JPH0393607A - 超伝導体の製造方法 - Google Patents
超伝導体の製造方法Info
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- JPH0393607A JPH0393607A JP1227426A JP22742689A JPH0393607A JP H0393607 A JPH0393607 A JP H0393607A JP 1227426 A JP1227426 A JP 1227426A JP 22742689 A JP22742689 A JP 22742689A JP H0393607 A JPH0393607 A JP H0393607A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基材の表面に超伝導特性に優れた超伝導セラ
ミックス薄膜を形成せしめる超伝導体の製造方法に関し
、特に本発明は、複雑なプロセスや特別な装置を必要と
しない超伝導体の製造方法に関する。
ミックス薄膜を形成せしめる超伝導体の製造方法に関し
、特に本発明は、複雑なプロセスや特別な装置を必要と
しない超伝導体の製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、液体窒素温度領域でも使用可能な超伝導セラミッ
クスが発見され、工業的にも大きなインパクトを与えて
いる．その代表的なものとして、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
酸化物超伝導セラミックスが良く知られている。また、
最近、希土類元素を含まない新しいタイプの超伝導セラ
ミックスとしてＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、或いは
Ｔ Ｑ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超伝導セラミッ
クスが報告され、これら酸化物超伝導セラミックスは大
気中の水分や炭酸ガスなどに対する安定性に優れ、且つ
酸化含有量が一定で超伝導特性が安定しているという特
徴がある。
クスが発見され、工業的にも大きなインパクトを与えて
いる．その代表的なものとして、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
酸化物超伝導セラミックスが良く知られている。また、
最近、希土類元素を含まない新しいタイプの超伝導セラ
ミックスとしてＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、或いは
Ｔ Ｑ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超伝導セラミッ
クスが報告され、これら酸化物超伝導セラミックスは大
気中の水分や炭酸ガスなどに対する安定性に優れ、且つ
酸化含有量が一定で超伝導特性が安定しているという特
徴がある。
しかしながら、これら超伝導セラミックスを実用化する
に当っては、堅くて脆いセラミックスを超伝導組成を保
ったまま如何に緻密に焼結して所望の形に成形するかが
重要な技術課題となっていた。
に当っては、堅くて脆いセラミックスを超伝導組成を保
ったまま如何に緻密に焼結して所望の形に成形するかが
重要な技術課題となっていた。
このような超伝導体の製造方法としては、例えば、（１
）特開昭６３−２４８０２１号公報に記載の、超伝導酸
化物の構成元素からなるアルコキシドを加水分解し、ゾ
ル化物とし、これをファイバー、基板などに被着させる
ことにより表面にゾル・ゲルを形成し、これを加熱焼結
する方法、 （２）１９８９年８月８日発行の化学工業日報記載の、
Ｂｉ系超伝導組成物を、純銀製パイプに充填し、線引加
工後、圧延、焼結お−よびプレス加工を繰返し、Ｔｃｓ
７７．３Ｋ， Ｊｃ＝２万Ａ／ｃｆｌｔなる超伝導特性
をもち、結晶粒の配向性が良好な超伝導セラミックから
なるテープを得る方法、 （３）特開昭６４−１０５３０号公報に記載の、Ｙ或い
はＬａ系の超伝導化合物の溶融液に基板を浸漬し、引き
上げた後、急冷してアニール処理し、超伝導薄膜を製造
する方法、及び （４）特開昭６４−３１３１０号公報に記載の、超伝導
