JPH04101484A - レーザ・ダイオード・パッケージ - Google Patents
レーザ・ダイオード・パッケージInfo
- Publication number
- JPH04101484A JPH04101484A JP2219323A JP21932390A JPH04101484A JP H04101484 A JPH04101484 A JP H04101484A JP 2219323 A JP2219323 A JP 2219323A JP 21932390 A JP21932390 A JP 21932390A JP H04101484 A JPH04101484 A JP H04101484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- distributed constant
- constant line
- diode package
- characteristic impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信等に用いられるレーザダイオードパ
ッケージに関するものである。
ッケージに関するものである。
第４図は、従来のレーザダイオードパッケージを示す斜
視図であ９９図において（］）はレーザダイオード、（
２）はこのレーザダイオード（ｏｉ載せるサフマウン）
、（３１は（２）のサブマウントに固定されたヒートシ
ンク、（４）はレーザダイオード（１１のカンード側を
配線するワイヤ、（５）はワイヤ（４）と電気的に接続
された電極、（６）はヒートシンク（３）と電極（５）
を電気的に分離するセラミック板である。
視図であ９９図において（］）はレーザダイオード、（
２）はこのレーザダイオード（ｏｉ載せるサフマウン）
、（３１は（２）のサブマウントに固定されたヒートシ
ンク、（４）はレーザダイオード（１１のカンード側を
配線するワイヤ、（５）はワイヤ（４）と電気的に接続
された電極、（６）はヒートシンク（３）と電極（５）
を電気的に分離するセラミック板である。
次に動作について説明する。レーザダイオードのカンー
ド側は、ワイヤ（４）を通して電極（５）と電気的に接
続されている。一方、レーザダイオードのアノード側は
導電性のサブマウン） ＋２１ ｆｆｉ通してヒートシ
ンク（３）と電気的に接続されている。従って。
ド側は、ワイヤ（４）を通して電極（５）と電気的に接
続されている。一方、レーザダイオードのアノード側は
導電性のサブマウン） ＋２１ ｆｆｉ通してヒートシ
ンク（３）と電気的に接続されている。従って。
電極（５）とヒートシンク（３）の間に電流を流すこと
により、レーザダイオ−、ドが発光する。レーザダイオ
ードに流す電流に変化を持たせることＫより。
により、レーザダイオ−、ドが発光する。レーザダイオ
ードに流す電流に変化を持たせることＫより。
レーザダイオードを直接変調し９通信用の光信号を得る
。
。
従来のレーザダイオードパッケージは以上のように構成
されているので、電極（５）とヒートシンク（３）の間
にある容量等によって、レーザダイオード［１）の直接
変調帯域が制限されるという問題点があった。
されているので、電極（５）とヒートシンク（３）の間
にある容量等によって、レーザダイオード［１）の直接
変調帯域が制限されるという問題点があった。
電極によって発生する寄生容量等の悪影響を防ぐ手段と
して、電極に分布定数線路を用いるという手段があシ、
マイクロ波デバイスを用いた回路では広く利用されてい
る。第５図は、電極として分布定数線路を用いた場合の
レーザダイオードパッケージを示す斜視図である。図に
おいて、（１）はレーザダイオード、（２）はこのレー
ザダイオードを載せるザブマウンｌ−，＋３）は（２）
のサブマウント眞固定されたヒートシンク、（４）はレ
ーザダイオード（１）のカソード側を配線するワイヤ、
（６）はヒートシンク（３）上に固定されたセラミック
板であり、これらの構成は第４図に示したものと同様で
あるが、（７）はセラミック板（６）の上に蒸着にょシ
形成された分布定数線路、（８）は分布定数線路（７）
の端でかっレーザダイオードの近傍に薄膜により形成さ
れた抵抗体であシ、これらの点が異なっている。
して、電極に分布定数線路を用いるという手段があシ、
マイクロ波デバイスを用いた回路では広く利用されてい
る。第５図は、電極として分布定数線路を用いた場合の
レーザダイオードパッケージを示す斜視図である。図に
おいて、（１）はレーザダイオード、（２）はこのレー
ザダイオードを載せるザブマウンｌ−，＋３）は（２）
のサブマウント眞固定されたヒートシンク、（４）はレ
ーザダイオード（１）のカソード側を配線するワイヤ、
（６）はヒートシンク（３）上に固定されたセラミック
板であり、これらの構成は第４図に示したものと同様で
