JPH0399450A - Semiconductor test device - Google Patents
Semiconductor test deviceInfo
- Publication number
- JPH0399450A JPH0399450A JP1235528A JP23552889A JPH0399450A JP H0399450 A JPH0399450 A JP H0399450A JP 1235528 A JP1235528 A JP 1235528A JP 23552889 A JP23552889 A JP 23552889A JP H0399450 A JPH0399450 A JP H0399450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prober
- wafer
- test head
- tester
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の特性試験を行うために用いられる半導体試
験装置に関し、
1個のテスタで複数枚のウェハの同時測定を可能にする
ことを目的とし、
プローバ本体と、該プローバ本体のステージ部に載置さ
れたウェハにプローブ針を接触させるテストヘッドと、
該テストヘッドと信号ケーブルで接続されたLSIテス
タとよりなる半導体試験装置において、上記ステージ部
に、それぞれウェハを載置してX、Y方向および回転方
向に位置調整できる複数個のウェハチャックを設けると
共に、上記テストヘッドには、前記ウェハチャックのそ
れぞれに対応してプローブカードを設け、1個のLSI
テスタで複数枚のウェハの特性を同時測定可能となるよ
うに構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a semiconductor testing device used for testing the characteristics of semiconductor devices, the purpose of the present invention is to enable simultaneous measurement of multiple wafers with one tester. and a test head that brings a probe needle into contact with a wafer placed on a stage portion of the prober main body;
In a semiconductor testing device comprising the test head and an LSI tester connected by a signal cable, a plurality of wafer chucks are provided on the stage portion, each of which can place a wafer and adjust its position in the X, Y directions, and rotational direction. In addition, the test head is provided with a probe card corresponding to each of the wafer chucks, and one LSI
The tester is configured so that characteristics of multiple wafers can be measured simultaneously.
本発明は半導体装置の特性試験を行うために用いられる
半導体試験装置に関する。The present invention relates to a semiconductor testing device used for testing the characteristics of semiconductor devices.
第3図は従来の半導体試験装置を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing a conventional semiconductor testing device.
これは、LSIテスタ1と、該LSIテスタ1に信号ケ
ーブル2で接続しているテストヘッド3と、XY座標・
プローバテスタI/Fケーブル4で接続しているプロー
バ本体5とよりなり、該プローバ本体5には、プローバ
コントロール部6ト、x軸周レール7及びY軸周レール
8でX、Y方向に移動できるステージ部9と、該ステー
ジ部上に設けられたウェハチャック10と、位置決め用
カメラ11とを有し、テストヘッド3にはプローブ針1
2が植設されたプローブカード13を有している。そし
てウェハチャック10に載置したウェハ14上に形成さ
れている半導体チップの所要の電極にプローブ針12を
接触させ、該半導体チップの特性をLSIテスタ1によ
り測定するようになっている。This consists of an LSI tester 1, a test head 3 connected to the LSI tester 1 with a signal cable 2, and an XY coordinate
The prober main body 5 is connected to a prober tester I/F cable 4, and the prober main body 5 includes a prober control section 6, an x-axis circumferential rail 7, and a Y-axis circumferential rail 8 for movement in the X and Y directions. The test head 3 includes a stage part 9, a wafer chuck 10 provided on the stage part, and a positioning camera 11.
2 has a probe card 13 implanted therein. Then, the probe needles 12 are brought into contact with required electrodes of the semiconductor chip formed on the wafer 14 placed on the wafer chuck 10, and the characteristics of the semiconductor chip are measured by the LSI tester 1.
上記従来の半導体試験装置では、1枚のウェハに形成さ
れている多数個の半導体チップを同時に測定する場合、
基板がN基板であると、第4図に示すように電源VDD
が共通であるため、チップAとチップBはGNDをリレ
ー15で分離しなければそれぞれの特性を測定すること
はできない。このためチップA又はBを測定するときリ
レー15が入るためその接点の容量及び抵抗等により特
性が悪く現われ、歩留低下の原因となる。In the conventional semiconductor test equipment described above, when simultaneously measuring a large number of semiconductor chips formed on one wafer,
If the board is an N board, the power supply VDD as shown in Figure 4.
Since they are common, it is not possible to measure the characteristics of chips A and B unless their GNDs are separated by a relay 15. For this reason, when measuring chip A or B, the relay 15 is turned on, resulting in poor characteristics due to the capacitance and resistance of its contacts, causing a decrease in yield.