酸化物の溶融液を線材に被覆した後、熱処理を行なって
超伝導酸化物溶融液被覆物を結晶化させる方法などが提
案されている。
）特開昭６３−２４８０２１号公報に記載の、超伝導酸
化物の構成元素からなるアルコキシドを加水分解し、ゾ
ル化物とし、これをファイバー、基板などに被着させる
ことにより表面にゾル・ゲルを形成し、これを加熱焼結
する方法、 （２）１９８９年８月８日発行の化学工業日報記載の、
Ｂｉ系超伝導組成物を、純銀製パイプに充填し、線引加
工後、圧延、焼結お−よびプレス加工を繰返し、Ｔｃｓ
７７．３Ｋ， Ｊｃ＝２万Ａ／ｃｆｌｔなる超伝導特性
をもち、結晶粒の配向性が良好な超伝導セラミックから
なるテープを得る方法、 （３）特開昭６４−１０５３０号公報に記載の、Ｙ或い
はＬａ系の超伝導化合物の溶融液に基板を浸漬し、引き
上げた後、急冷してアニール処理し、超伝導薄膜を製造
する方法、及び （４）特開昭６４−３１３１０号公報に記載の、超伝導
酸化物の溶融液を線材に被覆した後、熱処理を行なって
超伝導酸化物溶融液被覆物を結晶化させる方法などが提
案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、（１）の方法では、基板又は、母材が焼
結の際、超伝導セラミックスと反応する可能性が考えら
れ、前記基板又は母材は、超伝導セラミックスとの反応
性が低いものに限られていた。
結の際、超伝導セラミックスと反応する可能性が考えら
れ、前記基板又は母材は、超伝導セラミックスとの反応
性が低いものに限られていた。
また、（２）の方法では、結晶粒の配向性を向上させる
ためプレス加工と焼結を繰り返す必要があり、煩雑であ
った．更に、（３）或いは（４）の方法では、超伝導酸
化物の融点が非常に高く、使用できる基材は、耐熱性が
特に高いものに限られるなどの問題があった． （課題を解決するための手段） そこで、本発明者等は、上述の如き欠点を解決すること
のできる超伝導体の製造方法を開発すベく鋭意研究した
結果、次の如き要旨構成の本発明を開発するに至った。
ためプレス加工と焼結を繰り返す必要があり、煩雑であ
った．更に、（３）或いは（４）の方法では、超伝導酸
化物の融点が非常に高く、使用できる基材は、耐熱性が
特に高いものに限られるなどの問題があった． （課題を解決するための手段） そこで、本発明者等は、上述の如き欠点を解決すること
のできる超伝導体の製造方法を開発すベく鋭意研究した
結果、次の如き要旨構成の本発明を開発するに至った。
本発明の要旨は、超伝導組成物とアルカリハライドの混
合溶融物に基材を接触させた後、徐冷することにより、
基材表面に超伝導セラミックスを析出させて超伝導セラ
ミックス薄膜を形成することを特徴とする超伝導体の製
造方法である。
合溶融物に基材を接触させた後、徐冷することにより、
基材表面に超伝導セラミックスを析出させて超伝導セラ
ミックス薄膜を形成することを特徴とする超伝導体の製
造方法である。
即ち、本発明においては、超伝導組威物とアルカリハラ
イドの混合溶融物に基材を接触させることにより、前記
基材の表面に、結晶配向性に優れた超伝導セラミックス
が析出し、超伝導体が得られるのである． 本発明において、前記超伝導組成物は、アルカリハライ
ドの゛溶融物に可溶の化合物であり、中でもＢｉ系或い
はＴｌ系超伝導組成物が好適である。
イドの混合溶融物に基材を接触させることにより、前記
基材の表面に、結晶配向性に優れた超伝導セラミックス
が析出し、超伝導体が得られるのである． 本発明において、前記超伝導組成物は、アルカリハライ
ドの゛溶融物に可溶の化合物であり、中でもＢｉ系或い
はＴｌ系超伝導組成物が好適である。
また、前記アルカリハライドは、ＫＣＱ％ＬｉＣ Ｑお
よびＮａＣ Ｑから選ばれる何れか少なくとも一種であ
り、前記基材は、融点が６００℃以上が好適である． （作用） 本発明によれば、超伝導組威物とアルカリハライドの混
合溶融物に基板を接触させた後、徐冷することにより、
基材表面に超伝導セラミックスを析出することが必要で
ある。その理由は、超伝導組成物をアルカリハライドの
溶媒中に溶かした状態の混合溶融物を基材と接触させた
後、冷却して過飽和状態を作りだすことにより、組成の
ずれがなく、結晶配向性に優れた超伝導セラミックスを
