JPH04100458A - 変調器およびミキサ - Google Patents
変調器およびミキサInfo
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- JPH04100458A JPH04100458A JP2410128A JP41012890A JPH04100458A JP H04100458 A JPH04100458 A JP H04100458A JP 2410128 A JP2410128 A JP 2410128A JP 41012890 A JP41012890 A JP 41012890A JP H04100458 A JPH04100458 A JP H04100458A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/32—Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
- H04L27/34—Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
- H04L27/36—Modulator circuits; Transmitter circuits
- H04L27/362—Modulation using more than one carrier, e.g. with quadrature carriers, separately amplitude modulated
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Reduction Or Emphasis Of Bandwidth Of Signals (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
本発明は電気的に短いパスおよび位相遅延パスがキャリ
ア入力から信号出力に導かれ、位相遅延パス中のキャリ
アの位相は電気的に短いパスにおけるキャリアの位相に
比較してほぼ180°または180°の奇数倍の位相シ
フトを経験し、位相方向と反対の極性を有し、キャリア
に関して一致した動作ができるように2つのパス上に設
けられる2つのパスのそれぞれに位置され、変調器が信
号に関してプッシュプル動作ができるように信号入力が
位相遅延パスに結合される1つのキャリア入力と、1つ
の信号入力と、および1つの信号出力とを具備し、キャ
リアおよび変調信号から変調されたキャリア信号を生成
する変調器およびそのミキサとしての使用に関する。 [0002]
ア入力から信号出力に導かれ、位相遅延パス中のキャリ
アの位相は電気的に短いパスにおけるキャリアの位相に
比較してほぼ180°または180°の奇数倍の位相シ
フトを経験し、位相方向と反対の極性を有し、キャリア
に関して一致した動作ができるように2つのパス上に設
けられる2つのパスのそれぞれに位置され、変調器が信
号に関してプッシュプル動作ができるように信号入力が
位相遅延パスに結合される1つのキャリア入力と、1つ
の信号入力と、および1つの信号出力とを具備し、キャ
リアおよび変調信号から変調されたキャリア信号を生成
する変調器およびそのミキサとしての使用に関する。 [0002]
デジタルメツセージの伝送のために信号は変調器によっ
てキャリアに変調される。既知の伝送スキムは、キャリ
アおよび信号入力および信号出力が次のように結合され
る直接変調器を使用する。キャリア入力および信号出力
は通路の1つの上に設けられた位相遅延ラインを備えた
2つの通路を介して互いに結合される。 さらに、非直線半導体素子がそれらの極性および180
°の公称位相遅延を持つ位相遅延ラインの配列のために
キャリアと同時に同期してスイッチされるように2つの
各通路上に非直線半導体素子が設けられる。したがって
、キャリアは信号出力において抑制される。変調電圧の
形態の信号が遅延通路に供給された場合、非直線半導体
素子は信号出力でキャリアを変調させる変調電圧に同期
して交互にスイッチされる。このような変調器はまたミ
キサとして使用されることができる。 上記の原理による変調器動作の特定の実施例およびその
ミキサとしての使用は、ドイツ国特許出願第22446
42号明細書に記載されている。その特許明細書に記載
された変調器の位相遅延ラインはキャリアの中心周波数
λ/2の長さを有する導電素子からなる。 [0003]
てキャリアに変調される。既知の伝送スキムは、キャリ
アおよび信号入力および信号出力が次のように結合され
る直接変調器を使用する。キャリア入力および信号出力
は通路の1つの上に設けられた位相遅延ラインを備えた
2つの通路を介して互いに結合される。 さらに、非直線半導体素子がそれらの極性および180
°の公称位相遅延を持つ位相遅延ラインの配列のために
キャリアと同時に同期してスイッチされるように2つの
各通路上に非直線半導体素子が設けられる。したがって
、キャリアは信号出力において抑制される。変調電圧の
形態の信号が遅延通路に供給された場合、非直線半導体
素子は信号出力でキャリアを変調させる変調電圧に同期
して交互にスイッチされる。このような変調器はまたミ
キサとして使用されることができる。 上記の原理による変調器動作の特定の実施例およびその
ミキサとしての使用は、ドイツ国特許出願第22446
