JPH0397302A - Amplifier - Google Patents

Amplifier

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JPH0397302A
JPH0397302A JP23488289A JP23488289A JPH0397302A JP H0397302 A JPH0397302 A JP H0397302A JP 23488289 A JP23488289 A JP 23488289A JP 23488289 A JP23488289 A JP 23488289A JP H0397302 A JPH0397302 A JP H0397302A
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JP
Japan
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amplifier
signal
circuit
gate
output
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Application number
JP23488289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuki Mikamura
御神村 泰樹
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信用前置増幅装゛置として用いられる増幅
装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an amplifier device used as a preamplifier device for optical communications.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、光通信においては第5図に示すようにフォトダイ
オード1で光信号を受信し、これによっで得られる電圧
信号を電圧増幅度(−A)の増幅器2に導き増幅して出
力端子3から信号電圧■  を得ている。ここで電圧増
幅度にマイナスOut の符号が付くのは、入力信号と出力信号の極性が反転し
ていることを意味する。増幅器2は帰還抵抗Rrが外付
けあるいは集積化されたトランスインピーダンス型と称
されるもので、例えば、電子情報通信学会技術報告(1
 986年OQE86−68p.51〜p.56)に示
され、第6図に図示の回路と等価なものである。
Conventionally, in optical communication, an optical signal is received by a photodiode 1 as shown in FIG. The signal voltage ■ is obtained from. Here, the minus Out sign attached to the voltage amplification degree means that the polarities of the input signal and the output signal are reversed. The amplifier 2 is a so-called transimpedance type in which the feedback resistor Rr is externally attached or integrated.
986 OQE86-68p. 51-p. 56), which is equivalent to the circuit shown in FIG.

この第6図の回路では、FETQ ,Q2からl なるインバータ段とFETQ,Q4からなるレ3 ベルシフト/バッファ段とが同一電源vDDにより駆動
されている。FETQ.Q  はゲート・ソ24 ース間が短絡された定電流負荷となっている。レベルシ
フト用のダイオードD  ,D  は所定のバ12 イアス点を決定する機能を有する。かかる構成の回路に
よれば、入力電圧信号を増幅度(一A)で増幅し反転し
た出力信号V  を得ることができOut る。
In the circuit of FIG. 6, an inverter stage consisting of FETs Q and Q2 and a level shift/buffer stage consisting of FETs Q and Q4 are driven by the same power supply vDD. FETQ. Q is a constant current load with the gate and source 24 short-circuited. The level shifting diodes D 1 and D 2 have the function of determining a predetermined bias point. According to the circuit having such a configuration, an input voltage signal can be amplified at an amplification degree (1 A) and an inverted output signal V can be obtained.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、上記のような増幅装置によると、フォト
ダイオード1に過大な入力が到来したとき増幅装置の飽
和が生じ実用に適さなくなる。即ち、飽和のために入力
光パワーのダイナミックレンジがたかだか25dB程度
であり、送信側の出力の大小、送受間の減衰度の大小な
ど様々な外的条件の変化を吸収した的確な信号受信を行
い得ないという問題点があった。
However, with the amplifying device as described above, when an excessive input reaches the photodiode 1, the amplifying device becomes saturated and becomes unsuitable for practical use. In other words, the dynamic range of the input optical power is approximately 25 dB at most due to saturation, and accurate signal reception is possible by absorbing changes in various external conditions such as the magnitude of the output on the transmitting side and the magnitude of attenuation between the transmitter and receiver. The problem was that I couldn't get it.

具体的には、第6図に示す回路に、第7図に示すような
3 0 0 M b p sのrOJ,rlJの繰り返
しからなるNRZ信号を、入力光電流0.  1mAで
加えた場合(c a s e 1)と入力光電流1mA
で加えた場合(case2)には、出力端子3から第8
図に示されるような出力信号が得られる。つまり、第8
図に明らかな如く、caselでは出力信号に大きな歪
みはみられないが、case2では出力信号が大きく歪
み、もはや人力信号を再生するのが不可能に近いことが
わかる。
Specifically, an NRZ signal consisting of repeating rOJ and rlJ of 300 Mbps as shown in FIG. 7 as shown in FIG. 7 is input to the circuit shown in FIG. 6 at an input photocurrent of 0. When applying at 1 mA (cas e 1) and input photocurrent 1 mA
(case 2), the output terminal 3 to the 8th
The output signal shown in the figure is obtained. In other words, the 8th
As is clear from the figure, in case 1, there is no significant distortion in the output signal, but in case 2, the output signal is greatly distorted, making it almost impossible to reproduce the human input signal.