析出させることができるからである。
よびＮａＣ Ｑから選ばれる何れか少なくとも一種であ
り、前記基材は、融点が６００℃以上が好適である． （作用） 本発明によれば、超伝導組威物とアルカリハライドの混
合溶融物に基板を接触させた後、徐冷することにより、
基材表面に超伝導セラミックスを析出することが必要で
ある。その理由は、超伝導組成物をアルカリハライドの
溶媒中に溶かした状態の混合溶融物を基材と接触させた
後、冷却して過飽和状態を作りだすことにより、組成の
ずれがなく、結晶配向性に優れた超伝導セラミックスを
析出させることができるからである。
本発明によれば、前記超伝導組成物としては、アルカリ
ハライド溶融物に可溶の化合物であり、６００℃以上の
温度で結晶化するものであれば好適に使用することがで
き、例えばＢｉ系或いはＴｆｉ系超伝導組成物であるこ
とが好ましい。
ハライド溶融物に可溶の化合物であり、６００℃以上の
温度で結晶化するものであれば好適に使用することがで
き、例えばＢｉ系或いはＴｆｉ系超伝導組成物であるこ
とが好ましい。
前記Ｂｉ系或いはＴｌ系超伝導組成物は７７０℃〜８５
０℃の温度範囲で溶融することが好ましい。この理一由
は、７７０℃以下では、アルカリハライドが溶融せず、
８５０℃以上では、超伝導組成物を構成する元素の一部
が揮発してしまい、安定した組成の融液が得られにくい
からである． 前記冷却のための速度は、０．５℃／ｍｉｎ〜１℃／ｍ
ｉｎの範囲が望ましい。この理由は、この速度範囲を外
れた場合、過冷却状態にならないからである。
０℃の温度範囲で溶融することが好ましい。この理一由
は、７７０℃以下では、アルカリハライドが溶融せず、
８５０℃以上では、超伝導組成物を構成する元素の一部
が揮発してしまい、安定した組成の融液が得られにくい
からである． 前記冷却のための速度は、０．５℃／ｍｉｎ〜１℃／ｍ
ｉｎの範囲が望ましい。この理由は、この速度範囲を外
れた場合、過冷却状態にならないからである。
前記Ｂｉ系超伝導組成物としては、少なくとも、ビスマ
ス、ビスマスとアルミニウム、ビスマスと鉛、ビスマス
とカリウム、ビスマスとイットリウムからなる群から選
ばれる元素、アルカリ土類金属、銅及び酸素から構成さ
れてなるものであり、例えばＢｉＳｒＣａＣｕ，０．，
Ｂｉ，Ｓｒ，Ｃａ．ＸＹｘＣｕ，Ｏ，、Ｂｉ， −ｘ
Ｐｂ，Ｓｒ， Ｃａ， Ｃｕ， Ｏ，、Ｂｉ， −ｘＡ
Ｑ ，ＳｒＣａＣｕ，Ｏ，、ＢＩＳｒａｚｉＣａｎ／
３Ｋｍ／３Ｃｕ， Ｏ，、Ｂｔ，Ｓｒ，Ｃｕ，Ｏ， ＋
ｙなどのセラミックスを生成するものが好適である．前
記Ｔｌ系超伝導組威物としては、少なくともタリウム、
タイルムと鉛からなる群から選ばれた元素、アルカリ土
類金属、銅及び酸素から構成されてなるものであり、例
えば、Ｔ Ｑ， １３ａ， Ｃａ， Ｃｕ ａ Ｏ ｘ
ｓ Ｔ Ｑ−，ｍ Ｐｂ ＊，ｓＳ ｒ ＊ Ｃ ａ
＊ Ｃｕ ｒ Ｏ ｓなどのセラミックスを生成する
ものが好適である。
ス、ビスマスとアルミニウム、ビスマスと鉛、ビスマス
とカリウム、ビスマスとイットリウムからなる群から選
ばれる元素、アルカリ土類金属、銅及び酸素から構成さ
れてなるものであり、例えばＢｉＳｒＣａＣｕ，０．，
Ｂｉ，Ｓｒ，Ｃａ．ＸＹｘＣｕ，Ｏ，、Ｂｉ， −ｘ
Ｐｂ，Ｓｒ， Ｃａ， Ｃｕ， Ｏ，、Ｂｉ， −ｘＡ
Ｑ ，ＳｒＣａＣｕ，Ｏ，、ＢＩＳｒａｚｉＣａｎ／
３Ｋｍ／３Ｃｕ， Ｏ，、Ｂｔ，Ｓｒ，Ｃｕ，Ｏ， ＋
ｙなどのセラミックスを生成するものが好適である．前
記Ｔｌ系超伝導組威物としては、少なくともタリウム、
タイルムと鉛からなる群から選ばれた元素、アルカリ土
類金属、銅及び酸素から構成されてなるものであり、例
えば、Ｔ Ｑ， １３ａ， Ｃａ， Ｃｕ ａ Ｏ ｘ
ｓ Ｔ Ｑ−，ｍ Ｐｂ ＊，ｓＳ ｒ ＊ Ｃ ａ
＊ Ｃｕ ｒ Ｏ ｓなどのセラミックスを生成する
ものが好適である。
前記Ｂｉ系超伝導セラミックスやＴ４系超伝導セラミッ
クスは、高温超伝導材料として極めて有用な素材である
が、一般には長時間の熱処理を必要としていた。しかし
、本発明の製造方法では、基材表面に超伝導セラミック
スの薄膜を容易に成長させることができ、しかも、超伝
導セラミックスの結晶配向性が比較的高く、臨界電流密
度が大きな薄膜を形成できる。
クスは、高温超伝導材料として極めて有用な素材である