あるが、（７）はセラミック板（６）の上に蒸着にょシ
形成された分布定数線路、（８）は分布定数線路（７）
の端でかっレーザダイオードの近傍に薄膜により形成さ
れた抵抗体であシ、これらの点が異なっている。
次に動作について説明する。分布定数線路（７）とヒー
Ｉ、シンク（３）の間に電流を流すことにより、レーザ
ダイオードが発光するのは、第４図に示したものと同様
であるが、（９）ｊ／ｉ：示された方向から高周波電力
を入力すると９分布定数線路（７）内を伝搬し。
Ｉ、シンク（３）の間に電流を流すことにより、レーザ
ダイオードが発光するのは、第４図に示したものと同様
であるが、（９）ｊ／ｉ：示された方向から高周波電力
を入力すると９分布定数線路（７）内を伝搬し。
抵抗体（８）及びレーザダイオード＋１１で、終端され
る点が第４図とは異なっている。この時、（７）は分布
定数線路であるため、レーザダイオードに高周波まで理
想的な変調をかけることができる。ただし。
る点が第４図とは異なっている。この時、（７）は分布
定数線路であるため、レーザダイオードに高周波まで理
想的な変調をかけることができる。ただし。
レーザダイオードの発光状態における微分抵抗値と、抵
抗体（８）の抵抗値の和が９分布定数線路（カの特性イ
ンピーダンスにほぼ等しくする必要がある。
抗体（８）の抵抗値の和が９分布定数線路（カの特性イ
ンピーダンスにほぼ等しくする必要がある。
例えば２分布定数線路（７）の特性インピーダンスが５
０Ωで、レーザダイオードの微分抵抗値が５Ωである場
合には、抵抗体の抵抗値は４５Ωでなければならない。
０Ωで、レーザダイオードの微分抵抗値が５Ωである場
合には、抵抗体の抵抗値は４５Ωでなければならない。
従来のレーザダイオードパッケージは以上のように構成
されているため、レーザダイオードに高周波まで直接変
調をかけるためには、ユーザのレーザダイオード駆動回
路の出力インピーダンスに合せた特性インピーダンスの
分布定数線路をレーザダイオードパッケージ内に設ける
必要があった。
されているため、レーザダイオードに高周波まで直接変
調をかけるためには、ユーザのレーザダイオード駆動回
路の出力インピーダンスに合せた特性インピーダンスの
分布定数線路をレーザダイオードパッケージ内に設ける
必要があった。
具体的には、２５Ωと５０Ωが代表的な特性インピーダ
ンスである。従って２種類のレーザダイオードパッケー
ジを準備して、使い分ける必要があシ、レーザダイオー
ドパッケージが高価であるために、経費がかさむという
問題点があった。
ンスである。従って２種類のレーザダイオードパッケー
ジを準備して、使い分ける必要があシ、レーザダイオー
ドパッケージが高価であるために、経費がかさむという
問題点があった。
この発明は、上記のような課題を解消するためになされ
たもので、２５Ωと５０Ωの両方の特性インピーダンス
に兼用できるレーザダイオードパッケージを得ることを
目的とする。
たもので、２５Ωと５０Ωの両方の特性インピーダンス
に兼用できるレーザダイオードパッケージを得ることを
目的とする。
この発明に係るレーザダイオードパッケージは電極を５
０Ωの特性インピーダンスを持つ分布定数線路２本の並
列接続により構成したものである。
０Ωの特性インピーダンスを持つ分布定数線路２本の並
列接続により構成したものである。
この発明におけるレーザダイオードパッケージは、５０
Ωの特性インピーダンスの分布定数線路２本を持つため
、それを並列接続することにより２５Ωの特性インピー
ダンスを得ることができ。
Ωの特性インピーダンスの分布定数線路２本を持つため
、それを並列接続することにより２５Ωの特性インピー
ダンスを得ることができ。
また一方の分布定数線路だけを使用した場合には。
５０Ωの特性インピーダンスを得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はレーザダイオード、（２）はこの
レーザダイオード（工ｌ を載せるサブマウント。
図において、（１）はレーザダイオード、（２）はこの
レーザダイオード（工ｌ を載せるサブマウント。
（３）は（２）のサブマウントに固定されたヒートシン
ク。
ク。
（４ａ）はレーザダイオード（１）のカソード側を配線
する第１のワイヤ、 ＋６１１７−ｊヒートシンク（３
）上に固定されたセラミック板、 （７ａ）はセラミ
ック板（６）の上に蒸着により形成された第１の分布定
数線路。
する第１のワイヤ、 ＋６１１７−ｊヒートシンク（３
）上に固定されたセラミック板、 （７ａ）はセラミ
ック板（６）の上に蒸着により形成された第１の分布定
数線路。
（７ｂ）は第１の分布定数線路（７ａ）に平行に設けら
れた第２の分布定数線路、 （８ａ）は第１の分布定
数線路（７ａ）の端でかつレーザダイオードの近傍に薄
膜により形成された第１の抵抗体、 （ｓｂ）は第２
