JPH0394002A - 温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、アルミナ、部分安定化ジルコニア、チタン酸
ハリウム、酸化亜鉛、二硫化モリブデンなどのセラミソ
クス粉末戒形体や、Ｔｉ　−ＡＩ，　ＮｉＡｌなどの金
属間化合物粉末戒形体に高温下で高圧の流体圧力を作用
させて高密度の焼結体を製造したり、種類の異なる二種
類以上の金属板を重ね合わせたものや、金属板またはセ
ラミソクス板の表面に金属またはセラミソクスの溶射層
を付与したものなどの二種以上の材料を、高温下で高圧
の流体圧力を作用させて拡散接合することなどに利用さ
れている温間静水圧加圧法（ＷＩＰ法）ないし熱間静水
圧加圧法（ＨＩＰ法）におけるカプセルの製作方法およ
びその装置に関する。

（従来の技術） ＨＩＰ法やＷＩＰ法は、高温下で数百ないし数千ｋｇ　
ｆ　／　ｃｍｌの高圧の流体を圧力媒体として用いて圧
縮戒形するプロセスであり、他の方法と比較して、加工
圧力値が高いこと、等方的に圧縮できるなどの特徴があ
り、難加工性の粉末材料の高密度焼結技術として、ある
いは固相拡散接合技術として、近年急速に普及が進んで
いる技術である。ＨＩＰ方では高圧ガスを圧媒として用
いるので２０００℃以上の高温の発生が可能であるが、
ＷＩＰ法は耐熱性の油などを用いるので温度的には３０
０℃程度が上限である。しかし、両方法とも、粉末材料
の高密度焼結や固相拡散接合を行なう場合、被処理材料
中に圧力媒体が侵入しないように気密性を有する利料で
全表面を被覆するという前処理が必要となる。

この前処理法としては、金属製のカプセル中に、被処理
材を封入する方法が一般的であり、特開昭４７−１６３
０８号や特開昭５７−１１６７（１２号に、その方法が
提示されている。

第１６図は、特開昭４７−１６３０８号に提示された例
である。この例では、まず、板状の被処理材２０１を金
属箔２（１２と重ね合わせ、それを、底部２（１３が溶
接された肉厚３〜６■の金属製の管材２（１４内に挿入
する。次に、管材２（１４に真空パイプ２０５を持つ蓋
２（１６を溶接する。この後、真空パイプ２０５により
真空引きし、脱気封入してカプセルを製作する。

第１７図は、特開昭５７−１１６７（１２号に提示され
た例である。この例では、まず、被処理材２１１を、肉
厚３〜６１ｍの金属製の管材２１２内に、被処理材２１
１が管材２１２に接触しないように挿入する。次に、被
処理材２１１　と管材２１２の間の空間を、二次圧力媒
体２１３で満たして、被処理祠２１１を二次圧力媒体２
１３中に埋没した後、蓋２１４を、溶着部２１５におい
て周溶接する。この後、排気管２１６を介して真空に脱
気し、排気管２１６の中途を溶着させてカプセルを製作
する。この例では、第１６図の場合に比して、被処理材
２１１の形状に対するカプセルの形状の自由度が大きい
ので、複雑な形状の被処理材にも対処できる。

（発明が解決しようとする課題） 第１６図および第１７図に示した従来技術におけるカプ
セルには、次のような問題がある。

■：　第１８図（１）および第１８図（２）は、静水圧
加圧処理前後の処理体を図示したものであり、これら図
により、従来技術の問題点を説明する。従来技術にお番
ノるカプセルは、肉厚３〜６１ｍの金属製の管材や板材
を素材として製作されたもので、カプセルの周縁部（第
１８図ｆｉｌに２２１〜２２４で示される部分）と、中
央部（第１８図（１）に２２５〜２２７で示される部分
）において、剛性が一様でないので、昇圧過程において
、圧力の上昇に応じて均一に変形することができず、剛
性の小さい部分の変形が先行するために、被処理材に対
する圧力伝達の均一性が阻害され、結果として、被処理
材を歪ませるという問題がある。例えば、第１８図（２
）に示すように、被処理体全体がツヅご状に収縮するの
である。

このため、被処理材の厚さがＩｎといった薄い板材の場
合では、平面度の確保が困難で、実質上適用不可能であ
る。

９ １０ ■；　被処理材を封入する際、第１６図の場合では、被
処理材とカプセルの間の隙間が、狭すぎては挿入できず
、広ずぎては圧力伝達を阻害するので、被処理材の外径
とカプセルの内径を、その間にある程度の隙間を持たせ
るように正確に合わせておく必要があり、被処理材の寸
法に応じてカプセルの寸法をいちいち決定しなければな
らない。

このため、カプセルを製作する工程が複雑になるだけで
なく、被処理材の形状が複雑な場合は、カプセルの製作
が困難である。

一方、第１７図の場合でも、カプセルと被処理材の間に
、圧力伝達を阻害しないような粉体の二次圧力媒体を充
満しなければならず、やはり工程が複雑になる。

■；　加圧によりカプセルが不均一な変形をして歪むこ
とと、カプセルの肉厚が厚いことから、静水圧加圧処理
後の被処理材の取出しに、旋盤で削り取るといった方法
や、強酸により熔かして除去するといった方法しか適用
できず、被処理材の取出しが容易でない。このため、工
程が複雑となる。

■；　真空脱気に使用される剛性のあるパイプ部分を溶
着等により密封する方式であるため、良好な密封状態が
得難く、密閉性に欠ける。

また、第１７図に示す場合では、真空脱気する際に、二
次圧力媒体が吸引されない手段を施す必要があり、生産
性に難点がある。

本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、静水圧加圧時
にカプセルが不均一に変形して被処理材を歪ませること
な《、また、被処理材をカプセルに封入する工程が単純
で、被処理材が複雑な形状の場合も対処でき、静水圧加
圧後の被処理材の取出しが容易な温間ないし熱間静水圧
加圧法におけるカプセルの製作方法を提供することを第
１の目的とする。

また、その方法を実用に供すため、能率的にカプセルを
製作する装置を提供することを第２の目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は前述の第１の目的を達威するために次の技術的
手段を講じている。

１２ すなわち、本方法発明は、粉末もしくは粉末成形体等の
被処理材を、３０μｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に
収納する第１ステップ；　被処理材を金属箔内に前記金
属箔を溶接することで封入し、カプセルを製作する第２
ステップ；　からなることを特徴とする　（請求項（ｌ
））。

また、粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ；　被処理材を金属箔内に前記金属箔を不活性ガス雰
囲気下で溶接することで封入し、カプセルを製作する第
２ステップ；　からなることを特徴とする　（請求項（
２））。

更に、粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ；　被処理材を収納した金属箔を、照射窓を有する真
空チャンバ内に配置する第２ステソブ；　該真空チャン
バ内を真空引きずる第３ステップ；　前記照射窓を介し
て入射したビームにより前記金属箔を溶接し、被処理材
を金属箔内に封入することでカプセルを製作する第４ス
テップ；からなることを特徴とする　（請求項（３））
。

また、粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ；　前記被処理材の周囲部分の金属箔を、その隙間が
金属箔の厚さの１７１０以下になるように密着させる第
２ステンブ；　被処理材を金属箔内に前記金属箔の密着
部分を溶接することで封入し、カプセルを製作する第３
ステップ；　からなることを特徴とする　（請求項１４
））。

更に、粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの袋状の金属箔内に収納する第１
ステップ；　該袋状の金属箔の開口部に真空脱気用パイ
プを挿入し、該開口部を気密に密閉する第２ステップ；
　該真空脱気用パイプを通して真空脱気する第３ステッ
プ；　被処理材と真空脱気用パイプとの間で前記金属箔
を重ね溶接して被処理材を金属箔内に封入し、カプセル
を製作する第４ステップ；　からなることを特徴とずる
く請求項（５））。

また、袋状の金属箔の開口部を密閉する際に、ｌ３ １４ 接着剤を用いて金属箔と真空脱気パイプとを密閉するこ
とを特徴とする（請求項（６））。

更に、被処理材を金属箔内に収納する際に、被処理材と
金属箔との間に、難焼結性のセラミソクスよりなるコー
ティング層を介在させることを特徴とする　（請求項（
７））。

また、被処理材を金属箔内に収納する際に、被処理材を
セラミクスペーパーで覆うことを特徴とする（請求項（
８））。

更に、被処理材を金属箔内に収納する際に、ジルコニウ
ｌ，箔を被処理材とともに該金属箔内に収納することを
特徴とする（請求項（９））。

また、被処理材を金属箔内に収納する際に、チタン箔を
被処理材とともに該金属箔内に収納することを特徴とす
る（請求項００））。

更に、金属箔が、収納凹部を有する容器状の金属箔と、
平面状の金属箔とからなることを特徴とする（請求項０
υ）。

また、前述した第２の目的を達成するために、本装置発
明は次の技術的手段を講している。

すなわら、木装置発明は、被処理材を収納した金属箔を
密着させるクランプ手段と；　前記金属箔の箔面と実質
的に垂直方向にそのビームの軸線を有して、前記金属箔
を溶接するビーム溶接手段と；　該ビーム溶接手段もし
くは前記被処理材のいずれか一方向に接続され、該ビー
ム溶接手段もしくは前記被処理材を、前記金属箔の箔面
と実質的に平行な平面上で移動させる移動手段と；　を
脩えていることを特徴とずる（稍求項０ノ）。

