JPH0399445A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、樹脂封止型半導体装置に係わり、特に、樹脂
封止工程における金属細線同士の接触を防止するもので
ある。
（従来の技術） 半導体産業にあっては、Ｄ−ＲＡＭに代表されるように
集積度を向上する傾向にあると共に厳しい経済環境に備
えてコストダウン（Ｃｏｓｔ　Ｄｏｗｎ）が求められて
いる外に、市場の要求に応えるために半導体基板のシュ
リンク（Ｓｈｒｉｎｋ）方式も進められているのが現状
である。ところで、リードフレームを利用して半導体素
子を組立てる手法も広く採用されており、ポール　ボン
ディング（ＢａＱＱＢｏｎｄｉｎｇ）工程及びトランス
ファーモールド（Ｔｒａｎｓｆｅｒ　ＭｏＱｄ）法によ
る樹脂封止工程などを経て樹脂封止型半導体装置を製造
していることは良く知られているところである。
ところで、主にプレス（Ｐｒｅｓｓ）工程により形成す
るリードフレームには、Ｓ　Ｉ　Ｐ　（Ｓｉｎｇｌｅ　
ＩｎＬｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｄ　Ｉ　Ｐ　（Ｄｕ
ａｌ　Ｉｎ　Ｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）及び両者の混
合型用の形式が利用されており、ここにマウントする半
導体素子を以後半導体基板と記載する。先ずリードフレ
ームの構造につい簡単に説明すると、形式により構造が
相違するものの、支持体となる枠体を起点として複数の
インナーリ−ド（樹脂封止工程後樹脂外に７導出したも
のをアウターリードと呼称する）が形成され、半導体基
板をマウントするベッド部を一部のインナーリードによ
り支持して設置するのが通常である。また。
ベッド部は、通常はぼ直方体状に形成され、その周囲に
インナーリードの道端が配置されるのが各形式を問わず
行われている。各リードフレームの材質としては、Ｆｅ
、Ｆｅ−ＮｉまたはＣｕやＣｕ合金などが利用されてお
り、ベッド部に半導体基板をマウントするのには、導電
性接着剤、半日または共晶などが適用される。更に、半
導体基板に形成するポンディングパッド（Ｐａｄ）は、
Ａｆｆｉ−８ｉ。
ＡＱ−８Ｌ−ＣｕなとのＡ４合金またはＡＱで構成し。
金属細線には、金、ＡＱ更に銅や銅合金を取捨選択して
利用している。ポールボンディング法によりポンディン
グパッドに熱圧着する金属細線は、一定のループ（Ｌｏ
ｏｐ）をもって次のボンディング点であるインナーリー
ドに移動してウェッジ（Ｉｌｅｄｇｅ）ボンディングさ
れるが１機種によっては、このような一定のループで張
られた金属軸繰上により大きいループの金属細線をポー
ルディングにより形成するいわゆるターンオーバボンデ
ィング（Ｔｕｒｎ　０ｖｅｒ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）を行う
こともある。第１図には、ボンディングバッドト・・を
形成した半導体基板２をベッド部にマウントし、更にイ
ンナーリード３・・・どの間を金属細線４・・・で接続
した状態を上面図により示した１図では、矢印方向がゲ
ル状樹脂の流入方向を示していると共に、樹脂封止工程
におけるゲートが矢印の位置にほぼ相当する。
（発明が解決しようとする課題） 上記のように市場の要求に応るために半導体基板のシュ
リンクが進められているためにポンディングパッドのピ
ッチ（Ｐｉｔｃｈ）は当然小さくなる。
このピッチは、２００−程度に今まで形成されており、
１６０μｓ以下に形成すると以下の現象が発生すること
が判明した。即ち、このような条件下で樹脂封止工程を
実施するとゲート（Ｇａｔｅ）を介してキャビティ（Ｃ
ａｖｉｔｙ）内に流入したゲル状樹脂層により金属細線
が抑流されて、ポンディングパッドまたは隣の金属細線
に接触する事故が発生した。
特に、第１図に示したようにゲル状樹脂の注入口から離
れた位置Ａのベッド部の角部では、ポンディングパッド
を並べて形成した半導体基板の厚さ方向を構成する側辺
に入線する金属細線の角度が著しく鋭角になっているた
めに、隣接する金属細線との距離が極めて短かく接触し
易い状態になっている。また、この付近は、ゲル状樹脂
に注入口付近よりも固化しかけているので、金属細線に
圧力が加わって流れる頻度が大きい。
本発明は、このような事情により成されたもので、特に
、金属細線の短絡事故を防止することを目的とするもの
である。
〔発明の構成〕
（ｉａｌＤを解決するための手段） 半導体基板に形成する電極と、この半導体基板が固着す
る金属製ベッド部と、半導体基板の電極層に電気的に接
続する金属細線と、この金属細線に電気的に接続し金属
製ベッド部端に対向して配置するリードと、金属製ベッ
ド部に形成する複数の角部と、これらを被覆する封止樹
脂層を具備し、金属製ベッド部に形成する相対向する角
部に近接するリード間隔を他のリード間隔より広くする
点に本発明に係わる樹脂封止型半導体装置の特徴がある
。
（作　用） 半導体基板に所定の不純物を導入して形成する能動また
は受動領域に電気的に接続した電極即ちポンディングパ
ッドの間隔を１６０μｓ以下とした場合でも、金属細線
をボンディング手段により熱圧着できるように配慮した
のが本発明である。このポンディングパッドは、半導体
基板の端部付近に一定の間隔で整列して形成するのが通
常であるが、本発明では、上記のようにポンディングパ
ッドの間隔を１６０％以下とした際に、半導体基板の厚
さ方向を構成する側辺に入線する金属細線の角度が著し
く鋭角になるのに備えて、金属細線のもう一方の端部を
接続するリードフレームのインナーリードの間隔を調整
する。具体的には、樹脂封止工程における溶融ゲル状樹
脂がキャビティ内に導入するゲートから離れた位置を占
める半導体基板の角部に対応するインナーリードの間隔
を他の間隔より大きくすると、金属細線の流れが殆ど無
くなる事実が確認された０本発明は、この事実を基に完
成されたもので、半導体基板のシュリンクを促進できる
ので、コスト・ダウンに大きく貢献できるものである。
（実施例） 本発明に係わる一実施例を第２図を参照して説明する。
即ち、例えばシリコン半導体基板１０の端部付近には、
上記のように所定の不純物を導入して設けた能動層また
は受動層（図示せず）に電気的に接続した複数のポンデ
ィングパッド１１・・・が１６０／ｓ以下のピッチ（Ｐ
ｉｔｃｈ）で形成後、半導体基板即ち半導体素子は、リ
ードフレームを利用する組立工程を経て樹脂封止工程を
実施するのは、従来例と同様であるが１本発明の理解を
