JPH04101426A - 金属突起物の形成方法 - Google Patents
金属突起物の形成方法Info
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- JPH04101426A JPH04101426A JP2219162A JP21916290A JPH04101426A JP H04101426 A JPH04101426 A JP H04101426A JP 2219162 A JP2219162 A JP 2219162A JP 21916290 A JP21916290 A JP 21916290A JP H04101426 A JPH04101426 A JP H04101426A
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- electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属突起物の形成方法に関し、特に半導体素
子実装用の金属突起物の形成方法に関する。
子実装用の金属突起物の形成方法に関する。
近年、Ｌ Ｓ Ｉなどの半導体製品は各種の民生用機器
、産業用機器なとその応用分野はますまず拡大してきた
。これらの機器は、その利用分野拡大のため低価格化と
ともにボークフル化か進められている。従って、半導体
製品においてもこれらの要求に対応するため、パッケー
ジングや機器へ組み込み工程の低価格化や軽量化、薄型
化、小型化といった高密度実装が要求されている。
、産業用機器なとその応用分野はますまず拡大してきた
。これらの機器は、その利用分野拡大のため低価格化と
ともにボークフル化か進められている。従って、半導体
製品においてもこれらの要求に対応するため、パッケー
ジングや機器へ組み込み工程の低価格化や軽量化、薄型
化、小型化といった高密度実装が要求されている。
一般に、半導体素子の高密度実装に適した方法としては
ＴＡＢ方式が知られており、実用化の拡大がはかられて
きた。ＴＡＢ方式の半導体素子と実装用配線基板間の接
続には、半導体素子の電極配置に合わせてパターン化さ
れたＡｕまたはＳｎメツキをしたＣｕからなる金属リー
ドと金属リード保持用ポリイミド膜とを貼り合わせした
構成のフィルムキャリヤを用いる。ここで、半導体素子
のＡ１電極と金属リード間の接合を行うには接合部を凸
にする必要があり、ＡＩ電極部または金属リード上にバ
ンプと呼ばれる金属突起物が設けられる。この金属突起
物を介したＡｌ電極と金属リー１〜との接合には通常熱
圧着法か用いられている。
ＴＡＢ方式が知られており、実用化の拡大がはかられて
きた。ＴＡＢ方式の半導体素子と実装用配線基板間の接
続には、半導体素子の電極配置に合わせてパターン化さ
れたＡｕまたはＳｎメツキをしたＣｕからなる金属リー
ドと金属リード保持用ポリイミド膜とを貼り合わせした
構成のフィルムキャリヤを用いる。ここで、半導体素子
のＡ１電極と金属リード間の接合を行うには接合部を凸
にする必要があり、ＡＩ電極部または金属リード上にバ
ンプと呼ばれる金属突起物が設けられる。この金属突起
物を介したＡｌ電極と金属リー１〜との接合には通常熱
圧着法か用いられている。
従来の金属突起物の形成方法としては、いわゆるメツキ
バンプ法が広く用いられてきた。第７図は、一般的なメ
ツキバンプの形成工程を示す。ます、半導体素子３０上
にＴｉ、Ｃｒなとの接着層４０、Ｃｕ、Ｐｔなどの拡散
防止層４１をスパッタで積層形成する（第７図（ａ））
。図中、３５はＡ１層、３６は保護層、３７はシリコン
基板を示す。次いで、Ａ１電極部３１以外を被うレジス
ト層４２をリソクラフィ形成した後、電極部３１にＡｕ
メツキ層４３を約３０μｍ形成する（第７図（ｂ））。
バンプ法が広く用いられてきた。第７図は、一般的なメ
ツキバンプの形成工程を示す。ます、半導体素子３０上
にＴｉ、Ｃｒなとの接着層４０、Ｃｕ、Ｐｔなどの拡散
防止層４１をスパッタで積層形成する（第７図（ａ））
。図中、３５はＡ１層、３６は保護層、３７はシリコン
基板を示す。次いで、Ａ１電極部３１以外を被うレジス
