JPH04102215A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH04102215A JPH04102215A JP2219828A JP21982890A JPH04102215A JP H04102215 A JPH04102215 A JP H04102215A JP 2219828 A JP2219828 A JP 2219828A JP 21982890 A JP21982890 A JP 21982890A JP H04102215 A JPH04102215 A JP H04102215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- soft magnetic
- magnetic field
- magnetic thin
- high frequency
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドに関し、特に、従来と異なる原理
に基づく磁気ヘッドに関するものである。
に基づく磁気ヘッドに関するものである。
本発明は、磁気ヘッドにおいて、外部磁場に応じて透磁
率が変化する軟磁性薄膜と、軟磁性薄膜に高周波電流を
流す手段と、軟磁性薄膜にバイアス磁界を印加する手段
とを具備し、軟磁性薄膜にバイアス磁界を印加し、かつ
高周波電流を流した状態で高周波電流が流れる方向の軟
磁性薄膜の両端間の電位差の変化を検出するようにする
ことによって、磁気記録の読み取りを高感度で行うこと
ができるようにしたものである。
率が変化する軟磁性薄膜と、軟磁性薄膜に高周波電流を
流す手段と、軟磁性薄膜にバイアス磁界を印加する手段
とを具備し、軟磁性薄膜にバイアス磁界を印加し、かつ
高周波電流を流した状態で高周波電流が流れる方向の軟
磁性薄膜の両端間の電位差の変化を検出するようにする
ことによって、磁気記録の読み取りを高感度で行うこと
ができるようにしたものである。
磁気記録の高密度化に伴い、その読み取り用磁気ヘッド
として、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの相対速度に依存
しない磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという）が開発されている。そして、このＭＲヘ
ッドとして、パーマロイ薄膜を用いたものが知られてい
る。
として、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの相対速度に依存
しない磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという）が開発されている。そして、このＭＲヘ
ッドとして、パーマロイ薄膜を用いたものが知られてい
る。
なお、本発明に関連する技術として、外部磁場によるア
モルファス金属細線の高周波電気抵抗の変化を測定した
例がある（第１３回日本応用磁気学会学術講演概要集（
１９８９）第２１４頁）。
モルファス金属細線の高周波電気抵抗の変化を測定した
例がある（第１３回日本応用磁気学会学術講演概要集（
１９８９）第２１４頁）。
また、最近では、ＭＲヘッドよりも優れた磁気ヘッドと
してアクティブヘッドが提案されているが、これは外部
磁場によるコイルのインダクタンスの変化を利用したも
のである（例えば、１９９０年電子情報通信学会春季全
国大会講演予稿集５−３５頁）。
してアクティブヘッドが提案されているが、これは外部
磁場によるコイルのインダクタンスの変化を利用したも
のである（例えば、１９９０年電子情報通信学会春季全
国大会講演予稿集５−３５頁）。
パーマロイ薄膜を用いた上述の従来のＭＲヘッドは、磁
気抵抗効果によるパーマロイ薄膜の電気抵抗Ｒの変化の
割合ΔＲ／Ｒが２％程度と小さいため、感度が低いとい
う問題があった。
気抵抗効果によるパーマロイ薄膜の電気抵抗Ｒの変化の
割合ΔＲ／Ｒが２％程度と小さいため、感度が低いとい
う問題があった。
従って、本発明の目的は、磁気記録の読み取りを高感度
で行うことができる磁気ヘッドを提供することにある。