従って、このような場合、特性良く測定するためには数
台のプローバを用いて、多ステーシヨンテスタを使用し
なければならないという問題があった。Therefore, in such a case, there is a problem in that in order to measure characteristics with good quality, it is necessary to use several probers and a multi-station tester.
本発明は上記従来の問題点に鑑み、1個のテスタで複数
枚のウェハを同時に測定することができる半導体試験装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned conventional problems, it is an object of the present invention to provide a semiconductor testing device that can simultaneously measure a plurality of wafers with one tester.
上記目的を達成するために本発明の半導体試験装置にお
いては、プローバ本体5と、該プローバ本体5のステー
ジ部9に載置されたウェハ14にプローブ針12を接触
させるテストヘッド3と、該テストヘッド3と信号ケー
ブル2で接続されたLSIテスタ1とよりなる半導体試
験装置において、上記ステージ部9にそれぞれウェハを
載置してX。In order to achieve the above object, the semiconductor testing device of the present invention includes a prober body 5, a test head 3 that brings the probe needle 12 into contact with the wafer 14 placed on the stage portion 9 of the prober body 5, and a In a semiconductor testing apparatus consisting of a head 3 and an LSI tester 1 connected by a signal cable 2, a wafer is placed on each of the stage parts 9 and X is applied.
Y方向及び回転方向に位置調整できる複数個のウェハチ
ャック10.10’を設けると共に、上記テストヘッド
3には前記ウェハチャック10.10’のそれぞれに対
応してプローブカード13.13’を設け、1個のLS
Iテスタ1で複数枚のウェハ14.14’の特性を同時
測定可能としたことを特徴とする。A plurality of wafer chucks 10.10' whose positions can be adjusted in the Y direction and the rotational direction are provided, and the test head 3 is provided with probe cards 13.13' corresponding to each of the wafer chucks 10.10', 1 LS
The I tester 1 is characterized in that the characteristics of a plurality of wafers 14, 14' can be measured simultaneously.
同一ステージ部9に複数個のウェハチャック10.10
’を設けると共にウェハチャック10.10’に対応し
てテストヘッド3に複数個のプローブカード13.13
’を設けることにより、ウェハチャック1o、xo′U
士は分離しているが同じステージ上にあるため、各チャ
ック10.10’は同じ動作をすることができるので1
個のLSIテスタ1で複数枚のウェハ14.14’の特
性を同時に測定することができる。Multiple wafer chucks 10.10 on the same stage section 9
A plurality of probe cards 13.13 are provided on the test head 3 corresponding to the wafer chuck 10.10'.
' By providing wafer chuck 1o, xo'U
Since the chucks are separated but on the same stage, each chuck 10.10' can perform the same operation, so 1
The characteristics of a plurality of wafers 14, 14' can be measured simultaneously with the LSI tester 1.
第1図は本発明の実施例を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
本実施例は、LSIテスタ1と、該LSIテスタ1に信
号ケーブル2で接続しているテストヘッド3と、xY座
標・プローバテスタI/Fケーブル4で接続しているプ
ローバ本体5とよりなり、該プローバ本体5には、プロ
ーバコントロール部6と、共通X軸周レール7及び共通
Y軸周レール8でX・Y方向に移動できるステージ部9
と位置決め用カメラ11とを有していることは第3図で
説明した従来例と同様であり、本実施例の要点は、プロ
ーバ本体5のステージ部9の上に複数個の回転可能な、
ウェハチャック10.10’及び該チャック10.10
’をそれぞれX、Y方向に移動させることができる個別
X軸周レール15及び個別Y軸周レール16とを設ける
と共に、テストヘッド3にはつエバチャック10.10
’ に対応してプローブカード13.13’を設けたこ
とである。This embodiment consists of an LSI tester 1, a test head 3 connected to the LSI tester 1 with a signal cable 2, and a prober main body 5 connected with an xY coordinate/prober tester I/F cable 4. The prober main body 5 includes a prober control section 6 and a stage section 9 that can move in the X and Y directions using a common X-axis circumferential rail 7 and a common Y-axis circumferential rail 8.
and a positioning camera 11 are similar to the conventional example explained in FIG.
wafer chuck 10.10' and said chuck 10.10
The test head 3 is provided with an individual X-axis circumferential rail 15 and an individual Y-axis circumferential rail 16 that can move the evaporator chuck 10 and 16 in the X and Y directions, respectively.
Probe cards 13 and 13' were provided in response to '.
