JPH04101406A - チップ型固体電解タンタルコンデンサ - Google Patents
チップ型固体電解タンタルコンデンサInfo
- Publication number
- JPH04101406A JPH04101406A JP2218805A JP21880590A JPH04101406A JP H04101406 A JPH04101406 A JP H04101406A JP 2218805 A JP2218805 A JP 2218805A JP 21880590 A JP21880590 A JP 21880590A JP H04101406 A JPH04101406 A JP H04101406A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- type solid
- capacitor
- chip
- solid electrolytic
- Prior art date
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップ型固体電解タンタルコンデンサに関し、
特に薄型化に適したチップ型固体電解タンタルコンデン
サに関する。
特に薄型化に適したチップ型固体電解タンタルコンデン
サに関する。
従来、この種のチップ型固体電解タンタルコンデンサと
しては、第６図に示すように、タンタル線１．３ ａを
タンタル焼結体１４に植立し、陽極酸化法にて表面を酸
化し、二酸化マンガンを使用して陰極層１５を形成し、
導電性樹脂層１６によって陰極端子板１１に接続し、ま
たタンタル線１３は溶接により陽極端子板］２に接続し
外装樹脂］７で外装し、外装樹脂より突き出た陽極端子
板］２及び陰極端子板１１を外装樹脂１７にそって折り
曲げるという構造を有していた。
しては、第６図に示すように、タンタル線１．３ ａを
タンタル焼結体１４に植立し、陽極酸化法にて表面を酸
化し、二酸化マンガンを使用して陰極層１５を形成し、
導電性樹脂層１６によって陰極端子板１１に接続し、ま
たタンタル線１３は溶接により陽極端子板］２に接続し
外装樹脂］７で外装し、外装樹脂より突き出た陽極端子
板］２及び陰極端子板１１を外装樹脂１７にそって折り
曲げるという構造を有していた。
上述した従来のチップ型固体電解タンタルコンデンサは
、タンタル焼結体を保持するものが中心部に植立されて
いるタンタル線１本であることから薄く平らなタンタル
焼結体を作る場合、非常に欠けやすく割れやすい、また
タンタル線には製造工程中でのタンタル焼結体の保持の
目的もあるので、タンタル焼結体の大きさに比してあま
り細くできないなどの制約があり、薄型化しにくいとい
う問題点があった。
、タンタル焼結体を保持するものが中心部に植立されて
いるタンタル線１本であることから薄く平らなタンタル
焼結体を作る場合、非常に欠けやすく割れやすい、また
タンタル線には製造工程中でのタンタル焼結体の保持の
目的もあるので、タンタル焼結体の大きさに比してあま
り細くできないなどの制約があり、薄型化しにくいとい
う問題点があった。
また、従来のチップ型固体電解タンタルコンデンサは、
通常定格電圧が５０Ｖ以下であるため、５０Ｖ以上の電
圧で使用する際には２個以上のチップ型固体電解タンク
ルコンデンサを直列に接続しなければならず、また１個
のチップ型固体電解タンタルコンデンサ内で直列構造に
すると、構造が複雑になり、生産が困難であるという問
題点があった。
通常定格電圧が５０Ｖ以下であるため、５０Ｖ以上の電
圧で使用する際には２個以上のチップ型固体電解タンク
ルコンデンサを直列に接続しなければならず、また１個
のチップ型固体電解タンタルコンデンサ内で直列構造に
すると、構造が複雑になり、生産が困難であるという問
題点があった。
本発明の第１の目的は、比較的大面積の薄いタンタル焼
結体でも、欠けたり、割れたりしにくく、薄型化できる
チップ型固体電解タンタルコンデンサを提供することに
ある。
結体でも、欠けたり、割れたりしにくく、薄型化できる
チップ型固体電解タンタルコンデンサを提供することに
ある。
また、本発明の第２の目的は、２個以上直列に接続した
高い耐電圧のコンデンサか薄型化でき、容易に、かつ生
産性よく形成できるチップ型固体電解コンデンザを提供
することにある。
高い耐電圧のコンデンサか薄型化でき、容易に、かつ生
産性よく形成できるチップ型固体電解コンデンザを提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の第１の発明のチップ型固体電解タンタルコンデ
ンサは、タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧成形し
