JPH0397252A - Ｉｃリードフレーム - Google Patents
ＩｃリードフレームInfo
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- JPH0397252A JPH0397252A JP1234920A JP23492089A JPH0397252A JP H0397252 A JPH0397252 A JP H0397252A JP 1234920 A JP1234920 A JP 1234920A JP 23492089 A JP23492089 A JP 23492089A JP H0397252 A JPH0397252 A JP H0397252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating layer
- solder
- lead frame
- lead
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は，ＩＣリードフレームに関し、詳しくは、ＩＣ
パッケージに用いられる信頼性の高いＩＣリードフレー
ムに関する． く従来の技術〉 ＩＣリードフレームは、第１図に示すように、一般には
ＩＣチップ搭載台４、インナーリード部６、アウターリ
ード部９および外枠部２などからなっている． ＩＣ製造方法は、第３図に示すようにＩＣチップ搭載台
４上にＩＣチツブ１３をボンデイングした後，ＩＣチッ
プ１３とインナーリード部の先端部８のＡｇめつき層１
２をＡｕなどの細線であるボンディングワイヤ７でワイ
ヤホンディングする。 この後モールド樹脂ｌ４でモー
ルドされる。 次にリードフレームの外枠部２およびダ
ムパー１５を切断、折り曲げ後、ＩＣパッケージをプリ
ント基板等に取りつける際の半田付のため社アウターリ
ード部９に半田めっき層１０を設けている． しかし、
アクターリード部９を２００℃以上の溶融めっき槽に浸
漬するため、パッケージが熱衝撃を受け、モールド樹脂
！４にクラックが発生する場合がある． また、この方
法は、生産性が悪く、コスト高となり、さらに溶融めっ
き時に使用するフラックスじよりアウターリード部９な
どが汚染されｔＣの信頼性を低下させる原因になってい
る． このような問題を解決するために、インナーリード部の
先端部８にＡｇめっき層１２を形成し、ＩＣパッケージ
を組立てる前にアクターリード部９にあらかじめ半田め
っき層１０を設ける２つの方法が提案されている． １つは、インナーリード部の先端部にＡｇめつき屠を設
け、その後、アクタリード部に半田めっき層を設ける方
法である． しかしこの方法はＡｇめっき後に半田めっ
き層を設けるためＡｇめっき面が半田めっき中の有機物
などにより汚染されワイヤボンディング（以下、Ｗ／Ｂ
という）性が低下しＩＣの信頼性が低下している。 そ
こでＷ／Ｂ性を良くするには初期に厚＜Ａｇめっきした
後にＡｇめつき層を２μｍ以上も剥離しなければならず
、Ａｇめっき時間が長くなるとともに剥離液の寿命が短
く経済的に不利である． また、半田めっき外観がＡｇ
の過剰剥離によって悪化している。
パッケージに用いられる信頼性の高いＩＣリードフレー
ムに関する． く従来の技術〉 ＩＣリードフレームは、第１図に示すように、一般には
ＩＣチップ搭載台４、インナーリード部６、アウターリ
ード部９および外枠部２などからなっている． ＩＣ製造方法は、第３図に示すようにＩＣチップ搭載台
４上にＩＣチツブ１３をボンデイングした後，ＩＣチッ
プ１３とインナーリード部の先端部８のＡｇめつき層１
２をＡｕなどの細線であるボンディングワイヤ７でワイ
ヤホンディングする。 この後モールド樹脂ｌ４でモー
ルドされる。 次にリードフレームの外枠部２およびダ
ムパー１５を切断、折り曲げ後、ＩＣパッケージをプリ
ント基板等に取りつける際の半田付のため社アウターリ
ード部９に半田めっき層１０を設けている． しかし、
アクターリード部９を２００℃以上の溶融めっき槽に浸
漬するため、パッケージが熱衝撃を受け、モールド樹脂
！４にクラックが発生する場合がある． また、この方
法は、生産性が悪く、コスト高となり、さらに溶融めっ