また、被処理材を収納した金属箔を密着させるクランプ
手段と；　照射窓を有していて前記クランプ手段を内部
に収納可能な真空チャンバと；前記真空ヂャンハの外部
に配置され、前記金属箔の箔而と実質的に垂直方向にそ
のビームの軸線を有して、前記照射窓を通してビームを
前記金属箔に照射することで金属箔を溶接するビーム溶
接手段と；　前記ビーム溶接手段もしくは前記被処理材
のいずれか一方に接続され、該ビーム溶接手段もしくは
前記被処理材を、前記金属箔の箔面と実質的に平行な平
面上で移動させる移動手段；　を１５ １６ 備えていることを特徴とする（請求項α創。

更に、ビーム溶接手段が光ビーム溶接機であることを特
徴とする　（請求項α４））。

また、ビーム溶接手段がレーザビーム溶接機であること
を特徴とする（請求項０５））。

更に、ビーム溶接手段が電子ビーム溶接機であることを
特徴とする（請求項（１６））。

また、クランプ手段がマグネッ１・の磁力を利用したも
のであることを特徴とする（請求項０１）。

（作　用） 前述した本方法発明では、肉ｗ−３０〜３００μｍの薄
い金属箔でカプセルを構戒しているため、静水圧加圧時
に、被処理材に追従して均一に収縮する。

このため、被処理祠に不均一収縮による歪みを起こさせ
ない。また、金属箔ぱ、金切りハサご等で容易に切断で
きると共に、被処理材から引き剥がし易いので、静水圧
加圧処理後のカプセル除去が容易である。

また、被処理材を金属箔で挟み込み、被処理材の周囲部
分を密着させた後、該密着部分を溶接することでカプセ
ルを構或するので、被処理材の形状に対する金属箔形状
の自由度が大きく、カプセルを被処理材ごとに製作する
必要がない。

また、金属箔が被処理材に密着するので、被処理材の周
囲に二次圧力媒体を充満する必要もない。

本発明に使用する金属箔の肉厚は、その材質のもつ柔軟
性、塑性変形性、切断強度などから決定され、具体的に
は、３０〜３００μｍである。

これは、金属箔の厚みが３０μｍ未満である場合、金属
箔中にピンホールを含む場合があり、厳密に材料自体の
気密が確保されないときがある。さらに、搬送時に少し
の傷がついても、損傷し、穴が開くという可能性があり
、実際的でない。

また、厚みが３００μｍを越えると、はさみ等の簡便な
方法で切断できないし、又、Ｈ　Ｉ　Ｐ後にあってはカ
プセルを除去することが困難になり、旋盤等を使うこと
になり、本発明のメリソ１−がなくなる。

より具体的には、金属箔は、Ｈ　Ｉ　Ｐ処理後のカプセ
ル除去の観点から切断が容易な１００μｍ以下１７ １８ が推奨される。

前述した本装置発明によれば、本方法発明を効率よく実
施することができる。

（実施例） 第１図（１）　ｆ２）　（３）　１４１は本発明の第１
具体例によるカプセル１０の作戒を示しており、円柱状
の被処理材１１を一枚の金属箔１２を折りたたんだもの
の間に挾んで成形する場合を示す。

第１図（１）に示す如く、粉末戒形体で示す被処理材１
１は、厚み３０μｍ〜３００μｍの金属箔１２を折り返
すことで包まれ、該金属箔１２をシール溶接１３シて脱
気孔１４を形威し、この脱気孔１４に、第１図（２）で
示す如く脱気パイプ１５を押入してポンプ１６で脱気し
てから、脱気孔１４部分を第１図（３）の如くシーム溶
接１３Ａシて被処理材ｌ１が収められかつ真空脱気され
た密封状の金属カプセル１０とされる。

この金属カプセル１０は、第１図１４）に示す如＜　Ｈ
ＩＰ装置１７の処理室１７八に供給されてＨＩＰ処理さ
れる。

すなわち、カプセル１０内の粉末成形体１１は、圧媒ガ
スと熱との相乗作用で圧縮或形される。

なお、第１図１４）において、１８は高圧円筒、１９は
蓋、２０ば断熱筒、２１はヒータ、２２はプレスフレー
ムを示している。

第２図ｆｉｌ　４２１　＋３１は本発明の第２具体例に
よる金属カプセル３０の作戒を示しており、円柱状の被
処理材３１を２枚の金属箔３２，３２ａの間に挟んで成
形する場合を示す。

第２図（２）は第２図（１）のＡ矢視の断面図であり、
第２図（３）は作戒後のカプセルを示す図である。

３０〜３００μｍの金属箔３２，　３２ａは被処理材３
１を包み、その周りが金属製（アルミ）の押え金具３４
とボルト３５で止められ、脱気孔３６を介して真空脱気
されると、電子ビーム溶接でシール３３されるのである
。

以上のようにして作威されたカプセル３０は前述したと
同様に、ＨＩＰ処理される。

第３図（１１　ｆ２１　（３１　ｆ４１は、本発明の第
３具体例によるカプセルの作成を示しており、円盤状の
被処理材を２枚の金属箔で挾んで或形する場合を示す。

第３図（１）はＨ　Ｉ　ＰあるいはＷＩＰ処理に供され
１９ ２０ る円盤状の被処理材４１を示し、第３図（２）はカプセ
ルとなる２枚の金属箔４２，４２ａを示すものであり、
被処理材４１を２枚の金属箔４２と４２ａの間に挟み込
んで、被処理材４１の周囲部分の金属箔４２と４２ａを
クランプ装置４３で密着させた状態を示すのが第３図（
３）である。

この後、クランプ装置４３で密着させた金属箔４２と４
２ａの密着部分を光ビーム溶接機４４で溶接している状
態を示すのが第３図＋４１である。

第３図（３）において、４１は円盤状の被処理材で、金
属箔４２と４２ａの間に挟み込まれている。クランプ装
置４３は、互いに対向して配置されたリング状の上クラ
ンプ４５と下クランプ４６、および上・下クランプ４５
．　４６を貫通する複数のボルト４７およびナソト４８
からなり、これらボルト４７、ナント４８を締結・開放
することで、被処理材４１の周囲部分の金属箔４２と４
２ａとを密着させる。

第３図１４）において、４９は金属Ｆｆｉ４２，４２ａ
の箔面と平行な平面上を移動させる移動装置で、この実
施例ではターンテーブルである。移動装置４９は、円柱
状の回転テーブル５０ａを、同じく円柱状の回転テーブ
ル基部５０ｂの上に載置した構造で、回転テーブル基部
５０ｂ内のモータ　（図示を省略）により、被処理材４
１を挟み込んだ金属箔４２．　４２ａとクランプ装置４
３とを載置した回転テーブル５０ａを回転させる。５１
は支持具で、回転テーブル５０ａ上に被処理材４ｌおよ
び金属箔４２．　４２ａを安定な状態に支持する。

移動装Ｗ４９は基台５２の上に設置されている。

また、この基台５２には、移動装置４９の他に、移動装
置４９の側方に支持柱５３が立設されている。支持柱５
３は、金属製のパイプであり、その上部の開孔部に円柱
状のＹ軸方向移動軸５４が嵌人されている。Ｙ軸方向移
動軸５４は、支持柱５３に対して、第３図１４）中のＹ
−Ｙ’方向に移動自在に取り付けられている。

また、支持柱５３の上部には、調節ネジ５５が取付けら
れている。調節ネジ５５とＹ軸方向移動軸５４は、ラッ
ク・ピニオンの関係で構威されている。Ｙ軸方向移動軸
５４の上部には、支持具５６が固着されている。支持具
５６には、Ｘ軸方向移動軸５７が第３図２１ ２２ １４）中のｘ−ｘ’方向に移動自在に取り付けられてい
る。

Ｘ軸方向移動軸５７の移動装置４９例の端部には、光ビ
ーム溶接機４４のランプハウス５８が固着されている。

ランプハウス５８は、金属箔４２の上部に配置されてい
る。また、その光ビーム５９の軸線は、金属箔４２の箔
面と実質的に垂直方向である。

光ビーム溶接機４４は、ランプハウス５８とその支持柱
５３側の側面に付設されたランプ点灯スタータ６０とか
らなる。

ここで、移動装置は、カプセルの方を移動させても良い
し、溶接機の方を移動させても良い。つまり、カプセル
と溶接機の大きさ・重さ等を考慮し、移動容易な方を移
動させるのである。カプセルが小物である場合はカプセ
ルを移動させ、カプセルが大物である場合は溶接機を移
動させれば良い。また、実質的に平行な平面とは、移動
装置の移動面は箔面と平行であることが望ましいが、多
少ずれていても問題ないということであり、実質的に垂
直方向とは、箔面と垂直であることが望ましいが、多少
ずれていても問題ないということである。

請求項４に係る発明では、被処理材の周囲部分の金属箔
を密着させる際に、その隙間が金属箔の厚さの１７１０
以下にすることが重要である。これは、光ビーム溶接法
、レーザ溶接法または電子ビーム溶接法で切れ目なく溶
接するに必要なためである。