で行うことができる磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、磁気ヘッドにお
いて、外部磁場に応じて透磁率が変化する軟磁性薄膜１
と、軟磁性薄膜１に高周波電流を流す手段と、軟磁性薄
膜１にバイアス磁界を印加する手段とを具備し、軟磁性
薄膜１にバイアス磁界を印加し、かつ高周波電流を流し
た状態で高周波電流が流れる方向の軟磁性薄膜１の両端
間の電位差の変化を検出するようにしている。
いて、外部磁場に応じて透磁率が変化する軟磁性薄膜１
と、軟磁性薄膜１に高周波電流を流す手段と、軟磁性薄
膜１にバイアス磁界を印加する手段とを具備し、軟磁性
薄膜１にバイアス磁界を印加し、かつ高周波電流を流し
た状態で高周波電流が流れる方向の軟磁性薄膜１の両端
間の電位差の変化を検出するようにしている。
［作用〕
第１図を参照して本発明の磁気ヘッドの原理を説明する
。第１図に示すように、長方形状の軟磁性薄膜１の長手
方向（Ｘ軸方向）に高周波電流Ｉを流し、かつバイアス
磁界Ｈａを印加する場合を例にとって考える。この軟磁
性薄膜１のインピーダンスをＺとすると、Ｚ＝Ｒ＋ｊω
してある。ここで、Ｒ及びＬはそれぞれ軟磁性薄膜１の
抵抗及びインダクタンス、ωは高周波電流Ｉの角周波数
である。インダクタンスしは軟磁性薄膜１の透磁率μに
依存するので、結局、軟磁性薄膜１のインピーダンスＺ
は透磁率μに依存することがわかる。
。第１図に示すように、長方形状の軟磁性薄膜１の長手
方向（Ｘ軸方向）に高周波電流Ｉを流し、かつバイアス
磁界Ｈａを印加する場合を例にとって考える。この軟磁
性薄膜１のインピーダンスをＺとすると、Ｚ＝Ｒ＋ｊω
してある。ここで、Ｒ及びＬはそれぞれ軟磁性薄膜１の
抵抗及びインダクタンス、ωは高周波電流Ｉの角周波数
である。インダクタンスしは軟磁性薄膜１の透磁率μに
依存するので、結局、軟磁性薄膜１のインピーダンスＺ
は透磁率μに依存することがわかる。
ところで、この場合、高周波電流Ｉにより軟磁性薄膜１
内に生ずる磁場Ｈ８おはこの高周波電流Ｉが流れる方向
に垂直なｙ−ｚ面内にあるので、インピーダンスＺに影
響するのはこのｙ−ｚ面内のμの値である。一方、二〇
μはＸ軸方向の外部磁場Ｈａｘに応じて変化する（第２
図参照）。このため、このように外部磁場Ｈエエにより
μが変化することによるインピーダンスＺの変化、従っ
て高周波電流■が流れる方向の軟磁性薄膜１０両端間の
電位差の変化を測定することによって、外部磁場Ｈａｘ
を検出することができる。
内に生ずる磁場Ｈ８おはこの高周波電流Ｉが流れる方向
に垂直なｙ−ｚ面内にあるので、インピーダンスＺに影
響するのはこのｙ−ｚ面内のμの値である。一方、二〇
μはＸ軸方向の外部磁場Ｈａｘに応じて変化する（第２
図参照）。このため、このように外部磁場Ｈエエにより
μが変化することによるインピーダンスＺの変化、従っ
て高周波電流■が流れる方向の軟磁性薄膜１０両端間の
電位差の変化を測定することによって、外部磁場Ｈａｘ
を検出することができる。
そこで、この外部磁場Ｈ１ｘを磁気記録媒体からの磁場
と考えれば、磁気記録媒体の磁気記録の読み取りを行う
ことができることがわかる。そして、この場合には、μ
が十分に大きい軟磁性薄膜１に対しては、小さな外部磁
場に対してインピーダンスＺ、従って高周波電流Ｉが流
れる方向の軟磁性薄膜１の両端間の電位差が大きく変化
することから、磁気記録の読み取りを高感度で行うこと
ができる。
と考えれば、磁気記録媒体の磁気記録の読み取りを行う
ことができることがわかる。そして、この場合には、μ
が十分に大きい軟磁性薄膜１に対しては、小さな外部磁
場に対してインピーダンスＺ、従って高周波電流Ｉが流
れる方向の軟磁性薄膜１の両端間の電位差が大きく変化
することから、磁気記録の読み取りを高感度で行うこと
ができる。
〔実施例］
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。なお、実施例の全図において、同一もしくは対
応する部分には同一の符号を付し、重複説明を省略する
。
明する。なお、実施例の全図において、同一もしくは対
応する部分には同一の符号を付し、重複説明を省略する