き時に使用するフラックスじよりアウターリード部９な
どが汚染されｔＣの信頼性を低下させる原因になってい
る． このような問題を解決するために、インナーリード部の
先端部８にＡｇめっき層１２を形成し、ＩＣパッケージ
を組立てる前にアクターリード部９にあらかじめ半田め
っき層１０を設ける２つの方法が提案されている． １つは、インナーリード部の先端部にＡｇめつき屠を設
け、その後、アクタリード部に半田めっき層を設ける方
法である． しかしこの方法はＡｇめっき後に半田めっ
き層を設けるためＡｇめっき面が半田めっき中の有機物
などにより汚染されワイヤボンディング（以下、Ｗ／Ｂ
という）性が低下しＩＣの信頼性が低下している。 そ
こでＷ／Ｂ性を良くするには初期に厚＜Ａｇめっきした
後にＡｇめつき層を２μｍ以上も剥離しなければならず
、Ａｇめっき時間が長くなるとともに剥離液の寿命が短
く経済的に不利である． また、半田めっき外観がＡｇ
の過剰剥離によって悪化している。
同様の公知例として例えば、実開昭５５−１４１９５６
号、特開昭６０−１ ５４６５０号がある。
号、特開昭６０−１ ５４６５０号がある。
他の１つは、リードフレームのアクターリード部に半田
めっき層を設け、その後Ａｇめっき密着性向上のためす
くなくともＡｇめっき部分にＣｕストライクめっき層を
設けることが提案されている． しかし、Ｃｕストライ
クめっきは装置の関係で全面にＣｕストライクめっき層
を設けなくてはならないので全面にＣｕストライクめっ
き層を設けた後、インナーリード郎の先端部にＡｇめっ
き層を設けている． そしてリードフレーム上に露出し
ているＣｕストライクめっき除去のためＣｕめっき剥離
を行なう方法である． しかし、Ａｇめつきは、マスク
（機械マスク）を用いて部分めっきするが、リードフレ
ームとマスクの間の微少な陣間を通６してＡｇめっき液
が他所へにじむため、これが原因で半田めっき上にＡｇ
が置換析出することがある． さらに、Ｃｕストライク
めっき層の［１の際にも剥離液中に溶け込んだＡｇイオ
ンが半田めっき面に置換析出し半田めっき外観を悪くし
ている． 同様の公知例として例えば、特開昭５３−１
４１５７７号、特開昭５５−１８０４５０号がある． く発明が解決しようとする課題〉 上述のように、パッケージを組み立てる前にアクターリ
ード部Ｃあらかじめ半田めっきを設ける方法として、イ
ンナーリード部の先端にＡｇめフき層を設け、その後ア
ウターリード部に半田めっき層を設ける場合、Ａｇめフ
き層を設けた後に半田めっき層を設けるためにＡｇめっ
き層が半田めっき中の有機物などにより汚染されＷ／Ｂ
性が低下し、ＩＣの信頼性を低下させた． そこでＷ／
Ｂ性を良くするには厚くＡｇめっきした後にＡｇめっき
層を２μｍ以上も剥離しなければならず、Ａｇめつき時
間が長くなるとともに剥ｌｌｉ液の寿命が短く経済的に
不利であり、半田めっき外観もＡｇの過剰剥離によって
悪化するという問題があった。
めっき層を設け、その後Ａｇめっき密着性向上のためす
くなくともＡｇめっき部分にＣｕストライクめっき層を
設けることが提案されている． しかし、Ｃｕストライ
クめっきは装置の関係で全面にＣｕストライクめっき層
を設けなくてはならないので全面にＣｕストライクめっ
き層を設けた後、インナーリード郎の先端部にＡｇめっ
き層を設けている． そしてリードフレーム上に露出し
ているＣｕストライクめっき除去のためＣｕめっき剥離
を行なう方法である． しかし、Ａｇめつきは、マスク
（機械マスク）を用いて部分めっきするが、リードフレ
ームとマスクの間の微少な陣間を通６してＡｇめっき液
が他所へにじむため、これが原因で半田めっき上にＡｇ
が置換析出することがある． さらに、Ｃｕストライク
めっき層の［１の際にも剥離液中に溶け込んだＡｇイオ
ンが半田めっき面に置換析出し半田めっき外観を悪くし
ている． 同様の公知例として例えば、特開昭５３−１
４１５７７号、特開昭５５−１８０４５０号がある． く発明が解決しようとする課題〉 上述のように、パッケージを組み立てる前にアクターリ
ード部Ｃあらかじめ半田めっきを設ける方法として、イ
ンナーリード部の先端にＡｇめフき層を設け、その後ア
ウターリード部に半田めっき層を設ける場合、Ａｇめフ