ト層４２をリソクラフィ形成した後、電極部３１にＡｕ
メツキ層４３を約３０μｍ形成する（第７図（ｂ））。
その後、レジスタ層４２を除去した後、ＡＩ電極部３１
を覆うレジスト層で保護してＡｔ電極部３１以外の拡散
防止層４１、接着層４０をエツチング除去する（第７図
（Ｃ））。以」二のような工程を踏みＡ１電極上にメツ
キにより金属突起物か形成される。
を覆うレジスト層で保護してＡｔ電極部３１以外の拡散
防止層４１、接着層４０をエツチング除去する（第７図
（Ｃ））。以」二のような工程を踏みＡ１電極上にメツ
キにより金属突起物か形成される。
メツキバンプ法以外では、第８図の工程図に示すＡｕワ
イヤのホールボンディングの技術を用いるボールバンプ
法が注目され、開発が進んでいる。ます、キャピラリ５
０下に出たＡｕワイヤ５１の先端を電気トーチ５２を用
いて放電溶融、させＡｕボール５３を形成する（第８図
（ａ））。
イヤのホールボンディングの技術を用いるボールバンプ
法が注目され、開発が進んでいる。ます、キャピラリ５
０下に出たＡｕワイヤ５１の先端を電気トーチ５２を用
いて放電溶融、させＡｕボール５３を形成する（第８図
（ａ））。
次いで、Ａｕボール５３をＡＩ電８ｉ３１にキャピラリ
５０で超音波接合した後（第８図（ｂ））、キャピラリ
５０．Ａｕワイヤ５１を引き上げてＡＵ氷ボール５４の
ネック部からＡｕワイヤ５１を引きちぎりボール部５４
のみをＡＩ電極３１上に残す（第８図（Ｃ））。この方
法は、湿式１程がなく工程が簡略で、電極上に１点ずつ
形成するため少量多品種に適している。
５０で超音波接合した後（第８図（ｂ））、キャピラリ
５０．Ａｕワイヤ５１を引き上げてＡＵ氷ボール５４の
ネック部からＡｕワイヤ５１を引きちぎりボール部５４
のみをＡＩ電極３１上に残す（第８図（Ｃ））。この方
法は、湿式１程がなく工程が簡略で、電極上に１点ずつ
形成するため少量多品種に適している。
他に、ＴＡＢフィルム側に金属突起物を形成できるとし
て転写バンプ法も有力視されている。この方法は、Ａ１
電極に対応した導体開口部を持つメツキ用基板に電気メ
ツキによりＡｕの突起物を形成した後、ＴＡＢの金属リ
ードと重ね合わせて加熱加圧してＡｕ突起物をメツキ用
基板からＴＡＢの金属リード上に転写するものである。
て転写バンプ法も有力視されている。この方法は、Ａ１
電極に対応した導体開口部を持つメツキ用基板に電気メ
ツキによりＡｕの突起物を形成した後、ＴＡＢの金属リ
ードと重ね合わせて加熱加圧してＡｕ突起物をメツキ用
基板からＴＡＢの金属リード上に転写するものである。
上述した従来の金属突起物の形成方法は、下記のような
欠点をもっている。すなわち、メツキバンプ法は、工程
が複雑であり厚いメツキ膜を付けるため資材費や工数が
かかること、大きい設備投資が必要であること、素子歩
留の低下の原因となることなと形成コストが高いという
欠点がある。
欠点をもっている。すなわち、メツキバンプ法は、工程
が複雑であり厚いメツキ膜を付けるため資材費や工数が
かかること、大きい設備投資が必要であること、素子歩
留の低下の原因となることなと形成コストが高いという
欠点がある。
ボールハンプ法の場合は、湿式１程がないという利点が
あるものの、Ａｕボールの大きさのバラツキやワイヤを
引きちぎったあとの高さのバラツキがあり、またＡｕボ
ールを用いるため電極ピッチは１００μｍ程度が限界で
ありそれ以下の微細接合は困難であるとされている。さ
らに、ＴＡＢフィルム接合時だけでなく、バンプ形成時
にも電極部に機械的ストレスをかけるので接合部の信頼
性が問題となっている。転写バンプ法は、メツキ用基板
へメツキを行うのでメツキバンプ法に比へチップ歩留へ
の影響がないが、工程の複雑さは解消出来ない上に、Ａ
ｕ突起物を不具合なくＴＡＢフィルム上に転写するには
メツキ用基板の形成、メツキ工程などの高度の管理とノ
ウハウが必要である。
あるものの、Ａｕボールの大きさのバラツキやワイヤを
引きちぎったあとの高さのバラツキがあり、またＡｕボ
ールを用いるため電極ピッチは１００μｍ程度が限界で
ありそれ以下の微細接合は困難であるとされている。さ