が、一般には長時間の熱処理を必要としていた。しかし
、本発明の製造方法では、基材表面に超伝導セラミック
スの薄膜を容易に成長させることができ、しかも、超伝
導セラミックスの結晶配向性が比較的高く、臨界電流密
度が大きな薄膜を形成できる。
本発明によれば、前記アルカリハライドとしては、目的
とする超伝導組成物を溶解できるものを使用することが
好ましく、例えば、ＫＣＱ．Ｌｉ（，ＱおよびＮａＣ
Ｑから選ばれる何れか少なくとも一種を使用することが
有利である。
とする超伝導組成物を溶解できるものを使用することが
好ましく、例えば、ＫＣＱ．Ｌｉ（，ＱおよびＮａＣ
Ｑから選ばれる何れか少なくとも一種を使用することが
有利である。
前記アルカリハライドは、超伝導組成物に対して、モル
比でｌθ〜４００の範囲であることが望ましい。この理
由は、モル比で１０より低い場合は、溶融液が得られに
くく、また、モル比で４００を越える場合には、アルカ
リハライドが、不純物として超伝導セラミックス中に多
量に残留し、超伝導特性を低下させる可能性があるから
である。
比でｌθ〜４００の範囲であることが望ましい。この理
由は、モル比で１０より低い場合は、溶融液が得られに
くく、また、モル比で４００を越える場合には、アルカ
リハライドが、不純物として超伝導セラミックス中に多
量に残留し、超伝導特性を低下させる可能性があるから
である。
前記アルカリハライドは、超伝導セラミックスからなる
薄膜を析出させた後、除去することが望ましい。
薄膜を析出させた後、除去することが望ましい。
前記アルカリハライドの除去は、アルカリハライドを特
定の溶媒を用いて溶解除去するか、或いは表面に残留し
たアルカリハライドを研磨して除去する方法が望ましい
。
定の溶媒を用いて溶解除去するか、或いは表面に残留し
たアルカリハライドを研磨して除去する方法が望ましい
。
前記特定の溶媒は、アルカリハライドを溶解させるもの
であって、水或いは温水などが好適である。
であって、水或いは温水などが好適である。
本発明によれば、前記基材としては、融点が６００℃以
上のものであることが望ましい。
上のものであることが望ましい。
また、前記基材としては単結晶体或いは多結晶体の何れ
も使用することができ、特に単結晶体を基材として用い
る場合は、超伝導セラミックのエビタキシャル膜を容易
に成長させることができる。
も使用することができ、特に単結晶体を基材として用い
る場合は、超伝導セラミックのエビタキシャル膜を容易
に成長させることができる。
前記基材としては、例えば、貴金属、貴金属含有合金、
あるいはＡ Ｑ ，Ｏ，、ｃＺｒｏ，、ＳｉＣ，石英、
ムライト、ＭｇＯ， ＳｒＴｉＯ．などの単結晶体、或
いは多結晶体が好適であり、その形状は、基板状、テー
プ状もしくは繊維状の形態であることが望ましい．前記
ＡＱ，Ｏ，、ＳｉＣ，石英、ムライトなどを基材として
使用する場合にはその表面にＴｉｅ，、ＭｇＯ、ｃＺｒ
ｏ，， ＳｒＴｉＯ，、貴金属或いは貴金属含有合金な
どをコーティングすることが望ましい。
あるいはＡ Ｑ ，Ｏ，、ｃＺｒｏ，、ＳｉＣ，石英、
ムライト、ＭｇＯ， ＳｒＴｉＯ．などの単結晶体、或
いは多結晶体が好適であり、その形状は、基板状、テー
プ状もしくは繊維状の形態であることが望ましい．前記
ＡＱ，Ｏ，、ＳｉＣ，石英、ムライトなどを基材として
使用する場合にはその表面にＴｉｅ，、ＭｇＯ、ｃＺｒ
ｏ，， ＳｒＴｉＯ，、貴金属或いは貴金属含有合金な
どをコーティングすることが望ましい。
また、本発明では、特に、ＭｇＯ単結晶基板、ＩＱ，Ｏ
，および銀製テーブを基材として好適に使用できる。
，および銀製テーブを基材として好適に使用できる。
更に、本発明においては、得られた超伝導セラミックス
が、低Ｔｃ相である場合、熱処理を施すことにより、こ
れをＴｃ相とすることが好ましい。
が、低Ｔｃ相である場合、熱処理を施すことにより、こ
れをＴｃ相とすることが好ましい。
また前記熱処理の温度は、８３０℃〜８６０℃であるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
次に、本発明の実施例を詳細に説明する．（実施例）
実施例ｌ
（１）Ｂｉ，Ｏ．、ＰｂＯ， ＳｒＣＯ，、ＣａＣＯ，