上記現象を詳しく解析するために、第6図の各FETQ
  〜Q4のドレインやソース間電圧をモl ニタし、FETQ,Q3のゲート・ソース間電l 圧をモニタした結果を第9図(a).(b)、第10図
(a),(b)に示す。これらの図において、記号Q1
〜Q4は第6図の各FETQ1〜Q4に対応する曲線を
示す。これらの図から、人力光電流’ PDが所定値を
越え、これに伴って出力電圧値V  が所定値を越える
ようになると、増out 幅器2を構成するFET中にはドレイン・ソース間電圧
がFETの非飽和領域(この例では1v以下)に入るも
のが生じたり、ゲート・ソース間電圧がFETのスレッ
ショールド電圧(ピンチオフ電圧で、この例では−1v
)近くになるものが生じることから、増幅装置の出力信
号が大きく歪むことがわかる。
In order to analyze the above phenomenon in detail, each FETQ in Fig.
Figure 9(a) shows the results of monitoring the voltage between the drain and source of Q4 and the voltage between the gate and source of FETQ and Q3. (b), and shown in FIGS. 10(a) and (b). In these figures, the symbol Q1
-Q4 indicate curves corresponding to each of the FETs Q1 to Q4 in FIG. From these figures, when the human photocurrent PD exceeds a predetermined value and the output voltage value V exceeds the predetermined value, the drain-source voltage increases in the FET constituting the amplifier 2. may fall into the FET's non-saturation region (less than 1v in this example), or the gate-source voltage may exceed the FET's threshold voltage (pinch-off voltage, -1v in this example).
), it can be seen that the output signal of the amplifier is greatly distorted.

そこで本発明は、過大入力時の飽和特性が改善され、大
きな入力光電流が到来したときにも歪みの小さい出力信
号を得ることができ、光通信に用いた場合には送信側の
出力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件
の変化を、光減衰器等を用いることなく吸収し得る増幅
装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention improves the saturation characteristics at the time of excessive input, makes it possible to obtain an output signal with small distortion even when a large input photocurrent arrives, and when used for optical communication, it is possible to improve the saturation characteristics at the time of excessive input. It is an object of the present invention to provide an amplifying device that can absorb changes in various external conditions, such as the magnitude of attenuation between transmitting and receiving, without using an optical attenuator or the like.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明に係る増幅装置は、トランスインピーダンス型増
幅器と、この増幅器の入力電流を分流させる分流路に設
けられ、この分流路を開閉するゲート回路と、上記増幅
器の出力信号を積分する積分回路を含み、この積分回路
の出力に基づきトランスインピーダンス型増幅器の入力
信号が所定値より大となったときに対応してゲート回路
を開状態とする制御信号を作成してゲート回路へ与える
ゲート制御手段とを備えることを特徴とする。
An amplifier device according to the present invention includes a transimpedance amplifier, a gate circuit that is provided in a shunt channel that shunts the input current of the amplifier, and that opens and closes the shunt channel, and an integrating circuit that integrates the output signal of the amplifier. , a gate control means that creates a control signal for opening the gate circuit in response to the input signal of the transimpedance amplifier becoming larger than a predetermined value based on the output of the integrating circuit, and applies the control signal to the gate circuit. It is characterized by being prepared.

〔作用〕[Effect]

本発明に係る増幅装置は、以上のように構成されるので
、トランスインピーダンス型増幅器の人力に過大入力信
号が到来すると、この出力信号のDCレベルは低下する
から、この出力信号を積分した結果もそのレベルが低下
する。このレベルが所定値を越え小さくなったことによ
ってゲート回路を開状態とでき、トランスインピーダン
ス型増幅器の人力電流の一部が分流路へ流れるようにな
り過度の人力状態が回避されることになる。
Since the amplifier device according to the present invention is configured as described above, when an excessive input signal arrives at the transimpedance type amplifier, the DC level of this output signal decreases, so that the result of integrating this output signal also decreases. Its level decreases. When this level becomes smaller than a predetermined value, the gate circuit can be opened, and a part of the human power current of the transimpedance type amplifier flows to the shunt path, thereby avoiding an excessive human power state.