らに、ＴＡＢフィルム接合時だけでなく、バンプ形成時
にも電極部に機械的ストレスをかけるので接合部の信頼
性が問題となっている。転写バンプ法は、メツキ用基板
へメツキを行うのでメツキバンプ法に比へチップ歩留へ
の影響がないが、工程の複雑さは解消出来ない上に、Ａ
ｕ突起物を不具合なくＴＡＢフィルム上に転写するには
メツキ用基板の形成、メツキ工程などの高度の管理とノ
ウハウが必要である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の金属突起物の形成方法は、多層構造を有する板
状金属材料をポンチとダイスを用いたプレス加工法によ
り打ち抜いて金属小片を形成する打ち抜き工程と、前記
金属小片を金属リードまたは基板上電極に接合する工程
とを有する。金属小片の金属リードオたは基板上電極へ
の圧着は、多層構造を有する板状金属材料を打ち抜いた
ポンチの移動を続けてポンチを用いて行うことができる
。ポンチの先端に四部を設けて金属リードまたは基板」
二電極に圧着し金属小片の表面に凸部を形成することが
有効である。
状金属材料をポンチとダイスを用いたプレス加工法によ
り打ち抜いて金属小片を形成する打ち抜き工程と、前記
金属小片を金属リードまたは基板上電極に接合する工程
とを有する。金属小片の金属リードオたは基板上電極へ
の圧着は、多層構造を有する板状金属材料を打ち抜いた
ポンチの移動を続けてポンチを用いて行うことができる
。ポンチの先端に四部を設けて金属リードまたは基板」
二電極に圧着し金属小片の表面に凸部を形成することが
有効である。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図である
。ます、ＴＡＢフィルム５の金属リード６を加熱ステー
ジ４上に設置し、リボン状の多層構造を有する金属材料
３を送り込んだポンチ１、ダイス２を有するプレス加工
治具をポンチ軸が金属リード６の先端に来るように位置
合わせする（第１図（ａ））。次に、ボンデ１に矢印方
向の所定の圧力を加えて下降させ金属材料３を打ち抜い
て金属小片を形成すると共に、連続してボンデ１を下降
させ金属小片を金属リード６上に圧着する（第１図（ｂ
））。プレス治具を取り除けば１個目の金属突起物８の
形成工程が完了する（第１図（Ｃ））。このようにして
、順次ＴＡＢのリード上に複数の金属小片を圧着してい
き半導体素子の一連のＡ１電極に対応した金属突起物形
成を行うことができる。ここで、金属突起物８は金属材
料３を打ち抜きそのままリードに圧着しただけであるの
で、金属材料の構造に対応した多層構造となる。なお、
ダイス２の加工穴は精密放電加工で形成できる。ポンチ
１の外形は研削加工により作ることができる。ダイス２
、ポンチ１の材料にはハイス鋼、超硬合金、ダイス鋼な
どが適している。
。ます、ＴＡＢフィルム５の金属リード６を加熱ステー
ジ４上に設置し、リボン状の多層構造を有する金属材料
３を送り込んだポンチ１、ダイス２を有するプレス加工
治具をポンチ軸が金属リード６の先端に来るように位置
合わせする（第１図（ａ））。次に、ボンデ１に矢印方
向の所定の圧力を加えて下降させ金属材料３を打ち抜い
て金属小片を形成すると共に、連続してボンデ１を下降
させ金属小片を金属リード６上に圧着する（第１図（ｂ
））。プレス治具を取り除けば１個目の金属突起物８の
形成工程が完了する（第１図（Ｃ））。このようにして
、順次ＴＡＢのリード上に複数の金属小片を圧着してい
き半導体素子の一連のＡ１電極に対応した金属突起物形
成を行うことができる。ここで、金属突起物８は金属材
料３を打ち抜きそのままリードに圧着しただけであるの
で、金属材料の構造に対応した多層構造となる。なお、
ダイス２の加工穴は精密放電加工で形成できる。ポンチ
１の外形は研削加工により作ることができる。ダイス２
、ポンチ１の材料にはハイス鋼、超硬合金、ダイス鋼な
どが適している。
上述の方法で形成した金属突起物の形状、高さは金属材
料の厚さとポンチ先端形状て制御てきるので精度が良好
であり、その後の半導体素子電極との接合の信頼性も高
い。本発明は、Ａｕホールを作るボールバンプ法と異な
