JPH04100051A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH04100051A JPH04100051A JP2068380A JP6838090A JPH04100051A JP H04100051 A JPH04100051 A JP H04100051A JP 2068380 A JP2068380 A JP 2068380A JP 6838090 A JP6838090 A JP 6838090A JP H04100051 A JPH04100051 A JP H04100051A
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- resist
- pattern
- pmma
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は超ＬＳＩ等の半導体装置の製造過程であるレ
ジストパターンの形成工程において、特に露光手段とし
て電子線を用いたレジストパターン形成方法に関するも
のである。
ジストパターンの形成工程において、特に露光手段とし
て電子線を用いたレジストパターン形成方法に関するも
のである。
（従来の技術）
第２図（ａ）〜第２図（ｅ）は従来のレジストパターン
の形成方法を説明するための工程断面図であり、まず第
２図（ａ）に示すように、Ｓｉ等の半導体基板（以下基
板という）１上にパターンを形成するためのＳｉＯ２等
の被加工膜２をスパッタ法などの手段により形成し、こ
の被加工膜２上には、レジスト膜３をスピンコード法に
より形成する。
の形成方法を説明するための工程断面図であり、まず第
２図（ａ）に示すように、Ｓｉ等の半導体基板（以下基
板という）１上にパターンを形成するためのＳｉＯ２等
の被加工膜２をスパッタ法などの手段により形成し、こ
の被加工膜２上には、レジスト膜３をスピンコード法に
より形成する。
次に、第２図０））に示すように、このレジスト膜３を
パターンの転写のために露光を行なう、この場合、従来
の露光方法の紫外線はマスクを通してレジスト全面に照
射するのが主流であったが、超ＬＳＩの高集積化等によ
り、パターンはより微細な寸法が望まれる。
パターンの転写のために露光を行なう、この場合、従来
の露光方法の紫外線はマスクを通してレジスト全面に照
射するのが主流であったが、超ＬＳＩの高集積化等によ
り、パターンはより微細な寸法が望まれる。
このため、近時短波長である電子線４を用いて、レジス
ト上に電子線４をパターンデータ通り走査させて露光す
る電子線直接描画によってパターン形成が行なわれる。
ト上に電子線４をパターンデータ通り走査させて露光す
る電子線直接描画によってパターン形成が行なわれる。
次に、上記電子ｗＡ４による露光後、基板１は第２図（
ｃ）に示すように現像され、レジスト３にパターンが形
成される。
ｃ）に示すように現像され、レジスト３にパターンが形
成される。
次に、第２図（ｄ）に示すように、被加工膜２にレジス
トパターンを転写するために、エツチングガスを用いて
、エツチングを行い、この後、第２図（→に示すように
、レジスト３は０□プラズマや溶剤を用いて除去され、
基板１上には、パターン形成された被加工膜２が残る。
トパターンを転写するために、エツチングガスを用いて
、エツチングを行い、この後、第２図（→に示すように
、レジスト３は０□プラズマや溶剤を用いて除去され、
基板１上には、パターン形成された被加工膜２が残る。
次に、第３図により電子線レジストであるＰＨＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート）と、紫外線レジストを用いた
Ｐ ＣＭ （Ｐｏｔａｂｌｅ ｃｏｍｆｏｒｍａｌ ｍ
ａｓｋ）法によるレジストパターン形成方法について説
明する。
リメチルメタクリレート）と、紫外線レジストを用いた
Ｐ ＣＭ （Ｐｏｔａｂｌｅ ｃｏｍｆｏｒｍａｌ ｍ
ａｓｋ）法によるレジストパターン形成方法について説
明する。
第３図（ａ）に示すように、基板１１上に被加工膜１２
を形成し、被加工膜１２上に、電子線レジストであるＰ
