JPH0817835A

JPH0817835A - バンプ形成方法

Info

Publication number: JPH0817835A
Application number: JP6144293A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Takeda; 英敏武田; Akihiro Dotani; 明裕銅谷
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-06-27
Filing date: 1994-06-27
Publication date: 1996-01-19
Anticipated expiration: 2012-04-02
Also published as: JP2595901B2

Abstract

(57)【要約】【目的】バンプ形成の前にパッド表面に薄く形成された
酸化膜を機械的に除去する工程を含むことにより、酸化
膜の影響による不着をなくす。【構成】酸化膜除去専用ツール１はボンディングツール
７とは別のツールで、先端２には電極パッド幅程度のダ
イヤモンドもしくはサファイア，ルビー等が固定されて
いる。そのツール１の先端２をパッド３の表面に接触さ
せ水平方向に移動させて表面をひっかき表面の自然酸化
膜４の一部を除去した後、酸化膜が除去されたパッド３
にボールバンプ９を形成する。【効果】パッド表面は金属アルミニウム膜が露出した状
態となっているので、金属と金属の接着力の強い接合と
なり、接着信頼性の良いバンプを形成することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成方法に関し、
特にＬＳＩ（高密度集積回路）チップ又はウェハあるい
は回路基板上の金属バンプ形成法においてパッド表面の
自然酸化膜を機械的に除去した後各パッド表面に金属バ
ンプをボンディングしてバンプを形成する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のバンプ形成方法の概略について、
まずＬＳＩ素子のパッドに金属バンプを形成する方法か
ら説明する。この方法として、半導体ウェハ状態の各パ
ッドに一括して金属バンプを形成する方法と、半導体ウ
ェハから個々のＬＳＩチップをダイミングで切り離し、
個々のＬＳＩチップの状態にしてから、バンプを形成す
る方法とに、二分される。前者の方法としては、例えば
「マイクロエレクトロニクスパッケージングハンド
ブック（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｐａｃｋ
ａｇｉｎｇＨａｎｄｂｏｏｋ）日経ＢＰ社発行の第２
９０頁、第２９１頁、第３００頁及び第３０１頁」に、
述べられている。即ち、半導体ウェハの表面に、形成さ
れたアルミニウム電極は、ＤＣスパッタリングで表面洗
浄がおこなわれ、表面の酸化物やフォトレジスト等が除
去される。ひきつづき、ＢＬＭ（ＢａｌｌＬｉｍｉｔ
ｉｎｇＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ）と呼ばれるボール制御
金属層が、アルミニウム電極上に蒸着法で形成される。
ＢＬＭの例としては、クロム−銅−金（Ｃｒ−Ｃｕ−Ａ
ｕ）の三層金属が代表的である。このＢＬＭの上に、鉛
−錫（Ｐｂ−Ｓｎ）のハンダが蒸着される。次に、水素
（Ｈ₂）雰囲気炉中で３５０度Ｃでリフローすることに
よりＰｂ−Ｓｎパッドが溶け、表面張力で球形となった
バンプがＢＬＭを介してアルミニウムパッド上に形成さ
れる。一括形成の他の方法としてメッキによる方法もあ
る。この場合もメッキの前処理としてアルミニウム上に
他のメッキ下地金属を形成する必要がある。

【０００３】後者の方法としては、金属ワイヤでボール
を形成し、これをＬＳＩチップのアルミニウムパッド上
にボールボンディングして、バンプを形成するボールバ
ンプ法が代表的である。通常のワイヤボンディングは、
アルミニウムパッド上にボールボンディングした後、ワ
イヤを切らずにそのままループ状にこのワイヤを張り、
基板上のパッドにウェッジボンディングする。これに対
し、ボールバンプ法は、アルミニウムパッド上にボール
ボンディングした後、ワイヤを切って、バンプ形状に形
成する。しかし、アルミニウムパッドに対する接合のメ
カニズムは通常のワイヤボンディングと共通する。参考
文献としては、前述の「マイクロエレクトロニクス・パ
ッケージング・ハンドブック」の第３１２頁、第３１３
頁等が挙げられる。ここに述べられているように、金ワ
イヤをパッドに接合させるためには、超音波振動、また
は３００度Ｃ乃至４００度Ｃの高温と圧力、もしくはこ
の双方の技術をボールを介してアルミニウムパッドに加
えることにより、アルミニウム表面酸化物を除去して、
金とアルミニウムとの金属溶接接合を得ている。