り、ポンチ径を小さくすることにより１００μｍ以下の
挟ピッチリードを持つＴＡＢにも対応できる。上述の実
施例では、金属小片のリードへの接合は、加工用ポンチ
を用いて行ったが、金属小片の形成後、ガイド機構を用
いて金属小片を送り専用治具でリードへ圧着してもよい
。
料の厚さとポンチ先端形状て制御てきるので精度が良好
であり、その後の半導体素子電極との接合の信頼性も高
い。本発明は、Ａｕホールを作るボールバンプ法と異な
り、ポンチ径を小さくすることにより１００μｍ以下の
挟ピッチリードを持つＴＡＢにも対応できる。上述の実
施例では、金属小片のリードへの接合は、加工用ポンチ
を用いて行ったが、金属小片の形成後、ガイド機構を用
いて金属小片を送り専用治具でリードへ圧着してもよい
。
第２．３図は、半導体素子のＡ１電極のＴＡＢフィルム
の金属リードと接合に適した多層構造の金属突起物形成
の実施例を説明する断面図である。第２図は、第１図を
用いて説明した方法で３層構造の板状金属材料を打ち抜
いて金属リード６上に圧着し３層構造の金属突起物８ｄ
を形成した例である。半導体素子３０のＡ１電極３１に
ＴＡＢのＡ ｕメツキリード６を接合する場合、リード
との接合層３２とＡ１電極との接合層３３には接合実績
のあるＡｕを用い、中間層３４には低価格なＣｕを用い
ると良い。４０μｍ高さ金属突起物のとき、両面のＡｕ
層３１．３３は５μｍの厚さで良好な接合性が得られる
。このような３層材料は、圧延法やメツキて容易に形成
でき、単層のＡｕ材料を使用したときに比へて材料費を
節減できる。上記と同様であるが金属リード６との接合
層３２をハンダ合金とすることも有効である。この場合
、リードへの圧接は低圧力で軽く行い、ハンダの熱溶融
により接合強度を得ることがてきる。また、金属突起物
材料であるＡｕとの接合性からＴＡＢの金属リードのメ
ツキ材料には従来ＡＵが広く用いられてきたが、Ｐｂ
−Ｓｎ系ハンタ゛のような低コストの材料を用いること
もできるという利点もある。このように、本発明は多様
な電極や金属リードに対して金属突起物構成を選択てき
るのて、低コスト化、接合の高信頼化に対する効果も大
きい。
の金属リードと接合に適した多層構造の金属突起物形成
の実施例を説明する断面図である。第２図は、第１図を
用いて説明した方法で３層構造の板状金属材料を打ち抜
いて金属リード６上に圧着し３層構造の金属突起物８ｄ
を形成した例である。半導体素子３０のＡ１電極３１に
ＴＡＢのＡ ｕメツキリード６を接合する場合、リード
との接合層３２とＡ１電極との接合層３３には接合実績
のあるＡｕを用い、中間層３４には低価格なＣｕを用い
ると良い。４０μｍ高さ金属突起物のとき、両面のＡｕ
層３１．３３は５μｍの厚さで良好な接合性が得られる
。このような３層材料は、圧延法やメツキて容易に形成
でき、単層のＡｕ材料を使用したときに比へて材料費を
節減できる。上記と同様であるが金属リード６との接合
層３２をハンダ合金とすることも有効である。この場合
、リードへの圧接は低圧力で軽く行い、ハンダの熱溶融
により接合強度を得ることがてきる。また、金属突起物
材料であるＡｕとの接合性からＴＡＢの金属リードのメ
ツキ材料には従来ＡＵが広く用いられてきたが、Ｐｂ
−Ｓｎ系ハンタ゛のような低コストの材料を用いること
もできるという利点もある。このように、本発明は多様
な電極や金属リードに対して金属突起物構成を選択てき
るのて、低コスト化、接合の高信頼化に対する効果も大
きい。
第３図は、２層構造の金属突起物８ｅを半導体素子３０
のＡ１電極３１上に形成し、その後金属リード６を接合
する例を示す。この場合の金属突起物８ｅの形成方法も
金属リードに先に付けるときに同様にすれば良い。ただ
し、ボールバンプ法と同様に金属突起物形成時に半導体
素子３０のＡＩ電極部３１に機構的ストレスがかかる。
のＡ１電極３１上に形成し、その後金属リード６を接合
する例を示す。この場合の金属突起物８ｅの形成方法も
金属リードに先に付けるときに同様にすれば良い。ただ
し、ボールバンプ法と同様に金属突起物形成時に半導体
素子３０のＡＩ電極部３１に機構的ストレスがかかる。