き層を設けた後に半田めっき層を設けるためにＡｇめっ
き層が半田めっき中の有機物などにより汚染されＷ／Ｂ
性が低下し、ＩＣの信頼性を低下させた． そこでＷ／
Ｂ性を良くするには厚くＡｇめっきした後にＡｇめっき
層を２μｍ以上も剥離しなければならず、Ａｇめつき時
間が長くなるとともに剥ｌｌｉ液の寿命が短く経済的に
不利であり、半田めっき外観もＡｇの過剰剥離によって
悪化するという問題があった。
また、アクターリード部に半田めっき層を設け、その後
全面にＣｕストライクめっき層を設けて、インナーリー
ド部の先端部のみＡｇめつき層を設ける場合、リードフ
レーム上に露出しているＣｕストライクめっき除去のた
めにＣｕめっき剥離を行なうので剥離液中に溶け込んだ
Ａｇイオンが半田めっき層に置換析出し、半田めっき外
観を悪くする問題があった。
全面にＣｕストライクめっき層を設けて、インナーリー
ド部の先端部のみＡｇめつき層を設ける場合、リードフ
レーム上に露出しているＣｕストライクめっき除去のた
めにＣｕめっき剥離を行なうので剥離液中に溶け込んだ
Ａｇイオンが半田めっき層に置換析出し、半田めっき外
観を悪くする問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消すること
にあり、アクターリードに形成された半田めっき層上へ
のＡｇの置換析出が防止でき、外観、Ｗ／Ｂ性、半田ぬ
れ性などにすぐれた、かつ信頼性の高いＩＣリードフレ
ームを提供することにある。
にあり、アクターリードに形成された半田めっき層上へ
のＡｇの置換析出が防止でき、外観、Ｗ／Ｂ性、半田ぬ
れ性などにすぐれた、かつ信頼性の高いＩＣリードフレ
ームを提供することにある。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、本発明は、ＩＣチップを搭
載する搭載部とアクターリード部とインナーリード郎と
を有するリードフレームにおいて、 前記アウターリード部表面に半田めっき層と少なくとも
この半田めっき層上にＰｄめっき層とを設け、前記イン
ナーリード部の先端部にＡｇめっき層を設けて成ること
を特徴とするＩＣリードフレームを提供するものである
。
載する搭載部とアクターリード部とインナーリード郎と
を有するリードフレームにおいて、 前記アウターリード部表面に半田めっき層と少なくとも
この半田めっき層上にＰｄめっき層とを設け、前記イン
ナーリード部の先端部にＡｇめっき層を設けて成ること
を特徴とするＩＣリードフレームを提供するものである
。
前記Ｐｄめっき層の厚さは、０．０１μｍ以上とするの
が好ましい。
が好ましい。
また、前記リードフレーム材として、Ｃｕ，Ｃｕ合金ま
たはＦｅ合金が好ましい。
たはＦｅ合金が好ましい。
また、前記リードフレームの表面＆：Ｓｎ−Ｎｉめつき
を設けることが好ましい。
を設けることが好ましい。
また、前記リードフレームのＰｄめっきした後にＣｕス
トライクめっきを設けることが好ましい． 以下に、本発明を添付の図面に示す好適実施例を参照し
ながらさらに詳細に説明する． 本発明は、その目的を
そこなわない限りこれらの図面に限定されるものではな
い。
トライクめっきを設けることが好ましい． 以下に、本発明を添付の図面に示す好適実施例を参照し
ながらさらに詳細に説明する． 本発明は、その目的を
そこなわない限りこれらの図面に限定されるものではな
い。
第１図は本発明および一般のＩＣリードフレームを示す
平面図、第２図は、木発明に係るＩＣリードフレームを
用いたＩＣパッケージの一実施例を示す断面図である。
平面図、第２図は、木発明に係るＩＣリードフレームを
用いたＩＣパッケージの一実施例を示す断面図である。
リードフレーム１は、外枠部２、リード部３および搭載
台４を具える。
台４を具える。
外枠部２には、通常ワイヤボンデイング、モールドなど
の際の位置決めのため１個または２個以上のパイロット
ホール５が穿設されている。
の際の位置決めのため１個または２個以上のパイロット
ホール５が穿設されている。
リード部３は、ボンディングワイヤ７の接続部であるイ
ンナーリード部６とアクターリード部９とを有する． リードフレーム！のリード部３のアウターリード部９に
は半田めっき層１０が設けられており、その上にＰｄめ