【０００４】このメカニズムについては、「ハイブリッ
ヅ（ＨＹＢＲＩＤＳ），１９８７，Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．
３，国際ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会日
本本部発行」の第６頁，第７頁にも詳述されている。即
ち、金ワイヤボールが、３００度Ｃ乃至３５０度Ｃに加
熱され、７０ｇ乃至１００ｇの圧力でアルミニウムパッ
ド上に加圧されると、金ボールはアルミニウム薄膜上で
塑性変形する。金ボールの塑性変形により、ボール表面
に生成したすべり線の凹凸がアルミニウム上に刻印さ
れ、接合界面に微細なしわ状の凹凸が形成され、これに
あわせてアルミニウム面にも凹凸が生じアルミニウム表
面の酸化皮膜が破壊され、いくばくか清浄面があらわれ
る。そして、この表面で、ＡｕとＡｌの拡散，反応が生
じ、接合が形成される。

【０００５】超音波接合法は、金ボールに超音波振動を
印加し、ボールを塑性変形させるとともに、金ボールの
アルミニウムパッド表面での摩擦・すべりにより、アル
ミニウム酸化皮膜を破るメカニズムを利用している。こ
の接合法は、常温での接合が可能である。

【０００６】アルミニウムパッドの酸化膜を除去する他
の方法として、プラズマエッチングや化学エッチング等
を利用する方法がある（特開昭６３−２８９９４１号公
報）。この方法によれば、アルミニウムパッドにＡｕワ
イヤボンディングを行なう前処理として、自然酸化膜や
汚れ等を除去するために、プラズマエッチングやフッ酸
等の化学エッチングを用いるものである。このあと、通
常のワイヤボンディングをおこなうことにより、ボンデ
ィング性が良くなり、信頼性が向上すると記載されてい
る。

【０００７】次に回路基板上のパッドに金属バンプを形
成する方法について述べる。回路基板のパッドに金属バ
ンプを形成する方法も、基板上のパッドに一括してバン
プを形成する方法と、各パッド毎に１点づつバンプを形
成する方法との２つに大別される。

【０００８】一括バンプ形成法としては、ＬＳＩウェハ
と同様にメッキや蒸着スパッタリング法により、ハンダ
バンプや金属バンプ等を形成するものがある。この場
合、メッキ前処理として化学的処理により、パッド表面
の酸化皮膜を除去したり、蒸着，スパッタリング前処理
としてプラズマエッチングや逆スパッタリング等によ
り、表面酸化膜を除去する。一括バンプ形成法の他の例
として、ハンダペーストによる印刷リフロー工法があ
る。ハンダペーストを所定のパッドの位置に印刷し、次
にリフローによりハンダバンプを形成する。この場合の
パッド上の表面酸化膜は、ハンダペースト中に含まれる
フラックスの化学的反応により除去される。