金属箔の間の隙間が１７１０以上になると、ところどこ
ろ溶接されない部分が生じ、密封することができない場
合がある。本発明で用いる溶接法としては、光ビーム溶
接法、レーザ溶接法および電子ビーム溶接法がある。３
０〜３００μｍ程度の金属箔を重ね溶接するには、これ
らの溶接法が適しており、他の溶接法は、溶け落ちや融
合不良を起こすので適用が困難である。

次に、第３図（１）〜第３図１４）に基づいて、本発明
の温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作
方法を工程順に説明する。

まず、予め被処理材４１と、２枚の金属箔４２と４２８
とを準備し（第３図（１）および第３図（２））、次い
２３ ２４ で、被処理材４１を金属箔４２と４２ａとの間に挟み込
む。

この後、被処理材４１の周囲部分の金属箔４２と４２ａ
とを、クランプ装置４３の上クランプ４５と下クランプ
４６の間の間隙に挿入する。次いで、ボル１・４７およ
びナント４Ｂを締めて、金属箔４２と４２ａとを密着さ
せるのである（第３図（３））。

この状態で、被処理材４１、金属箔４２．　４２ａおよ
びクランプ装置４３を、回転テーブル５０ａ上に固定し
（固定手段の図示は省略）、スベーザ等からなる支持具
５１で、被処理材４１および金属箔４２と４２ａとを安
定な状態に保持する。

次に、光ビーム溶接機４４のランプハウス５８のＸＸ゜
方向の位置を、Ｘ軸方向移動軸５７を動かして調整する
。次いで、調節ネジ５５でランプハウス５８をＹ−Ｙ’
方向に上下させ、光ビーム５９の焦点を合わせる。この
後、回転テーブル５０ａを回転させると共に、ランプ点
灯スタータ６０により光ビーム５９の照射を開始し、金
属箔４２と４２ａの密着部分を溶接し、被処理材４１を
カプセルに封入する（第３図１４））。

以上のように作或されたカプセルは前述したと同様に、
ＨＩＰ処理される。

第４図（１１　＋２１　（３１　１４１は本発明の第４
具体例による企属カプセルの作或を示しており、３０μ
ｍ〜３００　ｐ　ｍの鉛ｆＩｉ７１で被処理材７２を包
み、その鉛箔よりなる袋の開口部７３を、銅製のクラン
プ板７４を有する銅製のクランプ治具７５で挟みつけて
ボルト７６で止めるとともに、開Ｉ」部７３の出し代部
分、つまり、シール部分を、アルゴンガス等の不活性ガ
スを第４図（２）で示すようにノズル７７から供給して
不活性ガス雰囲気下にした状態で光ビーム７８を照射し
てシールされてカプセルを作或するのである。

以上のようにして作成されたカプセルは前述したと同様
に、Ｈ　Ｉ　Ｐ処理される。

第４図（１）で示しているクランプ装置７９によって扶
持された被処理材７２を包んだ鉛箔７ｌは、真空チャン
バ８０内において、該チャンバ内を真空状態下にしてシ
ール部分が光ビーム７８でシールされるのである。

９　ら ２６ この第４図１４）において、真空チャンノへ８０の照躬
窓は石英ガラス等の透明隔板８１がＯリングを介して設
けられることで気密にされており、光ビーム７８は光ビ
ーム溶接機８２から透明隔板８１を介して入射（照射）
され、また、真空チャンノ＼８０は走行装置８３等によ
って移動自在であるとともに、溶接機８２は調整ネジ機
構８４によって上下調節自在とされている。

真空チャンバ内で光ビーム溶接をおこなう装置について
第５図を用いてより詳細に説明する。

第５図は第３図１４）に示したカプセルの製作装置にお
いて、回転テーブル５０ａ上に真空チャンノＸ９０を配
置し、真空チャンバ９０内にクランプ装置４３ならびに
該クランプ装Ｗ４３にクランプされた被処理材４１、金
属箔４２．４２ａを収容して、光ビーム溶接機４４を用
い真空状態でカプセルを製作する例を示すものである。

なお、第５図において、第３図１４）と同番号のものは
同じものを示すので説明を省略する。

第５図において、真空チャンバ９０は、円盤状のガラス
製光透過窓９１をそのリングの中に嵌合したリング状の
蓋部９２と、有底筒状の容器部９３とからなり、開閉自
在の構造である。

蓋部９２と容器部９３の間には、○リング９４が容器部
９３側に埋設されており、これで気密性を保持する。９
５は固定具で、クランプ装置４３を真空チャンバ９０内
に固定する。

この例では、真空チャンバ９０の中に、クランプ装置４
３ならびに該クランプ装置４３にクランプされた被処理
材４１および金属箔４２，４２ａを入れ、真空チャンバ
９０内を真空引きずる　（真空引き手段の図示は省略）
。この状態で、真空チャンバ９０のガラス製光透過窓９
１から光ビーム５９を照射すると共に、回転テーブル５
０ａを回転させて、円形に重ね溶接し、被処理材４１を
真空中でカプセルに封入する。

なお、この実施例では、光透過窓としてガラス窓を用い
たが、石英が光透過性に優れており、入手も容易なので
、より望ましい。

この第５図に示す実施例のように、真空の状態でカプセ
ルを製作すると、カプセル内部の余分な２７ ２８ 空間や被処理材の気孔中に空気が残らないので、被処理
材が酸化されて製品の品質が低下することを防止でき、
より高品位の製品を得ることができる。

第６図（１）　ｆ２）　ｆ３１ぱ本発明の第５具体例を
示しており、銅製クランプ定盤１０１−ヒに、切欠部１
（１２を有ずる一対の銅性クランプ板１（１３，　１（
１３’を、そのボルト挿通孔１（１４に挿通したボルト
（図示してない。）で締結してなるクランプ治具１０５
を用いており、該クランプ治具１０５の定盤１０１　と
クランプ板１（１３間に被処理材１（１６が３０μｍ〜
３００μｍ厚みのステンレス箔又ば鉛ｆｆｆｌ（１７で
包まれており、対のクランプ板１（１３間のスリソト１
０８に光ビーム又はレーザビームを照射して重ね合わし
た金属箔を熔断シールして、カプセルとするのである。

この第５具体例においても、第６図（２）に示すように
、シール部分は、ノズル７７からアルゴンガス等を供給
して不活性雰囲気下でビーム７８によりシール熔断され
ることになる。

第６図（３）は第６図（２）の円で囲まれた部分の拡大
図である。

以」−述べた具体例では、ボルト・ナット式のクランプ
装置を用いたが、マグネットを利用したクランプ装置の
方が、簡単にクランプ操作ができるので、より望ましい
。

第７図（１１　Ｆ２＋がマグネットを利用したクランプ
装置の一例であり、第７図（１１が正断面図、第７図（
２）が平面図である。

第７図において、４１が被処理材で、４２，　４２ａが
金属箔である。１１１　と１１２とが上下一対の皿状の
内側上・下クランプで、金属箔４２と４２ａを間に挟ん
で、互いに対向させて配置される。

内側上クランプ１１１の上部には、マグネット１１３が
載置されており、金属Ｒ％４２と４２ａとを挟んで、内
側上クランプ１１１　と内側下クランプ１１２を密着す
る。一方、１１４と１１５とが−１二下一対の外側」二
・下クランプで、外側上クランプ１１４ぱリング状、外
側下クランプ１１５は皿状であり、外側下クランプ１１
５の凹面側の周縁部の上部に、金属箔４２と４２８を挟
んで、リング状の外側上クランプ１１４が配２９ ３０ 置される。

外側上クランプ１１４上には、リング状のマグネッｌ−
１１６が載置されており、金属箔４２と４２ａとを挟ん
で、外側上クランプ１１４と外側下クランプ１１５を密
着する。この二対のクランプにより金属箔４２と４２ａ
を密着するのでちる。

内側」二・下クランプ］．ＩＬ１１２と外側上・下クラ
ンプ１１４．１１５は、同心円状に配置されており、内
側上クランプ１１１　と外側−１ニクランプ１１４の間
には、リング状の隙間１１７がある。この隙間１１７を
通し゛ζ、光ビームまたはレーザビームを導き溶接をお
こなう。

第７図（１１　＋２１は第３具体例の場合の円溶接をす
る場合のクランプ装置を示すが、第４具体例や第５具体
例の直線を溶接する場合にもマグネソ１・を利川したク
ランプ装置が適用できるのはいうまでもない。

第８図ｆｌ）　ｆ２１　Ｆ３１　Ｆ４）は本発明の第６
具体例を示す。

第８図（１）において、１２１はＨＩＰ処理用金属カプ
セルで、上下一対の矩形状の金属箔１２２，　１２２ａ
を一方に開口部１２３を残した状態で、残り３辺を互い
にシーム溶接ｌ２４シてなる袋状に形成されている。

金属箔１２２，　１２２ａの拐質としては、Ｉ−Ｉ　Ｉ
　Ｐ処理温度、処理材料との反応性等を考慮して適宜選
定すればよく、従来の欠点をより効果的に解消するには
、軟かい材料の方が好ましい。例えば、アルミニウム、
鉛、軟鋼、ステンレス、白金、モリブデン等を使用すれ
ばよい。

また金属箔１２２，　１２２ａ（７）厚みは、柔軟性の
観点から３００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下が
適しており、溶接の容易性から３０μｍ以上が好ましい
。