っき層１１が設けられている。 一方、インナーリード
部６の先端部８の表面にはＡｇめっき層１２が設けられ
ている。
ンナーリード部６とアクターリード部９とを有する． リードフレーム！のリード部３のアウターリード部９に
は半田めっき層１０が設けられており、その上にＰｄめ
っき層１１が設けられている。 一方、インナーリード
部６の先端部８の表面にはＡｇめっき層１２が設けられ
ている。
本発明に用いられるリードフレーム１の材料としてはＣ
ｕ，Ｃｕ合金、およびＦｅ合金等の通常のリードフレー
ム材として用いられるものであれば何でもよい。 また
、本発明のリードフレーム１はリードフレーム１の耐酸
化性向上のため、インナーリード部６のＡｇめっき層１
２およびアウターリード部９の半田めっき層１０を形戒
する前にリードフレーム１の全面に予め耐酸化性めっき
、例えばＳｎ−Ｎｉめっきを施したものであってもよい
。
ｕ，Ｃｕ合金、およびＦｅ合金等の通常のリードフレー
ム材として用いられるものであれば何でもよい。 また
、本発明のリードフレーム１はリードフレーム１の耐酸
化性向上のため、インナーリード部６のＡｇめっき層１
２およびアウターリード部９の半田めっき層１０を形戒
する前にリードフレーム１の全面に予め耐酸化性めっき
、例えばＳｎ−Ｎｉめっきを施したものであってもよい
。
ここで、リードフレーム１に半田めっき層１０、Ｐｄめ
っきＦｉｌｌおよびＡｇめクき層１２を形成する方法と
しては、まず所定パターンが形成され、必要に応じて耐
酸化性めっき処理されたリードフレーム１のアウターリ
ード部９に半田めっきして半田めっき層１０を形威し、
次にリードフレーム１の全面もしくは少なくとも半田め
っき層１０上にＰｄめっきを行ないＰｄめっき層１１を
形成し、その後、必要に応じてＣｕストライクめっきを
施した後、インナーリード部６の先端部８にＡｇめっき
によりＡｇめっき層１２を形成する。 最後に、余分な
Ｃｕストライクめっきおよびインナーリード部６の側面
部に析出したＡｇめっきを剥離処理して除去して、本発
明のリードフレーム１を得ることができる。
っきＦｉｌｌおよびＡｇめクき層１２を形成する方法と
しては、まず所定パターンが形成され、必要に応じて耐
酸化性めっき処理されたリードフレーム１のアウターリ
ード部９に半田めっきして半田めっき層１０を形威し、
次にリードフレーム１の全面もしくは少なくとも半田め
っき層１０上にＰｄめっきを行ないＰｄめっき層１１を
形成し、その後、必要に応じてＣｕストライクめっきを
施した後、インナーリード部６の先端部８にＡｇめっき
によりＡｇめっき層１２を形成する。 最後に、余分な
Ｃｕストライクめっきおよびインナーリード部６の側面
部に析出したＡｇめっきを剥離処理して除去して、本発
明のリードフレーム１を得ることができる。
ここで、Ｐｄめっき層１１の厚さは０．０１μｍ以上と
するのが好ましい。 この理由は、Ｐｄめっきが０．０
１μｍ以上あれば、半田めっき層１０上へのＡｇの置換
析出を十分に抑えることができるからである． 上限は
特に限定する必要はないが、Ｐｄめっきを必要以上に厚
くするとコストアップとなるばかりか、り一ドフレーム
１の色調がＰｄめっきの色調となってしまい外観が変っ
てし京うので、外観を問題ヒする場合は、上限は０．３
μｍとするのが好ましい． また、半田めっき層１０およびＡｇめつき層１２の厚さ
は、全く制限的ではなく、ＩＣ基板への実装およびワイ
ヤボンディングに必要な厚さであればよく、通常のリー
ドフレームにおいて施されるめっき厚さで十分である． さらに、必要に応じて施される耐酸化性向上のための下
地めっきのめっき厚さおよびＣｕストライクめっき厚さ
も特に制限的ではないが、目的とする効果が得られる厚
さがあればよく、できるだけ薄いのが好ましい． さらに、半田めっき、Ｐｄめつき、Ａｇめつき，耐酸化
性下地めっき、Ｃｕストライクめっき等のめっき方法は
、通常公知のめつき方法を用いることができる． アウターリード部９に半田めっき層１０の後に設けられ
るＰｄめっき層１１は、少なくとも半田めっき層１０上
に設けられていればよいが、リードフレーム１の全面に
設けられていてもよい． 本発明においてはＰｄめつき