【０００９】回路基板上の各パッドに１点づつバンプを
形成する方法としては、従来技術としては、あまり報告
例がないが基本的にはＬＳＩパッド上の形成方法が流用
できると考えられる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ素子のパッド又
は回路基板のパッドに、半導体ウェハ状態で一括してバ
ンプを形成する方法には、以下のような問題がある。メ
ッキで金属バンプを形成する場合は、金属酸化膜上に直
接メッキを形成することは不可能なので、この酸化膜を
化学エッチング除去する必要がある。特に、ＬＳＩ素子
のアルミニウムパッドの場合は、アルミニウム金属に直
接他の金属を安定的にメッキすることは困難であるた
め、他の金属を蒸着やスパッタリング等で形成した後、
メッキする手法が必要となる。蒸着やスパッタリング等
で金属バンプを形成する場合もプラズマエッチングや逆
スパッタリングなどの前処理が必須である。さらに、パ
ッドのみに、蒸着、スパッタリング金属を形成するため
には、マスクが必要になる。

【００１１】いずれにしても一括処理法では、バンプ形
成前の処理として、化学エッチング装置（廃水処理が必
要となる）、プラズマエッチング装置や、スパッタリン
グ装置等の前処理装置が必要になること、さらにアルミ
ニウムパッドに対しては、メッキ下地金属層、蒸着前処
理金属層が必要となり、構成が複雑になるなどの問題が
あった。

【００１２】次にＬＳＩ素子の個々のパッドもしくは回
路基板上の個々のパッドに金属バンプを形成する方法に
は、以下のような問題がある。ワイヤボンディング方法
によるボールボンディング法でＬＳＩのアルミニウムパ
ッド上にバンプを形成するには、超音波法、熱圧着法、
及び両者を併用したサーモソニック法がある。これらの
手法により、基本的にはアルミニウムの表面酸化膜を打
ち破り、ＡｕホールとＡｌとの接合を得ることができ
る。しかし、ボールボンディング法で形成できるバンプ
の大きさは、ワイヤの直径からほぼ決ってしまい、例え
ば実用的な２５μｍφワイヤでは８０μｍ直径がほぼ下
限である。即ち、直径８０μｍφ以下の微小バンプを形
成するには従来のボールボンディング法は適していな
い。これは、超音波、荷重や熱などを加えることによ
り、ボールの塑性変形を引きおこし、これによってパッ
ド金属の酸化膜を破っているのでこの塑性変形時に、ボ
ール径が大きくなってしまうからである。さらに、ボー
ル径が小さくなると酸化膜を破る程度の超音波エネル
ギ、圧力、熱エネルギを加えると、パッドはがれや、パ
ッド下クラック等が生じるという問題もある。これらの
エネルギを小さくすると、ボンディング強度の弱いプア
ーボンディングがおこってしまう。これをさけるため
に、プラズマエッチングや化学エッチング等を工程内に
入れたりすると、高価な装置や余分の工程が必要とな
り、コスト的に高いものになってしまう。

【００１３】回路基板上のパッドに１点づつ金属バンプ
を形成する方法の問題点も、ＬＳＩチップ上のパッドと
共通する。特に回路基板が一般的なプリント基板の場合
は、パッドの密着力が熱により大幅に劣化するため、従
来のワイヤボンディングによるボールバンプ技術の適用
は非常に困難である。

【００１４】以上のような従来の問題点を解決すべく、
本発明は次の課題を掲げる。（１）金属バンプを形成する前に、表面の酸化膜を化学
エッチングする必要がないようにする。（２）プラズマエッチングや逆スパッタリング等の前処
理が必要とならないようにする。（３）マスクが不要とする。（４）直径８０μｍφ以下の微小バンプまでも容易に形
成できるようにする。（５）パッドはがれやパッド下のクラック等が発生しな
いようにする。（６）高価な設備を用意したり、特に工程を追加する必
要がないようにする。（７）パッドの密着力が低下しないようにする。（８）製造方法が簡単で信頼性が向上し、コスト的に高
くならないようにする。

【００１５】（９）排水処理装置を追加する必要がない
ようにする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の構成は、半導体
素子又は回路基板の主表面に形成された電極パッドに金
属バンプを接合させるバンプ形成方法において、前記電
極パッドの主表面の酸化膜を部分的に機械的手段で除去
する第１の工程と、前記第１の工程で酸化膜が部分的に
除去された電極パッドの主表面に、前記金属バンプを接
合させる第２の工程とを備えることと、前記第１，第２
の工程が不活性雰囲気中又は還元雰囲気中で処理される
こととを特徴とする。