得るために簡単に説明する。今後記載する外囲器は、リ
ードフレームにマウントする半導体素子に所定のボンデ
ィング工程を施し、更に樹脂封止工程を行って封止樹脂
層外に導出するインナーリード即アウターリードに所定
のフォーミング工程を終えたものを意味するものである
。この所定のフォーミング工程とは、プリント基板に設
置した透孔にアウターリードを挿入する型と、折曲げた
アウターリードをプリント基板の所定の位置に半田付け
する型の両方に適用可能とするものである。
従って、このような処理工程を終えた半導体基板１０を
マウントするリードフレームとしては、ベッド（図示せ
ず）部付近にインナーリードの遊端が集められているＤ
ＩＰ、ＳＩＰまたは両者の混合型が利用可能である。こ
のようなリードフレームにマウントした半導体基板ｌＯ
に形成した複数のポンディングパッド１１・・・にＡＱ
、Ａｕ、銅または銅合金から選択する一種類の金属細線
１２の一端を従来技術欄に記載したようなポールボンデ
ィングまたは超音波並用ポールボンディングにより接合
し、他端はウェッジボンディングによりリードフレーム
のインナーリードに接合して、電気的な接続を行う。
このような工程を終えてから樹脂封止工程を専用の製造
装置により施す、この工程では、金型に形成したキャビ
ティにボンディング工程を終えたリードフレームにマウ
ントした半導体基板ｌＯをセット（Ｓｅｔ）するが、第
２図に明らかなように、インナーリード１３に特殊の配
列が施されている。即ち１図中矢印の位置がキャビティ
におけるゲートに対応する場所であり、ここから溶融ゲ
ル状樹脂が流入する形となる。
このゲートから離れて位置する半導体基板１０即ち金属
製ベッドの角部付近のインナーリード１３のピッチが他
のそれより大きく形成されている。直線状のオリフラ（
Ｏｊｌｙｆｒａ）を−っまたは二つ形成したほぼ円形の
半導体ペレットに所定の能動領域または受動領域更には
面領域を多数個設け、同時に形成したダイシングライン
（Ｄｉｃｌｎｇ　Ｌｉｎｅ）に沿ってプレイキング（Ｂ
ｒａｋｉｎｇ）するので、半導体基板ｌＯは直方体状に
形成される。従って、半導体基板ｌＯをマウントする金
属製ベッド部もこれに相似形に形成されているので、そ
の角部が金属製ベッド部の角部に相当する。このように
、金属製ベッド部の角部に対応するインナーリード１３
のピッチが大きくしていると、樹脂封止工程における金
属細線１２の両れがＡでもほぼ発生しないことが判明し
た。この結果、樹脂封止工程を終えた樹脂封止型半導体
装置の歩留りが向上し、ひいては、そのシュリンクが完
成されることになり、客先の要求に応える製品のコンパ
クト（Ｃｏ■ｐａｃｔ）化が達成された。なお、Ｔ、Ｏ
，Ｂを行った樹脂封止型半導体装置も本発明の対象とな
る。
〔発明の効果〕
以上詳述したように１本発明に係わる樹脂封止型半導体
装置では、組立工程に利用するリードフレームのインナ
ーリードのピッチを拡げたり縮めることにより、樹脂封
止工程における金属細線の流れが防止できる。しかも、
この現象は、ポンディングパッドのピッチが１６０−以
下でも実現できるので半導体素子のシュリンクが達成で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の樹脂封止型半導体装置のマウント状態
を示す上面図、第２図は、本発明に係わる樹脂封止型半
導体装置のマウン 上面図である。 １．１１：ボンディングパッド・ ２．１０：半導体基板。 ３．１３：インナーリード、 ４．１２：金属細線。 ト状態を示す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板に形成する電極と、この半導体基板が固着す
    る金属製ベッド部と、半導体基板の電極層に電気的に接
    続する金属細線と、この金属細線に電気的に接続し金属
    製べッド部端に対抗して配置するリードと、金属製べッ
    ド部に形成する複数の角部と、これらを被覆する封止樹
    脂層を具備し、金属製べッド部に形成する相対向する角
    部に近接するリード間隔を他のリード間隔より広くする
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP1236408A 1989-09-12 1989-09-12 樹脂封止型半導体装置 Expired - Fee Related JP2637247B2 (ja)

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US07/579,664 US5045919A (en) 1989-09-12 1990-09-10 Plastic packaged semiconductor device having bonding wires which are prevented from coming into contact with each other in plastic sealing step
DE69024731T DE69024731T2 (de) 1989-09-12 1990-09-12 Verfahren zur Herstellung einer plastikumhüllten Halbleiteranordnung
KR1019900014334A KR910007094A (ko) 1989-09-12 1990-09-12 수지밀봉형 반도체장치
EP90117548A EP0419941B1 (en) 1989-09-12 1990-09-12 Method of producing a plastic packaged semiconductor device
KR94002040U KR940003288Y1 (en) 1989-09-12 1994-02-03 Plastic packaged semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035188B2 (en) 2004-07-28 2011-10-11 Panasonic Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5310526A (en) * 1990-10-30 1994-05-10 The Dow Chemical Company Chemical sensor
US5245214A (en) * 1991-06-06 1993-09-14 Northern Telecom Limited Method of designing a leadframe and a leadframe created thereby