、焼結を行ない、酸化膜、半導体層、導体層を順次形成
して成るタンタルコンデンサ素子を構成素子とすること
を特徴として構成される。
ンサは、タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧成形し
、焼結を行ない、酸化膜、半導体層、導体層を順次形成
して成るタンタルコンデンサ素子を構成素子とすること
を特徴として構成される。
また、本発明の第２の発明のチップ型固体電解タンタル
コンデンサは、タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧
成形し、焼結を行ない、酸化膜。
コンデンサは、タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧
成形し、焼結を行ない、酸化膜。
半導体層、導体層を順次形成して成るタンタルコンデン
サ素子を２個以上直列接続した構造を有することを特徴
として構成される。
サ素子を２個以上直列接続した構造を有することを特徴
として構成される。
以上本発明によれば薄型化したチップ型固体電解タンタ
ルコンデンサが容易に得られると共に、簡単な構造で１
つのチップ型固体電解タンタルコンデンサ内に直列接続
の構造を作ることができる。
ルコンデンサが容易に得られると共に、簡単な構造で１
つのチップ型固体電解タンタルコンデンサ内に直列接続
の構造を作ることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の発明の一実施例のデツプ型固体電解タ
ンタルコンデンサの断面図である。
は本発明の第１の発明の一実施例のデツプ型固体電解タ
ンタルコンデンサの断面図である。
まず、厚さ５０μｍのタンタル箔３ａに高さ５０μｍの
エンボス部４ａを設はエンボス部４ａの凸部側に１ｍｇ
のタンタル粉末を加圧成形し、１７４０°Ｃで６０分間
真空焼結を行ない、厚さ０．２ｍｍの巾１ｍｍ長さ１ｍ
ｍタンタル焼結体５ａを得た。
エンボス部４ａを設はエンボス部４ａの凸部側に１ｍｇ
のタンタル粉末を加圧成形し、１７４０°Ｃで６０分間
真空焼結を行ない、厚さ０．２ｍｍの巾１ｍｍ長さ１ｍ
ｍタンタル焼結体５ａを得た。
次に、タンタル箔３ａのエンボス部４ａ凹部側を陽極と
し、９０°Ｃの０．１％リン酸水溶液中でタンタル焼結
体５ａ及びタンタル箔３ａのエンボス部４ａ凸部側の面
を１００Ｖまで陽極酸化し、二酸化マンカン クラファ
イト・銀ペーストを順次付着させることにより０．１ｍ
ｍ厚の陰極層を形成した。その後銀ペースト層７ａによ
り陰極層６ａを０．１ｍｍ厚の陰極端子板１ａに接続し
た。
し、９０°Ｃの０．１％リン酸水溶液中でタンタル焼結
体５ａ及びタンタル箔３ａのエンボス部４ａ凸部側の面
を１００Ｖまで陽極酸化し、二酸化マンカン クラファ
イト・銀ペーストを順次付着させることにより０．１ｍ
ｍ厚の陰極層を形成した。その後銀ペースト層７ａによ
り陰極層６ａを０．１ｍｍ厚の陰極端子板１ａに接続し
た。
また、タンタル箔３ａの右端を０．１ｍｍ厚の陽極端子
板２ａに接続し、外装樹脂８ａにて外装し、外装樹脂８
ａより突き出した部分の陽極端子板２ａと陰極端子板］
ａを下側に折り曲げ、定格電圧３５Ｖ、０．１１μＦで
厚さ０．８ｍｍのチップ型固体電解タンタルコンデンサ
を作成した。
板２ａに接続し、外装樹脂８ａにて外装し、外装樹脂８
ａより突き出した部分の陽極端子板２ａと陰極端子板］
ａを下側に折り曲げ、定格電圧３５Ｖ、０．１１μＦで
厚さ０．８ｍｍのチップ型固体電解タンタルコンデンサ
を作成した。
第２図は本発明の第１の発明の実施例２の縦断面図であ
る。本実施例では、陽極端子板２ａｌ及び陰極端子板１
ａ１を外側に曲げており、実装する上での難しさはある
が、さらに端子板の厚さだけ薄くできることが特徴であ
る。
る。本実施例では、陽極端子板２ａｌ及び陰極端子板１
ａ１を外側に曲げており、実装する上での難しさはある
が、さらに端子板の厚さだけ薄くできることが特徴であ
る。
第３図は本発明の第２の発明の一実施例の縦断面図、第
４図は第３図のタンタル素子部の拡大図である。
４図は第３図のタンタル素子部の拡大図である。
まず、第４図に示すように５０μ厚のタンタル箔３ｂに
エンボス部４ｂを設け、その上にｌｍｍＸ２ｍｍ、１ｍ
ｍ厚のタンタル粉末成形体を形成し、１８００°Ｃ１７
５分の条件で焼結した。次に焼結後のタンタル箔３ｂ及
びタンタル焼結体５ｂを９０’Ｃのリン酸水溶液中に、
タンタル焼結体５ｂ及びタンタル箔３ｂのタンタル焼結
体５ｂと接続された面を漬けるようにし、タンタル箔３
ｂのタンタル焼結体５ｂと接続されていない面より陽極
を取り出し、リン酸水溶液中に陰極用のステンレス板を