【００１７】

【実施例】図１（ａ）乃至図１（ｆ）は本発明の第１の
実施例のバンプ形成方法を工程順に示した断面図又は斜
視図である。

【００１８】図１（ａ）乃至（ｆ）において、この実施
例では、パッド３主表面の酸化膜４の除去とボンディン
グとを一つの工程で行い、この工程は、不活性ガス（Ｎ
₂，Ａｒ等）雰囲気中、又は還元（Ｈ₂）雰囲気中で行
われ、自然（大気）雰囲気や酸化されるような雰囲気中
では行われない。

【００１９】この実施例では、まず図１（ａ）に示すよ
うに、酸化膜除去ツール１がボンディングツールとは別
の専用ツールとして用意され、この先端２には、パッド
３との接触面が平坦で電極パッド幅程度のダイヤモン
ド，サファイア、又はルビー等が固定されている。除去
ツール１は、先端２をパッド３に押し当てた際に、ツー
ル自体が変形しないように充分に強度を持ったものであ
り、大きくても支障はない。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体素
子例えば半導体チップ５をボンディングステージ（図示
せず）の上に配置し、除去ツール１の先端２を半導体チ
ップ５の主表面の一つの電極（ボンディング）パッド３
の上に位置させ、次に先端２をパッド３の表面に軽く接
触させ、半導体チップ５の主表面と平行な方向でかつ左
又は右の一軸方向４０に、ツール１を移動させる。

【００２１】図１（ｃ）に示すように、先端２がパッド
３の主表面をひっかくような状態で削除しながら移動
し、主表面の金属酸化膜４が部分的に除去される。

【００２２】ここで、アルミニウムからなるパッド３上
のアルミニウム酸化膜４の厚さは、約５ｎｍ乃至１０ｎ
ｍであり、表面にツール１を一定圧力で押しあて水平方
向に移動させることにより、アルミニウム表面の結晶面
にズレの塑性変形を引きおこし、清浄なアルミニウム表
面を露出させることができる。露出が終了すると、除去
ツール２の先端をパッド３から引き上げる。次の工程
で、ボンディングツールをパッドの位置に移動させ、ボ
ールバンプ方法で、以下の通り、金属バンプを形成す
る。

【００２３】まず、ボールバンプ方法において金属ボー
ルを形成する工程を示す図１（ｄ）において、キャピラ
リ７が半導体チップ５の主表面のアルミニウムからなる
パッド３の上方に配置される。このキャピラリ７には中
央に開孔があり、この開孔を貫通する金属ワイヤ６の先
端は、ヒータ（図示せず）でスパークさせて球状とな
し、金属ボール８を形成させている。

【００２４】この後、図１（ｅ）に示すようにステージ
（図示せず）上で半導体チップ５の電極パッド３にキャ
ピラリ７で前記金属ボール８を押圧してこのボール８を
変形させ、金属ボール８を電極パッド３に接合させる。
最後に、キャピラリ７を動かして金属ワイヤ６を破断さ
せ、図１（ｆ）のように電極パッド３上に金属突起９を
形成する。金属ワイヤ６としては、金，金合金，Ｐｄ，
Ａｌ，Ｃｕなどを用いることができる。パッド３の表面
はすでに酸化膜が除去され、清浄な金属アルミニウムが
露出しているので、ボール９の金属とアルミニウムパッ
ド３間の高い接着力の接合を得ることができる。尚、こ
の実施例は、半導体チップ５が半導体ウェハの状態でも
行える。削除された酸化膜の粉末が発生した場合は、適
宜吹き付け・吸引により除去することが好ましい。尚、
前記電極パッド３の表面に形成される自然酸化膜４は、
大気又は酸化雰囲気中だけでなく、不活性雰囲気中で
も、残留酸化ガスがあれば薄く形成されることがある。