の分布定数線路（７ｂ）の端でかつレーザダイオードの
近傍に形成された第２の抵抗体、 （４１））は第１
の分布定数線路（７ａ〕 と第２の分布定数線路（７ｂ
）を接続する第２のワイヤである。
れた第２の分布定数線路、 （８ａ）は第１の分布定
数線路（７ａ）の端でかつレーザダイオードの近傍に薄
膜により形成された第１の抵抗体、 （ｓｂ）は第２
の分布定数線路（７ｂ）の端でかつレーザダイオードの
近傍に形成された第２の抵抗体、 （４１））は第１
の分布定数線路（７ａ〕 と第２の分布定数線路（７ｂ
）を接続する第２のワイヤである。
第１の分布定数線路（７ａ）と第２の分布定数線路（７
ｂ）の特性インピーダンスは共に５０Ωであり、また、
第１の抵抗体（８ａ）と第２の抵抗体（８ｂ〕の抵抗値
は共に４５Ωである。
ｂ）の特性インピーダンスは共に５０Ωであり、また、
第１の抵抗体（８ａ）と第２の抵抗体（８ｂ〕の抵抗値
は共に４５Ωである。
次に動作について説明する。レーザダイオードのカソー
ド側は第１のワイヤ（４ａ） 、第２のワイ−Ｙ （４
ｂ） 、第１の抵抗体（８ａ） 、第２の抵抗体（８ｂ
）を通して、第１の分布定数線路（７ａ〕及び第２の分
布定数線路（７ｂ）と電気的に接続されている。一方、
レーザダイオードのアノード側は導電性のサプマウン）
ｆ２） ｉ通してヒートシンク（３）ト電気的に接続
されている。従って分布定数線路（７ａ） 、 （７ｂ
） ｋ形成するパターンと、ヒートシンク（３）の間に
電流を流すことにより、レーザダイオード（１）が発光
する。レーザダイオードを強度変調する場合には、（９
）に示す方向よシ特性インピーダンス２５Ωで高周波を
入力する。（７ａ）と（７ｂ）を並列に接続した場合に
は２合成された分布定数線路の特性インピーダンスが２
５Ωと彦シ、レーザダイオードの微分抵抗、第１の抵抗
体（８ａ） 。
ド側は第１のワイヤ（４ａ） 、第２のワイ−Ｙ （４
ｂ） 、第１の抵抗体（８ａ） 、第２の抵抗体（８ｂ
）を通して、第１の分布定数線路（７ａ〕及び第２の分
布定数線路（７ｂ）と電気的に接続されている。一方、
レーザダイオードのアノード側は導電性のサプマウン）
ｆ２） ｉ通してヒートシンク（３）ト電気的に接続
されている。従って分布定数線路（７ａ） 、 （７ｂ
） ｋ形成するパターンと、ヒートシンク（３）の間に
電流を流すことにより、レーザダイオード（１）が発光
する。レーザダイオードを強度変調する場合には、（９
）に示す方向よシ特性インピーダンス２５Ωで高周波を
入力する。（７ａ）と（７ｂ）を並列に接続した場合に
は２合成された分布定数線路の特性インピーダンスが２
５Ωと彦シ、レーザダイオードの微分抵抗、第１の抵抗
体（８ａ） 。
第２の抵抗体（８ｂ）により得られる合成抵抗も約２５
Ωと々るため高周波までほぼ理想的なレーザダイオード
の変調が得られる。第２図に、２５々の特性インピーダ
ンスでの使用状態を示す。図において００はレーザダイ
オードパッケージ、Ｏｌ）は。
Ωと々るため高周波までほぼ理想的なレーザダイオード
の変調が得られる。第２図に、２５々の特性インピーダ
ンスでの使用状態を示す。図において００はレーザダイ
オードパッケージ、Ｏｌ）は。
２５Ωの特性インピーダンスを持つ第３の分布定数線路
であシ、α２は、第３の分布定数線路とレーザダイオー
ドパッケージを接続する第３のワイヤである。
であシ、α２は、第３の分布定数線路とレーザダイオー
ドパッケージを接続する第３のワイヤである。
第１図に示したレーザダイオードパッケージは。
第２のワイヤ（４ｂ）を切断し、第１の分布定数線路（
７ａ）だけを使うことにょ見特性インピーダンス５ｏΩ
の高周波を入力してもレーザダイオードを理想的に変調
することができる・ 第３図に５０Ωの特性インピーダンスでの使用状態を示
す。図においてｏＯはレーザダイオードパッケージ、α
３）ば５０Ωの特性インピーダンスを持つ第４の分布定
数線路であり、Ｑ４）は第４の分布定数線路とレーザダ
イオードパッケージ乞接続する第４のワイヤである。
７ａ）だけを使うことにょ見特性インピーダンス５ｏΩ
の高周波を入力してもレーザダイオードを理想的に変調
することができる・ 第３図に５０Ωの特性インピーダンスでの使用状態を示
す。図においてｏＯはレーザダイオードパッケージ、α
３）ば５０Ωの特性インピーダンスを持つ第４の分布定
数線路であり、Ｑ４）は第４の分布定数線路とレーザダ
イオードパッケージ乞接続する第４のワイヤである。
なお、上記実施例では２分布定数線路としてマイクロス
トリップ線路を用いたものを示したが。
トリップ線路を用いたものを示したが。
コプレーナ線路や同軸線路等信の分布定数線路であって
もよい。
もよい。
以上のように、この発明によればレーザダイオードパッ
ケージの電極に５０Ωの特性インピーダンスを持つ分布
定数線路２本の並列接続により構成したので、２５Ωと