JP2526787B2 (ja) * 1993-07-01 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体装置用リ―ドフレ―ム
US5684332A (en) * 1994-05-27 1997-11-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of packaging a semiconductor device with minimum bonding pad pitch and packaged device therefrom
US6909179B2 (en) * 1996-03-18 2005-06-21 Renesas Technology Corp. Lead frame and semiconductor device using the lead frame and method of manufacturing the same
JPH09312375A (ja) * 1996-03-18 1997-12-02 Hitachi Ltd リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
US5780772A (en) * 1997-01-24 1998-07-14 National Semiconductor Corporation Solution to mold wire sweep in fine pitch devices
KR100265461B1 (ko) * 1997-11-21 2000-09-15 윤종용 더미본딩와이어를포함하는반도체집적회로소자
US6297078B1 (en) 1997-12-31 2001-10-02 Intel Corporation Integrated circuit package with bond wires at the corners of an integrated circuit
US6444295B1 (en) 1998-12-29 2002-09-03 Industrial Technology Research Institute Method for improving integrated circuits bonding firmness
US6225685B1 (en) * 2000-04-05 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Lead frame design for reduced wire sweep having a defined gap between tie bars and lead pins
KR100642748B1 (ko) * 2004-07-24 2006-11-10 삼성전자주식회사 리드 프레임과 패키지 기판 및 이들을 이용한 패키지
US20060220191A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Honeywell International Inc. Electronic package with a stepped-pitch leadframe
WO2007015435A1 (ja) * 2005-08-01 2007-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5385541A (en) * 1977-01-07 1978-07-28 Hitachi Metals Ltd Exhaust heat recovery system for industial firing furnace
JPS5885541A (ja) * 1981-11-02 1983-05-21 テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド ワイヤ支持体を持つ半導体装置組立体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5479563A (en) * 1977-12-07 1979-06-25 Kyushu Nippon Electric Lead frame for semiconductor
JPS6046041A (ja) * 1983-08-24 1985-03-12 Nec Corp 半導体装置
WO1986002200A1 (en) * 1984-09-27 1986-04-10 Motorola, Inc. Lead frame having improved arrangement of supporting leads and semiconductor device employing the same
JPH0216565A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Mitsubishi Electric Corp 感光性樹脂組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5385541A (en) * 1977-01-07 1978-07-28 Hitachi Metals Ltd Exhaust heat recovery system for industial firing furnace
JPS5885541A (ja) * 1981-11-02 1983-05-21 テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド ワイヤ支持体を持つ半導体装置組立体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035188B2 (en) 2004-07-28 2011-10-11 Panasonic Corporation Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US5045919A (en) 1991-09-03
EP0419941A3 (en) 1992-10-07
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DE69024731D1 (de) 1996-02-22
EP0419941B1 (en) 1996-01-10

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