【００２５】図２（ａ）乃至図２（ｆ）は本発明の第２
の実施例のバンプ形成方法を工程順に示した断面図又は
斜視図である。

【００２６】図２（ａ）乃至（ｆ）において、この実施
例では、半導体チップの酸化膜除去からボンディングま
での全工程は、不活性ガス（Ｎ₂，Ａｒ等）雰囲気中，
又は還元（Ｈ₂）雰囲気中で行われる。

【００２７】この実施例では、まず図２（ａ）に示すよ
うに、まず先端２２を有するツール２１が用意され、こ
のツール２１は酸化膜を除去するための専用のツール
で、超音波振動を吸収しないように十分な強度をもった
ものであり、またその先端２２には電極パッド幅程度の
ダイヤモンドもしくはサファイア，ルビー等が固定され
ている。ここで、ツール先端２２の接触表面は、細かな
凹凸が形成されている。ツール先端２２の直径は８０μ
ｍφであり、細かな凹凸のくぼみの径は、１μｍ乃至１
０μｍφの範囲であることが好ましい。図２（ｂ），
（ｃ）に示すように、除去ツール２１の先端２２を半導
体チップ２５のボンディングパッド２３の主表面に接触
させる。ここで、図２（ｃ）に示すように除去ツール２
１に超音波をかけてパッド２３の主表面の金属酸化膜２
４の一部を超音波の振動摩擦によって除去する。この超
音波の振動は、半導体チップ２５の主表面に対して左右
の方向４１の往復運動が好ましい。図２（ｂ），（ｃ）
の工程でパッド表面の酸化膜が除去されたチップ２３
は、上記雰囲気中でバンプ形成の工程へ送り、酸化膜２
４が除去され金属アルミニウム膜が露出した状態の電極
パッド２３に、以下に示す打ち抜き方法で金属テープを
打ち抜き、バンプを形成する。

【００２８】この打ち抜き方法について、図２（ｄ）乃
至（ｆ）を用いて説明する。図２（ｄ）において、半導
体素子２５の主裏面のボンディングパッド２３上に、加
圧ツール（ポンチ）２６が挿入される開孔を有するダイ
ス２８が用意され、このダイス２８上に金属テープ２７
が載置される。まず、半導体チップ２５のボンディング
パッド２３上にダイス２８の孔位置を合わせる。金属テ
ープ２７は、ダイス２８の上に置かれている。テープ２
７の両端は図示していない治見で張力がかけられてお
り、このテープ２７は打ち抜かれる時に移動しない程度
に強く張られている。次に図２（ｅ）に示すように、上
から加圧ツール２６が下がり、金属テープ２７をダイス
２８との間で打ち抜き、そのまま半導体素子２５上のボ
ンディングパッド２３に押しつける。加圧ツール２６の
直径は、ダイス２８の孔よりもやや径を小さくして、金
属テープ２７の打ち抜きを容易している。この実施例で
は、ダイス２８の孔のサイズが５０μｍφ、加圧ツール
２６の直径は４５μｍφである。この場合は、金属テー
プの厚さは３０μｍであることが好ましい。打ち抜かれ
た金属テープ２８′は、バンプ状となってアルミニウム
パッド２３の上に押しつけられる。このパッド２３の表
面は、すでに上記工程で金属酸化膜が除かされおり、金
属テープ２８′もＡｕやＰｄ等の酸化膜のできにくい金
属のため、図２（ｆ）に示すようにバンプ２９とパッド
２３とは、互いに押しつけられるだけで、強い接着力を
得ることができ、高い信頼性の接合を得ることができ
る。この実施例では、金属テープ２７として、Ａｕ，Ｐ
ｄの場合を述べたが少なくともパッド２３と接する面が
Ａｕ，Ｐｄであればよいので、Ｃｕ，Ｎｉ、又はハンダ
に、下表面をＡｕメッキもしくはＰｄメッキしてなる多
層膜でもかまわない。この打ち抜き方法で、バンプ２９
を形成すればポンチとダイス径でバンプ径がきまり、ま
た押しつける力も適宜コントロールすることができるの
で、８０μｍφ以下の微小なバンプでも容易に形成でき
る。