。
まず、この実施例による磁気ヘッドにおいて用いられる
軟磁性薄膜の基礎的な特性について説明する。
軟磁性薄膜の基礎的な特性について説明する。
この実施例においては、第３図に示すように、高周波ス
パッタリング法により、ガラス基板２上に膜厚が例えば
１．７２μｍのアモルファスＣ０７ＳＴａＩＩＺｒｚ薄
膜から成る軟磁性薄膜１を形成した。
パッタリング法により、ガラス基板２上に膜厚が例えば
１．７２μｍのアモルファスＣ０７ＳＴａＩＩＺｒｚ薄
膜から成る軟磁性薄膜１を形成した。
この高周波スパッタリングは、３ Ｘ １０−”Ｔｏｒ
ｒのアルゴンガス雰囲気中で行った。
ｒのアルゴンガス雰囲気中で行った。
次に、例えば１ｋＯｅの回転磁場中においてこのアモル
ファスＣｏ？５ＴａｘＺｒ＋ａ薄膜がら成る軟磁性薄膜
１を３４０℃の温度で３０分間熱処理した。その後、こ
の軟磁性薄膜ｌに高周波磁場を印加して磁気特性を測定
したところ、実効透磁率が周波数１０ＭＨｚテ３４８０
．１００ＭＨｚで１５５０という軟磁気特性を示した。
ファスＣｏ？５ＴａｘＺｒ＋ａ薄膜がら成る軟磁性薄膜
１を３４０℃の温度で３０分間熱処理した。その後、こ
の軟磁性薄膜ｌに高周波磁場を印加して磁気特性を測定
したところ、実効透磁率が周波数１０ＭＨｚテ３４８０
．１００ＭＨｚで１５５０という軟磁気特性を示した。
次に、このガラス基板２上にアモルファスＣｏＨＴａ＋
＋Ｚｒ＋４ｉ１膜から成る軟磁性薄膜１を形成したもの
から第４図に示すような試料を切り出し、この軟磁性薄
膜１上に電流端子３ａ、３ｂ及び電圧端子４ａ、４ｂを
形成して測定用試料を作製した。
＋Ｚｒ＋４ｉ１膜から成る軟磁性薄膜１を形成したもの
から第４図に示すような試料を切り出し、この軟磁性薄
膜１上に電流端子３ａ、３ｂ及び電圧端子４ａ、４ｂを
形成して測定用試料を作製した。
次に、第５図に示すように、この測定用試料の電流端子
３ａ、３ｂ間に高周波電流■を流し、かつこの測定用試
料の長手方向にバイアス磁場Ｈ。
３ａ、３ｂ間に高周波電流■を流し、かつこの測定用試
料の長手方向にバイアス磁場Ｈ。
及び周波数がＩＭＨｚで大きさが２〜３ｍ０ｅの高周波
外部磁場Ｈ０ｘを印加した。
外部磁場Ｈ０ｘを印加した。
このときの電圧端子４ａ、４ｂ間の電圧をスペクトルア
ナライザーで測定した結果の一例を第６図に示す。ここ
で、第６図の横軸は周波数、縦軸は測定電圧である。ま
た、中心周波数は１００゜１Ｍ七で測定範囲は１００．
１±２．５Ｍ七である。第６図において、中心のピーク
はキャリア（＊送波）によるものであり、他のピークは
外部磁場ＨＩＩＫにより変調された信号成分及びその高
調波成分である。第６図より明らかなように、外部磁場
Ｈ，ｘにより変調された信号成分はキャリアに対して１
０％以上の大きな応答を示している。
ナライザーで測定した結果の一例を第６図に示す。ここ
で、第６図の横軸は周波数、縦軸は測定電圧である。ま
た、中心周波数は１００゜１Ｍ七で測定範囲は１００．
１±２．５Ｍ七である。第６図において、中心のピーク
はキャリア（＊送波）によるものであり、他のピークは
外部磁場ＨＩＩＫにより変調された信号成分及びその高
調波成分である。第６図より明らかなように、外部磁場
Ｈ，ｘにより変調された信号成分はキャリアに対して１
０％以上の大きな応答を示している。
一方、比較のために、アモルファスＣ０ｔｓＴａｚＺｒ
＋４１１膜から成る軟磁性薄膜１を形成後、熱処理を行
わずに上述と同様にして磁気特性の測定を行ったところ
、実効透磁率は周波数１０ＭＨｚで６５０．１００ＭＨ
ｚで５７０と、上述の熱処理を行ったアモルファスＣｏ
ＢＴａ＋ ＩＺｒ＋ ａ薄膜から成る軟磁性薄膜１と比
較して実効透磁率の値は小さかった。
＋４１１膜から成る軟磁性薄膜１を形成後、熱処理を行
わずに上述と同様にして磁気特性の測定を行ったところ
、実効透磁率は周波数１０ＭＨｚで６５０．１００ＭＨ
ｚで５７０と、上述の熱処理を行ったアモルファスＣｏ
ＢＴａ＋ ＩＺｒ＋ ａ薄膜から成る軟磁性薄膜１と比
較して実効透磁率の値は小さかった。
また、電圧端子４ａ、４ｂ間の電圧を上述と同様にして
スペクトルアナライザーで測定したところ、実効透磁率
の減少に伴う信号電圧の減少が見られた。