層１１の厚さが０．０１μｍ以上あるため、半田めっき
層１０上へのＡｇの置換の防止、Ｗ／Ｂ性、半田ぬれ性
がよく、すぐれたリードフレームを提供することができ
る． また、Ｐｄめつき層１１の上に形成されるＣｕストライ
クめっき層はリードフレーム１の全面または少なくとも
Ａｇめっき層１２の下地部分に設けてよい。
するのが好ましい。 この理由は、Ｐｄめっきが０．０
１μｍ以上あれば、半田めっき層１０上へのＡｇの置換
析出を十分に抑えることができるからである． 上限は
特に限定する必要はないが、Ｐｄめっきを必要以上に厚
くするとコストアップとなるばかりか、り一ドフレーム
１の色調がＰｄめっきの色調となってしまい外観が変っ
てし京うので、外観を問題ヒする場合は、上限は０．３
μｍとするのが好ましい． また、半田めっき層１０およびＡｇめつき層１２の厚さ
は、全く制限的ではなく、ＩＣ基板への実装およびワイ
ヤボンディングに必要な厚さであればよく、通常のリー
ドフレームにおいて施されるめっき厚さで十分である． さらに、必要に応じて施される耐酸化性向上のための下
地めっきのめっき厚さおよびＣｕストライクめっき厚さ
も特に制限的ではないが、目的とする効果が得られる厚
さがあればよく、できるだけ薄いのが好ましい． さらに、半田めっき、Ｐｄめつき、Ａｇめつき，耐酸化
性下地めっき、Ｃｕストライクめっき等のめっき方法は
、通常公知のめつき方法を用いることができる． アウターリード部９に半田めっき層１０の後に設けられ
るＰｄめっき層１１は、少なくとも半田めっき層１０上
に設けられていればよいが、リードフレーム１の全面に
設けられていてもよい． 本発明においてはＰｄめつき
層１１の厚さが０．０１μｍ以上あるため、半田めっき
層１０上へのＡｇの置換の防止、Ｗ／Ｂ性、半田ぬれ性
がよく、すぐれたリードフレームを提供することができ
る． また、Ｐｄめつき層１１の上に形成されるＣｕストライ
クめっき層はリードフレーム１の全面または少なくとも
Ａｇめっき層１２の下地部分に設けてよい。
本発明のリードフレーム１は、第２図に示すように搭載
台４にＩＣチップ１３を搭載し、ボンディングワイヤ７
を用いてインナーリード部の先端部８およびＩＣチップ
１３にワイヤボンディングし、最後にモールド樹脂１４
をモールドしてＩＣパッケージを組立て、外枠部２およ
びアクターリード部９のダムバーｌ５を切断し、アクタ
ーリード部９を曲げ加工して用いることができる． その他にアクターリードに部分半田めっきのないリード
フレーム，つまりＰｄの下地めっきしたリードフレーム
に部分Ａｇめっきしたものにも適用可能である． く実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明．する。
台４にＩＣチップ１３を搭載し、ボンディングワイヤ７
を用いてインナーリード部の先端部８およびＩＣチップ
１３にワイヤボンディングし、最後にモールド樹脂１４
をモールドしてＩＣパッケージを組立て、外枠部２およ
びアクターリード部９のダムバーｌ５を切断し、アクタ
ーリード部９を曲げ加工して用いることができる． その他にアクターリードに部分半田めっきのないリード
フレーム，つまりＰｄの下地めっきしたリードフレーム
に部分Ａｇめっきしたものにも適用可能である． く実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明．する。
（実施例１）
第２図に示すようにＣｕ合金リードフレーム１の耐酸化
性改善のためにＳｎ−Ｎｉめっき層を０．２μｍの厚さ
で設け、アウターリード部９に半田めっき層１０を厚さ
１０μｍで設けた． この半田めっき条件は、半田めっ
き液をソルダレックスＥ（ＥＥＪＡ社）（Ｓｎ：７０％
、Ｐｂ ： ３０％に建浴〉、温度を２５℃、電流密度
を３０Ａ／ｄｄ、アノードを白金めつきチタン板とした
。
性改善のためにＳｎ−Ｎｉめっき層を０．２μｍの厚さ
で設け、アウターリード部９に半田めっき層１０を厚さ
１０μｍで設けた． この半田めっき条件は、半田めっ
き液をソルダレックスＥ（ＥＥＪＡ社）（Ｓｎ：７０％
、Ｐｂ ： ３０％に建浴〉、温度を２５℃、電流密度
を３０Ａ／ｄｄ、アノードを白金めつきチタン板とした
。
つづいて、リードフレーム１の全面にＰｄめっき層１１