【００２９】尚、上記第１の実施例において、図１
（ａ）乃至（ｃ）の工程に替えて、上記第２の実施例を
示す図２（ａ）乃至（ｃ）の工程が用いられてもよい
し、また図１（ｄ）乃至（ｆ）の工程に替えて、図２
（ｄ）乃至（ｆ）の工程が用いられてもよい。

【００３０】上記第２の実施例において、図２（ａ）乃
至（ｃ）の工程に替えて、図１（ａ）乃至（ｃ）の工程
が用いられてもよいし、図２（ｄ）乃至（ｆ）の工程に
替えて、図１（ｄ）乃至（ｆ）の工程が用いられてもよ
い。

【００３１】図３（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施
例のバンプ形成方法の一部を示すそれぞれ断面図、斜視
図である。この実施例の全工程も、上記第１，第２の実
施例と共通の雰囲気中で行われる。

【００３２】図３（ａ），（ｂ）において、この実施例
では、ツール３１は酸化膜を除去するための専用のツー
ルで、軸に対する回転運動にも十分対応する強度をもっ
たものを用意し、またその先端３２には電極パッド幅程
度のダイヤモンドもしくはサファイア，ルビー等が固定
されている。まず、除去ツールの先端３２を回路基板３
５の一つの電極パッド３３に位置合わせし、電極パッド
３３の主表面に接触させる。次に矢印方向４２のように
ツール先端３２に軸に対する回転を加え、パッド３３の
主表面の金属酸化膜３４の一部を回転摩擦により除去す
る。ここで、パッド３３の金属としては、Ｃｕメッキ、
ハンダメッキ、Ｓｎメッキ、又はＰｄメッキなどが好ま
しく、金属組成や、バンプ形成前の熱履歴の差などか
ら、表面の酸化膜の厚さはかなり異なってくる。ツール
３１の回転数及び接触時間は、この酸化膜組成と厚さと
で最適条件を決めるべきである。例えば、ハンダメッキ
に対しては、１０ｒｐｍ乃至１００ｒｐｍの回転数で、
０．１秒乃至１秒の接触時間で充分である。

【００３３】尚、第３の実施例の先端３２の、パッド３
３との接触面は平坦になっており、ツール３１の回転方
向は、矢印方向４２と逆の回転であってもよい。

【００３４】パッド３３表面の酸化膜３４が除去された
後、直ちに、このパッド上に、ボールボンディング方法
もしくは打ち抜き方法でバンプが形成される。このボー
ルボンディング方法を採用する場合は、上記第１の実施
例で示した図１（ｄ）乃至（ｆ）と共通した工程であ
り、打ち抜き方法を採用する場合には上記第２の実施例
で示した図２（ｄ）乃至（ｆ）と共通した工程であるた
め、その説明と図示は省略する。

【００３５】従来、回路基板がプリント基板の場合、ボ
ールバンプ方法でバンプを形成する時は超音波や熱が加
わり、打ち抜き方法でバンプを形成する場合は圧力と熱
が加わるため、どちらもパッドの密着力を劣化させ、実
用上適用できないという問題点があった。しかしながら
上記第１，第２，第３の実施例を用いればパッドの主表
面の酸化膜をあらかじめ機械的に除去してあるので、金
属バンプとパッドとは弱い圧力で接触させるだけで強い
接合を得ることができるようになった。即ち上記特に第
３の実施例に示したように、プリント板上のパッドに対
してもボールバンプ方法や打ち抜き方法等でバンプを形
成することが可能になった。