そして前記溶接１２４による封止は、エレクトロビーム
溶接、光ビーム溶接、ＹＡＧレーザビーム溶接等により
行なえばよい。

１２６はＨ　Ｉ　｝）処理用の被処理材で、金型或形法
等により或形したセラミソクス、樹脂粉末あるいは金属
粉末の成形体、あるいは接合しようとする２種類以上の
板状ザンプル等よりなる。

そして被処理材１２６を開口部１２３よりカプセル３１ ３２ １２１内に収納し、その後、第８図（２）に示される如
く、開口部１２３より真空脱気用パイプ１２７を押入し
て、開口部１２３を接着剤またはハンダ付け１２８等に
より気密に密閉ずる。パイプ１２７は金属製でも樹脂製
でも良く、その密閉にはエボキシ系等の樹脂接着剤使用
が簡便でよいが、金属製のパイプ１２７の場合にはハン
ダ付け１２８を行なってもよい。

次に、第８図（３）に示される如《、真空ポンプ等の真
空ボース１２９をパイプ１２７に接続して、カプセル１
２１内を真空脱気する。そして所定の真空度に到達した
後、カプセル１２１の−Ｌ下の金属箔１２２１２２ａを
被処理材１２６とパイプ１２７との間の部分で重ね溶接
１２５シて封止し、不用となるパイプ１２７側をハサ旦
等により適当な位置で切断１３０ずれば、第８図１４）
に示される如く、被処理材１２６が封入されたカプセル
１２１が得られる。

真空引き後の重ね溶接１２５として、光ビーム溶接、Ｙ
ＡＧレーザビーム溶接、電子ビーム溶接等により溶接す
ればよい。この重ね溶接１２６に際し、気密な溶接状態
を得るためには重ね合された金属Ｔｉ１２２，１２２ａ
間の隙間が金属箔１２２の厚みの１／１０以下になるよ
う密着させておくのが好ましい。

また溶接部分の昇温に伴なう熱膨張によりシワが発生す
るおそれがあるため、例えば第９図に示される如く、カ
プセル１２１の溶接位置近傍をクランプ装置１３１，　
１３１ａで上下よりクランプした状態で、溶接位置にＹ
ＡＧレーザビーム１３２等を照射して溶接することが好
ましい。

本請求項５に係る発明によれば、カプセルが金属箔で形
威されているため、被処理材を内部に収納して真空脱気
すれば、カプセルが容易に変形して被処理材の外表面に
沿った形状となり、真空脱気が効率よく行なえる。

真空脱気後、被処理材とパイプとの間で重ね溶接する際
、カプセルの金属箔は真空脱気により互いに接触状とな
り、溶接作業が容易になされると共に良好な密封状態が
得られる。

Ｈ　Ｉ　Ｐ処理時に被処理材にカプセルの金属箔素材が
付着するおそれのある場合にあっては、第１０図に示さ
れる如く、被処理材１４１の表面もしくは９３ ３４ 金属箔製カプセル１４２の内面に難焼結性のセラミソク
ス等よりなるコーティング層１４３を塗布あるいは溶射
等により形威しておくことが好ましい。

またこのコーティング層１４３に替えて被処理材１４１
とカプセル１４２との間にセラミクスペーパーを介在さ
せる方法としてもよい。

一方、カプセル１４２素材を被処理材１４１に接合させ
て製品の一部として使用する場合は、被処理材１４１の
表面やカプセル１４２の内面を清浄に保つ必要があり、
カプセル１４２内の適当な部位にジルコニウムやチタン
等の箔を酸素、窒素等のゲ・２ターとして被処理材１４
１と共に収納することが好ましい。

第３具体例と第６具体例では、２枚の金属箔を重ねて使
用しているが、第１具体例のように１枚を折り畳んで使
用しても良いし、被処理材と交互に重ねて複数枚を使用
しても良い。また、被処理材の厚さが厚い場合は、クラ
ンプ時に金属箔にシワが入り、うまく溶接できないこと
があるので、予め金属箔を容器状に戒形しておくことが
望ましい。また、被処理材を予め成形せず粉末の状態で
静水圧加圧処理を開始する場合も、同様に金属箔を容器
状に戒形しておくことが望ましい。

このような場合を第１ｌ図に示す。第１１図において、
１５１が円盤状の被処理材で、フランジ部を有する金属
箔製容器１５２の中に挿入されている。１５３は金属箔
で、金属箔製容器１５２のフランジ部分で該金属箔製容
器１５２と重ね溶接され、被処理材１５１を封入する。

小物の被処理材を多数処理する場合には、第１２図に示
される如く、収納凹部１６１を多数戒形した金属箔１６
２の各収納凹部１６１に夫々被処理材を収納させた後、
上側より金属箔１６３を重合状として全体の外周でシー
ム溶接して袋状のカプセル１６４を構成すれば能率良く
処理をおこなうことができる。

第１３図は本発明を実施するための装置の他の具体例で
、溶接機としてレーザ溶接機を用い、溶接機を動かす場
合を示すものである。

第ｌ３図において第３図１４）と同じ番号のものは同３
５ ３６ じものなので説明を省略する。

第１３図において、レーザ溶接機１７１は、ＹＡＧレー
ザ装置１７２と、ＹＡＧレーザ装置１７２の出力部にそ
の一端が接続された光ファイハ１７３と、光ファイバ１
７３の他方の端部に接続された光ファイバ先端部１７４
　とからなる。

光ファイバ先端部１７４は、金属箔４２．４２ａの箔面
と略平行な平面上を移動させる移動装置１７５に、その
レーザビームの軸線が前記金属箔の箔面と実質的に垂直
になるように搭載されている。

移動装Ｗ１７５は、ボールネジ】７６と、ボールネジ１
７６の両端部に接続され、内部にローラを有する一対の
ローラハウス１７６ａ，　１７６ｂ　と、ローラハウス
１７６ａ，　１７６ｂをその上部に搭載するコの字状の
架台１７７　とからなる。

光ファイバ先端部１７４は、ボールネジ１７６と第１３
図中のＹ−Ｙ’方向に移動自在に螺合する移動体１７８
に取付けられている。また、ローラハウス１７６ａとＬ
７６ｂの内部のローラを架台１７７上で回転させること
により、光ファイバ先端部１７４は、架台１７７上を第
１３図の紙面と垂直方向にも移動自在である。１７９は
支持台で、クランプ’４８４３にクランプされた被処理
材４１および金属箔４２．４２ａをその上部に支持する
。

この第１３図に示した装置は、レーザビームを照射しな
がら、光ファイハ先端部１７４を、ここでは図示を省略
したＮＣ制御装置を用いて、ポールネジ１７６とローラ
ハウス１７６ａ．１７６ｂにより動かすことで、被処理
材４１の周囲部分の金属箔４２．　４２ａを重ね溶接し
、被処理材４１をカプセルに封入する。

レーザビームは、被処理材４１から離れた位置に設置さ
れたＹＡＧレーザ装置１７２で発生され、光ファイバ１
７３中を導かれ、光ファイバ先端部１７４から照射され
る。

この第１３図に示した具体例のように、光ファイバを用
いると、レーザ溶接機を自由に配置できるだけでなく、
分岐が可能で、一つのレーザ発振機から複数の溶接ヘッ
ドを得ることができる。

また、重い溶接機や被溶接物でなく、軽い光ファイハ先
端部を移動させることで溶接ができ、移３７ ３８ 動装置が簡素になり、装置全体のコストを下げることが
できる。さらに、ロボソト化にも適している。

第１４図は、本発明を実施するための装置の他の具体例
を示すものであり、第１３図に示したカプセルの製作装
置において、架台１７７上に第５図で示した真空チャン
バ９０を配置し、真空チャンバ９０内にクランプ装置４
３ならびに該クランプ装置４３にクランプされた被処理
材４１および金属箔４２．４２ａを収容して、レーザ溶
接ａ１７５を用い真空状態でカプセルを製作する例を示
すものである。

第１５図は本発明を実施するための装置の他の具体例で
、溶接機として電子ビーム溶接機を用いる場合を示すも
のである。第１５図において、電子ビーム溶接機は中空
のボディ１８１　と、８亥ボディ１８１の上部に配され
た電子銃１９０とからなる。

ボディ１８１　は、下部の空間が真空チャンバ１８２と
なっており、該真空チャンパ１８２は、脱気管１８５に
より真空引きされるとともに、その内部に試料１８３（
被処理材を収納した金属箔）を、試料移動台１８４に載
置して配置する。該試料移動台１８４は、図における矢
印方向と紙面に垂直方向に移動可能である。

また、該ボディ１８１の上部の空間には、観察用望遠鏡
１８８の視準軸延長上に第１反射鏡１８日Ａと、この第
１反射鏡１８８Ａの反射線上に第２反射鏡１８８Ｂと、
集束レンズ１８７と、偏向コイル１８６とが設けられて
いる。一方、電子銃１９０は、その銃口部に陰極１９ｌ
、陽極１９３およびグリソド１９２を有し、電子ビーム
１９４を発生する。なお、符号１８９は調整ネジを示し
ている。

第１５図に示す装置の動作を説明すると、まず、試料１
８３を試料台１８４上に配置し、真空チャンバ１８２内
を真空引きする。この際、真空チャンバ１８２内の真空
度は、通常１０−’Ｔｏｒｒ以上に保たれる。

