JPH039546B2 - - Google Patents
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- JPH039546B2 JPH039546B2 JP58171488A JP17148883A JPH039546B2 JP H039546 B2 JPH039546 B2 JP H039546B2 JP 58171488 A JP58171488 A JP 58171488A JP 17148883 A JP17148883 A JP 17148883A JP H039546 B2 JPH039546 B2 JP H039546B2
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- film
- transparent dielectric
- dielectric film
- alloy thin
- rare earth
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/126—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing rare earth metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はレーザ等の光を照射することにより情
報の記録・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素
子に関するものである。
報の記録・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素
子に関するものである。
＜従来技術＞
近年、情報の書換えが可能な光デイスクとして
磁気光学記憶素子の研究が活発に行なわれてい
る。中でも記憶媒体として希土類−遷移金属非晶
質合金薄膜を用いて構成したものは、記録ビツト
が粒界の影響を受けない点及び記録媒体の膜を大
面積に亘つて作成することが比較的容易である点
から特に注目を集めている。
磁気光学記憶素子の研究が活発に行なわれてい
る。中でも記憶媒体として希土類−遷移金属非晶
質合金薄膜を用いて構成したものは、記録ビツト
が粒界の影響を受けない点及び記録媒体の膜を大
面積に亘つて作成することが比較的容易である点
から特に注目を集めている。
しかし上記記録媒体として希土類−遷移金属非
晶質合金薄膜を用いて磁気光学記憶素子を構成し
たものでは、一般に光磁気効果（カー効果、フア
ラデー効果）が十分得られずその為再生信号の
Ｓ／Ｎが不十分なものであつた。
晶質合金薄膜を用いて磁気光学記憶素子を構成し
たものでは、一般に光磁気効果（カー効果、フア
ラデー効果）が十分得られずその為再生信号の
Ｓ／Ｎが不十分なものであつた。
これに対する対応策として既に本発明者等は次
の如き素子構造の改良を試みた。第１図は既に改
良を試みた素子構造の磁気光学記憶素子の一部側
面断面図を示す。同図で１はガラス、ポリカーボ
ネート、アクリル等の透明基板であり、該透明基
板１上に第１の透明誘電体膜である透明なSiO膜
２（膜厚120nm）が形成され、該SiO膜２上に希
土類遷移金属合金薄膜であるGdTbFe合金薄膜３
（膜厚15nm）が形成され、該GdTbFe合金薄膜３
上に第２の透明誘電体膜である透明なSiO2膜４
（膜厚50nm）が形成され、該SiO2膜４上に反射
膜であるCu膜５（膜厚50nm）が形成されてい
る。以上の構造では見かけのカー回転角が1.75゜
もの大きな値が得られた。
の如き素子構造の改良を試みた。第１図は既に改
良を試みた素子構造の磁気光学記憶素子の一部側
面断面図を示す。同図で１はガラス、ポリカーボ
ネート、アクリル等の透明基板であり、該透明基
板１上に第１の透明誘電体膜である透明なSiO膜
２（膜厚120nm）が形成され、該SiO膜２上に希
土類遷移金属合金薄膜であるGdTbFe合金薄膜３
（膜厚15nm）が形成され、該GdTbFe合金薄膜３
上に第２の透明誘電体膜である透明なSiO2膜４
（膜厚50nm）が形成され、該SiO2膜４上に反射
膜であるCu膜５（膜厚50nm）が形成されてい
る。以上の構造では見かけのカー回転角が1.75゜
もの大きな値が得られた。
以上の素子構造の採用によつてカー回転角が著
しく大きなものを得ることのできた理由を次に説
明する。
しく大きなものを得ることのできた理由を次に説
明する。
第１図に示す如く透明基板１側からレーザ光６
を希土類遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入
射レーザ光が第１の透明誘電体膜２の内部で反射
が繰り返され、干渉した結果見かけ上のカー回転
角が増大するものであり、この際上記第１の透明
誘電体膜２の屈折率は大きい程カー回転角の増大
効果は大きい。
を希土類遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入
射レーザ光が第１の透明誘電体膜２の内部で反射
が繰り返され、干渉した結果見かけ上のカー回転