【００３６】第３の実施例では、回路基板のパッドに対
し、回転摩擦力で酸化膜を除去する手法を述べている
が、上記第１の実施例の引っかき法や上記第２の実施例
の超音波法（プリント板に対しては弱い超音波であるこ
とが必要だが）にも適用することができる。

【００３７】以上、本発明の実施例のバンプ形成方法
は、不活性雰囲気、又は還元雰囲気中で行い、ボンディ
ングする直前にパッド表面の自然酸化膜を種々の方法で
除去し、この酸化膜除去はボンディング用のツールとは
別の専用のツールを使って行い、酸化膜除去からボンデ
ィングまでを一連の作業として同一雰囲気中で行う。

【００３８】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、酸
化膜除去からバンプ形成までの一連の作業を、不活性雰
囲気中もしくは還元雰囲気中で行い、酸化膜の影響によ
る不着をなくすこと等により、信頼性の高い接合を行う
ことができるから、上記課題が達成される。

【００３９】また本発明では、ボールバンプ方法でボー
ルボンディング時の超音波をなくすか、又は極めて弱く
することができ、また熱や圧力も小さくすることができ
るから、パッドに対するダメージを小さくすることがで
きるという効果があり、また形成するポールバンプの塑
性変形量を小さくして、微小なバンプを形成することが
できるという効果がある。

【００４０】さらに本発明では、打ち抜き方法でも、バ
ンプを形成することができ、微小なバンプ形成が可能と
なるという効果もあり、特に機械的な手段で金属酸化膜
を除去するため、装置が簡単で低コストで信頼性の高い
接合を得ることができるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）及び（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）乃至（ｆ）
は、本発明の第１の実施例のバンプ形成方法を工程順に
示すそれぞれ断面図、斜視図、断面図である。

【図２】（ａ）及び（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）乃至（ｆ）
は、本発明の第２の実施例のバンプ形成方法を工程順に
示すそれぞれ断面図、斜視図、断面図である。

【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施例のバ
ンプ形成方法の一部を工程順に示すそれぞれ断面図、斜
視図である。

【符号の説明】

１，２１，３１酸化膜除去専用ツール２，２２，３２ダイヤモンドもしくはサファイア，
ルビー等の先端３，２３，３３ボンディグパッドもしくは電極パッ
ド４，２４，３４パッド表面上の酸化膜５，２５ＬＳＩチップ３５回路基板６ワイヤ７キャビラリ８金属ボール９バンプ２６加圧ツール（ポンチ）２７金属テープ２８ダイス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子又は回路基板の主表面に形成
された電極パッドに金属バンプを接合させるバンプ形成
方法において、前記電極パッドの主表面の酸化膜を部分
的に機械的手段で除去する第１の工程と、前記第１の工
程で酸化膜が部分的に除去された電極パッドの主表面
に、前記金属バンプを接合させる第２の工程とを備える
ことと、前記第１，第２の工程が不活性雰囲気中又は還
元雰囲気中で処理されることとを特徴とするバンプ形成
方法。
【請求項２】前記第１の工程で使用される機械的手段
として、前記第２の工程で使用される接合させる手段と
は別の専用ツールが用いられる請求項１記載のバンプ形
成方法。
【請求項３】前記第１の工程の機械的手段として、超
音波振動で酸化膜を除去する手段が用いられる請求項１
記載のバンプ形成方法。
【請求項４】前記第１の工程の機械的手段として、電
極パッドの主表面に当接させた状態で回転させる先端を
備えた手段が用いられる請求項１記載のバンプ形成方
法。
【請求項５】前記第２の工程が、金属テープを所定の
大きさに打ち抜き、この打ち抜き部分をそのまま電極パ
ッドの主表面に押しつけて金属バンプとする工程である
請求項１記載のバンプ形成方法。