次いで、電子銃１９０により電子ビームを発生させ、該
電子ビーム１９４を、照射窓１９５を介して真空チャン
バ１８２内の試料１８３に照射し、該試料１８３の金属
箔を溶接する。この際、溶接位置は、第１・２反射鏡１
８８Ａ，　１８８Ｂを介して図の破線で示すよう３９ ４０ に反射させて、観察用望遠鏡１８８で監視しながら、試
料台１８４により粗調整されるとともに、偏向コイノレ
１８６により微言周整される。

以上の具体例において、対象となる被処理材料としては
、Ｈ　Ｉ　Ｐ処理するときはアル旦ナ、部分安定化ジル
コニア、チタン酸バリウム、酸化亜鉛、二硫化モリブデ
ンなどのセラξンクス粉末戒形体、モリブデン、タング
ステンなどの高融点金属粉末戒形体、Ｔｉ−ＡＩ，　Ｎ
ｉ−ＡＩなどの金属間化合物粉末戒形体、あるいは、種
類の異なる２種類以上の金属板を重ね合わせたもの、金
属板やセラコソクス板の表面に金属やセラミソクスの溶
射層を付与したものなどがあげられる。

また、ＷＩＰ処理するときの対象となる被処理材料とし
ては、超高分子量ポリエチレン、ボリアミド（ナイロン
）、セルロース等の高分子材料およびその粉末或形体も
しくは温間静水圧プレス温度が３００℃以下になるもの
などがあげられる。

次に、本発明の具体的な実施例と比較例とを挙げる。

（第１実施例） 第１図ｆｉｌ　（２１　（３）で示す如く、次の手順に
よる。

■　アルミナ系セラミソクス粉末をゴムモールドへ充填
し、成形圧力１５００ｋｇｆ／ｃ＋ｄ　ｌ分保持で戒形
を行い、３０φＸＩＯＯ１！寸法の成形体を作威した。

■　ＣＩＰ或形体を厚さ１００、２００、３００μｍの
ステンレス箔で包み、１ケ所を残し、金属箔を重ねて直
線上をシーム溶接機を走らせ溶接した。

■　上記で溶接を行っていない場所を脱気孔とし真空ポ
ンプに接合したパイプを入れた。そして真空ポンプを作
動させ、金属箔中の空気を脱気した（尚或形体表面は、
離型剤としてＢＮを塗布した）。

■　真空ポンプを動かした状態で、１ケ所残っている脱
気孔を密封し、溶接を終了した。

■　上記手順で作威した金属箔製カプセルをＨＩＰ装置
入れて成形を行った。

温度１２５０℃×圧力２０００ｋｇｆ／ｃｎｉ　ｘ　１
　ｈｒ保持の条件で昇温先行パターンとした。

■　ＨＩＰ威形後、金属箔カプセルを金切りバサｌ１ ４２ ミで解体し、戒形品を取り出した。

威形品の密度及びその特性は、いづれの厚さのステンレ
ス箔の場合も従来品と同等であった。

（第２実施例） 第２図ｍ　（２１　Ｆ３１　１４１で示す如く次の手順
による。

■　ポリテトラフルオ口エチレン（以下ＰＴＦＥと略す
）を冷間静水圧加圧法により成形し、４０φＸＩＯＯＩ
＋の戒形体を作威した。

■　ＣＩＰ成形体を厚さ５０ｌｔｍのアルごニウム箔で
包み、端部を押工治具で固定した。

■　上記アルξニウム箔で包んだカプセル及び押工治具
を、電子ビーム溶接（以下ＥＢＷと略す）用の真空チャ
ンバ内に固定した。

■　真空チャンバ内を１５０゜Ｃに加熟し、十分に真空
度を上げたのちＥＢＷを行った。

■　上記手順で作威した、アルミニウム製カプセルをＨ
　Ｉ　Ｐ装置に入れて戒形を行った。

温度３７０゜Ｃ×圧力１０００ｋｇｆ／ｃｆｆｌ　Ｘ３
　ｈｒ保持の条件で、昇圧先行パターンとした。

■　Ｉ｛　Ｉ　Ｐ戒形後、カプセルをハサ壽にて除去し
、成形品を取り出した。Ｃ■Ｐ威形時に残っている空孔
は消滅しており、その密度も従来品（焼成のみのもの）
と同等以」二に上がっていた。

（第３実施例） ■　Ｔｉ−ＡＩ粉末（Ｔｉ　６１％）をゴムモールドへ
充填し、成形圧力１０００ｋｇｆ／ｃｆｆｌ　３分保持
で冷間静水圧加圧法で戒形を行ない４０φＸＩＯＯＩ＋
寸法の戊形体を作或した。

■　このＣＩＰ成形体の回りをセラミクスペーパーで巻
き、その外側を１００μｍのステンレス箔で包む。セラ
ミクスペーパーを用いてＴｔ−ＡＩのＣＴＰ成形体とス
テンレス箔の接合を防ぎ、ＨＩＰ成形後のカプセル除去
を容易にした。

■　上記カプセルを第２具体例で用いた押え治具で固定
し、ＥＢＷ用の真空チャンバ内に固定した。

■　真空チャンバ内のカプセル部分を４００℃に加熱し
、十分に真空度を」二げたのちＥＢＷを行った。

■　上記手順で作威したステンレス製カプセルを４３ ４４ １｛　Ｉ　Ｐ装置に入れて戒形を行った。

或形は温度１０５０゜Ｃ×圧力１５００ｋｇｆ／ｃｉ　
Ｘ　２　ｈｒの保持の条件で昇温先行パターンとした。

■　Ｈ　Ｔ　Ｐ威形後、カプセルはセラミクスペーパー
の使用により、成形品と接合及び融着することもなく、
ハサミにより容易に除去できた。

（第４実施例） 第４図（１）〜（３）に示したクランプ装置を用いる。

■　超高分子量ポリエチレン（以下Ｕ　Ｉ｛　Ｍ　Ｗ　
−　ＰＥと略ず）粉末を金型ブレスを用いて、直径６０
關、厚さ５闘の戒形体に成形した。

■　この戒形体を厚さ１００μｍの鉛箔からつくった袋
の中に入れ、端部を十分にクランプ治具で止め、光ビー
ムによるへり溶接を行なった（出し代：　２ｎ）。

■　上記手順で作威した鉛箔カプセルをＨ　Ｉ　Ｐ装置
に入れて成形を行なった。

或形条件は温度１６０℃、圧力１０００ｋｇｆ／ｃＪ　
ｘ３０分保持の昇圧先行パターンとした。

■　ＨＩＰ戒形後、カプセルをハサミで除去し或形品を
取り出した。ＣＩＰ成形時に残存していた空孔ば消滅し
ており、その密度も従来品（圧縮或形品）と同等以上に
上がっていた。

なお、溶接条件は次の通りである。

光ビームのランプ人力＝８０アンペア 溶接速度　　　　　　：８００關／ｍｉｎアルゴンガス
流量　　：　　２Ｏｆｆ／ｍｉｎ（第５実施例） 第４図（１）〜（３）のクランプ装置による。

■　ボリアξド（ナイロン６）の戒形体（市販品）直径
３０ｍｍ、高さ１０（ｉｎを用意した。

■　上記戒形体を厚み１００μｍの鉛箔のカプセルに充
填した。

■　カプセル端部の出し代を２ｎとしてクランプ治具で
十分固定した。

■　クランプ治具で固定したカプセル端部を光ビームで
溶接した。

■　カプセルを、ＷＩＰ装置で戒形した。戒形条件は、
１２０℃Ｘ　１０００ｋｇｆ／ｃｎｌ　Ｘ　１　ｈｒ保
持とした。

■　ＷＩＰ威形後、カプセル箔をハサミにて除去４５ ＡＧ し、戒形品を取り出した。その戒形品の引張強度を測定
した結果、ＷＩＰ処理前（市販品）の６５０　ｋｇｆ／
ｃａから、７２０　ｋｇｆ／ｃｔＫヘと１割程度上昇し
ていた。

溶接条件は次の通りである。

光ビームのランプ入力二８０アンペア 溶接速度　　　　　　：　　６００ｍｍ／ｍｉｎアルゴ
ンガス流量　　：　　２Ｑ１／ｍ’ｒｎ（第６実施例） 第４図１４）の装置による。

■　セルロース粉末をＣＩＰ装置を用いて、直径３０１
ｍ、高さ８０重真の成形体を成形した。

■　上記、成形体を厚さ１００μｍの鉛箔からつくった
袋の中へ入れ、最終溶接部を残した状態で上部が石英ガ
ラスでできている透明板で塞がれたチャンバ内にクラン
プ治具とともに固定した。

■　チャンパおよびカプセル内を真空に保ちながら、１
０−２Ｔｏｒｒになった時点で石英ガラスの透明板ごし
に光ビームを出した。

■　チャンバ内のクランプ治具の乗った台を８００ｍｍ
／ｍｉｎの速度で移動させ、光ビーム溶接を行なった。

■　上記手順で作成したカプセルをＨ　Ｉ　Ｐ装置に入
れて戒形を行なった。

戒形条件は２３０℃Ｘ　２０００ｋｇｆ／ｃｎｌ　ｘ　
１０分保持とした。

■　Ｈ　Ｉ　Ｐ戒形後、鉛箔を除去し、成形体を取り出
した。成形体自体は、ＣＩＰｒＮ２形時に残っていたボ
イドが消滅しており、密度も向上した。

溶接条件は次の通りである。

光ビームのランプ入力：１００アンペア溶接速度　　　
　　　：　　８００ｍｍ／ｍｉｎ（第７実施例） 第６図（１）〜（３）のクランプ治具を用い、第４図１
４）の装置で実施した。