ＭＭＡ膜１３膜形３し、ＰＭＭＡ膜１３上に紫外線レジ
スト膜１５が形成されている。
を形成し、被加工膜１２上に、電子線レジストであるＰ
ＭＭＡ膜１３膜形３し、ＰＭＭＡ膜１３上に紫外線レジ
スト膜１５が形成されている。
ＰＭＭＡは溶剤がクロロベンゼン、紫外線レジストは溶
剤がエチルセロソルブアセテート（以下ＥＣＡという）
である。ＰＭＭＡはＥＣＡに溶解性があるために、ＰＭ
ＭＡ１３上に紫外線レジスト膜１５を形成すると、ＰＭ
ＭＡの表面が紫外線レジスト中に含有するＥＣＡに熔解
し、その結果、ＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジスト膜１５
の境界には、両方のレジストが混り合ったインクレイヤ
１４が形成される。
剤がエチルセロソルブアセテート（以下ＥＣＡという）
である。ＰＭＭＡはＥＣＡに溶解性があるために、ＰＭ
ＭＡ１３上に紫外線レジスト膜１５を形成すると、ＰＭ
ＭＡの表面が紫外線レジスト中に含有するＥＣＡに熔解
し、その結果、ＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジスト膜１５
の境界には、両方のレジストが混り合ったインクレイヤ
１４が形成される。
次に、第３図（ｂ）に示すように、紫外線レジスト膜１
５にマスク１６を通して、紫外線１７を照射し、現像し
てマスクパターンを紫外線レジスト膜１５に転写する。
５にマスク１６を通して、紫外線１７を照射し、現像し
てマスクパターンを紫外線レジスト膜１５に転写する。
次に、インクレイヤ１４を除去する。インクレイヤ１４
はＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジスト膜１５の両方の性質
をもつために、ＥＣＡのみやクロロベンゼンのみ、ある
いは両方の現像液には熔解しない。
はＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジスト膜１５の両方の性質
をもつために、ＥＣＡのみやクロロベンゼンのみ、ある
いは両方の現像液には熔解しない。
このために、インタレイヤ１４の除去には、第３図（ｃ
）に示すように、０□プラズマ１８を用いるか、あるい
はＥＣＡとクロロベンゼンの混合液を用いる。
）に示すように、０□プラズマ１８を用いるか、あるい
はＥＣＡとクロロベンゼンの混合液を用いる。
次に、第３図（（１）に示すように、ＰＭＭＡ膜１３膜
形３−ニングを行なう。ＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジス
トであるが、遠紫外線以下ＤＵＶ光（Ｄｅｅｐυ１ｔｒ
ａ Ｖｉｏｌｅｔ）に感度を有するため、ＤＵＶＵＶ光
査９板に一括照射し、現像処理を行ない第３図（ｅ）に
示すように、レジストパターンが形成される。
形３−ニングを行なう。ＰＭＭＡ膜１３膜形３線レジス
トであるが、遠紫外線以下ＤＵＶ光（Ｄｅｅｐυ１ｔｒ
ａ Ｖｉｏｌｅｔ）に感度を有するため、ＤＵＶＵＶ光
査９板に一括照射し、現像処理を行ない第３図（ｅ）に
示すように、レジストパターンが形成される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、電子線直接描画には、以下の欠点がある
。すなわち、電子線レジストには、解像性のよいものが
望まれるが、代表的な電子線レジストであるＰＭＭＡは
ポジ型の高解像レジストである。
。すなわち、電子線レジストには、解像性のよいものが
望まれるが、代表的な電子線レジストであるＰＭＭＡは
ポジ型の高解像レジストである。
しかし、ドライエツチング耐性に乏しく、第２図（ｄ）
の工程で被加工膜２をエツチングするときのエツチング
ガスにより、ＰＭＭＡ自身がエツチングされ、被加工膜
２をエツチングするときのマスクとはならない、そのた
め、ＰＭＭＡは高解像性を持ちながら、電子線直線描画
にはほとんど使用されていなかった。
の工程で被加工膜２をエツチングするときのエツチング
ガスにより、ＰＭＭＡ自身がエツチングされ、被加工膜
２をエツチングするときのマスクとはならない、そのた
