるとすれば1
可変信号発生器15から出力される周波数信号は、fs
g = ( fs − fm) /d となる。
可変信号発生器15から出力される周波数信号は、fs
g = ( fs − fm) /d となる。
この出力fsgとプリスケーラ14からの出力fpとを
周波数差信号発生器l6に人力する。
周波数差信号発生器l6に人力する。
この周波数差信号発生器16は、ブリスケ〜ラ14の出
力fpと可変信号発生器l5の出力fsgとの差(fp
−fag)に対応した信号を出力するので、この信号が
常にOとなるように第2の駆動電流源17に負帰還すれ
ば、第2の半導体レーザ10からのレーザ光の周波数は
、fs= fm + fsgX dに安定化することに
なり、第2のレーザ光取出用ビームスプリッタl8によ
って、外部に出力することができる。
力fpと可変信号発生器l5の出力fsgとの差(fp
−fag)に対応した信号を出力するので、この信号が
常にOとなるように第2の駆動電流源17に負帰還すれ
ば、第2の半導体レーザ10からのレーザ光の周波数は
、fs= fm + fsgX dに安定化することに
なり、第2のレーザ光取出用ビームスプリッタl8によ
って、外部に出力することができる。
第2の周波数安定化光源19の構威要素であるブリスケ
ーラ14,可変信号発生器15,周波数差信号発生器1
6はディジタル的に信号処理ができるため高精度な周波
数制御ができる。
ーラ14,可変信号発生器15,周波数差信号発生器1
6はディジタル的に信号処理ができるため高精度な周波
数制御ができる。
ブリスケーラ14の帯域は、数GHz程度であるので,
周波数の可変範囲もそれと同じとなる。
周波数の可変範囲もそれと同じとなる。
アセチレンの光吸収ピークは半値全幅が数百MHzであ
り、ピーク間隔は数GHzである。
り、ピーク間隔は数GHzである。
そこで、例えば、周波数が『aのレーザ光を得たい場合
には、第1の周波数安定化光源9の周波数をfa近傍の
アセチレンの光吸収ピークに安定化し、そこから周波数
差を与えて第2の周波数安定化光源19の周波数をfa
に安定させる。このように光吸収ピークを変えることに
より,数百GHzにわたって周波数を可変することがで
きる。
には、第1の周波数安定化光源9の周波数をfa近傍の
アセチレンの光吸収ピークに安定化し、そこから周波数
差を与えて第2の周波数安定化光源19の周波数をfa
に安定させる。このように光吸収ピークを変えることに
より,数百GHzにわたって周波数を可変することがで
きる。
第3図は、アセチレン(C2+12)の光吸収特性を示
す。横軸は波長(μm).縦軸は光吸収率を示す。
す。横軸は波長(μm).縦軸は光吸収率を示す。
図から判るように、一般に分子の光吸収には周波数スケ
ール上に、周期的に吸収ピークがいくつも出現すること
が知られている。
ール上に、周期的に吸収ピークがいくつも出現すること
が知られている。
このような分子の吸収特性を利用して吸収セルを構威し
、この発明の周波数可変形安定化光源を実現するときは
、ピーク1 , 2, 3.・−・・・.9のいずれの
ピークの近傍で第lの周波数安定化光源を安定化させる
ことができる。例えば、第3のピークの右側を用いて、
fm3=1.941374X 10” +12の発振を
させることができる。
、この発明の周波数可変形安定化光源を実現するときは
、ピーク1 , 2, 3.・−・・・.9のいずれの
ピークの近傍で第lの周波数安定化光源を安定化させる
ことができる。例えば、第3のピークの右側を用いて、
fm3=1.941374X 10” +12の発振を
させることができる。
この場合、第2の周波数安定化光源19においては、ビ
ート信号検出系の帯域がIOc;Fizであるとすれば
、l.941374x 10” Hzから1.9413
84X 10” Hzの範囲で発振周波数を可変できる
。基準電圧源5と第lの駆動電流源7を調整すれば、第
1の周波数安定化光源9の発振周波数はfm4. fm
5, frs6にも調整可能である。
ート信号検出系の帯域がIOc;Fizであるとすれば
、l.941374x 10” Hzから1.9413
84X 10” Hzの範囲で発振周波数を可変できる
。基準電圧源5と第lの駆動電流源7を調整すれば、第
1の周波数安定化光源9の発振周波数はfm4. fm
5, frs6にも調整可能である。
発振周波数f++iとfmi+1の間隔は、数Cllz
であり、ビート信号検出系の帯域よりも小さい。そのた
め、安定化に用いるピークを変えることにより第1の半
導体レーザ1の発振可能な周波数の範囲内の全ての周波
数において第2の半導体レーザ10のレーザ光の周波数
を安定にすることができる。
であり、ビート信号検出系の帯域よりも小さい。そのた
め、安定化に用いるピークを変えることにより第1の半
導体レーザ1の発振可能な周波数の範囲内の全ての周波
数において第2の半導体レーザ10のレーザ光の周波数
を安定にすることができる。
さらに、第2の周波数安定化光源の構戒要素である、ブ
リスケーラ14、可変信号発生815、周波数差信号発
生器16の出力はいずれも、ディジタル信号処理ができ
るので、この発明の周波数可変型安定化光源はマイクロ
コンピュータを用いたディジタル制御になしみ易い構戒
である。
リスケーラ14、可変信号発生815、周波数差信号発
生器16の出力はいずれも、ディジタル信号処理ができ
るので、この発明の周波数可変型安定化光源はマイクロ
コンピュータを用いたディジタル制御になしみ易い構戒
である。
以上、述べるように、本発明による周波数可変型安定化
光源は、第1の半導体レーザから任意の周波数だけずら
し′て第2の半導体レーザのレーザ光の周波数を安定化
することにより、次に示すような固有の効果を有する。
光源は、第1の半導体レーザから任意の周波数だけずら