金属リード６との接合の際に再度の機械的ストレスをか
けなくない場合は、下記のような金属突起物８ｅの構成
とするとよい。この実施例では、Ａ１電極側の層３９を
Ａｕ、金属リード側の層３８をＡｕ−８ｉハンダの２層
構造とした。金属リード６の熱圧着に際してはハンダの
熱溶融性を利用できるので小さい加圧力で行うことがで
き、接合部の信頼性を確保できる。このように本発明は
、各種実装方式に適用できる。
けなくない場合は、下記のような金属突起物８ｅの構成
とするとよい。この実施例では、Ａ１電極側の層３９を
Ａｕ、金属リード側の層３８をＡｕ−８ｉハンダの２層
構造とした。金属リード６の熱圧着に際してはハンダの
熱溶融性を利用できるので小さい加圧力で行うことがで
き、接合部の信頼性を確保できる。このように本発明は
、各種実装方式に適用できる。
なお、打ち抜いた金属小片の形状は、ポンチ・ダイス間
のクリアランス、軸すれがそれぞれ８％以下、２μｍ以
下では良好であった。第４．５および６図はポンチの先
端形状と金属リード上に形成した金属突起物の形状を説
明する断面図である。第２図は先端か平坦面のボンデ１
を用いた場きである。金属突起物上面の外周部には、金
属リード６への圧着時にポンチ下か押しつぶされるため
生じたパリ１３が残り、形成した金属突起物の上面は凹
状になる。金属小片のリード６との接合を予め強固して
おく必要があるとき、ポンチ］の加圧力を大きくするこ
とになるので、このパリ１３が大きくなる。このとき、
突起物形成後の半導体素子のＡ１電極との圧着の際に、
電極中央部に圧力がかかりにくくＡ１電極との接合強度
か低下する。
のクリアランス、軸すれがそれぞれ８％以下、２μｍ以
下では良好であった。第４．５および６図はポンチの先
端形状と金属リード上に形成した金属突起物の形状を説
明する断面図である。第２図は先端か平坦面のボンデ１
を用いた場きである。金属突起物上面の外周部には、金
属リード６への圧着時にポンチ下か押しつぶされるため
生じたパリ１３が残り、形成した金属突起物の上面は凹
状になる。金属小片のリード６との接合を予め強固して
おく必要があるとき、ポンチ］の加圧力を大きくするこ
とになるので、このパリ１３が大きくなる。このとき、
突起物形成後の半導体素子のＡ１電極との圧着の際に、
電極中央部に圧力がかかりにくくＡ１電極との接合強度
か低下する。
一方、第５図はポンチ先端が凹状のとき、第６図はポン
チ先端にメツシュ状の溝がはいっているときである。金
属突起物の外周部には上記と同様な理由てパリ１３か生
しるものの中央部はポンチ先端１５の形状に対応した凸
部１６か形成される。この場合、外周部にはパリがあっ
ても中央部が凸部があるため半導体素子のＡ１電極との
圧着の際には電極中央部に圧力かかかり易いので接合の
信頼性が高くなる。リードとの接合強度は、その後の半
導体素子のＡ１電極と圧着を通常の熱圧着工程で行うと
きは、この圧着工程て金属リード・金属突起物間の接合
も強化されるので取扱中に外れない程度であれば良い。
チ先端にメツシュ状の溝がはいっているときである。金
属突起物の外周部には上記と同様な理由てパリ１３か生
しるものの中央部はポンチ先端１５の形状に対応した凸
部１６か形成される。この場合、外周部にはパリがあっ
ても中央部が凸部があるため半導体素子のＡ１電極との
圧着の際には電極中央部に圧力かかかり易いので接合の
信頼性が高くなる。リードとの接合強度は、その後の半
導体素子のＡ１電極と圧着を通常の熱圧着工程で行うと
きは、この圧着工程て金属リード・金属突起物間の接合
も強化されるので取扱中に外れない程度であれば良い。
ポンチ圧力は、打ち抜き後小さくて低加圧てリードに押
し付けるようにすれば、圧着時の金属小片のつぶれ量が
小さく、パリの大きさや中央部の高さのバラツキを小さ
くできる。
し付けるようにすれば、圧着時の金属小片のつぶれ量が
小さく、パリの大きさや中央部の高さのバラツキを小さ
くできる。
本発明の金属突起物の形成方法は、湿式１程がなく、１
つのプレス機で金属小片の形成とリードまたは基板電極
上への接合を行うことが出来るので工程が簡略であり、
資材費や設備投資が少なくて済むなどの低コストの金属