め、ＰＭＭＡは高解像性を持ちながら、電子線直線描画
にはほとんど使用されていなかった。
一般に、電子線レジストは耐ドライエツチング性に乏し
く、そのため、Ｓｉ含有レジストや、多層レジストプロ
セスの開発が望まれている。この場合、レジスト膜を重
ねて形成するために、レジスト膜とレジスト膜の境界に
は両方のレジストが混り合ったインタレイヤが形成され
たりする問題もある。また、多層レジストプロセスは工
程が複雑であるという欠点がある。
く、そのため、Ｓｉ含有レジストや、多層レジストプロ
セスの開発が望まれている。この場合、レジスト膜を重
ねて形成するために、レジスト膜とレジスト膜の境界に
は両方のレジストが混り合ったインタレイヤが形成され
たりする問題もある。また、多層レジストプロセスは工
程が複雑であるという欠点がある。
この発明は前記従来技術が持っている問題点のうち、耐
ドライエツチング耐性に乏しい点と、多層レジストプロ
セスを使用する工程が複雑になるという点について解決
したレジストパターンを形成する方法を提供するもので
ある。
ドライエツチング耐性に乏しい点と、多層レジストプロ
セスを使用する工程が複雑になるという点について解決
したレジストパターンを形成する方法を提供するもので
ある。
（課題を解決するための手段）
この発明は前記問題点を解決するために、レジストパタ
ーン形成方法において、被加工膜上にノボラック系の紫
外線レジストを塗布して第１レジスト膜を形成した後、
第１レジスト膜上にＰＨＭＡ膜を形成する工程と、この
ＰＨＭＡ膜を電子線により露光してパターニングする工
程と、このバタニングされたＰＭＭＡｌｌｕをマスクと
して紫外線を照射して第１レジスト膜にＰＭＭＡ膜のパ
ターンを転写する工程とを導入したものである。
ーン形成方法において、被加工膜上にノボラック系の紫
外線レジストを塗布して第１レジスト膜を形成した後、
第１レジスト膜上にＰＨＭＡ膜を形成する工程と、この
ＰＨＭＡ膜を電子線により露光してパターニングする工
程と、このバタニングされたＰＭＭＡｌｌｕをマスクと
して紫外線を照射して第１レジスト膜にＰＭＭＡ膜のパ
ターンを転写する工程とを導入したものである。
（作 用）
この発明によれば、レジストパターン形成方法において
、以上のような工程を導入したので、耐ドライエツチン
グ性の優れたノボラック系の第１レジスト膜の溶剤はＰ
ＭＭＡ膜を溶解するが、ＰＭＭＡ膜の溶剤は第１レジス
ト膜を溶解せず、インタレイヤを発生させない。
、以上のような工程を導入したので、耐ドライエツチン
グ性の優れたノボラック系の第１レジスト膜の溶剤はＰ
ＭＭＡ膜を溶解するが、ＰＭＭＡ膜の溶剤は第１レジス
ト膜を溶解せず、インタレイヤを発生させない。
また、ＰＭＭＡ膜は紫外線を透過せず、Ｐ ＭＭＡ膜の
パターニング形成後、このＰＭＭＡ膜のパターンをマス
クとして、紫外線を第１レジスト膜に照射することによ
り、ＰＭＭＡ膜のパターンを第１レジスト膜に容易に転
写でき、したがって、前記問題点を除去できる。
パターニング形成後、このＰＭＭＡ膜のパターンをマス
クとして、紫外線を第１レジスト膜に照射することによ
り、ＰＭＭＡ膜のパターンを第１レジスト膜に容易に転
写でき、したがって、前記問題点を除去できる。
（実施例）
以下、この発明のレジストパターン形成方法の実施例に
ついて図面に基づき説明する。第１図（ａ）〜第１図（
ｆ）はその一実施例を説明するための工程断面図である
。
ついて図面に基づき説明する。第１図（ａ）〜第１図（
ｆ）はその一実施例を説明するための工程断面図である
。
まず、第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ等の半導体基板
（以下基板という）２１上に酸化膜や窒化膜等の被加工
膜２２をスパッタ法等の手段により形成し、この基板２
１を１００〜２００℃のホットプレートで約１００秒ベ
ータし、ヘキサメチルジシラン液（ＨＭＤＳ）で表面処
理した後、ノボランク系ＵＶ（紫外線）レジストである
東京応化社製の７５ＭＲ８９００（東京応化社の商品名
）をスピンコード法により塗布する。
（以下基板という）２１上に酸化膜や窒化膜等の被加工