■　アル尖ナ系セラミソクス粉末をＣＴＰ装置を用いて
、成形圧力１５００ｋｇｆ／ｃｏｔ　ｘ　ｌ分保持の条
件で直径３０ｍｍ、高さ１００＋ｎの戒形体を作成した
。

■　ＣＩＰ成形体を厚さ１００μｍのステンレス箔から
つくった袋の中に入れ、重ね部分を銅製の４７ ４８ クランプ治具で十分固定したのち、溶断同時加工により
溶接を行なった。

溶断同時加工による溶接は、最終溶接部のみチャンバ内
で行なった。カプセルと銅製のクランプ治具をチャンバ
内に入れて、そのチャンバおよびカプセル内を真空に保
ちながら真空度を１０””Ｔｏｒｒまでひいた。そして
、石英ガラスの透明板ごしに光ビームを出し、治具を自
動で送り溶接した。

このときのスリソト幅は４１ｍとし、溶接条件は光ビー
ムのランプ入力を１２０アンペアとし、溶接速度は５０
０ｍｍ／ｍｉｎ　とした。

■　上記手順で作成したステンレス箔カプセルをＨ　Ｉ
　Ｐ装置に入れて戒形を行なった。

成形条件は温度１２５０℃、圧力２０００ｋｇｆ／ｃｎ
ｔ　Ｘ　１ｈｒ保持の昇温先行パターンとした。

■　ＨＩＰ戒形後、カプセルをハザミで除去し、戒形晶
を取り出した。ＣＩＰ或形時に残存していた空孔はもち
ろん消滅し、或形体の密度、強度等の特性を評価すると
従来のカプセルを用いたものと同等であった。

（第８実施例） 第７図Ｆ１１　（２１のクランプ治具を用い、第５図の
装置で実施した。

■　チタン酸ジルコン酸鉛系セラミソクス粉末を金型ブ
レスを用いて直径３０ｍｍ、厚さ約５１ｍの成形体に威
形した。

■　その成形体を厚さ１００μｍのステンレス箔の間に
はさみ、マグネット式のクランプ装置を用い、戒形体の
端部から約２５ｍｍ　（直径８０關）のところで、第Ｉ
Ｌ１２図に示したような状態でクランプした。

尚、成形体とステンレス箔の間は、ＢＮｔ５３末により
、セラ旦ソクスとステンレス箔との反応を防ぐよう配慮
した。

■　」二記クランプ治具をロータリーテーブル上へ置い
て、光ビーム溶接機を用いてスリソト部を溶接した。

■　上記手順で作威したカプセルをＨＩＰ装置に入れて
戒形を行なった。

Ａ９ ５０ 成形条件は、１０５０℃、１０００ｋｇｆ／ｃｎｌ　１
時間保持とした。

■　Ｈ　Ｉ　Ｐ戒形後、ステンレス箔を除去し、成形体
を取り出した。成形体自体は焼結が十分に行なわれてお
り、その密度も従来のカプセルフリーのＨ　Ｉ　Ｐ戒形
品と同等以上に上がっていた。

溶接条件はランプ人力を１４０アンペアとし、溶接速度
は５０ｍｍ／ｍｉｎである。

（第９実施例） 第３図ｆｉｌ　＋２＋　＋３１　＋４１に示す如く次の
手順による。

■　被処理制として、Ｎｉ−＾ｌ金属間化合物粉末（粒
度３２５メソシュ以下）を、金型プレスを用いて直径３
０ｉ＋ｍ、厚さ釣３ｍｍの成形体に威形した。

■　この戒形体を厚さ１００μｍの２枚のステンレス（
ＳｔｌＳ３（１４）箔の間に挟み込み、第７図＋１１　
（２）に示すマグネッ１・式のクランプ装置を用いてス
テンレス箔を密着させた。このとき、２枚のステンレス
箔の間の隙間は、大きなところで約５μｍであった。

■　成形体の端部から約２５關（直径８０１ｍ）のとこ
ろで、光ビーム溶接法を用いてステンレス箔を重ね溶接
してカプセルを製作した。

■　この際、溶接すると共に、その溶接部の少し外側の
ステンレス箔を溶断して除去した。その結果、カプセル
は円盤状となった。

■　このようにして製作したカプセルをＨＩＰ装置内に
配置し、１３００℃、１０００ｋｇｆ／己で２時間ＨＩ
Ｐ処理を行った。ＨＩＰ処理後、カプセルの端部を金切
りハサミで切断し、被処理材に付着したステンレス箔を
除去して焼結体を取り出し、その密度測定を行った結果
、ほぼ真密度に焼結していることを確認した。焼結体は
、ほぼ均一に収縮しており、ステンレス箔の合わせ目番
こあたる部分に線状の跡が生したこと以外は、非常に美
麗であった。

（第１０実施例） 第３図（１）　（２１　（３）に示す手順をおこなった
後、第１４図に示す装置を使用して実施した。

■　被処理材として、エコノール樹皮粉末を金型プレス
により成形し、直径３Ｑｍｍ、厚さ約５ｍｌの５１ ５２ 成形体を製作した。

■　この戒形体を厚さ５０μｍの２枚のアル旦ニウム箔
の間に挟み込み、戒形体の周囲をマグネット式のクラン
プ装置で密着させた。このとき、２枚のアルごニウム箔
の間の隙間は、大きなところで約０．５μｍであった。

■　カプセルをクランプ装置でクランプした状態で真空
チャンバ内に配置し、真空チャンパ内を真空引き　（真
空度１０−”Ｔｏｒｒ）　　シた。

真空チャンバ全体をターンテーブル型ボジショナ上で回
転移動させつつ、石英窓を通してＹＡＧレーザビームを
導入して重ね溶接を行った。

ＹＡＧレーザビームは、パルスレーザ型のもので、アル
ミニウム箔のビーム反対、熱伝導による熱の放散などを
考慮し、ビーム強度６０Ｗ、溶接速度１　ｃｍ　／ｓｅ
ｃで溶接を行った。

溶接後、カプセルを真空チャンバから取り出し、Ｈ　Ｉ
　Ｐ装置内に入れ、３６０℃、１５００ｋｇｆ／ｃｉで
１時間Ｈ　Ｉ　Ｐ処理を行った。Ｈ　Ｉ　Ｐ処理後、ア
ルミニウム箔を昔通のハサくで切り、焼結体を取り出し
た。

■　この焼結体を破断し、走査型電子顕微鏡で組織観察
を行った結果、気孔のない緻密な焼結体となっているこ
とを確認した。

（第１１実施例） 第８図（１１　（２１　（３１　１４１に示す手順によ
る。

■　カプセルは厚さ１００μｍのステンレス（ＳｔｌＳ
３（１４）箔を素材として、光ビーム溶接機を使用して
幅３Ｑｍｍ、長さ１５０ｎの封筒状に形威した。

■　被威形体はアルミナ粉末ＡＩ−１６０５Ｇ（商品名
、昭和軽金属園製）を金型或形プレスを用いて３０ｘ５
０ｘ５　　（ｍｓ）の板状或形体を製作し、その全表面
をＢＮ粉末でコーティングした。

■　その被或形体を、開口部よりカプセル内に入れ、開
口部に外径ＩＯｍｓ、内径８關の軟鋼製の真空脱気用パ
イプをエボキシ系接着剤を用いて気密に接続した。

■　接着剤が固化したことを確認した後、真空ポンプの
ホースをパイプに接続してカプセル内を脱気し、真空度
が１０−　”Ｔｏｒｒになった時点で、被５３ ら　４ 成形体とパイプとの間の金属箔を第Ｓ図に示される如く
、クランプし、光ビーム溶接機を用いて重ね溶接した。

この際、パイプ側の金属箔を同時に溶断した。

■　このようにして破戒形体を脱気封入したカプセルを
、Ｈ　Ｉ　Ｐ装置内に配置し、１３５０℃、１５００ｋ
ｇ　ｆ　／　ｃｔｌ、１時間のＨ　ｆ　Ｐ処理を行なっ
た。

■　Ｈ　Ｉ　Ｐ処理後、金切りバザミを用いてカプセル
を切断し、焼結されたアルごナを回収した。

そしてこのアルくナは密度３．９８ｇ／ｃＴｌで真密度
化していることを確認した。形状は約２３．５Ｘ４３Ｘ
４．２（ｍｕ）で略相似的に縮めた形状となっていた。

（第１２実施例） ■　超硬粉末をＣＩＰ装置を用いて外径２５０ｕ、内径
Ｂ５ｉｓ、厚さ５ｍのリングを或形圧力１０００ｋｇｆ
／ｃＪ，　１分保持の条件で戒形した。

■　上記、ＣＴＰ或形体の回りをセラミクスペーパーで
おおい、その外側に３０Ｘ３０Ｘ０．１ｔ　（＋ｎ）の
チタン箔を５枚程度セントした後、１５０　μｍのステ
ンレス箔で包んだ。