を０．０５μｍ％０．１μｍ，０．３μｍ、０．５μｍ
の各厚さを設けた。
を０．０５μｍ％０．１μｍ，０．３μｍ、０．５μｍ
の各厚さを設けた。
Ｐｄめつき厚は蛍光Ｘ線膜厚計で測定した。
このＰｄめっき条件は、Ｐｄめっき液をバラデックス１
１０（ＥＥＪＡ社）、金属Ｐｄ濃度を２５ｇ／ｉ、温度
を６０℃、電流密度を３Ａ／ｄｒｎ’ ，アノードを白
金めつきチタン板とした。
１０（ＥＥＪＡ社）、金属Ｐｄ濃度を２５ｇ／ｉ、温度
を６０℃、電流密度を３Ａ／ｄｒｎ’ ，アノードを白
金めつきチタン板とした。
つづいて、リードフレーム１にＣｕストライクめっきを
設けた． とのＣｕストライクめっき条件は、ＣｕＣＮを２ ０
ｇ／ｉ、ＫＣＮを４ ４ ｇ７ｆｔ ，ロッセル塩を４
ｏｇ／ｘ、温度を５５℃、電流密度を２Ａ／ｄｄ ，ア
ノードをステンレス板とした。
設けた． とのＣｕストライクめっき条件は、ＣｕＣＮを２ ０
ｇ／ｉ、ＫＣＮを４ ４ ｇ７ｆｔ ，ロッセル塩を４
ｏｇ／ｘ、温度を５５℃、電流密度を２Ａ／ｄｄ ，ア
ノードをステンレス板とした。
さら社インナーリード部の先端部８にＡｇめっｔ！［１
２を設けた。 このＡｇめつき条件は、Ａｇめっき液を
シルバージェト２２０（メルテックス社）、金属Ａｇ濃
度を６５ｇ／ｉ、温度を６５℃、電流密度を６０Ａ／ｄ
ｒｎ’、アノードを白金めっきチタン板とした。
２を設けた。 このＡｇめつき条件は、Ａｇめっき液を
シルバージェト２２０（メルテックス社）、金属Ａｇ濃
度を６５ｇ／ｉ、温度を６５℃、電流密度を６０Ａ／ｄ
ｒｎ’、アノードを白金めっきチタン板とした。
最後にリードフレーム全面の余分なＣｕストライクめフ
きおよびインナーリード部側面に析出したＡｇを剥ｗｎ
処理を行って除去した。 その剥離条件は、剥離剤をエ
ンストリップＳ（メルテックス社）３０ｇ／ｆＬ１Ｎａ
ＣＮを５０ｇ／１１、温度を４０℃、剥離処理時間を２
０秒とした。 以上の条件でＰｄめっきの厚さを替えて
リードフレームを作製した． 下記項目について評価し
た結果を第１表に示す。
きおよびインナーリード部側面に析出したＡｇを剥ｗｎ
処理を行って除去した。 その剥離条件は、剥離剤をエ
ンストリップＳ（メルテックス社）３０ｇ／ｆＬ１Ｎａ
ＣＮを５０ｇ／１１、温度を４０℃、剥離処理時間を２
０秒とした。 以上の条件でＰｄめっきの厚さを替えて
リードフレームを作製した． 下記項目について評価し
た結果を第１表に示す。
■Ｗ／Ｂ性
所定数のワイヤボンディングを行った後、不圧着数を検
査した（不圧着数／ワイヤボンディング数）． 但し、
ワイヤボンディング数はｎ＝４０とした。
査した（不圧着数／ワイヤボンディング数）． 但し、
ワイヤボンディング数はｎ＝４０とした。
■半田外観
剥離後、半田外観が不良のものを×印とし、良のものを
Δ印とし、優のものをＯ印とした。
Δ印とし、優のものをＯ印とした。
■半田めっき層上へのＡｇの置換の有無剥離後半田めっ
き層上にＡｇが置換したものを×印とし、置換しなかっ
たものを○印とした。
き層上にＡｇが置換したものを×印とし、置換しなかっ
たものを○印とした。
■加熱後の半田ぬれ時間
１７５℃ｘ８ｈ加熱後メニスコグラフにより半田ぬれ時
間を測定した。 測定時間の単位は秒とした。
間を測定した。 測定時間の単位は秒とした。
（実施例２）
金属Ｐｄ濃度が低いストライク浴を用いて、全面にＰｄ
ストライクめっき層を設けた。 その他は、実施例１と
同様にした。 ただしＰｄストライクめっき層は０．０
１μｍ，０．０５μｍ、０．１μｍの厚さとし、蛍光Ｘ
線膜厚計で測定したゆ Ｐｄストライクめっきの条件は
、Ｐｄストライクめっき液をパラデックスストライクＩ
Ｉ（ＥＥＪＡ社）、金属Ｐｄ濃度を０．５ｇ／ｕ、温度
を４０℃、電流密度を３＾／ｄｄとした． 以上の条件
でＰｄストライクめっきの厚さを替えてリードフレーム
を作製した． 評価結果を第１表に示す。
ストライクめっき層を設けた。 その他は、実施例１と
同様にした。 ただしＰｄストライクめっき層は０．０
１μｍ，０．０５μｍ、０．１μｍの厚さとし、蛍光Ｘ
線膜厚計で測定したゆ Ｐｄストライクめっきの条件は
、Ｐｄストライクめっき液をパラデックスストライクＩ
Ｉ（ＥＥＪＡ社）、金属Ｐｄ濃度を０．５ｇ／ｕ、温度