42号明細書に記載されている。その特許明細書に記載
された変調器の位相遅延ラインはキャリアの中心周波数
λ/2の長さを有する導電素子からなる。 [0003]
既知の振幅変調器は、一方が電気的に短い通路を介し、
他方が位オ目遅延路を介する2つの伝送路の異なるレイ
アウトによる限定されたキャリア抑制を有し、低レベル
の変調形態に対してのみ使用されることができる。 [0004] 本発明の目的は、キャリア電圧がもっと強く抑制される
変調器を提供することである。 [0005]
他方が位オ目遅延路を介する2つの伝送路の異なるレイ
アウトによる限定されたキャリア抑制を有し、低レベル
の変調形態に対してのみ使用されることができる。 [0004] 本発明の目的は、キャリア電圧がもっと強く抑制される
変調器を提供することである。 [0005]
この目的は、変調器が2個の部分変調器から構成された
二重変調器として設計され、2個の部分変調器の2つの
キャリア入力および2つの信号出力が互いにそれぞれ結
合され、2個の部分変調器の180°位相シフトされた
変調キャリア電圧のスカラー加算を行うメカニズムが設
けられていることを特徴とする変調器によるゲート状配
列で達成される。 [0006] 本発明の付加的な実施態様はその他の請求項および以下
の説明部分に認められる。 [0007] 本発明により得られた利点は、特に無線リンクシステム
に存在する温度範囲に対する変調器のキャリア抑制の温
度依存性が無視できるほどであり、振幅直線性が改良さ
れ、位相接続の周波数依存性が減少されることである。 [0008] 本発明の詳細な説明は、第1図乃至第4図により変調器
の実施例を示す。本発明がどのようにミキサとして使用
されるかは説明の終りに示されている。 [0009]
二重変調器として設計され、2個の部分変調器の2つの
キャリア入力および2つの信号出力が互いにそれぞれ結
合され、2個の部分変調器の180°位相シフトされた
変調キャリア電圧のスカラー加算を行うメカニズムが設
けられていることを特徴とする変調器によるゲート状配
列で達成される。 [0006] 本発明の付加的な実施態様はその他の請求項および以下
の説明部分に認められる。 [0007] 本発明により得られた利点は、特に無線リンクシステム
に存在する温度範囲に対する変調器のキャリア抑制の温
度依存性が無視できるほどであり、振幅直線性が改良さ
れ、位相接続の周波数依存性が減少されることである。 [0008] 本発明の詳細な説明は、第1図乃至第4図により変調器
の実施例を示す。本発明がどのようにミキサとして使用
されるかは説明の終りに示されている。 [0009]
図1における二重変調器1の基本構造の説明のために、
動作モードにより既知の部分変調器1′および1″が最
初に、続いて本発明による二重変調器1が説明される。 [0010] 部分変調器1′および1″の説明のうち特に部分変調器
1′だけを参照するが2つの部分変調器1′および1″
は同じ構造および同じ動作を有するため、部分変調器1
″にも適合する。 [0011] 部分変調器1′はキャリア入力2′、信号入力4′およ
び信号出力3′を含む′に存在する。2つの通路はキャ
リア入力2′から部分変調器1 の信号出力3へ達する
。すなわち、電気的に短い通路7′および180°まな
は180°の奇数位相遅延通路6′に達する。同じ位相
を有する同じ電力はキャリア入力2′から2つの通路の
それぞれ供給される。半導体ダイオードD D’
は2つの通路のそれぞれに設けられ、2つのダイオード
は信号出力3′に関して逆の極性を有する。 [0012] 位相遅延通路7′上の半導体ダイオードD2′は、2つ
の半導体ダイオードD。 記載された部分において、回路がブリッジとして動作す
るため、半導体ダイオ−最適化が要求される。このため
に、変調器は非変調状態における平衡のために調される
。 [0013] の説明はこれがどのように行われるかを明確にする。信
号入力4′はローパスフィルタ18’ 19’を具備
し、信号出力はバイパスフィルタ20′を具備している
。 [0014] 半導体ダイオードD ′およびD2′を選択するために
十分に高い振幅を持つ変調電圧Umが信号入力4’
4″に供給される場合、第1の半導体ダイオードれた場
合、U の符号も変化され、結果的に位相反転が生じる
。 mC [0015] 振幅直線性を得るために、比較的小さい変調電圧U ′
が信号入力4′に供給され、それによって半導体ダイオ
ード例えばDl ′は他方の半導体ダイオード例えばD
2′より導電度が小さい。それによって、平衡は信号出
力3’ 3”に対してのみシフトされ、したがって結
果的に変調されたキャリア電圧U が発生さmC れる。変調されたキャリア電圧U の振幅は、変調電圧
U の大きさに依存し、mCm 位相は変調電圧U 符号に依存する。正の変調電圧U
が例えば信号入力4′にcm
cm供給された場
合、半導体ダイオードD1′は半導体ダイオードD2′
より導電的であり、それによって電気的に短い通路7′
が位相遅延通路6′より低いインピーダンスを有し、電
気的に短い通路7′上の伝送が支配的である。変調電圧
Umが負ならば、動作は正反対である。 [0016] 前記された部分変調器は理想的な素子から構成されない
から、結果的に得られたキャリア電圧U は変調電圧U
がなくても信号出力3′に存在する。 mCm [0017] したがって、説明された部分変調器1′は、デジタル直