〔実施例〕〔Example〕

以下、添付図面の第1図ないし第4図を参照して、本発
明の一実施例に係る増幅装置を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An amplifier device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4 of the accompanying drawings.

なお、図面の説明において同一要素には同一の符号を付
し、重複する説明を省略する。
In addition, in the description of the drawings, the same elements are given the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

第1図は本発明の一実施例に係る構成図を示す。FIG. 1 shows a configuration diagram according to an embodiment of the present invention.

この実施例では、トランスインピーダンス型増幅器2の
入力端子にドレインが接続され、ゲートに一定電圧V。
In this embodiment, the drain is connected to the input terminal of the transimpedance amplifier 2, and a constant voltage V is applied to the gate.

が与えられたゲート回路であるFETQ5を接続する。is connected to FETQ5, which is a gate circuit given.

一方、増幅器2の出力端子に積分回路101を含むゲー
ト制御手段100を接続する。積分回路101は上記増
幅器2の出力信号を積分するから、入力光電流’ PD
が増加すると増幅器2の出力電圧V  が下降して積分
回路out 101の出力直流電圧も下降することになる。この積分
回路101の出力をバッファ回路102へ導く。バッフ
ァ回路102はインピーダンス変換あるいはインピーダ
ンス変換とともにレベルシフトの機能を有する回路であ
る。このため、バッファ回路102の出力にはフォトダ
イオード1に入射する光信号が大きいほど小さくなる低
インピーダンスの直流信号が現われ、この直流信号がF
ETQ5のソースへ与えられる。
On the other hand, a gate control means 100 including an integrating circuit 101 is connected to the output terminal of the amplifier 2. Since the integrating circuit 101 integrates the output signal of the amplifier 2, the input photocurrent ' PD
When V increases, the output voltage V of the amplifier 2 decreases, and the output DC voltage of the integrating circuit out 101 also decreases. The output of this integrating circuit 101 is guided to a buffer circuit 102. The buffer circuit 102 is a circuit that has an impedance conversion function or a level shift function in addition to impedance conversion. Therefore, a low-impedance DC signal appears at the output of the buffer circuit 102, which decreases as the optical signal incident on the photodiode 1 increases, and this DC signal
Given to the source of ETQ5.

一方、FETQ5のゲートには一定電圧V。が与えられ
ているため、そのゲートソース間電圧はフォトダイオー
ド1に入射する光信号が大きくなるほど大きくなる。こ
のため、FETQ5のスレッショルド電圧を適当な値に
選択しておくことにより、フォトダイオード1に入射す
る光のパワーの平均値が、所定値を越えたときにFET
Q5が導適状態となり、人力光電流’ PDの一部が分
流する分流路が形成される。これによって、増幅器2に
対し過度の入力が生じるときに、当該分流路へ(FET
Q5を介してバッファ回路102へ)入力光電流’ P
Dの一部が流れ、増幅器2の飽和の度合を抑えることが
できる。
On the other hand, a constant voltage V is applied to the gate of FETQ5. is given, the gate-source voltage increases as the optical signal incident on the photodiode 1 increases. Therefore, by selecting the threshold voltage of FET Q5 to an appropriate value, when the average power of the light incident on photodiode 1 exceeds a predetermined value, the FET
Q5 becomes conductive, and a shunt path is formed through which a part of the human power photocurrent PD is shunted. As a result, when an excessive input occurs to the amplifier 2, the shunt path (FET
) input photocurrent 'P to the buffer circuit 102 via Q5
A portion of D flows, and the degree of saturation of the amplifier 2 can be suppressed.

第2図には、第6図に対応したIC化できる実施例が示
されている。
FIG. 2 shows an embodiment corresponding to FIG. 6 that can be implemented as an IC.

この実施例においては、トランスインピーダンス型増幅
器の出力端子であるFETQ4のドレインとグランドと
の間に抵抗R,とコンデンサCIとの直列回路を接続し
、抵抗R,とコンデンサCIとの接続点から積分結果の
信号を得ている。
In this embodiment, a series circuit consisting of a resistor R and a capacitor CI is connected between the drain of FET Q4, which is the output terminal of the transimpedance amplifier, and the ground, and the integral is calculated from the connection point between the resistor R and the capacitor CI. We are getting the resulting signal.