を４０℃、電流密度を３＾／ｄｄとした． 以上の条件
でＰｄストライクめっきの厚さを替えてリードフレーム
を作製した． 評価結果を第１表に示す。
（比較例）
半田めっき、Ｃｕストライクめっき、Ａｇめっき、剥ｗ
ｉ処理の各プロセスを行ない、Ｐｄめっき層を設けない
リードフレームを作製した。 めっきおよび剥離条件は
実施例１と同様にして各めっき層の厚さも実施例１と同
様にした。 評価結果を第１表に示す。
ｉ処理の各プロセスを行ない、Ｐｄめっき層を設けない
リードフレームを作製した。 めっきおよび剥離条件は
実施例１と同様にして各めっき層の厚さも実施例１と同
様にした。 評価結果を第１表に示す。
以上の表１の結果から、Ｗ／Ｂ性においては、実施例１
も比較例も同様に良好な結果となった． また、実施例
１ではいずれも半田めっき層上にＡｇ置換析出が全く認
められなかった． しかし、Ｐｄめっき厚が０．３μｍ
以上になるとリードフレームがＰｄめつき層の色調にな
ってしまった． また、比較例では、半田めっき層上に
Ａｇの置換析出が起き、剥離時間もその分長くかかるた
め、半田の外観を悪くした． 加熱後の半田ぬれ時間は
、実施例１はいずれも比較例の従来のものよりさらに短
くなることがわかった． 次に実施例２はいずれも、Ｗ／Ｂ性が良く、半田めっき
層上へのＡｇの置換析出がなく、半田の外観が非常に優
れていることがわかる．加熱後の半田ぬれ時間において
は、Ｐｄストライクめっき厚が０．０１μｍで比較例と
同じ時間となるが、しかしＰｄストライクめっきが０．
０５μｍ以上だと比較例より十分に短くなることが示さ
れた． 以上から少なくともＰｄめフき厚さ、Ｐｄストライクめ
っき厚さが０．０１μｍ以上あればＷ／Ｂ性がよく、半
田めっき層上へＡｇの置換が全くなく、半田ぬれ性も良
好な、本発明のリードフレームが得られることがわかっ
た．く発明の効果〉 以上詳述したように、本発明によれば、Ｐｄめっき層を
設けることにより半田めっき層上へのＡｇの置換が防止
でき、Ｗ／Ｂ性、半田ぬれ性などに優れたＩＣリードフ
レームが提供される． 本発明のＩＣリードフレームの製造工程において、Ｐｄ
めっき層を設けることにより、半田めっき層上に析出し
たＡｇの過剰剥離が不必要となるので、剥離時間が従来
に比べて短縮することができる． その結果、剥離液の
寿命がのび、液の更新も少なく低コスト化を図ることが
できる． また、Ｐｄめっき層は、わずか０．０１μｍで半田めっ
き上へのＡｇ置換防止効果があり、リードフレームの特
性が向上することから、本発明のリードフレームはコス
ト的にも充分見合うものである．
も比較例も同様に良好な結果となった． また、実施例
１ではいずれも半田めっき層上にＡｇ置換析出が全く認
められなかった． しかし、Ｐｄめっき厚が０．３μｍ
以上になるとリードフレームがＰｄめつき層の色調にな
ってしまった． また、比較例では、半田めっき層上に
Ａｇの置換析出が起き、剥離時間もその分長くかかるた
め、半田の外観を悪くした． 加熱後の半田ぬれ時間は
、実施例１はいずれも比較例の従来のものよりさらに短
くなることがわかった． 次に実施例２はいずれも、Ｗ／Ｂ性が良く、半田めっき
層上へのＡｇの置換析出がなく、半田の外観が非常に優
れていることがわかる．加熱後の半田ぬれ時間において
は、Ｐｄストライクめっき厚が０．０１μｍで比較例と
同じ時間となるが、しかしＰｄストライクめっきが０．
０５μｍ以上だと比較例より十分に短くなることが示さ
れた． 以上から少なくともＰｄめフき厚さ、Ｐｄストライクめ
っき厚さが０．０１μｍ以上あればＷ／Ｂ性がよく、半
田めっき層上へＡｇの置換が全くなく、半田ぬれ性も良
好な、本発明のリードフレームが得られることがわかっ
た．く発明の効果〉 以上詳述したように、本発明によれば、Ｐｄめっき層を
設けることにより半田めっき層上へのＡｇの置換が防止
でき、Ｗ／Ｂ性、半田ぬれ性などに優れたＩＣリードフ
レームが提供される． 本発明のＩＣリードフレームの製造工程において、Ｐｄ
めっき層を設けることにより、半田めっき層上に析出し
たＡｇの過剰剥離が不必要となるので、剥離時間が従来
に比べて短縮することができる． その結果、剥離液の
寿命がのび、液の更新も少なく低コスト化を図ることが