膜２２をスパッタ法等の手段により形成し、この基板２
１を１００〜２００℃のホットプレートで約１００秒ベ
ータし、ヘキサメチルジシラン液（ＨＭＤＳ）で表面処
理した後、ノボランク系ＵＶ（紫外線）レジストである
東京応化社製の７５ＭＲ８９００（東京応化社の商品名
）をスピンコード法により塗布する。
次に、９０°〜２００℃のホットプレートで６０〜１２
０秒ベータし、第１レジスト膜２３を９０００〜１２０
００人の厚さで形成する。
０秒ベータし、第１レジスト膜２３を９０００〜１２０
００人の厚さで形成する。
次に、第１レジスト膜２３上にＰＭＭＡレジストを塗布
し、１００〜１８０℃のホットプレートで１００〜１２
０秒ベークし、ＰＭＭＡ膜２４膜量４００〜６０００人
の厚さに形成する。
し、１００〜１８０℃のホットプレートで１００〜１２
０秒ベークし、ＰＭＭＡ膜２４膜量４００〜６０００人
の厚さに形成する。
この時、ＰＭＭＡレジストの溶剤クロロベンゼンはノボ
ラック系ＵＶレジストの溶剤ＴＳＭＲ８９００を溶解し
ないため、インタレイヤは形成されない。
ラック系ＵＶレジストの溶剤ＴＳＭＲ８９００を溶解し
ないため、インタレイヤは形成されない。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ＰＭＭＡ膜２４膜量
４線２５を用いて露光量３０〜４０ｘ／ｃ＋ａ、加速電
圧２０ＫＶで直接描画する。
４線２５を用いて露光量３０〜４０ｘ／ｃ＋ａ、加速電
圧２０ＫＶで直接描画する。
この後、ＰＭＭＡ膜２４膜クロロベンゼンとキシレンの
混合溶液（クロロベンゼン３３％）に１００〜１８０秒
浸漬することによって現像し、１００〜１２０°Ｃのホ
ットプレートで６０〜１２０秒ポストヘークし、ＰＭＭ
Ａ膜２４膜量４−ンを形成する。
混合溶液（クロロベンゼン３３％）に１００〜１８０秒
浸漬することによって現像し、１００〜１２０°Ｃのホ
ットプレートで６０〜１２０秒ポストヘークし、ＰＭＭ
Ａ膜２４膜量４−ンを形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、この基板に波長的３
００〜４００ｎ−のＵＶ光２６を一括照射し、ＰＭＭＡ
膜２４膜量４−ンをマスクとして、ＰＭＭＡ膜２４膜量
４−ンを第１レジスト膜２３（７５ＭＲ８９００）に転
写する。
００〜４００ｎ−のＵＶ光２６を一括照射し、ＰＭＭＡ
膜２４膜量４−ンをマスクとして、ＰＭＭＡ膜２４膜量
４−ンを第１レジスト膜２３（７５ＭＲ８９００）に転
写する。
ノボラック系ＵＶレジストの溶剤である７５ＭＲ８９０
０で形成された第１レジスト膜２３は第１図（ｄ）に示
すように、アルカリ系現像液２７で現像される。
０で形成された第１レジスト膜２３は第１図（ｄ）に示
すように、アルカリ系現像液２７で現像される。
次に、第１図（ｅ）に示すように、第１レジスト膜２３
およびＰＭＭＡ膜２４膜量４クとして、被加工膜２２を
ドライエツチングし、被加工膜２２のパターンを形成す
る。この時、ＰＭＭＡＩＩＩ２４は被加工膜２２のエツ
チングガスにより除去される。
およびＰＭＭＡ膜２４膜量４クとして、被加工膜２２を
ドライエツチングし、被加工膜２２のパターンを形成す
る。この時、ＰＭＭＡＩＩＩ２４は被加工膜２２のエツ
チングガスにより除去される。
さらに、第１図（ｆ）に示すように、第１レジスト膜２
３は０□プラズマ、溶剤等を用いて除去され、基板２１
上に被加工膜２２のパターン形成が終了する。
３は０□プラズマ、溶剤等を用いて除去され、基板２１
上に被加工膜２２のパターン形成が終了する。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明によれば、基板上
の被加工膜上に耐ドライエツチング性に優れた第１レジ
スト膜を形成した後に、ＰＭＭＡを塗布してＰＭＭＡ膜
を形成するようにしたので、インタレイヤが形成されず
、したがってインタレイヤを除去する工程が削減される
。
の被加工膜上に耐ドライエツチング性に優れた第１レジ
スト膜を形成した後に、ＰＭＭＡを塗布してＰＭＭＡ膜
を形成するようにしたので、インタレイヤが形成されず
、したがってインタレイヤを除去する工程が削減される