チタン箔を用いて、Ｉ−｛　Ｉ　Ｐ成形時に吸着ガスな
どから発生ずる酸素ガスを除去した。

■　溶接は、重ね部分を銅製のクランプ治具で十分固定
したのち、溶断同時加工で行なった。

溶断同時加工による溶接は、最終溶接部のみ、真空チャ
ンバ内で行なった。

カプセルと銅製のクランプ治具を真空チャンバ内に入れ
て、そのチャンバおよびカプセル内を真空に保ちながら
、真空度を１０−２Ｔｏｒｒまでひいた。そして石英ガ
ラスの透明板ごしに光ビームを出し、ｌ治具を自動で送
り溶接した。

■　上記手順で作威したステンレス箔カプセルをＨＩＰ
装置にいれて、成形を行なった。

或形条件は、温度１３００℃、圧力１０００ｋ＋ｒｆ／
ｃＩＡｘ１　ｈｒ保持の昇温先行バクーンとした。

■　Ｈ　Ｔ　Ｐ成形後、カプセルをハサごで除去し、戒
形品を取り出した。成形体の密度、強度等の特性を評価
すると、従来材と同等であった。

（第１３実施例） ■　ポリテトラフルオロエチレン（以下ＰＴＦＥ５５ ５６ と略す）を冷間静水圧加圧法により成形し、４０φＸＩ
ＯＯＩ＋の戒形体を作威した。

■　ＣＩＰ或形体を厚さ１００μｍのアルミニウム箔で
包み、その中に、３０Ｘ３０Ｘ０．１　ｔ　＋ｎのチタ
ン箔をｌ枚セ・ツトした。

■　上記アル業ニウム箔から或るカプセルを真空中で（
室温）ＹＡＧ溶接した。

■　上記手順で作威したアルごニウム製カプセルをＨＩ
Ｐ装置に入れて戒形を行なった。

温度３７０℃、圧力１０００ｋｇｆ／ｃＪＸ３　ｈｒ保
持の条件で昇圧先行パターンとした。

■　ＨＩＰ戒形後、カプセルをハザ５にて除去し、戒形
品を取り出した。ＣＩＰ或形時に残っていた空孔は消滅
しており、その密度も従来品と同等以上に上がっていた
。また、チタン箔をカプセル内にセソ１〜したことで、
カプセル内に若干残存していた空気、吸着水分、吸着ガ
スを除去することができた。

（第１比較例） ■　第２実施例と同様の手順でｃｒｐｆ；ｃ形体を作威
し、厚さ２５μｍのアルごニウム箔でそれを包んだ。

■　ＨＩＰテストも同一の条件で行った（３ヶテスト）
。

■　Ｉ−ＩＩＰ成形後カプセルを除去し成形品を取り出
した。

ＣＩＰ或形時に残っていた空孔の一部はそのまま残存し
密度も実施例２のものに比較し、上がっていなかった。

また、カプセル充填後、搬送時にアルｉニウム箔を損傷
しＨ　ｒ　Ｐ或形前に失敗したものが出た。

さらに、厚さ２５μｍのアルミニウム箔をＳＥＭ観察し
た結果小さなピンホールが出ており、これが原因でカプ
セルの気密が十分に保てなかった。尚、厚さ５０μｍの
アルごニウム箔は、ビンホールもなく気密についてなん
ら問題はなかった。

（第２比較例） ■　第ｌ実施例と同様の手順でＣＩＰ威形体を作成し厚
さ４００μｍのステンレス箔でそれを包んだ。

■　溶接時に、カプセル内の真空脱気を行ったが、金属
箔自体がＣＩＰ成形体の外側にきれいに沿わセることか
できなかった。そのため、Ｈ　Ｉ　Ｐ戒形後、成形品は
均一な変形ができておらず、戒形体内部の密度も位置に
より不均−になっていた。

また、厚みが４００μｍとなったため、実施例１のよう
に金切りバサよでカプセルを簡単に除去することができ
ないので、切削加工により加工したので時間がかかった
。

（発明の効果） 本発明は以上の通りであり、本方法発明では、肉厚３０
〜３００μｍの薄い金属箔でカプセルを構成しているた
め、静水圧加圧時に、被処理材に追従して均一に収縮す
る。このため、被処理材に不均一収縮による歪みを起こ
さセない。

また、金属箔は、金切りハザミ等で容易に切断できると
共に、被処理材から引き！Ｎｊがし易いので、静水圧加
圧処理後のカプセル除去が容易である。

また、被処理材を金属箔で挟み込み、被処理祠の周囲部
分を密着させた後、該密着部分を溶接することでカプセ
ルを構成するので、被処理材の形状に対する金属箔形状
の自由度が大きく、カプセルを被処理祠ごとに製作する
必要がない。

また、金属箔が被処理材に密着するので、被処理材の周
囲に二次圧力媒体を充満する必要もない。

静水圧加圧時にカプセルが不均一に変形して被処理材を
歪ませることなく、また、被処理材をカプセルに封入す
る工程が単純で、被処理材が複雑な形状の場合も対処で
き、静水圧加圧後の被処理材の取出しが容易となる。

本装置発明によれば、本方法発明を効率よく実施するこ
とができる。

なお、この発明は、その精神および必須の特徴事項から
逸脱することなく他のやり方で実施することができる。

したがって、本明細書に記載した好ましい実施例は例示
的なものであって限定的なものではない。

５９ ６０ 発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって示されてお
り、それらの特許請求の範囲の意味の中に入るすべての
変形例は本発明に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（１．１　（２１　（３１　１４１は本発明の第
１具体例によるカプセル作成工程を示す概念図であって
、第１図（１）は本発明に使用されるカプセルと被処理
体を示す斜視図。 第１図（２）は真空脱気時の斜視図。 第１図（３）はカプセル完戒時の斜視図。 第１図１４）は熱間静水圧加圧装置の断面図。 第２図（１１　ｆ２ｌ　ｆ３１は本発明の第２具体例に
よるカプセル作成工程を示す概念図であって、 第２図（１）は被処理材を挟んだ金属箔をクランプした
状態を示す斜視図。 第２図（２）は被処理材を挟んだ金属箔をクランプした
状態を示す断面図。 第２図（３）はカプセル完或時の斜視図。 第３図（１１　ｆ２１　（３１　１４１は本発明の第３
具体例によるカプセル作或工程を示す概念図であって、
第３図（１）は被処理材の斜視図。 第３図（２）は金属箔の斜視図。 第３図（３）は被処理材を挟んだ金属箔をクランプした
状態を示す断面図。 第３図１４）は光ビーム溶接により本発明を実施する装
置の一部断面正面図。 第４図（１１　（２１　（３１　＋４１は本発明の第４
具体例によるカプセル作成工程を示す概念図であって、
第４図ｉｌｌはカプセルをクランプした状態を示す斜視
図。 第４図（２）は不活性ガス雰囲気中で溶接している状態
を示す要部断面図。 第４図（３）は第４図（２）の円内の拡大断面図。 第４図１４）は光ビーム溶接により本発明を実施する装
置の一部断面正面図。 第５図は本発明の方法を実施する装置であって、光ビー
ム溶接を真空ヂャンパ内でおこなう装置の一部断面正面
図。 第６図（＋ｌ　（２１　（３１は本発１９１の第５具体
例によるカブ６１ ｎ９ セル作或工程を示す概念図であって、 第６図（１）はカプセルをクランプした状態を示す斜視
図。 第６図（２）は不活性ガス雰囲気中で溶接している状態
を示す要部断面図。 第６図（３）は第６図（２）の円内の拡大断面図。 第７図（１．１　（２１は本発明に用いるマグネソＩ・
式クランプ装置を示す図であって、 第７図（１）はその正断面図。 第７図（２）は平面図。 第８図（１．１　（２１　Ｆ３１　Ｆ４１は本発明の第
６具体例によるカプセル作戒工程を示す概念図であって
、第８図（１）は本発明に使用されるカプセルと被処理
材を示す斜視図。 第８図（２）は真空脱気１１、１の斜視図。 第８図（３）はカプセル内に被処理材を溶接により封入
する操作を示す斜視図。 第８図１４）はカプセル完成ｎ．’ｌの斜視図。 第９図は本発明の第６具体例においてカプセルを重ね溶
接する際の拡大断面図。 第１０図はコーティング層を備えた被処理材を封入した
状態を示す断面図。 第１１図は被処理材を収納凹部を有する金属箔容器に封
入した状態を示す断面図。 第１２図は被処理材を収納凹部を多数有ずる金属箔容器
に封入した状態を示す斜視図。 第１３図は本発明の方法を実施する装置であって、レー
ザビーム溶接をおこなう装置の一部断面正面図。 第１４図は本発明の方法を実施する装置であって、レー
ザビーム溶接を真空チャンバ内でおこなう装置の一部断
面正面図。 第１５図は本発明の方法を実施する装置であって、電子
ビーム溶接を真空チャンバ内でおこなう装置の断面正面
図。 第１６図は従来の方法の概要を示す概念図。 第１７図は他の従来の方法の概要を示す概念図。 第１８図Ｆ１１　Ｆ２）は従来方法の問題点であるツヅ
ご状収縮の概念図。 １０　３０　１２１　・・・カプセル、１１，３１，４
１．７２，　１２６，　１５１６３ ６４ ・・・被処理材、１２，４２．４２ａ，７１，１２２．
１２２ａ，１５３・・・金属箔、４３・・・クランプ装
置（手段）、４４・・・溶接手段、４９，　１７５・・
・移動装置（手段）、８０，１８２・・・真空チャンバ
、１１３，１１４．１１６・・・マグネソ１・。 特　許　出　願　人　　株式会社神戸製鋼所１・ ６５ 特開平３ ９４０（１２　（２１） １．事件の表示 平成２年特　許　願第２６４７８号 ２．発明の名称 温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作方
法およびその装置 ３．補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　（１１９）株式会社神戸製鋼所 ４、代　裡　人西５７７ 住所　大阪府東大阪市御厨１０１３番地電話　（１６　
（７８２）　６９１７　・６９１８番６．補正により減
少する請求項の数　　　　１（１７．補正の対象 ・明細書の特許請求の範囲の欄 ・明細書の発明の詳細な説明の欄 ８．補正の内容 次　　　　　　　葉 ８．補正の内容 （１１　　明細書の特許請求の範囲は、別紙の通り訂正
する。 （２）　　明細書第１４頁第２０行目から第１７頁第９
行目の「また、・・・・・・特徴とする（請求項（１７
））。 」は、次の通り訂正する。 記 「また、前述した第２の目的を達或するために、本装置
発明は次の技術的手段を講じている。 すなわち、本装置発明は、被処理材を収納した金属箔を
密着させるクランプ手段と；前記金属箔の箔面と実質的
に垂直方向にそのビームの軸線を有して、前記金属箔を
溶接するビーム溶接手段と；　該ビーム溶接手段もしく
は前記被処理材のいずれか一方向に接続され、該ビーム
溶接手段もしくは前記被処理材を、前記金属箔の箔面と
実質的に平行な平面上で移動させる移動手段と；　を備
えていることを特徴とする（請求項（６））。 ２ また、被処理祠を収納した金属箔を密着させるクランプ
手段と；　照射窓を有していて前記クランプ手段を内部
に収納可能な真空チャンパと；　前記真空チャンバの外
部に配置され、前記金属箭の箱面と実質的に乗直方向に
そのビームの軸線を有して、前記照射窓を通してビーム
を前記金属箔に照射することで金属箔を溶接するビーム
溶接手段と；　前記ビーム溶接手段もしくは前記被処理
材のいずれか一方に接続され、該ビーム溶接手段もしく
は前記被処理材を、前記金属箔の箔而と実質的に平行な
平面上で移動させる移動千段；を備えていることを特徴
とする（請求項＋７１　）　．　Ｊ２，特許請求の範囲 ＋１．１　　粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、
３０μｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１
ステップ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔を溶接することで封入
し、カプセルを製作する第２ステップ；　からなること
を特徴とする温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプ
セルの製作方法。 ｛２）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔を不活性ガス雰囲気下
で溶接することで封入し、カプセルを製作する第２ステ
ップ；　からなることを特徴とする温間ないし熱間静水
圧加圧法におけるカプセルの製作方法。 （３）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ； 被処理材を収納した金属箔を、照射窓を有する真空チャ
ンバ内に配置する第２ステップ；該真空チャンバ内を真
空引きずる第３ステップ； 前記照射窓を介して入１：１シたビームにより前記金属
箔を溶接し、被処理祠を金属箔内に封入することでカプ
セルを製作する第４ステップ；からなることを特徴とず
る温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作
方法。 １４）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
プ； 前記被処理材の周囲部分の金属箔を、その隙間が金属箔
の厚さの１７１０以下になるように密着さーＵる第２ス
テップ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔の密着部分を溶接する
ことで封入し、カプセルを製作する第３ステップ；　か
らなることを特徴とする温間ないし熱間静水圧加圧法に
おけるカプセルの製作方法。 （５）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０／
７１ｉ〜３００μｍの厚さの袋状の金属箔内に収納する
第１ステップ； 該袋状の金属箔の開口部に真空脱気用パイプを挿入し、
該開口部を気密に密閉する第２ステップ； 該真空脱気用パイブを通して真空脱気する第３ステップ
； 被処理材と真空脱気用パイプとの間で前記金属箔を重ね
溶接して被処理材を金属箔内に封入し、カプセルを製作
する第４ステップ；　からなることを特徴とする温間な
いし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作方法。 しくは一 を、“′一　金 の と 的に　行な平　上で させる 手　と； 法におけるカプセルの