できる． また、Ｐｄめっき層は、わずか０．０１μｍで半田めっ
き上へのＡｇ置換防止効果があり、リードフレームの特
性が向上することから、本発明のリードフレームはコス
ト的にも充分見合うものである．
第１図は、本発明のＩＣリードフレームを示す平面図で
ある． ′ｓ２図は、本発明に係るＩＣリードフレームを用い＆
ＩＣパッケージの一実施例を示す断面図である． 第３図は、従来のＩＣリードフレームを用いたＩＣパッ
ケージの断面図である． ６・・・インナーリード部、 ７・・・ボンディングワイヤ、 ８・・・インナーリード先靖部、 ９・・・アクターリード部、 １ ０−・・半田めっき層、 ｉ ｔ−ｐ ｃｔめフき層、 １２・・・Ａｇめっき層、 １３・・−ＩＣチップ、 １４・・・モールド樹脂、 １５・・・ダムパー 符号の説明 １・・・リードフレーム、 ２・・・外枠部、 ３・・・リード部、 ４・・・搭載台、 ５・・・パイロットホール゛、 ＦＩＧ．１ Ｆ Ｉ Ｇ． ２ Ｆ Ｉ Ｇ． ３
ある． ′ｓ２図は、本発明に係るＩＣリードフレームを用い＆
ＩＣパッケージの一実施例を示す断面図である． 第３図は、従来のＩＣリードフレームを用いたＩＣパッ
ケージの断面図である． ６・・・インナーリード部、 ７・・・ボンディングワイヤ、 ８・・・インナーリード先靖部、 ９・・・アクターリード部、 １ ０−・・半田めっき層、 ｉ ｔ−ｐ ｃｔめフき層、 １２・・・Ａｇめっき層、 １３・・−ＩＣチップ、 １４・・・モールド樹脂、 １５・・・ダムパー 符号の説明 １・・・リードフレーム、 ２・・・外枠部、 ３・・・リード部、 ４・・・搭載台、 ５・・・パイロットホール゛、 ＦＩＧ．１ Ｆ Ｉ Ｇ． ２ Ｆ Ｉ Ｇ． ３
Claims (2)
- （１）ＩＣチップを搭載する搭載部とアウターリード部
とインナーリード部とを有するリードフレームにおいて
、 前記アウターリード部表面に半田めっき層と少なくとも
この半田めっき層上にＰｄめっき層とを設け、前記イン
ナーリード部の先端部にＡｇめっき層を設けて成ること
を特徴とするＩＣリードフレーム。 - （２）前記Ｐｄめっき層の厚さは、０．０１μｍ以上で
ある請求項１に記載のＩＣリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234920A JPH0397252A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Ｉｃリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234920A JPH0397252A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Ｉｃリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397252A true JPH0397252A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16978357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234920A Pending JPH0397252A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Ｉｃリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015228531A (ja) * | 2015-09-18 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1234920A patent/JPH0397252A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015228531A (ja) * | 2015-09-18 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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