。
さらに、ＰＭＭＡ膜で形成したレジストパターンを第１
レジスト膜に転写するようにしたので、ＰＭＭＡ膜に耐
ドライエツチング性がなくても、耐ドライエツチング性
に優れたパターンの形成が可能である。
レジスト膜に転写するようにしたので、ＰＭＭＡ膜に耐
ドライエツチング性がなくても、耐ドライエツチング性
に優れたパターンの形成が可能である。
第１図（ａ）ないし第１図（ｆ）はこの発明のレジスト
パターンの形成方法の一実施例の工程断面図、第２図（
樽ないし第２図（ｅ）および第３図（ａ）ないし第３図
（ｆ）はそれぞれ従来のレジストパターンの形成方法の
工程断面図である。 ２１・・・基板、２２・・・被加工膜、２３・・・第１
レジスト膜、２４・・・ＰＭＭＡ膜、２５・・・電子線
、２６・・・ＵＶ光。 θ ４：零子惇 ！９−円 牛象の二１！閘“面７ 第２図 ィ芝釆の二↑−ｒ元ヱ 第３図 手続補正書 （方式） ％式％ 事件の表示 平成２年 特 許 願 第６８３８０号 ２゜ 発明の名称 レジストパターン形成方法 ３゜ 補正をする者 事件との関係
パターンの形成方法の一実施例の工程断面図、第２図（
樽ないし第２図（ｅ）および第３図（ａ）ないし第３図
（ｆ）はそれぞれ従来のレジストパターンの形成方法の
工程断面図である。 ２１・・・基板、２２・・・被加工膜、２３・・・第１
レジスト膜、２４・・・ＰＭＭＡ膜、２５・・・電子線
、２６・・・ＵＶ光。 θ ４：零子惇 ！９−円 牛象の二１！閘“面７ 第２図 ィ芝釆の二↑−ｒ元ヱ 第３図 手続補正書 （方式） ％式％ 事件の表示 平成２年 特 許 願 第６８３８０号 ２゜ 発明の名称 レジストパターン形成方法 ３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体基板上にノボラック系の紫外線レジストを
塗布して第１レジスト膜を形成する工程と、（ｂ）この
第１レジスト膜上に光感光性を残したまま上層レジスト
としてポリメチルメタクリレート膜を形成する工程と、 （ｃ）このポリメチルメタクリレート膜を電子線により
露光および現像してパターニングする工程と、（ｄ）パ
ターニングされた上記ポリメチルメタクリレート膜をマ
スクとして紫外線で一括露光することによりポリメチル
メタクリレート膜のパターンを上記第１レジスト膜に転
写する工程と、 よりなるレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068380A JPH04100051A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068380A JPH04100051A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100051A true JPH04100051A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=13372071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2068380A Pending JPH04100051A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024520859A (ja) * | 2021-06-11 | 2024-05-24 | 上▲海▼▲微▼起光▲電▼科技有限公司 | ２層フォトレジストに基づくフォトリソグラフィ方法 |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2068380A patent/JPH04100051A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024520859A (ja) * | 2021-06-11 | 2024-05-24 | 上▲海▼▲微▼起光▲電▼科技有限公司 | ２層フォトレジストに基づくフォトリソグラフィ方法 |
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