角が増大するものであり、この際上記第１の透明
誘電体膜２の屈折率は大きい程カー回転角の増大
効果は大きい。
又第１図に示す如く希土類遷移金属合金薄膜３
の背面に反射膜５を配置したことで見かけ上のカ
ー回転角を増大させており、希土類遷移金属合金
薄膜３と反射膜５の間に第２の透明誘電体膜４を
介在させることで見かけ上のカー回転角を更に増
大させている。次にこの作用の原理について定性
的な説明を行なう。
の背面に反射膜５を配置したことで見かけ上のカ
ー回転角を増大させており、希土類遷移金属合金
薄膜３と反射膜５の間に第２の透明誘電体膜４を
介在させることで見かけ上のカー回転角を更に増
大させている。次にこの作用の原理について定性
的な説明を行なう。
上記第２の透明誘電体膜４と反射膜５との複合
膜を一つの反射層Ａとして考える。第１図に於て
透明基板１側から入射し、希土類遷移金属合金薄
膜３を通過し、上記反射層Ａにて反射された後上
記希土類遷移金属合金薄膜３を再び通過した光と
透明基板１側から入射し希土類遷移金属合金薄膜
３の表面で反射された光とが合成されるが、この
場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３の表面で
反射することにより生起されるカー効果と、入射
光が希土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過する
ことにより生起されるフアラデー効果とが合わさ
れることにより、見かけ上のカー回転角が増大す
るものである。上記構造の磁気光学記憶素子に於
ては上記フアラデー効果を如何にしてカー効果に
加えるかが極めて重要になる。フアラデー効果に
ついて謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば回転角
を大きくできるが、入射レーザ光が記録媒体に吸
収される為所期の目的を達成し得ない。よつて上
記記録媒体の適切な層厚の値は概ね10〜50nmで
あり、その値は使用するレーザ光の波長や上記反
射層の屈折率等により決定される。上記反射層に
対して求められる条件は上記の説明から判るよう
に反射率が高いことにある。言い替えると入射レ
ーザ光を反射層内に入れないことであり、光学的
に見れば反射層（第２の透明誘電体膜＋反射膜）
の等価的な屈折率が０に近いことが必要である。
この為には第２の透明誘電体膜の実数部の値が小
さく且つ虚数部の値が０で、更に反射膜の実数部
の値が小さいことが必要である。
膜を一つの反射層Ａとして考える。第１図に於て
透明基板１側から入射し、希土類遷移金属合金薄
膜３を通過し、上記反射層Ａにて反射された後上
記希土類遷移金属合金薄膜３を再び通過した光と
透明基板１側から入射し希土類遷移金属合金薄膜
３の表面で反射された光とが合成されるが、この
場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３の表面で
反射することにより生起されるカー効果と、入射
光が希土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過する
ことにより生起されるフアラデー効果とが合わさ
れることにより、見かけ上のカー回転角が増大す
るものである。上記構造の磁気光学記憶素子に於
ては上記フアラデー効果を如何にしてカー効果に
加えるかが極めて重要になる。フアラデー効果に
ついて謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば回転角
を大きくできるが、入射レーザ光が記録媒体に吸
収される為所期の目的を達成し得ない。よつて上
記記録媒体の適切な層厚の値は概ね10〜50nmで
あり、その値は使用するレーザ光の波長や上記反
射層の屈折率等により決定される。上記反射層に
対して求められる条件は上記の説明から判るよう
に反射率が高いことにある。言い替えると入射レ
ーザ光を反射層内に入れないことであり、光学的
に見れば反射層（第２の透明誘電体膜＋反射膜）
の等価的な屈折率が０に近いことが必要である。
この為には第２の透明誘電体膜の実数部の値が小
さく且つ虚数部の値が０で、更に反射膜の実数部
の値が小さいことが必要である。
以上の如く透明基板１と希土類遷移金属合金薄
膜３との間に介する第１の透明誘電体膜２、及び
希土類遷移金属合金薄膜３の背面の反射層Ａの構
成を付加することによつてカー回転角の増大の効
果を得ることができる。
膜３との間に介する第１の透明誘電体膜２、及び
希土類遷移金属合金薄膜３の背面の反射層Ａの構
成を付加することによつてカー回転角の増大の効
果を得ることができる。
しかし、上述の効果が得られる反面で、第１の
透明誘電体膜２としてSiO膜を選択し、第２の透
明誘電体膜４としてSiO2膜を選択した場合、希
土類遷移金属合金薄膜３が酸化されるという問題
が発生した。本発明者はこの原因が上記SiO膜及
びSiO2膜の中に含有される酸素にあることを確
認した。即ち上記SiO膜及びSiO2膜の成膜時、あ
るいは成膜後に内部の酸素成分が分離等して希土
類遷移金属合金薄膜３が酸化されるものである。
しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化される
ことによつて磁気記録媒体としての能力を著しく
阻害されるものであるから上記酸化の問題は極め
て重大である。又、上記希土類遷移金属合金薄膜
３の膜厚が薄い場合は僅かの酸化であつても影響
が大きいので非常な注意が必要である。
透明誘電体膜２としてSiO膜を選択し、第２の透
明誘電体膜４としてSiO2膜を選択した場合、希
土類遷移金属合金薄膜３が酸化されるという問題
が発生した。本発明者はこの原因が上記SiO膜及
びSiO2膜の中に含有される酸素にあることを確
認した。即ち上記SiO膜及びSiO2膜の成膜時、あ
るいは成膜後に内部の酸素成分が分離等して希土
類遷移金属合金薄膜３が酸化されるものである。
しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化される
ことによつて磁気記録媒体としての能力を著しく
阻害されるものであるから上記酸化の問題は極め
て重大である。又、上記希土類遷移金属合金薄膜
３の膜厚が薄い場合は僅かの酸化であつても影響
が大きいので非常な注意が必要である。
＜目的＞
本発明は以上の問題点を解消する為になされた
ものであり、磁気光学特性を充分に確保し得ると
共に希土類遷移金属合金薄膜の化を防止した新規
な磁気光学記憶素子を提供することを目的とする
ものである。
ものであり、磁気光学特性を充分に確保し得ると
共に希土類遷移金属合金薄膜の化を防止した新規
な磁気光学記憶素子を提供することを目的とする
ものである。
＜実施例＞
第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の一部側面断面図である。同図において、１
はガラス、ポリカーボネート、アクリル等の透明
基板であり、該透明基板１上に第１の透明誘電体
膜である透明なSiN膜７（膜厚90nm）が形成さ
れ、該SiN膜７上に希土類遷移金属合金薄膜であ
るGdTbFe合金薄膜３（膜厚35nm）が形成され、
該GdTbFe合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜で
ある透明なAlN膜８（膜厚40nm）が形成され、
該AlN膜８上に反射膜であるAl膜９（膜厚40nm
以上）が形成されている。
施例の一部側面断面図である。同図において、１
はガラス、ポリカーボネート、アクリル等の透明
基板であり、該透明基板１上に第１の透明誘電体
膜である透明なSiN膜７（膜厚90nm）が形成さ
れ、該SiN膜７上に希土類遷移金属合金薄膜であ
るGdTbFe合金薄膜３（膜厚35nm）が形成され、
該GdTbFe合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜で
ある透明なAlN膜８（膜厚40nm）が形成され、
該AlN膜８上に反射膜であるAl膜９（膜厚40nm
以上）が形成されている。
以上に構造の磁気光学記憶素子に於て、特に注
目すべき点は第１の透明誘電膜としてSiN膜、第
２の透明誘電膜としてAlN膜を用いた事である。
目すべき点は第１の透明誘電膜としてSiN膜、第
２の透明誘電膜としてAlN膜を用いた事である。
この構造の優利な点について以下説明する。
SiN及びAlNは高融点の材料であり極めて安
定であり、又共に窒化物である為酸化物の膜に
比較して緻密な膜が形成できる。
定であり、又共に窒化物である為酸化物の膜に
比較して緻密な膜が形成できる。
第１の透明誘電体膜であるSiNは屈折率が
2.0程度であり、一方第２の透明誘電体膜であ
るAlNは屈折率が1.9〜1.8程度であり、相対的
に第１の透明誘電体膜の屈折率を第２の透明誘
電体膜の屈折率より大きくできる。
2.0程度であり、一方第２の透明誘電体膜であ
るAlNは屈折率が1.9〜1.8程度であり、相対的
に第１の透明誘電体膜の屈折率を第２の透明誘
電体膜の屈折率より大きくできる。
前述した如く第１の透明誘電体膜の屈折率は
大きい程カー回転角の増大効果が得られ、一方
第２の透明誘電体膜の屈折率は小さい程反射率
を高くできる。従つて上記SiNとAlNの組合せ
は極めて都合が良い。尚、上記構造において
SiN膜７は90nmをピークとして±10％程度の
膜厚であれば良好であり、又AlN膜８は40nm
をピークとして±10％程度の膜厚であれば良好
である。
大きい程カー回転角の増大効果が得られ、一方
第２の透明誘電体膜の屈折率は小さい程反射率
を高くできる。従つて上記SiNとAlNの組合せ
は極めて都合が良い。尚、上記構造において
SiN膜７は90nmをピークとして±10％程度の
膜厚であれば良好であり、又AlN膜８は40nm
をピークとして±10％程度の膜厚であれば良好
である。
上記SiNとAlNはその成分として酸素を含有
しないので希土類遷移金属合金薄膜が酸化され
る危険性を極度に減少せしめ得る。
しないので希土類遷移金属合金薄膜が酸化され
る危険性を極度に減少せしめ得る。
＜効果＞
本発明によれば記録媒体の耐蝕性及び情報再生
特性を共に良好に確保せしめることができるもの
である。