このように構成された本実施例は、例えばLSIテスタ
1にテストチャンネル128ピン(他に256ピン、5
12ビン等あり)のものを用いた場合、そのテストチャ
ンネルを複数(図では2個)のプローブカード13.1
3’に等分し、一方のプローブカード13には1〜64
ビンを、他方のプローブカード13′には65〜128
ビンを配分し、それぞれをプローブ針12に接続して
おくことにより、LSIテスタ1は、1ピン=65ビン
、2ピン=66ビンといった様に1〜64ピン=65ピ
ン〜128 ピンに対して同じ信号を出し、2枚のウェ
ハ14,14’の特性を同時に測定することができる。In this embodiment configured in this way, for example, the LSI tester 1 has a test channel with 128 pins (another 256 pins, 5
12 bins etc.), the test channels can be connected to multiple (two in the figure) probe cards 13.1.
1 to 64 on one probe card 13.
65 to 128 to the other probe card 13'.
By allocating the bins and connecting them to the probe needles 12, the LSI tester 1 can detect pins 1 to 64 = pins 65 to 128, such as pin 1 = 65 bins, pin 2 = 66 bins, etc. It is possible to output the same signal and measure the characteristics of two wafers 14, 14' at the same time.
測定時のブローμは第2図に示す様に2枚のウェハ14
.14’に対し、そのチップの#1.#2・・・#Nと
測定する様にステージ部9がX軸・Y軸に動ごき、その
時のX/Y座標はウェハ14.14’とも同じ(ステー
ジ部が動くため)である。なお各ウェハ14,14’の
位置合わせは、予めカメラ11で各ウェハ14.14’
の基準位置を見て、それぞれの個別X軸周レール15と
個別Y軸周レール16とによりウェハチャック10.1
0’を移動して位置決めしておく。LSIテスタ1はX
/Y座標をプローバコントロール部6のxYコーデイネ
ータ17から受は取り、現在どのチップを測定している
かを知る事ができ、各ウェハ14.14’の測定状態が
、各測定時と同時に知ることができる。The blow μ at the time of measurement is as shown in Fig. 2.
.. 14' for that chip #1. The stage section 9 moves in the X-axis and Y-axis so as to measure #2...#N, and the X/Y coordinates at that time are the same as those of the wafers 14 and 14' (because the stage section moves). Note that the positioning of each wafer 14, 14' is performed in advance using the camera 11.
With reference to the reference position of
0' and position it. LSI tester 1 is X
/Y coordinate is received from the xY coordinator 17 of the prober control unit 6, and it is possible to know which chip is currently being measured, and the measurement status of each wafer 14, 14' can be known at the same time as each measurement. can.
以上説明した様に本発明によれば、1個のLSIテスタ
を用い、シングル測定と同特性で多数枚のウェハを同時
に測定することが可能となり、半導体装置の特性試験を
効率的に行うことが可能となる。またプロセス条件を変
えた複数枚のウェハを実験ロットとした場合、比較測定
が容易となるという利点もある。As explained above, according to the present invention, it is possible to simultaneously measure multiple wafers with the same characteristics as a single measurement using one LSI tester, and it is possible to efficiently perform characteristic tests on semiconductor devices. It becomes possible. Another advantage is that when a plurality of wafers under different process conditions are used as an experimental lot, comparative measurements can be easily made.
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は本発明の実施例によるウェハの測定順序を示す
図、
第3図は従来の半導体試験装置を示す図、第4図は発明
が解決しようとする問題点を説明するための図である。
図において、
1はLSIテスタ、
2は信号ケーブル、
3はテストヘッド、
4はxY座標・プローバテスタI/Fケーブノペ5はプ
ローバ本体、
6はプローバコントロール部、
7は共通X軸周レール、
8は共通Y軸周レール、
9はステージ部、
10.10’ はウェハチャック、
11はカメラ、
12はプローブ針、
13はプローブカード、
14.14’はウェハ、
15は個別X軸周レール、
16は個別Y軸周レール、
17はX/Yコーデイネータ
を示す。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a wafer measurement order according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing a conventional semiconductor testing device, and FIG. 4 is a diagram showing a conventional semiconductor testing device. FIG. 2 is a diagram for explaining a problem to be solved. In the figure, 1 is the LSI tester, 2 is the signal cable, 3 is the test head, 4 is the xY coordinate/prober tester I/F cable knob, 5 is the prober body, 6 is the prober control section, 7 is the common X-axis peripheral rail, 8 is the Common Y-axis circumferential rail, 9 is stage section, 10.10' is wafer chuck, 11 is camera, 12 is probe needle, 13 is probe card, 14.14' is wafer, 15 is individual X-axis circumferential rail, 16 is Individual Y-axis circumferential rails; 17 indicates an X/Y coordinator;
Claims (1)
テージ部(9)に載置されたウェハ(14)にプローブ
針(12)を接触させるテストヘッド(3)と、該テス
トヘッド(3)と信号ケーブル(2)で接続されたLS
Iテスタ(1)とよりなる半導体試験装置において、 上記ステージ部(9)に、それぞれウェハを載置してX
、Y方向及び回転方向に位置調整できる複数個のウェハ
チャック(10、10′)を設けると共に、上記テスト
ヘッド(3)には前記ウェハチャック(10、10′)
のそれぞれに対応してプローブカード(13、13′)
を設け、1個のLSIテスタ(1)で複数枚のウェハ(
14、14′)の特性を同時測定可能としたことを特徴
とする半導体試験装置。[Claims] 1. A test head (3) that brings a probe needle (12) into contact with a prober body (5) and a wafer (14) placed on a stage portion (9) of the prober body (5). and the LS connected to the test head (3) and the signal cable (2).