接変調器の一部として機能する単一の伝送モード位相調
節器を表す。 [0018] このような変調器の構成において、キャリア抑制および
振幅直線性に必要な両ブリッジ平衡が例えば半導体ダイ
オードおよびそれらの寄生素子の非平衡によりて中断さ
れ、変調器の理想的な動作特性から外れることを想定す
ることは容易である。さらに、伝送はある場合に電気的
に短い通路7′を介して、また別の場合には位相遅延通
路6を介して行われる。2つの通路はまた構造的に電気
的に等しくないなめ、グループ遅延はまた2つの通路に
おいて等しくなく、別の方法により補償されなければな
らない高周波数依存性に至る。 [0019] 供給される変調電圧U がない場合のキャリア抑制の問
題は、調節可能な抵抗RRにより本発明のある観点およ
び図1に示された二重変調器1の対称的な構造により本
発明の別の観点にしたがって解決される。 [00201 二重変調器1において、2つのキャリア入力2’ 2
”はO°電力分割器37を介して二重変調器1の共通の
キャリア入力に接続され、直流的にキャパシタCkIC
k1″によって分離される。2つの信号出力3 3″は
例えばプッシュプル変調器1の出力3を形成する2次巻
線を持つ変成器11のような電力結合器において結合さ
れる。2つの信号入力4’ 4”は同じ変調信号を供
給され、それによって信号インバータ(示されていない
)は大きさが等しく符号が逆の変調電圧入力4’ 4
”の一方の前に設けられる。変調信号を反転する代りに
、信号入力4’ 4”に対して同じ符号であるが、キ
ャリア入力2に対する部分変調器1のダイオード対D
rp D reが部分変調器1 のダイオード対
D D2に関して極性が逆の変調信号を供給するこ
ともできる。 [0021] 二重変調器1のキャリア入力2は例えば信号入力4′に
おける正の変調電圧Uに短い通路7′を介しておよび部
分変調器1″の位相遅延通路6および変成器11を介し
て変調電圧U の振幅にしたがって信号出力3と結合さ
れる。信号入力44″における変調電圧U の逆の符号
により、部分変調器1 の位相遅延通路6′および部分
変調器1″の電気的に短い通路7′を介して接続が行わ
れる。 [0022] 任意の場合において、伝送は常に電気的に短い通路7’
7”の一方および位相遅延通路6″ 6 の一方の
両者を介して生じる。このようにして部分変調器1 1
″の技術的な不十分さは補償され、グループ遅延時間は
実質的にいずれかの場合に等しく、二重変調器1は典型
的に無線リンクシステムに設けられているキャリア周波
数内において良好な温度安定性および振幅直線性を示し
、周波数独立性である。 [0023] 二重変調器1の第1の実施例は図2に示されている。そ
れは図1に示されたものと同じ機能ユニットを有するが
、物理的に平面的なマイクロストリップ技術を使用して
ギガヘルツ範囲の周波数を持つキャリアU およびメガ
ヘルツ範囲の周波数を持つ変調電圧U 用に設計されて
いる。機能ユニットの配列は図1のものに対応する。以
下、実施例1に特有の機能ユニットだけを詳細に説明す
る。図1と同様に同じ機能ユニットは同じ符号を付けら
れている。 [0024] 二重プッシュプル変調器1は、共通のキャリア入力2お
よび共通の信号出力3を具備した2つの部分変調器1
1″を有する。キャリア電圧U はいわゆる゛′ウィル
キンソン(Wi 1kinson)結合器″12を介し
て2つの部分変調器11″のキャリア入力2’ 2”
に供給される。2つのキャリア入力2’ 2”はそれ
ぞれウィルキンソン結合器12のキャパシタCC″を介
して直流的に分kl kl 離される。信号出力3 3″はいわゆる″比率レースリ
ング″の形態の180゜電力結合器50を介して結合さ
れる。 [0025] 比率レースリング50は入力としての部分変調器1 1
″の2つの信号出力33″ 出力としての二重プッシュ
プル変調器1の出力3および接地に対して50オームの
接続13を有する。それは変調されたキャリア電圧U
の位相の反復的C 180°シフトを実行し、部分変調器1″から現れるキ
ャリア電圧U に対して部C 分変調器1′から現れ、したがって適切に位相関係でこ
れらを結合する。 [0026] 図2において、2つの部分変調器1 1″はそれぞれ長
方形の表面を包囲する4つのストリップ14’ 14
” 15’ 15” 16’ 16″17’
(17a、17b’)17″(17a″17b”)を
有し、ここでストリップ14’ 15’ ;15’
16’および16’ 17b’の間の3つの外側の
隅はストリップ14″15″:15″16”およヒ16
″17b″に対応し、45°の角度を付けられている。 ストリップ17’ 17”は中心で遮断され、2つの
ストリップセクション17a 、17a”および17b
’ 17b// を有する。キャリア入力2’ 2
”はストリップ14 ’ 17a : 14″17
a″間の端部に設けられている。ストリップセクション
17a′、17a” と信号出力33″の間には半導
体ダイオードD1 ′D1″がストリップセクション1
7a′、17a″から見てpn方向に設けられ、ストリ
ップセクション17b′、17b″ と信号出力3’
3”の間には半導体ダイオードD2 ′D2 ”がス
トリップセクション17b′、17b”から見てnp力
方向設けられている。 [0027] ストリップセクション17a 、17a”および半導体