配置して、陽極酸化を行なった。その後タンタル焼結体
５ｂを硝酸マンガン中に浸漬し、３００°Ｃにて熱分解
を行なって二酸化マンガン層を形成し、その上にグラフ
ァイト、銀ペーストを塗って、陰極層６ｂを形成し２μ
Ｆ、定格３５Ｖのタンタルコンデンサ素子を得た。
エンボス部４ｂを設け、その上にｌｍｍＸ２ｍｍ、１ｍ
ｍ厚のタンタル粉末成形体を形成し、１８００°Ｃ１７
５分の条件で焼結した。次に焼結後のタンタル箔３ｂ及
びタンタル焼結体５ｂを９０’Ｃのリン酸水溶液中に、
タンタル焼結体５ｂ及びタンタル箔３ｂのタンタル焼結
体５ｂと接続された面を漬けるようにし、タンタル箔３
ｂのタンタル焼結体５ｂと接続されていない面より陽極
を取り出し、リン酸水溶液中に陰極用のステンレス板を
配置して、陽極酸化を行なった。その後タンタル焼結体
５ｂを硝酸マンガン中に浸漬し、３００°Ｃにて熱分解
を行なって二酸化マンガン層を形成し、その上にグラフ
ァイト、銀ペーストを塗って、陰極層６ｂを形成し２μ
Ｆ、定格３５Ｖのタンタルコンデンサ素子を得た。
次に、２μＦ定格３５Ｖのタンタルコンデンサ素子２個
を第３図のように、積みかさね導電性樹脂層７ｂにより
接続した。この時下側のタンタルコンデンサ素子のタン
タル箔３ｂを１ｍｍだけ長く伸ばしておいた。
を第３図のように、積みかさね導電性樹脂層７ｂにより
接続した。この時下側のタンタルコンデンサ素子のタン
タル箔３ｂを１ｍｍだけ長く伸ばしておいた。
次に、スズ箔１０を上側のタンタルコンデンサ素子に導
電性樹脂層７ｂにより接続し、スズ箔１０の左側と下側
のタンタルコンデンサ素子のタンタル箔３ｂの右側をそ
れぞれ陰極端子板１ｂ及び陽極端子板２ｂに導電性樹脂
層７ｂに接続し、絶縁樹脂８ｂにより外装し、１μＦ定
格７０Ｖのチップ型固体電解コンデンサを作成した。
電性樹脂層７ｂにより接続し、スズ箔１０の左側と下側
のタンタルコンデンサ素子のタンタル箔３ｂの右側をそ
れぞれ陰極端子板１ｂ及び陽極端子板２ｂに導電性樹脂
層７ｂに接続し、絶縁樹脂８ｂにより外装し、１μＦ定
格７０Ｖのチップ型固体電解コンデンサを作成した。
第５図は本発明の第２の発明の実施例２の縦断面図であ
る。本実施例では、タンタルコンデンサ素子を横方向に
配置しており陰極端子板１ｂ及び陽極端子板２ｂとの接
続面が大きくとれることが特徴である。
る。本実施例では、タンタルコンデンサ素子を横方向に
配置しており陰極端子板１ｂ及び陽極端子板２ｂとの接
続面が大きくとれることが特徴である。
以上説明したように本発明は、タンタル箔の片面にタン
タル粉末を加圧成形し、焼結を行ない酸化膜・半導体膜
・導体層を順次形成して成る。タンタルコンデンサ素子
を使用することによりタンタル焼結体をタンタル箔によ
り面で保持することになり、比較的大面積の薄いタンタ
ル焼結体でも、欠けたり、割れたりしにくく、またタン
タル焼結体の大きさによらず、同し厚さのタンタル箔で
保持することが可能であるので従来より薄型化したチッ
プ型固体電解タンタルコンデンサを作成することがてき
る。
タル粉末を加圧成形し、焼結を行ない酸化膜・半導体膜
・導体層を順次形成して成る。タンタルコンデンサ素子
を使用することによりタンタル焼結体をタンタル箔によ
り面で保持することになり、比較的大面積の薄いタンタ
ル焼結体でも、欠けたり、割れたりしにくく、またタン
タル焼結体の大きさによらず、同し厚さのタンタル箔で
保持することが可能であるので従来より薄型化したチッ
プ型固体電解タンタルコンデンサを作成することがてき
る。
また、従来より薄型化した構造のタンタルコンデンサ素
子を２個以上直列に接続することにより従来に比べ高い
耐電圧のコンデンサを作成できるという効果が得られる
。
子を２個以上直列に接続することにより従来に比べ高い
耐電圧のコンデンサを作成できるという効果が得られる
。
１７・・・外装樹脂。
第１図は本発明の第１の発明の一実施例の縦断面図、第
２図は本発明の第１の発明の実施例２の縦断面図、第３
図は本発明の第２の発明の一実施例の縦断面図、第４図
は第３図のタンタル素子部の拡大図、第５図は本発明の
第２の発明の実施例２の縦断面図、第６図は従来のチッ
プ型固体電解タンタルコンデンサの一例の縦断面図であ
る。 ｌａ、ｌａｌ、ｌｂ・・−陰極端子板、２ａ、２ａ＋、
２ｂ・・・陽極端子板、３ａ、３ｂ・・・タンタル箔、
４ａ、４ｂ・・・エンボス部、５ａ、５ｂ・・・タンタ
ル焼結体、６ａ、６ｂ・・・陰極層、７ａ、７ｂ・・導
電性樹脂層（銀ペースト層）、８ａ、８ｂ・・・外装樹
脂、１０・・・スズ箔、１１・・・陰極端子板、１２・
・・陽極端子板、１３・・タンタル線、１４・・タンタ
ル焼結体、１５・・陰極層、１６・・・導電性樹脂層、