特性を共に良好に確保せしめることができるもの
である。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の一部側面断
面図、第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の
一実施例の一部側面断面図を示す。 図中 １：透明基板、２：第１の透明誘電体
膜、３：希土類遷移金属合金薄膜、４：第２の透
明誘電体膜、５：Cu膜、６：レーザ光、７：
SiN膜、８：AlN膜、９：Al膜。
面図、第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の
一実施例の一部側面断面図を示す。 図中 １：透明基板、２：第１の透明誘電体
膜、３：希土類遷移金属合金薄膜、４：第２の透
明誘電体膜、５：Cu膜、６：レーザ光、７：
SiN膜、８：AlN膜、９：Al膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に第１の透明誘電体膜、希土類遷
移金属合金薄膜、第２の透明誘電体膜、反射膜を
この順に被覆してなる磁気光学記憶素子におい
て、 前記第１の透明誘電体膜及び第２の透明誘電体
膜を、共に窒化物であつて、且つ前記第１の透明
誘電体膜の屈折率が前記第２の透明誘電体膜の屈
折率より大である物質にて構成したことを特徴と
する磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17148883A JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000462506A CA1224270A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-05 | Magneto-optic memory element |
| US06/648,741 US4610912A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-10 | Magneto-optic memory element |
| EP84306341A EP0139474B1 (en) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magneto-optic memory element |
| DE8484306341T DE3481878D1 (de) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magnetooptisches speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17148883A JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063747A JPS6063747A (ja) | 1985-04-12 |
| JPH039546B2 true JPH039546B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15924023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17148883A Granted JPS6063747A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063747A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226452A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2779521B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-07-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2822455B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1998-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録媒体の作製方法 |
| JP2562219B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1996-12-11 | シャープ株式会社 | 光磁気ディスク |
| JPH04205742A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17148883A patent/JPS6063747A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6063747A (ja) | 1985-04-12 |
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