ダイオードDI ’ DI ”は電気個的に短い通路
7’ 7”を形成し、ストリップセクション14’
15’ 16’ストリツプセクシヨン17b′、お
よび半導体ダイオードD 並びにセクション14”
15” 16” 17b” および半導体ダ
イオードD2″は位相遅延通路66″を形成し、それに
よってストリップ14.15.16およびセクション1
7bからストリップセクション17aの長さを減じたも
のはキャリアの中心周波数の1/2波長を有し、したが
って位相遅延ライン9’ 9”表す。ここでストリッ
プ14・14″乃至17’ 17”が長方形表面を包
囲するが、位相遅延通路6’ 6”と電気個的に短い
通路7’ 7”との間の通路長の差がキャリアの中心
周波数の1−/2の長さまたはこの1/2波長の奇数倍
に対応することは重要ではない。2つの通路間の長さの
差は所望する180°の位相遅延を発生させる。 [0028] ストリップ15上において、信号入力4’ 4”は長
さに関して中心に設けられる。信号出力3’ 3″に
対称的に信号入力4’ 4”を位置することが有効で
ある。1つ信号入力の代わりに2つ以上の信号入力を有
することもできる。信号入力4’ 4”は、キャリア
の変調電源へのエスケープを阻止するフィルタ素子18
’ 18” 19’ 19”を具備している。信
号出力3’ 3”は、変調信号Um用ライン20’
20”を介して接地に結合される。部分変調器1 1
″の制御のために信号入力4’ 4”に設けられた調
節可能な抵抗RRは図2には示されていない。 [0029] 例示的な実施例1による二重変調器1は、設けられたダ
イオードD Dlす る。 [00301 二重変調器1の第2の例示的な実施例は図3に示されて
いる。第1の例示的な実施例の二重変調器1の場合のよ
うに、第2の例示的な実施例もまた図1に示されたもの
と同じ機能ユニットを有する。したがって、同じ特徴は
同じ参照符号を付けられている。図3の実施例は物理的
にメガヘルツ範囲のキャリアU 用の波長および対応的
に低い変調信号U の周波数を持つように構成されてい
る。 【003月 二重変調器1は共通の信号出力3を具備した2つの部分
変調器1 1″を有する。キャリアU は、−側で接地
22に、他方の側でキャリア入力2’ 2”に結合さ
れた発振器21中で発生される。発振器21とキャリア
入力2’ 2”との間にはオートトランス23がある
。ここで発振器21はタップ24に供給され、2つのコ
イル端部25’ 25″は結合キャパシタcc”を介
してキャリア入力2′kl kl 2″に結合される。オートトランス23はO°電力分割
器および発振器21の内部抵抗である抵抗R2□を表す
。 [0032] 信号出力3’ 3″は、変成器11として機能する変
成器27の主巻線26の2つのコイル端部に結合される
。2次巻線のコイル端部はプッシュプル変調器1の信号
出力3を表す。信号出力3における変調電圧U の抑制
のために、高いインピーダンス並列共振回路29’
29″は1次巻線26のコイル端部と変調電圧U 用の
信号出力3 3″の間にそれそ゛れ設けられている。 [0033] 2つの部分変調器1 1″はそれぞれ位相遅延通路6
6″および電気的に短い通路7’ 7″を有する。位
相遅延通路6’ 6″はオートトランス30′30″
および半導体ダイオードD D2″を有する。オー
トトランス30′30″は、キャリアの位相が180°
反転を経5験する位相遅延ライン9を表わす。電気的に
短い通路7’ 7”は半導体ダイオードD D
1 ”を有する。ダイ第−ドの極性は例示的な実施例
1のものに対応する。 [0034] 信号出力3 3″とタップ33’ 33”との間にお
いて、変調信号は出力33″に供給され、並列共振回路
35′、35″を介してタップ33’ 33”に結合
される発振器34’ 34”中で発生される。抵抗R
R”は発振器34’ 34”の内部抵抗を現す。並列
共振回路35’ 35”はキャリアU 用の高いイン
ピーダC ンスを有する。 [0035] オートトランス30’ 30″の2つの巻線セクショ
ン31’ 32’ ;31” 32″および2つの
半導体ダイオードD D”;D D”は、
ホイートストンブリッジとして動作し、それによって供
給される変調電圧U がない限り、信m 号出力3 3″とタップ33’ 33”との間にお
いて平衡が作用する。しかしながら、変調電圧U が供
給された場合、ブリッジの平衡は消去され、変調された
m キャリア電圧U は出力3 3″に供給される。 mC [0036] オートトランス30’ 30”は理想的な特性を生成
されることができないから、に出力3 3″において
全キャリア電圧抑制を最終的に阻止する特定の位相エラ
ーを与えられる。この残りのキャリア電圧は、2つの部
分変調器1 1″の同じ対称的な配列によってほとん
ど抑制される。 [0037] 図4は、140 mbpsのビット率周波数に対する既
知の160AM変調器49(直角振輻変調)の概略図を
示す。それは本質的に第1の二重変調器40が■成分用
の信号を出力し、第2の二重変調器41がQ成分用の信
号を出力する2つの二重変調器4041から構成される
。2つの素子は電力結合器42において直交するように
結合されている。 [0038] 電力結合器42の出力43は16QAM変調器49の出
力を形成する。キャリアU はC いわゆる″′ウィルキンソン結合器゜゛45を介して2
