JPH0438055B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0438055B2 JPH0438055B2 JP57149808A JP14980882A JPH0438055B2 JP H0438055 B2 JPH0438055 B2 JP H0438055B2 JP 57149808 A JP57149808 A JP 57149808A JP 14980882 A JP14980882 A JP 14980882A JP H0438055 B2 JPH0438055 B2 JP H0438055B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- amorphous magnetic
- magnetic thin
- magneto
- reflective film
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術範囲）
本発明はレーザ光を用いて情報の記録、再生、
消去を行なうことのできる磁気光学記憶素子に関
する。
消去を行なうことのできる磁気光学記憶素子に関
する。
（従来技術）
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光記憶
素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。又、この磁気光学記憶素子の構造
で高い評価を受けているものとして反射膜構造の
素子がある。第１図に反射膜構造の素子の一例の
側面図を示す。同図で１はガラス、アクリル樹脂
等よりなる透明基板、２はSiO，SiO2，Si3N4等
の透明薄膜、３はGdTbFe，TbDyFe，GdCo，
TbFe，GdTbDyFe等の希土類、遷移金属合金か
らなる非晶質磁性体薄膜、４はSiO，SiO2，
Si3N4等の透明薄膜、５はCu，Al，Au，Ag等の
反射膜である。以上の反射膜構造の素子は非晶質
磁性体薄膜３の厚みを100Å程度と非常に薄くし
ている為透明基板１側から入射した入射レーザ光
が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反
射膜５にて反射される。従つて非晶質磁性体薄膜
３表面にて入射レーザ光が反射された光のカー効
果と上記した非晶質磁性体薄膜３を添過し該透過
した光が反射膜層５にて反射され再び非晶質磁性
体薄膜３を透過する光のフアラデー効果とが相乗
作用に起こしカー回転角の増大を得るものであ
る。又、透明薄膜２の内部で光が干渉しそれによ
つてもカー回転角の増大の作用を得るものであ
る。
素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。又、この磁気光学記憶素子の構造
で高い評価を受けているものとして反射膜構造の
素子がある。第１図に反射膜構造の素子の一例の
側面図を示す。同図で１はガラス、アクリル樹脂
等よりなる透明基板、２はSiO，SiO2，Si3N4等
の透明薄膜、３はGdTbFe，TbDyFe，GdCo，
TbFe，GdTbDyFe等の希土類、遷移金属合金か
らなる非晶質磁性体薄膜、４はSiO，SiO2，
Si3N4等の透明薄膜、５はCu，Al，Au，Ag等の
反射膜である。以上の反射膜構造の素子は非晶質
磁性体薄膜３の厚みを100Å程度と非常に薄くし
ている為透明基板１側から入射した入射レーザ光
が非晶質磁性体薄膜３を透過し該透過した光が反
射膜５にて反射される。従つて非晶質磁性体薄膜
３表面にて入射レーザ光が反射された光のカー効
果と上記した非晶質磁性体薄膜３を添過し該透過
した光が反射膜層５にて反射され再び非晶質磁性
体薄膜３を透過する光のフアラデー効果とが相乗
作用に起こしカー回転角の増大を得るものであ
る。又、透明薄膜２の内部で光が干渉しそれによ
つてもカー回転角の増大の作用を得るものであ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の反射膜構造の素子は磁気光学効果の点か
ら見れば極めて優れた構造であるが、その一方で
非晶質磁性体薄膜３の酸化による特性劣化が大き
い事が難点であることが判明している。つまり、
反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反
射膜５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非
晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生する
のである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁
力が低下し磁気光学効果による再生が困難となり
極端な場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方
性が全く無くなり記録、再生共に不可能となると
いう著しい不都合な問題が発生する。
ら見れば極めて優れた構造であるが、その一方で
非晶質磁性体薄膜３の酸化による特性劣化が大き
い事が難点であることが判明している。つまり、
反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反
射膜５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非
晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が発生する
のである。非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁
力が低下し磁気光学効果による再生が困難となり
極端な場合は非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方
性が全く無くなり記録、再生共に不可能となると
いう著しい不都合な問題が発生する。
（問題点を解決する為の手段）
本発明は上記問題点を解決するために、透明基
板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希
土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜を
形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備え、該反射
膜が酸化容易性金属であるTi，Mg、希土類金属
の少なくとも一つを含有することを特徴とするも
のであつて、反射膜中に含有したTi，Mg、希土
類金属等の酸化容易性金属物質によつて外部から
侵入する酸素を消費せしめ、非晶質磁性体薄膜の
酸化を防止して信頼性の高い磁気光学記憶素子を
提供するものである。
板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希
土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜を
形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備え、該反射
膜が酸化容易性金属であるTi，Mg、希土類金属
の少なくとも一つを含有することを特徴とするも
のであつて、反射膜中に含有したTi，Mg、希土
類金属等の酸化容易性金属物質によつて外部から
侵入する酸素を消費せしめ、非晶質磁性体薄膜の
酸化を防止して信頼性の高い磁気光学記憶素子を
提供するものである。
（実施例）
第２図に示すものは本発明に係る磁気光学記憶
素子の一実施例の側面図である。同図で１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO，SiO2，Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe，
TbDyFe，GdCo，TbFe，GdTbDyFe等の希土
類、遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO，SiO2，Si3N4等の透明薄膜、５′はCu，
Al，Au，Ag，SUS等の金属膜中にTi，Mg、希
土類金属（Gd，Tb，Dy，Ho，Ｙ）等の酸化容
易性金属物質を含有した反射膜である。
素子の一実施例の側面図である。同図で１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２は
SiO，SiO2，Si3N4等の透明薄膜、３はGdTbFe，