突起物の形成ができる利点がある。また、金属突起物の
形状や高さは金属材料の厚みとポンチ先端形状で制御で
きるので、精度の高い金属突起物の形成ができ、接合を
高信頼化できるとともに挟ピッチ接合にも対応できる利
点がある。更に、実装の構成に応して金属突起物の構造
の選択をし、低コス１〜化、高信頼化できるという利点
もある。
つのプレス機で金属小片の形成とリードまたは基板電極
上への接合を行うことが出来るので工程が簡略であり、
資材費や設備投資が少なくて済むなどの低コストの金属
突起物の形成ができる利点がある。また、金属突起物の
形状や高さは金属材料の厚みとポンチ先端形状で制御で
きるので、精度の高い金属突起物の形成ができ、接合を
高信頼化できるとともに挟ピッチ接合にも対応できる利
点がある。更に、実装の構成に応して金属突起物の構造
の選択をし、低コス１〜化、高信頼化できるという利点
もある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を工程順に示す
断面図、第２．３図は本発明の実施例の金属突起物の多
層構造を説明する断面図、第４〜６図は、本発明の実施
例のポンチの先端形状と形成された金属突起物の形状を
説明する断面図であり、第４図はポンチの先端が平坦な
場合、第５図はポンチの先端面か凹状の場合、第６図は
ポンチの先端面に溝か入っている場合、第７図は従来の
金属突起物の形成方法のメツキバンプ法を工程順に示す
断面図、第８図は従来の他の金属突起物の形成方法のボ
ールバンプ法を工程順に示す断面図である。 １．１ｂ、ＩＣ・・・ポンチ、２・・・ダイス、３・・
・金属材料、４・・・ステージ、５・・・ＴＡＢフィル
ム、６・・金属リード、７・・・ポリイミド膜、８．８
ｂ、８Ｃ１８ｄ、８ｅ・・・金属突起物、９・・打ち抜
き残り部、１０・・・ダイス穴部、１３・・・パリ、１
４・・・ポンチ動作、１５・・・ポンチ先端面、１６・
・・金属突起物上面、３０・・・半導体素子、３１・・
・ＡＩ電極部、３２．３３．３４．３８．３９・・・金
属突起物内の層、３５・・・Ａ１層、３６・・・保護層
、３７・・・シリコン基板、４０・・・接着層、４１・
・・拡散防止層、４２・・・レジスト層、４３・・・Ａ
ｕメツキ層、５０・・・キャピラリ、５］・・Ａｕワイ
ヤ、５２・・電気トーチ、３・・ Ａｕボール、 ・Ａｕボール部。
断面図、第２．３図は本発明の実施例の金属突起物の多
層構造を説明する断面図、第４〜６図は、本発明の実施
例のポンチの先端形状と形成された金属突起物の形状を
説明する断面図であり、第４図はポンチの先端が平坦な
場合、第５図はポンチの先端面か凹状の場合、第６図は
ポンチの先端面に溝か入っている場合、第７図は従来の
金属突起物の形成方法のメツキバンプ法を工程順に示す
断面図、第８図は従来の他の金属突起物の形成方法のボ
ールバンプ法を工程順に示す断面図である。 １．１ｂ、ＩＣ・・・ポンチ、２・・・ダイス、３・・
・金属材料、４・・・ステージ、５・・・ＴＡＢフィル
ム、６・・金属リード、７・・・ポリイミド膜、８．８
ｂ、８Ｃ１８ｄ、８ｅ・・・金属突起物、９・・打ち抜
き残り部、１０・・・ダイス穴部、１３・・・パリ、１
４・・・ポンチ動作、１５・・・ポンチ先端面、１６・
・・金属突起物上面、３０・・・半導体素子、３１・・
・ＡＩ電極部、３２．３３．３４．３８．３９・・・金
属突起物内の層、３５・・・Ａ１層、３６・・・保護層
、３７・・・シリコン基板、４０・・・接着層、４１・
・・拡散防止層、４２・・・レジスト層、４３・・・Ａ
ｕメツキ層、５０・・・キャピラリ、５］・・Ａｕワイ
ヤ、５２・・電気トーチ、３・・ Ａｕボール、 ・Ａｕボール部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多層構造を有する板状金属材料をポンチとダイスを
用いたプレス加工法により打ち抜いて金属小片を形成す
る打ち抜き工程と、前記金属小片を金属リードまたは基
板上電極に接合する工程とを含むことを特徴とする金属
突起物の形成方法。 ２、ダイスと協働して多層構造を有する板状金属材料を