つの変調器40、41のキャリア入力2に供給される。 ■またはQ成分用の変調器信号はそれぞれ2つの二重変
調器40、41の信号入力46、47に供給され、それ
によって各場合に同じ量である力飄符号が反対の変調信
号U が1またはQ成分用の二重変調器40、41に供
給される。 m [0039] 半導体ダイオードD D ;D D2″として
特に適切なのは、例えばピンダイオードより短い遅延時
間を有するショッツキダイオードである。ダイオードの
温度依存性はブリッジ回路における対にした配列により
補償される。 ダイオード中の構造に関係する相違は例えば信号入力で
の調節可能な抵抗を介するdc雷電圧供給によって平衡
をされなければならず、したがってキャリア抑制は最適
化されなければならない。分離した抵抗は、変調電圧U
が供給されないときにブリッジ平衡が与えられるよ
うに調節される。 [00401 記載された変調器1はまた送信ミキサまなは受信ミキサ
(示されていない)として動作される。第1の例示的な
実施例の変調器1の適用は送信ミキサの一例として使用
される。第1の例示的な実施例に示された信号入力4′
および4″がここにおいて変換される周波数を持つ信号
の結合のために設けられている。図2に示されているよ
うに、キャリア入力2″に関するダイオード対DD
の極性がダイオードD / / D / /の
ものに整合するとき、変換される周波数を持つ信号は2
つの信号入力の一方において反転されなければならない
。キャリア入力2″に関するダイオード対D D
’の極性がダイオード対D ″ D2″のものに整合し
ない場合、2つの信号入力は直接互いに結合されること
ができる。 [0041] 同じことは、受信側で画像抑制ミキサとして、および送
信側で単一サイドバンドミキサとして動作されることが
できるミキサとして16QAM変調器49を適用するこ
とに関しても言える。しかしながら、このために2つの
結合ブランチ■およびQを使用することによりに90°
電力結合器を介してそれらを互いに結合することが必要
である。 [0042] ミキサとして変調器を適用することは原理的に知られて
おり、したがって説明は不要である。
動作モードにより既知の部分変調器1′および1″が最
初に、続いて本発明による二重変調器1が説明される。 [0010] 部分変調器1′および1″の説明のうち特に部分変調器
1′だけを参照するが2つの部分変調器1′および1″
は同じ構造および同じ動作を有するため、部分変調器1
″にも適合する。 [0011] 部分変調器1′はキャリア入力2′、信号入力4′およ
び信号出力3′を含む′に存在する。2つの通路はキャ
リア入力2′から部分変調器1 の信号出力3へ達する
。すなわち、電気的に短い通路7′および180°まな
は180°の奇数位相遅延通路6′に達する。同じ位相
を有する同じ電力はキャリア入力2′から2つの通路の
それぞれ供給される。半導体ダイオードD D’
は2つの通路のそれぞれに設けられ、2つのダイオード
は信号出力3′に関して逆の極性を有する。 [0012] 位相遅延通路7′上の半導体ダイオードD2′は、2つ
の半導体ダイオードD。 記載された部分において、回路がブリッジとして動作す
るため、半導体ダイオ−最適化が要求される。このため
に、変調器は非変調状態における平衡のために調される
。 [0013] の説明はこれがどのように行われるかを明確にする。信
号入力4′はローパスフィルタ18’ 19’を具備
し、信号出力はバイパスフィルタ20′を具備している
。 [0014] 半導体ダイオードD ′およびD2′を選択するために
十分に高い振幅を持つ変調電圧Umが信号入力4’
4″に供給される場合、第1の半導体ダイオードれた場
合、U の符号も変化され、結果的に位相反転が生じる
。 mC [0015] 振幅直線性を得るために、比較的小さい変調電圧U ′
が信号入力4′に供給され、それによって半導体ダイオ
ード例えばDl ′は他方の半導体ダイオード例えばD
2′より導電度が小さい。それによって、平衡は信号出
力3’ 3”に対してのみシフトされ、したがって結
果的に変調されたキャリア電圧U が発生さmC れる。変調されたキャリア電圧U の振幅は、変調電圧
U の大きさに依存し、mCm 位相は変調電圧U 符号に依存する。正の変調電圧U
が例えば信号入力4′にcm
cm供給された場
合、半導体ダイオードD1′は半導体ダイオードD2′
より導電的であり、それによって電気的に短い通路7′
が位相遅延通路6′より低いインピーダンスを有し、電
気的に短い通路7′上の伝送が支配的である。変調電圧
Umが負ならば、動作は正反対である。 [0016] 前記された部分変調器は理想的な素子から構成されない
から、結果的に得られたキャリア電圧U は変調電圧U
がなくても信号出力3′に存在する。 mCm [0017] したがって、説明された部分変調器1′は、デジタル直
接変調器の一部として機能する単一の伝送モード位相調
節器を表す。 [0018] このような変調器の構成において、キャリア抑制および
振幅直線性に必要な両ブリッジ平衡が例えば半導体ダイ
オードおよびそれらの寄生素子の非平衡によりて中断さ
れ、変調器の理想的な動作特性から外れることを想定す
ることは容易である。さらに、伝送はある場合に電気的
に短い通路7′を介して、また別の場合には位相遅延通
路6を介して行われる。2つの通路はまた構造的に電気
的に等しくないなめ、グループ遅延はまた2つの通路に