積分結果の信号をFETQ6に与え、FETQ6のソー
スからFETQ5のソースに与える制御信号を得ている
。ここで、FETQ  SFETQ76 はバッファ回路102を構成する。即ち、FETQ6は
ドレインに+vDDが与えられたソースホロワであって
、ゲート・ソース間が短絡されたFETQ7から或る定
電流負荷へ電流を流し、低インビーダンスの制御信号を
送出する。
A signal resulting from the integration is applied to FETQ6, and a control signal is obtained from the source of FETQ6 to the source of FETQ5. Here, FETQ SFETQ76 constitutes the buffer circuit 102. That is, FETQ6 is a source follower whose drain is supplied with +vDD, and a current flows from FETQ7 whose gate and source are short-circuited to a certain constant current load, thereby sending out a low impedance control signal.

上記の回路において、FETQ −Q7のスレ1 ッショルド電圧はいずれも−IVとし、それぞれのFE
Tのゲート幅を順に150μm,75μm,150μm
,150μm.200μm,15μm.20μmとした
。また、帰還抵抗Rrの抵抗値は2kΩ、抵抗R,の値
は10kΩ、コンデンサC1の容量は1pFである。
In the above circuit, the threshold voltage of FETQ -Q7 is set to -IV, and each FET
The gate width of T is 150μm, 75μm, 150μm in order.
, 150 μm. 200μm, 15μm. It was set to 20 μm. Further, the resistance value of the feedback resistor Rr is 2 kΩ, the value of the resistor R is 10 kΩ, and the capacitance of the capacitor C1 is 1 pF.

このような構成の回路に、第7図に示すような300M
bpsのrOJ.rlJの繰り返しからなるNRZ信号
を加えた。ここでは、人力光電流が1mAの大入力とし
たとき、出力端子3からは第3図中のV  に示される
出力信号を得ることがout できた。また、同図のvcoNTは、バッファ回路10
2の出力電位である第2図のP点の電位を示す。この図
から、過大入力が到来してからしばらくの間、バッファ
回路102の出力電位V  がCONT 徐々に低下し、FETQ5が導通状態へ遷移してゆくこ
とによって、出力波形のパルス幅歪みが補正される様子
が観察できる。なお、出力信号■  が安定化する迄の
時間は、積分回路101out の時定数で定まる。
In a circuit with such a configuration, 300M as shown in Fig.
bps rOJ. An NRZ signal consisting of rlJ repetitions was added. Here, when the human photocurrent was a large input of 1 mA, an output signal indicated by V in FIG. 3 could be obtained from the output terminal 3. In addition, vcoNT in the same figure is a buffer circuit 10.
2 shows the potential at point P in FIG. 2, which is the output potential of No. 2. From this figure, it can be seen that for a while after the arrival of an excessive input, the output potential V CONT of the buffer circuit 102 gradually decreases and FET Q5 transitions to a conductive state, thereby correcting the pulse width distortion of the output waveform. You can observe the situation. Note that the time until the output signal (2) becomes stable is determined by the time constant of the integrating circuit 101out.