、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ：Ｃ
ｕを１．６：０，４：１．６：２，０：２．８の割合で
混合し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して、１モルの
粉末にＫ（ｌを３００モル混合し、これをアルミナるつ
ぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした。
、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ：Ｃ
ｕを１．６：０，４：１．６：２，０：２．８の割合で
混合し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して、１モルの
粉末にＫ（ｌを３００モル混合し、これをアルミナるつ
ぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした。
（２）前記（１）で得られた溶融液にアルミナ基板を浸
潰した． （３）ついで、浸漬したまま７００℃まで、１℃八ｗｉ
ｎで冷却し、その後は炉冷した。
潰した． （３）ついで、浸漬したまま７００℃まで、１℃八ｗｉ
ｎで冷却し、その後は炉冷した。
冷却過程において、Ｋｉに溶解していたＢｉ−Ｐｂ−Ｃ
ａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、アルミナ基板上に析
出し、超伝導薄膜が得られた。
ａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、アルミナ基板上に析
出し、超伝導薄膜が得られた。
（４）さらに、前記長超伝導薄膜を水で洗浄し、残留し
ているＫＣＱを溶解除去した。
ているＫＣＱを溶解除去した。
（５）前記（４）で得られた超伝導薄膜を８４５℃で２
００時間加熱処理した。
００時間加熱処理した。
実施例２
（１）Ｂｉ，０，、ＰｂＯ， ＳｒＣＯ，、Ｃａ ＣＯ
ｓ、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ
：Ｃｕを１，６：０，４：１．６：２，０：２．８の割
合で混合し、８００℃で１２時間加熱した。得られた仮
焼体を粉砕し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して、１
モルの粉末にＮａＣ Ｑを２００モル混合し、これをア
ルミナるつぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした． （２）前記（１）で得られた溶融液に単結晶ＭｇＯ（１
００）基板を浸漬した． （３）ついで、浸漬したまま７００℃まで、０．５６Ｃ
／ｗｉｎで冷却し、その後は炉冷した。
ｓ、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ
：Ｃｕを１，６：０，４：１．６：２，０：２．８の割
合で混合し、８００℃で１２時間加熱した。得られた仮
焼体を粉砕し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して、１
モルの粉末にＮａＣ Ｑを２００モル混合し、これをア
ルミナるつぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした． （２）前記（１）で得られた溶融液に単結晶ＭｇＯ（１
００）基板を浸漬した． （３）ついで、浸漬したまま７００℃まで、０．５６Ｃ
／ｗｉｎで冷却し、その後は炉冷した。
冷却過程において、ＮａＣ Ｑに溶解していたＢｉ−Ｐ
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、ＭｇＯ
基板上に析出し、超伝導薄膜が得られた。
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、ＭｇＯ
基板上に析出し、超伝導薄膜が得られた。
（４）前記（３）で得られた超伝導薄膜の表面を研磨し
て、表面に残留していたＮｔａＣ Ｑを除去した。
て、表面に残留していたＮｔａＣ Ｑを除去した。
（５）前記（４）で得られた超伝導薄膜を８４５℃で２
００時間加熱処理した。
００時間加熱処理した。