TbDyFe，GdCo，TbFe，GdTbDyFe等の希土
類、遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はSiO，SiO2，Si3N4等の透明薄膜、５′はCu，
Al，Au，Ag，SUS等の金属膜中にTi，Mg、希
土類金属（Gd，Tb，Dy，Ho，Ｙ）等の酸化容
易性金属物質を含有した反射膜である。
ここで上記酸化容易性金属物質の含有は透明薄
膜２に対して行なつてもよく、あるいは透明薄膜
４に対して行なつてもよく、あるいは透明薄膜２
透明薄膜４、反射膜５′の任意の２以上の膜に対
して行なつてもよい。又同図の構成において透明
薄膜２は無くとも構わない。
膜２に対して行なつてもよく、あるいは透明薄膜
４に対して行なつてもよく、あるいは透明薄膜２
透明薄膜４、反射膜５′の任意の２以上の膜に対
して行なつてもよい。又同図の構成において透明
薄膜２は無くとも構わない。
なお、本発明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分
厚い（1000Å程度）厚膜形の構造の素子において
も適用が可能なものである。
厚い（1000Å程度）厚膜形の構造の素子において
も適用が可能なものである。
（効果）
以上のように、本発明によれば非晶質磁性体薄
膜に近接する反射膜中にTi，Mg、希土類金属等
の酸化容易性金属を含有するので、反射膜中の酸
化容易性金属が酸素を消費することによつて非晶
質磁性体薄膜の酸化を未然に防止することができ
る。これによつて、非晶質磁性体薄膜の磁気的特
性を安定化することができるので素子の信頼性を
著しく向上することができる。
膜に近接する反射膜中にTi，Mg、希土類金属等
の酸化容易性金属を含有するので、反射膜中の酸
化容易性金属が酸素を消費することによつて非晶
質磁性体薄膜の酸化を未然に防止することができ
る。これによつて、非晶質磁性体薄膜の磁気的特
性を安定化することができるので素子の信頼性を
著しく向上することができる。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の側面図、第
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
の側面図を示す。 図中、１……透明基板、２……透明薄膜、３…
…非晶質磁性体薄膜、４……透明薄膜、５……反
射膜、５′……酸化容易性物質を含有した反射膜。
２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
の側面図を示す。 図中、１……透明基板、２……透明薄膜、３…
…非晶質磁性体薄膜、４……透明薄膜、５……反
射膜、５′……酸化容易性物質を含有した反射膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁
性体薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子におい
て、 前記非晶質磁性体薄膜に近接する反射膜を備
え、 該反射膜が酸化容易性金属であるTi，Mg、希
土類金属の少なくとも一つを含有することを特徴
とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980882A JPS5938781A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980882A JPS5938781A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13644191A Division JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938781A JPS5938781A (ja) | 1984-03-02 |
| JPH0438055B2 true JPH0438055B2 (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=15483158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980882A Granted JPS5938781A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073363A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | 高耐食性Ａｇ−Ｍｇ合金、および、その薄膜 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766582B2 (ja) * | 1985-01-26 | 1995-07-19 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| JPS61208650A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0719396B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 情報記録媒体 |
| JP2527714B2 (ja) * | 1986-02-21 | 1996-08-28 | 富士通株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS62217444A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク |
| JPH07122938B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1995-12-25 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
| JPS63103514A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Fujitsu Ltd | 符号パタ−ン検出回路 |
| JP2527762B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1996-08-28 | 三菱化学株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2779521B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-07-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA2017284C (en) * | 1989-07-04 | 1995-10-03 | Kazutomi Suzuki | Optical recording medium |
| JPH0461043A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Home Electron Ltd | 光磁気記録担体 |
| JPH05198026A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0598377B1 (en) * | 1992-11-17 | 1999-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method |
| WO2008059582A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflective film or semi-reflective film, sputtering target and optical recording medium |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14980882A patent/JPS5938781A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073363A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | 高耐食性Ａｇ−Ｍｇ合金、および、その薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5938781A (ja) | 1984-03-02 |
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