］０ 第３図 第４図 第５図 第６図 ５〇− ｔ２祢夕島子扱 陽柘端子級 タシタノン箔 エンボス郭 タンタル焼結体 降掻層 スス箔 陰部端子４反 隅極端子級 タシタル線 タンタルズを殆体 ｒ雲伎層 導電１１樹ｌ１ｉｉ層 クト扁く［イ１寸Ａ旨
２図は本発明の第１の発明の実施例２の縦断面図、第３
図は本発明の第２の発明の一実施例の縦断面図、第４図
は第３図のタンタル素子部の拡大図、第５図は本発明の
第２の発明の実施例２の縦断面図、第６図は従来のチッ
プ型固体電解タンタルコンデンサの一例の縦断面図であ
る。 ｌａ、ｌａｌ、ｌｂ・・−陰極端子板、２ａ、２ａ＋、
２ｂ・・・陽極端子板、３ａ、３ｂ・・・タンタル箔、
４ａ、４ｂ・・・エンボス部、５ａ、５ｂ・・・タンタ
ル焼結体、６ａ、６ｂ・・・陰極層、７ａ、７ｂ・・導
電性樹脂層（銀ペースト層）、８ａ、８ｂ・・・外装樹
脂、１０・・・スズ箔、１１・・・陰極端子板、１２・
・・陽極端子板、１３・・タンタル線、１４・・タンタ
ル焼結体、１５・・陰極層、１６・・・導電性樹脂層、
］０ 第３図 第４図 第５図 第６図 ５〇− ｔ２祢夕島子扱 陽柘端子級 タシタノン箔 エンボス郭 タンタル焼結体 降掻層 スス箔 陰部端子４反 隅極端子級 タシタル線 タンタルズを殆体 ｒ雲伎層 導電１１樹ｌ１ｉｉ層 クト扁く［イ１寸Ａ旨
Claims (2)
- １．タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧成形し、焼
結を行ない、酸化膜，半導体層，導体層を順次形成して
成るタンタルコンデンサ素子を構成素子とすることを特
徴とするチップ型固体電解タンタルコンデンサ。 - ２．タンタル箔の片面にタンタル粉末を加圧成形し、焼
結を行ない、酸化膜，半導体層，導体層を順次形成して
成るタンタルコンデンサ素子を２個以上直列接続した構
造を有することを特徴とするチップ型固体電解タンタル
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218805A JPH04101406A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | チップ型固体電解タンタルコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218805A JPH04101406A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | チップ型固体電解タンタルコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101406A true JPH04101406A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16725629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218805A Pending JPH04101406A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | チップ型固体電解タンタルコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04101406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143465A3 (en) * | 2000-04-07 | 2006-09-20 | Nec Tokin Corporation | Chip capacitor, a fabrication method for the same, and a metal mold |
| JPWO2023286482A1 (ja) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2218805A patent/JPH04101406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143465A3 (en) * | 2000-04-07 | 2006-09-20 | Nec Tokin Corporation | Chip capacitor, a fabrication method for the same, and a metal mold |
| JPWO2023286482A1 (ja) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 |
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