おいて等しくなく、別の方法により補償されなければな
らない高周波数依存性に至る。 [0019] 供給される変調電圧U がない場合のキャリア抑制の問
題は、調節可能な抵抗RRにより本発明のある観点およ
び図1に示された二重変調器1の対称的な構造により本
発明の別の観点にしたがって解決される。 [00201 二重変調器1において、2つのキャリア入力2’ 2
”はO°電力分割器37を介して二重変調器1の共通の
キャリア入力に接続され、直流的にキャパシタCkIC
k1″によって分離される。2つの信号出力3 3″は
例えばプッシュプル変調器1の出力3を形成する2次巻
線を持つ変成器11のような電力結合器において結合さ
れる。2つの信号入力4’ 4”は同じ変調信号を供
給され、それによって信号インバータ(示されていない
)は大きさが等しく符号が逆の変調電圧入力4’ 4
”の一方の前に設けられる。変調信号を反転する代りに
、信号入力4’ 4”に対して同じ符号であるが、キ
ャリア入力2に対する部分変調器1のダイオード対D
rp D reが部分変調器1 のダイオード対
D D2に関して極性が逆の変調信号を供給するこ
ともできる。 [0021] 二重変調器1のキャリア入力2は例えば信号入力4′に
おける正の変調電圧Uに短い通路7′を介しておよび部
分変調器1″の位相遅延通路6および変成器11を介し
て変調電圧U の振幅にしたがって信号出力3と結合さ
れる。信号入力44″における変調電圧U の逆の符号
により、部分変調器1 の位相遅延通路6′および部分
変調器1″の電気的に短い通路7′を介して接続が行わ
れる。 [0022] 任意の場合において、伝送は常に電気的に短い通路7’
7”の一方および位相遅延通路6″ 6 の一方の
両者を介して生じる。このようにして部分変調器1 1
″の技術的な不十分さは補償され、グループ遅延時間は
実質的にいずれかの場合に等しく、二重変調器1は典型
的に無線リンクシステムに設けられているキャリア周波
数内において良好な温度安定性および振幅直線性を示し
、周波数独立性である。 [0023] 二重変調器1の第1の実施例は図2に示されている。そ
れは図1に示されたものと同じ機能ユニットを有するが
、物理的に平面的なマイクロストリップ技術を使用して
ギガヘルツ範囲の周波数を持つキャリアU およびメガ
ヘルツ範囲の周波数を持つ変調電圧U 用に設計されて
いる。機能ユニットの配列は図1のものに対応する。以
下、実施例1に特有の機能ユニットだけを詳細に説明す
る。図1と同様に同じ機能ユニットは同じ符号を付けら
れている。 [0024] 二重プッシュプル変調器1は、共通のキャリア入力2お
よび共通の信号出力3を具備した2つの部分変調器1
1″を有する。キャリア電圧U はいわゆる゛′ウィル
キンソン(Wi 1kinson)結合器″12を介し
て2つの部分変調器11″のキャリア入力2’ 2”
に供給される。2つのキャリア入力2’ 2”はそれ
ぞれウィルキンソン結合器12のキャパシタCC″を介
して直流的に分kl kl 離される。信号出力3 3″はいわゆる″比率レースリ
ング″の形態の180゜電力結合器50を介して結合さ
れる。 [0025] 比率レースリング50は入力としての部分変調器1 1
″の2つの信号出力33″ 出力としての二重プッシュ
プル変調器1の出力3および接地に対して50オームの
接続13を有する。それは変調されたキャリア電圧U
の位相の反復的C 180°シフトを実行し、部分変調器1″から現れるキ
ャリア電圧U に対して部C 分変調器1′から現れ、したがって適切に位相関係でこ
れらを結合する。 [0026] 図2において、2つの部分変調器1 1″はそれぞれ長
方形の表面を包囲する4つのストリップ14’ 14
” 15’ 15” 16’ 16″17’
(17a、17b’)17″(17a″17b”)を
有し、ここでストリップ14’ 15’ ;15’
16’および16’ 17b’の間の3つの外側の
隅はストリップ14″15″:15″16”およヒ16
″17b″に対応し、45°の角度を付けられている。 ストリップ17’ 17”は中心で遮断され、2つの
ストリップセクション17a 、17a”および17b
’ 17b// を有する。キャリア入力2’ 2
”はストリップ14 ’ 17a : 14″17
a″間の端部に設けられている。ストリップセクション
17a′、17a” と信号出力33″の間には半導
体ダイオードD1 ′D1″がストリップセクション1
7a′、17a″から見てpn方向に設けられ、ストリ
ップセクション17b′、17b″ と信号出力3’
3”の間には半導体ダイオードD2 ′D2 ”がス
トリップセクション17b′、17b”から見てnp力
方向設けられている。 [0027] ストリップセクション17a 、17a”および半導体
ダイオードDI ’ DI ”は電気個的に短い通路
7’ 7”を形成し、ストリップセクション14’
15’ 16’ストリツプセクシヨン17b′、お
よび半導体ダイオードD 並びにセクション14”
15” 16” 17b” および半導体ダ
イオードD2″は位相遅延通路66″を形成し、それに
よってストリップ14.15.16およびセクション1
7bからストリップセクション17aの長さを減じたも
のはキャリアの中心周波数の1/2波長を有し、したが
って位相遅延ライン9’ 9”表す。ここでストリッ