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
   ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
   プ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔を溶接することで封入
   し、カプセルを製作する第２ステップ；からなることを
   特徴とする温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセ
   ルの製作方法。 （２）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
   ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
   プ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔を不活性ガス雰囲気下
   で溶接することで封入し、カプセルを製作する第２ステ
   ップ；からなることを特徴とする温間ないし熱間静水圧
   加圧法におけるカプセルの製作方法。 （３）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
   ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
   プ； 被処理材を収納した金属箔を、照射窓を有する真空チャ
   ンバ内に配置する第２ステップ；該真空チャンバ内を真
   空引きする第３ステップ； 前記照射窓を介して入射したビームにより前記金属箔を
   溶接し、被処理材を金属箔内に封入することでカプセル
   を製作する第４ステップ；からなることを特徴とする温
   間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作方法
   。 １４）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
   ｍ〜３００μｍの厚さの金属箔内に収納する第１ステッ
   プ； 前記被処理材の周囲部分の金属箔を、その隙間が金属箔
   の厚さの１／１０以下になるように密着させる第２ステ
   ップ； 被処理材を金属箔内に前記金属箔の密着部分を溶接する
   ことで封入し、カプセルを製作する第３ステップ；から
   なることを特徴とする温間ないし熱間静水圧加圧法にお
   けるカプセルの製作方法。 （５）粉末もしくは粉末成形体等の被処理材を、３０μ
   ｍ〜３００μｍの厚さの袋状の金属箔内に収納する第１
   ステップ； 該袋状の金属箔の開口部に真空脱気用パイプを挿入し、
   該開口部を気密に密閉する第２ステップ； 該真空脱気用パイプを通じて真空脱気する第３ステップ
   ； 被処理材と真空脱気用パイプとの間で前記金属箔を重ね
   溶接して被処理材を金属箔内に封入し、カプセルを製作
   する第４ステップ；からなることを特徴とする温間ない
   し熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作方法。 （６）袋状の金属箔の開口部を密閉する際に、接着剤を
   用いて金属箔と真空脱気パイプとを密閉することを特徴
   とする請求項（５）記載の温間ないし熱間静水圧加圧法
   におけるカプセルの製作方法。 （７）被処理材を金属箔内に収納する際に、被処理材と
   金属箔との間に、難焼結性のセラミックスよりなるコー
   ティング層を介在させることを特徴とする請求項（１）
   〜（５）記載の温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカ
   プセルの製作方法。 （８）被処理材を金属箔内に収納する際に、被処理材を
   セラミクスペーパーで覆うことを特徴とする請求項（１
   ）〜（５）記載の温間ないし熱間静水圧加圧法における
   カプセルの製作方法。 （９）被処理材を金属箔内に収納する際に、ジルコニウ
   ム箔を被処理材とともに該金属箔内に収納することを特
   徴とする請求項（１）〜（５）記載の温間ないし熱間静
   水圧加圧法におけるカプセルの製作方法。 （１０）被処理材を金属箔内に収納する際に、チタン箔
   を被処理材とともに該金属箔内に収納することを特徴と
   する請求項（１）〜（５）記載の温間ないし熱間静水圧
   加圧法におけるカプセルの製作方法。 （１１）金属箔が、収納凹部を有する容器状の金属箔と
   、平面状の金属箔とからなることを特徴とする請求項（
   １）〜（５）記載の温間ないし熱間静水圧加圧法におけ
   るカプセルの製作方法。 （１２）被処理材を収納した金属箔を密着させるクラン
   プ手段と； 前記金属箔の箔面と実質的に垂直方向にそのビームの軸
   線を有して、前記金属箔を溶接するビーム溶接手段と； 該ビーム溶接手段もしくは前記被処理材のいずれか一方
   向に接続され、該ビーム溶接手段もしくは前記被処理材
   を、前記金属箔の箔面と実質的に平行な平面上で移動さ
   せる移動手段と；を備えていることを特徴とする温間な
   いし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作装置。 （１３）被処理材を収納した金属箔を密着させるクラン
   プ手段と； 照射窓を有していて前記クランプ手段を内部に収納可能
   な真空チャンバと； 前記真空チャンバの外部に配置され、前記金属箔の箔面
   と実質的に垂直方向にそのビームの軸線を有して、前記
   照射窓を通してビームを前記金属箔に照射することで金
   属箔を溶接するビーム溶接手段と； 前記ビーム溶接手段もしくは前記被処理材のいずれか一
   方に接続され、該ビーム溶接手段もしくは前記被処理材
   を、前記金属箔の箔面と実質的に平行な平面上で移動さ
   せる移動手段；を備えていることを特徴とする温間ない
   し熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作装置。 （１４）ビーム溶接手段が光ビーム溶接機であることを
   特徴とする請求項（１２）または（１３）記載の温間な
   いし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作装置。 （１５）ビーム溶接手段がレーザビーム溶接機であるこ
   とを特徴とする請求項（１２）または（１３）記載の温
   間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作装置
   。 （１６）ビーム溶接手段が電子ビーム溶接機であること
   を特徴とする請求項（１２）または（１３）記載の温間
   ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセルの製作装置。 （１７）クランプ手段がマグネットの磁力を利用したも
   のであることを特徴とする請求項（１２）または（１３
   ）記載の温間ないし熱間静水圧加圧法におけるカプセル
   の製作装置。