打ち抜いたポンチの移動を続けて前記金属小片を前記ダ
イスの下に位置決めされた金属リードまたは基板上電極
に圧着する請求項１記載の金属突起物の形成方法。 ３、多層構造の少なくとも１層は金、銅、ハンダ合金の
中から選ばれた１つである請求項１または２記載の金属
突起物の形成方法。 ４、ポンチの先端に凹部を設けて金属リードまたは基板
上電極に圧着した金属小片の表面に凸部を形成する請求
項１、２または３記載の金属突起物の形成方法。 ５、凹部が複数の溝であり凸部が複数の凸条である請求
項４記載の金属突起物の形成方法。 ６、金属リードまたは基板上電極ＴＡＢ方式のフィルム
キャリヤの金属リードまたは半導体素子の電極である請
求項１、２、３、４または５記載の金属突起物の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219162A JPH0748497B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 金属突起物の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219162A JPH0748497B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 金属突起物の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101426A true JPH04101426A (ja) | 1992-04-02 |
| JPH0748497B2 JPH0748497B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16731175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2219162A Expired - Lifetime JPH0748497B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 金属突起物の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748497B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817835A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5954262A (en) * | 1996-02-09 | 1999-09-21 | Yamaha Corporation | Soldering apparatus for providing a fixed quantity of solder piece onto target plate and method of soldering circuit component |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2219162A patent/JPH0748497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817835A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5954262A (en) * | 1996-02-09 | 1999-09-21 | Yamaha Corporation | Soldering apparatus for providing a fixed quantity of solder piece onto target plate and method of soldering circuit component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748497B2 (ja) | 1995-05-24 |
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