し′て第2の半導体レーザのレーザ光の周波数を安定化
することにより、次に示すような固有の効果を有する。
(1)任意の周波数に.安定にしたレーザ光が得られた
。
。
(2)電気光学素子などの外部変調素子を用いず、ディ
ジタル的に変調周波数を選べるため、高精度な周波数変
調が実現できた。
ジタル的に変調周波数を選べるため、高精度な周波数変
調が実現できた。
第l図は本発明による周波数可変型安定化光源の一実施
例の構戒を、第2図は吸収セル中のアセチレンガスの光
吸収スペクトルを、第3図はアセチレンの光吸収特性を
それぞれ示す。 図において、■は第1の半導体レーザ、2は周波数弁別
器、3は第lの受光器、4は第1の増幅器、5は基準電
圧源、6は差動増幅器、7は第1の駆動電流源、8は第
1のレーザ光取出用ビームスプリツタ、9は第1の周波
数安定化光源、IOは第2の半導体レーザ、11は合波
器、12は第2の受光器、l3は第2の増幅器、14は
ブリスケーラ、15は可変信号発生器、l6は周波数差
信号発生器、17は第2の駆動電流源、l8は第2のレ
ーザ光取出用ビームスプリンタ、19は第2の周波数安
定化光源をそれぞれ示す。
例の構戒を、第2図は吸収セル中のアセチレンガスの光
吸収スペクトルを、第3図はアセチレンの光吸収特性を
それぞれ示す。 図において、■は第1の半導体レーザ、2は周波数弁別
器、3は第lの受光器、4は第1の増幅器、5は基準電
圧源、6は差動増幅器、7は第1の駆動電流源、8は第
1のレーザ光取出用ビームスプリツタ、9は第1の周波
数安定化光源、IOは第2の半導体レーザ、11は合波
器、12は第2の受光器、l3は第2の増幅器、14は
ブリスケーラ、15は可変信号発生器、l6は周波数差
信号発生器、17は第2の駆動電流源、l8は第2のレ
ーザ光取出用ビームスプリンタ、19は第2の周波数安
定化光源をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1の半導体レーザ(1)と、該第1の半導体レーザか
ら発振したレーザ光を受ける所定波長範囲の光吸収特性
を利用した周波数弁別器(2)と、該周波数弁別器を通
過させた光を検出する第1の受光器(3)と、該第1の
受光器からの信号により該第1の半導体レーザへの駆動
電流を制御する第1の駆動電流源(7)とからなる第1
の周波数安定化光源(9)と; 第2の半導体レーザ(10)と、該第2の半導体レーザ
からのレーザ光と該第1の周波数安定化光源(9)から
のレーザ光とを合波する合波器(11)と、該合波器で
合波することにより発生した光ビート信号を所定範囲の
周波数を持つ電気ビート信号に変換する第2の受光器(
12)と、該所定範囲内の任意の周波数の信号を発生す
る可変信号発生器(15)と、該電気ビート信号と該可
変信号発生器からの信号とを受けてそれらの周波数差に
対応した信号を出力する周波数差信号発生器(16)と
、該周波数差信号発生器からの出力を受けて該第2の半
導体レーザへの駆動電流を制御する第2の駆動電流源(
17)とからなる第2の周波数安定化光源(19)とを
備えて成る周波数可変型安定化光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22958589A JPH0391981A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 周波数可変型安定化光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22958589A JPH0391981A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 周波数可変型安定化光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391981A true JPH0391981A (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=16894490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22958589A Pending JPH0391981A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 周波数可変型安定化光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009117101A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP22958589A patent/JPH0391981A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009117101A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
| US7688872B2 (en) | 2008-03-18 | 2010-03-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-Calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
| JP2011515853A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-05-19 | アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド | 自己較正集積光回路およびその制御方法 |
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