５０Ωの両方の特性インピーダンスに兼用できるレーザ
ダイオードパッケージを得ることができ９部品の種類を
削減してコストを低減することができる。
ケージの電極に５０Ωの特性インピーダンスを持つ分布
定数線路２本の並列接続により構成したので、２５Ωと
５０Ωの両方の特性インピーダンスに兼用できるレーザ
ダイオードパッケージを得ることができ９部品の種類を
削減してコストを低減することができる。
第１図はこの発明の一実施例によるレーザダイオードパ
ッケージｋｙｒ＜す斜視図、第２図はこの発明の一実施
例の特性インピーダンス２５Ωでの使用状態を示す斜視
図、第３図はこの発明の一実施例の特性インピーダンス
５０Ωでの使用状態を示す斜視図、第４図は従来のレー
ザダイオードパッケージの第１の例を示す斜視図、第５
図は、従来のレーザダイオードパッケージの第２の例を
示す斜視図である。 （１）はレーザダイオード、（３）はヒートシンク、（
６）はセラミック板、 （７ａ）は第１の分布定数線
路。 （７ｂ）は第２の分布定数線路。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ッケージｋｙｒ＜す斜視図、第２図はこの発明の一実施
例の特性インピーダンス２５Ωでの使用状態を示す斜視
図、第３図はこの発明の一実施例の特性インピーダンス
５０Ωでの使用状態を示す斜視図、第４図は従来のレー
ザダイオードパッケージの第１の例を示す斜視図、第５
図は、従来のレーザダイオードパッケージの第２の例を
示す斜視図である。 （１）はレーザダイオード、（３）はヒートシンク、（
６）はセラミック板、 （７ａ）は第１の分布定数線
路。 （７ｂ）は第２の分布定数線路。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- レーザダイオードと、レーザダイオードを固定するヒー
トシンクと、ヒートシンク上に固定された電極とからな
るレーザダイオードパッケージにおいて、電極を５０Ω
の特性インピーダンスを持つ分布定数線路２本の並列接
続により構成したことを特徴とするレーザ・ダイオード
・パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219323A JPH04101484A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | レーザ・ダイオード・パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219323A JPH04101484A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | レーザ・ダイオード・パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101484A true JPH04101484A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16733672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2219323A Pending JPH04101484A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | レーザ・ダイオード・パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04101484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2738926A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module |
| FR2816768A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | Module d'element optique |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2219323A patent/JPH04101484A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2738926A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module |
| FR2816768A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | Module d'element optique |
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