プ14・14″乃至17’ 17”が長方形表面を包
囲するが、位相遅延通路6’ 6”と電気個的に短い
通路7’ 7”との間の通路長の差がキャリアの中心
周波数の1−/2の長さまたはこの1/2波長の奇数倍
に対応することは重要ではない。2つの通路間の長さの
差は所望する180°の位相遅延を発生させる。 [0028] ストリップ15上において、信号入力4’ 4”は長
さに関して中心に設けられる。信号出力3’ 3″に
対称的に信号入力4’ 4”を位置することが有効で
ある。1つ信号入力の代わりに2つ以上の信号入力を有
することもできる。信号入力4’ 4”は、キャリア
の変調電源へのエスケープを阻止するフィルタ素子18
’ 18” 19’ 19”を具備している。信
号出力3’ 3”は、変調信号Um用ライン20’
20”を介して接地に結合される。部分変調器1 1
″の制御のために信号入力4’ 4”に設けられた調
節可能な抵抗RRは図2には示されていない。 [0029] 例示的な実施例1による二重変調器1は、設けられたダ
イオードD Dlす る。 [00301 二重変調器1の第2の例示的な実施例は図3に示されて
いる。第1の例示的な実施例の二重変調器1の場合のよ
うに、第2の例示的な実施例もまた図1に示されたもの
と同じ機能ユニットを有する。したがって、同じ特徴は
同じ参照符号を付けられている。図3の実施例は物理的
にメガヘルツ範囲のキャリアU 用の波長および対応的
に低い変調信号U の周波数を持つように構成されてい
る。 【003月 二重変調器1は共通の信号出力3を具備した2つの部分
変調器1 1″を有する。キャリアU は、−側で接地
22に、他方の側でキャリア入力2’ 2”に結合さ
れた発振器21中で発生される。発振器21とキャリア
入力2’ 2”との間にはオートトランス23がある
。ここで発振器21はタップ24に供給され、2つのコ
イル端部25’ 25″は結合キャパシタcc”を介
してキャリア入力2′kl kl 2″に結合される。オートトランス23はO°電力分割
器および発振器21の内部抵抗である抵抗R2□を表す
。 [0032] 信号出力3’ 3″は、変成器11として機能する変
成器27の主巻線26の2つのコイル端部に結合される
。2次巻線のコイル端部はプッシュプル変調器1の信号
出力3を表す。信号出力3における変調電圧U の抑制
のために、高いインピーダンス並列共振回路29’
29″は1次巻線26のコイル端部と変調電圧U 用の
信号出力3 3″の間にそれそ゛れ設けられている。 [0033] 2つの部分変調器1 1″はそれぞれ位相遅延通路6
6″および電気的に短い通路7’ 7″を有する。位
相遅延通路6’ 6″はオートトランス30′30″
および半導体ダイオードD D2″を有する。オー
トトランス30′30″は、キャリアの位相が180°
反転を経5験する位相遅延ライン9を表わす。電気的に
短い通路7’ 7”は半導体ダイオードD D
1 ”を有する。ダイ第−ドの極性は例示的な実施例
1のものに対応する。 [0034] 信号出力3 3″とタップ33’ 33”との間にお
いて、変調信号は出力33″に供給され、並列共振回路
35′、35″を介してタップ33’ 33”に結合
される発振器34’ 34”中で発生される。抵抗R
R”は発振器34’ 34”の内部抵抗を現す。並列
共振回路35’ 35”はキャリアU 用の高いイン
ピーダC ンスを有する。 [0035] オートトランス30’ 30″の2つの巻線セクショ
ン31’ 32’ ;31” 32″および2つの
半導体ダイオードD D”;D D”は、
ホイートストンブリッジとして動作し、それによって供
給される変調電圧U がない限り、信m 号出力3 3″とタップ33’ 33”との間にお
いて平衡が作用する。しかしながら、変調電圧U が供
給された場合、ブリッジの平衡は消去され、変調された
m キャリア電圧U は出力3 3″に供給される。 mC [0036] オートトランス30’ 30”は理想的な特性を生成
されることができないから、に出力3 3″において
全キャリア電圧抑制を最終的に阻止する特定の位相エラ
ーを与えられる。この残りのキャリア電圧は、2つの部
分変調器1 1″の同じ対称的な配列によってほとん
ど抑制される。 [0037] 図4は、140 mbpsのビット率周波数に対する既
知の160AM変調器49(直角振輻変調)の概略図を
示す。それは本質的に第1の二重変調器40が■成分用
の信号を出力し、第2の二重変調器41がQ成分用の信
号を出力する2つの二重変調器4041から構成される
。2つの素子は電力結合器42において直交するように
結合されている。 [0038] 電力結合器42の出力43は16QAM変調器49の出
力を形成する。キャリアU はC いわゆる″′ウィルキンソン結合器゜゛45を介して2
つの変調器40、41のキャリア入力2に供給される。 ■またはQ成分用の変調器信号はそれぞれ2つの二重変
調器40、41の信号入力46、47に供給され、それ
によって各場合に同じ量である力飄符号が反対の変調信
号U が1またはQ成分用の二重変調器40、41に供
給される。 m [0039] 半導体ダイオードD D ;D D2″として
特に適切なのは、例えばピンダイオードより短い遅延時
間を有するショッツキダイオードである。ダイオードの
温度依存性はブリッジ回路における対にした配列により