In a semiconductor testing device consisting of an I tester (1), a wafer is placed on each of the stage parts (9) and
, a plurality of wafer chucks (10, 10') whose positions can be adjusted in the Y direction and the rotational direction are provided, and the test head (3) is equipped with the wafer chucks (10, 10').
Probe cards (13, 13') corresponding to each
is installed, and one LSI tester (1) can test multiple wafers (
14. A semiconductor testing device characterized by being capable of simultaneously measuring the characteristics of 14 and 14').
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235528A JPH0399450A (en) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | Semiconductor test device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235528A JPH0399450A (en) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | Semiconductor test device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0399450A true JPH0399450A (en) | 1991-04-24 |
Family
ID=16987311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1235528A Pending JPH0399450A (en) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | Semiconductor test device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0399450A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844209B2 (en) * | 1998-04-28 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a matrix array of contacts and a fabrication process thereof |
| JP2013044665A (en) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Micronics Japan Co Ltd | Inspection apparatus and inspection method for light-emitting element |
| CN107863302A (en) * | 2017-11-02 | 2018-03-30 | 德淮半导体有限公司 | Test device and method of testing |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1235528A patent/JPH0399450A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844209B2 (en) * | 1998-04-28 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a matrix array of contacts and a fabrication process thereof |
| JP2013044665A (en) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Micronics Japan Co Ltd | Inspection apparatus and inspection method for light-emitting element |
| CN107863302A (en) * | 2017-11-02 | 2018-03-30 | 德淮半导体有限公司 | Test device and method of testing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293995B2 (en) | Probing apparatus and probing method | |
| JPH04130639A (en) | Method and device for detecting contact of needle of probe card with wafer | |
| US4052793A (en) | Method of obtaining proper probe alignment in a multiple contact environment | |
| JPH02257650A (en) | Self inspection device of integrated circuit | |
| CN108333395A (en) | A kind of probe card substrate based on wafer test design | |
| US8378698B2 (en) | Integrated circuit testing apparatus and method | |
| US6011405A (en) | Apparatus and method for probing multiple integrated circuit dice in a semiconductor wafer | |
| JPH0399450A (en) | Semiconductor test device | |
| US6262586B1 (en) | Probing method and apparatus utilizing an optimal probing mode | |
| JPS6024030A (en) | Semiconductor wafer prober | |
| JPS6184029A (en) | Semiconductor inspecting device | |
| JPH0346246A (en) | Inspecting device | |
| JPH0195529A (en) | Test method of wafer | |
| JPH1145916A (en) | Semiconductor wafer test apparatus and semiconductor wafer test method | |
| JPH02210276A (en) | Prober | |
| KR0127639B1 (en) | Probing test method and apparatus | |
| JPH0429350A (en) | Testing method for semiconductor | |
| JPH0353171A (en) | Semiconductor integrated circuit testing device | |
| JP2717884B2 (en) | Semiconductor wafer measurement method | |
| JPS6313341A (en) | Semiconductor integrated circuit and test method thereof | |
| JPH05315414A (en) | Probe card and inspecting method for its specification | |
| JPH01119769A (en) | Probe for inspecting apparatus | |
| JP2002340979A (en) | Method of operating measuring instrument | |
| JPS6115340A (en) | Wafer prober | |
| JPH0438846A (en) | Function test method of semiconductor integrated circuit device |