実施例３
（１）Ｂｉ，Ｏ，、ＰｂＯ， ＳｒＣＯ，、ＣａＣＯ，
、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ：Ｃ
ｕを１，６：０，４：１，６：２．０：２，８の割合で
混合し、８００℃で１２時間加熱した。得られた仮焼体
を粉砕し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して，１モル
の粉末にＫＣＱを２００モル混合し、これをアルミナる
つぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした。
、ＣｕＯを元素組成（モル比）、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃａ：Ｃ
ｕを１，６：０，４：１，６：２．０：２，８の割合で
混合し、８００℃で１２時間加熱した。得られた仮焼体
を粉砕し、Ｂｉ系超伝導セラミックに換算して，１モル
の粉末にＫＣＱを２００モル混合し、これをアルミナる
つぼに入れて８５０℃で加熱し溶融液とした。
（２）前記（１）で得られた溶融液に銀テープを浸漬し
た。
た。
（３）ついで、浸漬したまま７００℃まで、１℃／ｍｉ
ｎで冷却し、その後は炉冷した。
ｎで冷却し、その後は炉冷した。
冷却過程において、ＮａＣ Ｑに溶解していたＢｉ−Ｐ
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、銀テー
プ表面上に析出して、超伝導テープが得られた。
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、銀テー
プ表面上に析出して、超伝導テープが得られた。
（４）前記（３）で得られた超伝導テープを水に浸漬し
、３時間放置することによりＮａＣ Ｑを溶解除去した
。
、３時間放置することによりＮａＣ Ｑを溶解除去した
。
（５）前記（４）で得られた超伝導テープを８４５℃で
２００時間加熱処理した。
２００時間加熱処理した。
実施例４
（１）Ｔ Ａ ，０，、ＢａＣＯ，、ＣａＣＯ，． Ｃ
ｕＯを元素組成（モル比）Ｔ Ｑ ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ
ｌＩ２：２：２：３の割合で混合し、Ｔｌ系超伝導セラ
ミ．ツクに換算して１モルの粉末にＫＣｆｉを３００モ
ル混合し、これをアルミナるつぼに入れて８５０℃で加
熱し、溶融液とした． （２）前記（１）で得られた溶融液にアルミナファイバ
ーを浸漬した． （３）ツいで、浸漬したまま、７００℃まで、ｌ℃八ｗ
ｉｎで冷却し、その後は炉冷した． 冷却過程において、ＫＣＱに溶解していたＴ Ｑ −Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、アルミナファ
イバー表面に析出し、超伝導線材が得られた。
ｕＯを元素組成（モル比）Ｔ Ｑ ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ
ｌＩ２：２：２：３の割合で混合し、Ｔｌ系超伝導セラ
ミ．ツクに換算して１モルの粉末にＫＣｆｉを３００モ
ル混合し、これをアルミナるつぼに入れて８５０℃で加
熱し、溶融液とした． （２）前記（１）で得られた溶融液にアルミナファイバ
ーを浸漬した． （３）ツいで、浸漬したまま、７００℃まで、ｌ℃八ｗ
ｉｎで冷却し、その後は炉冷した． 冷却過程において、ＫＣＱに溶解していたＴ Ｑ −Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕは、過飽和の状態に達し、アルミナファ
イバー表面に析出し、超伝導線材が得られた。
（４）超伝導線材を水中に浸漬し、３時間放置すること
によりＫＣＱを溶解除去した。
によりＫＣＱを溶解除去した。
（５）前記（４）で得られた超伝導線材を８４５℃で１
８０時間加熱処理した。
８０時間加熱処理した。
前記実施例１〜４で得られた超伝導テープ、線材、及び
薄膜が形成された基板を一定長さに切断して、超伝導特
性測定試料片の温度をコントロールしながらゼロ磁界中
の電気抵抗の変化を測定した。
薄膜が形成された基板を一定長さに切断して、超伝導特
性測定試料片の温度をコントロールしながらゼロ磁界中