補償される。 ダイオード中の構造に関係する相違は例えば信号入力で
の調節可能な抵抗を介するdc雷電圧供給によって平衡
をされなければならず、したがってキャリア抑制は最適
化されなければならない。分離した抵抗は、変調電圧U
が供給されないときにブリッジ平衡が与えられるよ
うに調節される。 [00401 記載された変調器1はまた送信ミキサまなは受信ミキサ
(示されていない)として動作される。第1の例示的な
実施例の変調器1の適用は送信ミキサの一例として使用
される。第1の例示的な実施例に示された信号入力4′
および4″がここにおいて変換される周波数を持つ信号
の結合のために設けられている。図2に示されているよ
うに、キャリア入力2″に関するダイオード対DD
の極性がダイオードD / / D / /の
ものに整合するとき、変換される周波数を持つ信号は2
つの信号入力の一方において反転されなければならない
。キャリア入力2″に関するダイオード対D D
’の極性がダイオード対D ″ D2″のものに整合し
ない場合、2つの信号入力は直接互いに結合されること
ができる。 [0041] 同じことは、受信側で画像抑制ミキサとして、および送
信側で単一サイドバンドミキサとして動作されることが
できるミキサとして16QAM変調器49を適用するこ
とに関しても言える。しかしながら、このために2つの
結合ブランチ■およびQを使用することによりに90°
電力結合器を介してそれらを互いに結合することが必要
である。 [0042] ミキサとして変調器を適用することは原理的に知られて
おり、したがって説明は不要である。
【図1】
本発明による二重変調器の概略図。
【図2】
高いキャリア周波数に対してマイクロストリップ技術で
構成された二重変調器の第1の実施例。
構成された二重変調器の第1の実施例。
【図3】
低いキャリア周波数に対してディスクリートな素子によ
り構成された二重変調器の第2の実施例。
り構成された二重変調器の第2の実施例。
【図4】
16QAM変調器の概略図。
1 1″・・・部分変調器、39’ 39″・・・位
相遅延ライン。
相遅延ライン。
【図1】
図面
【図2】
【図3】
【図4】
Claims (11)
- 【請求項1】電気的に短いパスおよび位相遅延パスがキ
ャリア入力から信号出力に導かれ、 位相遅延パス中のキャリアの位相は電気的に短いパスに
おけるキャリアの位相に比較してほぼ180°または1
80°の奇数倍の位相シフトを経験し、位相遅延ライン
が位相遅延パス上に設けられ、非直線半導体素子が、キ
ャリアの伝播方向と反対の極性を有し、キャリアに関し
て一致した動作ができるように2つのパス上に設けられ
る2つのパスのそれぞれに位置され、 変調器が信号に関してプッシュプル動作ができるように
信号入力が位相遅延パスに結合される1つのキャリア入
力と、1つの信号入力と、および1つの信号出力とを具
備し、キャリアおよび変調信号から変調されたキャリア
信号を生成する変調器において、 変調器が2個の部分変調器から構成された二重変調器と
して設計され、2個の部分変調器の2つのキャリア入力
および2つの信号出力が互いにそれぞれ結合され、 2個の部分変調器の180°位相シフトされた変調キャ
リア電圧のスカラー加算を行うメカニズムが設けられて
いることを特徴とする変調器。 - 【請求項2】非直線半導体素子がダイオードであり、キ
ャリア入力に対する一方の部分変調器のダイオード対の
極性が他方の部分変調器のダイオードの極性に一致し、 符号が逆の同じ信号が信号入力に供給されることを特徴
とする請求項1記載の変調器。 - 【請求項3】非直線半導体素子がダイオードであり、キ
ャリア入力に関する一方の部分変調器のダイオード対の
極性が他方の部分変調器のダイオードの極性と逆であり
、 同じ符号の同じ信号が信号入力に供給されることを特徴
とする請求項1記載の変調器。 - 【請求項4】位相遅延ラインは、キャリアの中心波長の
λ/2の長さを有するマイクロストリップ技術によって
形成された導体であることを特徴とする請求項1記載の
変調器。 - 【請求項5】位相遅延ラインはオートトランスの2つの
部分巻線から構成され、信号入力はオートトランスのタ
ップと部分変調の出力との間に供給されることを特徴と
する請求項1記載の変調器。 - 【請求項6】スカラー加算用メカニズムは、部分変調器
の出力と二重変調器の出力との間に設けられた180°
結合器であることを特徴とする請求項4記載の変調器。 - 【請求項7】キャリアの位相をシフトするメカニズムは
二重変調器のキャリア入力と部分変調器のキャリア入力
との間に設けられたオートトランスであり、タップは二
重変調器のキャリア入力に結合され、コイル端部は部分
変調器のキャリア入力に結合されていることを特徴とす
る請求項5記載の変調器。 - 【請求項8】部分変調器の各信号入力は部分変調器を平
衡するように調節可能な抵抗と共に配列されていること
を特徴とする請求項1記載の変調器。 - 【請求項9】非直線半導体素子はシヨッツキダイオード
であることを特徴とする請求項1記載の変調器。 - 【請求項10】部分変調器は振幅直線位相調節器として
設計されていることを特徴とする請求項1記載の変調器
。 - 【請求項11】ミキサとして使用されることを特徴とす
る請求項1乃至10のいずれか1項記載の変調器。
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