次に、上記構成の回路に第7図に示すような300Mb
psの「0」,「1」の繰り返しからなるNRZ信号を
加えた。ここでも、入力光電流が0.1mAのときをc
aselとし、1mAのときをcase2とする。この
結果、出力端子3からは第4図に示されるような出力信
号を得ることができた。即ち、増幅器2が飽和しない場
合(c a s e 1)では従来と同様に入力信号を
大きく歪ませることなく出力信号を得ることができ、か
つ、従来では飽和して入力信号の再生が不可能となる場
合(case2)でも、この実施例では入力信号をほと
んど歪ませることなく出力を得ることができた。つまり
、従来の飽和時の出力波形のパルス幅歪みを大幅に補正
できた。この増幅装置を用いると、ダイナミックレンジ
が広いため、光通信の信号の大小変動を光減衰器等の他
の部品を用いることなく吸収できる。
Next, add 300Mb to the circuit with the above configuration as shown in Figure 7.
An NRZ signal consisting of repeated ps "0" and "1" was added. Here again, when the input photocurrent is 0.1 mA, c
asel, and case 2 is when it is 1 mA. As a result, an output signal as shown in FIG. 4 could be obtained from the output terminal 3. In other words, when the amplifier 2 is not saturated (case 1), it is possible to obtain an output signal without significantly distorting the input signal, as in the conventional case, and in the case where the amplifier 2 is saturated, it is impossible to reproduce the input signal. Even in the case (case 2), this embodiment was able to obtain an output without substantially distorting the input signal. In other words, it was possible to significantly correct the conventional pulse width distortion of the output waveform at saturation. When this amplifier device is used, since it has a wide dynamic range, it is possible to absorb fluctuations in the magnitude of optical communication signals without using other components such as an optical attenuator.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したように本発明によれば、トランス
インピーダンス型増幅器の入力電流が所定値より大とな
ったとき、積分回路を用いてその所定値より大となった
ことが平均値に生じていることで捕えられて、対応して
ゲート回路を開状態として入力電流の分流路を形成する
。このため、これ以上過大な人力電流がトランスインピ
ーダンス型増幅器の帰還抵抗へは流れ込まないこととな
って、出力電圧の低下を防止するように働くので、増幅
器の飽和度が弱められ、大きな入力光電流が到来しても
歪みの少ない出力信号を得ることができる。従って、本
発明の装置を光通信に用いた場合には、送信側の出力の
大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件の変化
を、他の構或を用いることなしに吸収できる。
As described above in detail, according to the present invention, when the input current of a transimpedance amplifier becomes larger than a predetermined value, an integrating circuit is used to generate an average value that is larger than the predetermined value. The gate circuit is accordingly opened to form a shunt path for the input current. For this reason, excessive human power current no longer flows into the feedback resistor of the transimpedance type amplifier, which works to prevent the output voltage from dropping, weakening the saturation of the amplifier and increasing the input photocurrent. It is possible to obtain an output signal with less distortion even if Therefore, when the device of the present invention is used for optical communication, it is possible to absorb changes in various external conditions, such as the magnitude of output on the transmitting side and the magnitude of attenuation between transmitter and receiver, without using any other structure. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る増幅装置の構或図、第
2図はFETを用いて構或した他の実施例に係る増幅装
置の回路図、第3図および第4図は第2図の装置の出力
信号を示す図、第5図および第6図は従来の増幅装置の
構成図、第7図は入力光信号の例を示す図、第8図は第
6図の従来例による出力信号を示す図、第9図は第6図
の従来例におけるFETのドレイン・ソース間電圧の変
化を示す図、第10図は第6図の従来例におけるゲート
・ソース間電圧を示す図である。 1・・・フォトダイオード、2・・・増幅器、3・・・
出力端子、100・・・ゲート制御手段、101・・・
積分回路、102・・・バッファ回路、Rr・・・帰還
抵抗、Q  −Q  ・・・FET,Dl−D2・・・
レベルシフト17 用のダイオード。
FIG. 1 is a configuration diagram of an amplifier device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier device according to another embodiment constructed using FETs, and FIGS. 3 and 4 are 2 shows the output signal of the device, FIGS. 5 and 6 are block diagrams of conventional amplification devices, FIG. 7 shows an example of the input optical signal, and FIG. 8 shows the conventional amplification device of FIG. FIG. 9 is a diagram showing the change in the drain-source voltage of the FET in the conventional example shown in FIG. 6, and FIG. 10 is a diagram showing the gate-source voltage in the conventional example shown in FIG. 6. It is a diagram. 1...Photodiode, 2...Amplifier, 3...
Output terminal, 100... Gate control means, 101...
Integrating circuit, 102...Buffer circuit, Rr...Feedback resistor, Q-Q...FET, Dl-D2...
Diode for level shift 17.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 トランスインピーダンス型増幅器と、 このトランスインピーダンス型増幅器の入力電流を分流
させる分流路に設けられ、この分流路を開閉するゲート
回路と、 前記トランスインピーダンス型増幅器の出力信号を積分
する積分回路を含み、この積分回路の出力に基づき前記
トランスインピーダンス型増幅器の入力信号が所定値よ
り大となったときに対応して前記ゲート回路を開状態と
する制御信号を作成して前記ゲート回路へ与えるゲート
制御手段とを備えることを特徴とする増幅装置。
[Scope of Claims] A transimpedance type amplifier; a gate circuit provided in a shunt channel that shunts an input current of the transimpedance type amplifier to open and close the shunt flow path; and a gate circuit that integrates an output signal of the transimpedance type amplifier. The gate circuit includes an integrator circuit, and generates a control signal to open the gate circuit when the input signal of the transimpedance amplifier becomes larger than a predetermined value based on the output of the integrator circuit. 1. An amplification device characterized by comprising: gate control means for applying a signal to a gate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010020278A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Avalanche photodiode circuits

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