の電気抵抗の変化を測定した。
また、液体窒素中で電流密度を測定した。
これらの結果を第１表に示した。
第 １ 表
実施例 ｌ ２ ３ ４臨界温度
（Ｋ） １０３ １０５ １０１ １
０２（発明の効果） 以上述べたように、本発明によれば超伝導特性に優れた
超伝導薄膜や、超伝導セラミックス線材、或いは超伝導
セラミックステーブ、を簡単なブロセスで、特別な装置
を用いることなく、容易に製造することができ、得られ
たこれら超伝導体は、エレクトロニクス分野、エネルギ
ー分野、医療分野など各種の分野への実用性が高い材料
であり、工業的に有益である。
（Ｋ） １０３ １０５ １０１ １
０２（発明の効果） 以上述べたように、本発明によれば超伝導特性に優れた
超伝導薄膜や、超伝導セラミックス線材、或いは超伝導
セラミックステーブ、を簡単なブロセスで、特別な装置
を用いることなく、容易に製造することができ、得られ
たこれら超伝導体は、エレクトロニクス分野、エネルギ
ー分野、医療分野など各種の分野への実用性が高い材料
であり、工業的に有益である。
Claims (6)
- １．超伝導組成物とアルカリハライドの混合溶融物に基
材を接触させた後、徐冷することにより、基材表面に超
伝導セラミックスを析出させて超伝導セラミックスから
なる薄膜を形成することを特徴とする超伝導体の製造方
法。 - ２．前記超伝導組成物は、アルカリハライドの溶融物に
可溶の化合物である請求項１記載の超伝導体の製造方法
。 - ３．前記超伝導組成物は、Ｂｉ系或いはＴｌ系超伝導組
成物である請求項１記載の超伝導体の製造方法。 - ４．前記アルカリハライドは、ＫＣｌ、ＬｉＣｌ及びＮ
ａＣｌから選ばれる少なくとも一種である請求項１記載
の超伝導体の製造方法。 - ５．前記基材は、融点が６００℃以上である請求項１記
載の超伝導体の製造方法。 - ６．前記基材は、基板状、テープ状もしくは繊維状であ
る請求項１記載の超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227426A JP2822329B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227426A JP2822329B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 超伝導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393607A true JPH0393607A (ja) | 1991-04-18 |
| JP2822329B2 JP2822329B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16860665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227426A Expired - Lifetime JP2822329B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822329B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198700A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-08-06 | Nec Corp | タリウム系超伝導体薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1227426A patent/JP2822329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198700A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-08-06 | Nec Corp | タリウム系超伝導体薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822329B2 (ja) | 1998-11-11 |
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