スペクトルアナライザーで測定したところ、実効透磁率
の減少に伴う信号電圧の減少が見られた。
以上のように、実効透磁率が十分に大きい軟磁性薄膜１
に対しては、わずか２〜３ｍ０ｅの外部磁場Ｈ１）Ｘに
対して１０％以上の大きな応答が得られることがわかる
。
に対しては、わずか２〜３ｍ０ｅの外部磁場Ｈ１）Ｘに
対して１０％以上の大きな応答が得られることがわかる
。
第７図に高周波外部磁場Ｈ１ｘによるアモルファスＣｏ
ｔｓＴａ＋＋Ｚｒ＋ａｍ膜から成る軟磁性薄膜１のイン
ピーダンスＺの変化の例を示す。また、第８図はバイア
ス磁場Ｈｍ ＝０． ４０ｅ 、高周波外部磁場Ｈ−−
＝０． １０ｅ 、高周波外部磁場Ｈ０８の周波数ｆ□
、＝ＩＭＨｚのときの電圧端子４ａ、４ｂ間の電圧の波
形の例を示す。
ｔｓＴａ＋＋Ｚｒ＋ａｍ膜から成る軟磁性薄膜１のイン
ピーダンスＺの変化の例を示す。また、第８図はバイア
ス磁場Ｈｍ ＝０． ４０ｅ 、高周波外部磁場Ｈ−−
＝０． １０ｅ 、高周波外部磁場Ｈ０８の周波数ｆ□
、＝ＩＭＨｚのときの電圧端子４ａ、４ｂ間の電圧の波
形の例を示す。
第９図はこの実施例による磁気ヘッドの概念的な構成を
示す。
示す。
第９図において、符号５はバイアス磁場Ｈ３を発生させ
るための導体を示す。この導体５は高周波電流■が流れ
る方向と直交する方向に延び、かつ軟磁性薄膜１から絶
縁されている。そして、バイアス磁場Ｈ１は、この導体
５に電流ｉを流すことによって発生される。
るための導体を示す。この導体５は高周波電流■が流れ
る方向と直交する方向に延び、かつ軟磁性薄膜１から絶
縁されている。そして、バイアス磁場Ｈ１は、この導体
５に電流ｉを流すことによって発生される。
この第９図に示す素子６を例えば第１０図に示すように
ヨーク７ａ、７ｂ間に組み込むことにより、従来のヨー
ク型ＭＲヘッドと同様な構成の磁気ヘッドを構成するこ
とができる。この場合、磁気記録媒体８からの磁場はヨ
ーク７ｂ、７ｅ間のギャップからヨーク７ａ、７ｂ、７
ｃを通って素子６に印加され、この磁場による軟磁性薄
膜１のインピーダンスＺの変化が、第９図の電圧端子４
ａ、４ｂ間の電位差の変化として検出される。そして、
これによって磁気記録の読み取りが行われる。
ヨーク７ａ、７ｂ間に組み込むことにより、従来のヨー
ク型ＭＲヘッドと同様な構成の磁気ヘッドを構成するこ
とができる。この場合、磁気記録媒体８からの磁場はヨ
ーク７ｂ、７ｅ間のギャップからヨーク７ａ、７ｂ、７
ｃを通って素子６に印加され、この磁場による軟磁性薄
膜１のインピーダンスＺの変化が、第９図の電圧端子４
ａ、４ｂ間の電位差の変化として検出される。そして、
これによって磁気記録の読み取りが行われる。
次に、この実施例による磁気ヘッドの具体的な構造例に
ついて第１１図を参照しながら説明する。
ついて第１１図を参照しながら説明する。
第１１図において、符号９は基板、１０ａ〜１０ｅは配
線パターンを示す。また、Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃｒ、Ｃ
ｔはキャパシター、Ｄ＋、Ｄｚはショットキーダイオー
ドを示す。そして、これらの抵抗Ｒ，，Ｒ２、キャパシ
ター〇＋、Ｃｚ及びショットキーダイオードＤ＋ 、Ｄ
２によりＡＭ検波回路１１が構成されている。なお、こ
のＡＭ検波回路１１の代わりに例えばＦＭ検波回路を用
いることも可能である。Ｃ１は可変キャパシター（バリ
キャップ）を示し、実際には基ＦｉＱ上に組み込まれる
。
線パターンを示す。また、Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃｒ、Ｃ
ｔはキャパシター、Ｄ＋、Ｄｚはショットキーダイオー
ドを示す。そして、これらの抵抗Ｒ，，Ｒ２、キャパシ
ター〇＋、Ｃｚ及びショットキーダイオードＤ＋ 、Ｄ
２によりＡＭ検波回路１１が構成されている。なお、こ
のＡＭ検波回路１１の代わりに例えばＦＭ検波回路を用
いることも可能である。Ｃ１は可変キャパシター（バリ
キャップ）を示し、実際には基ＦｉＱ上に組み込まれる
。
この例においては、バイアス磁場Ｈ３発体用の電流ｉは
配線パターン１０ａを通ってアースＧに流され、高周波
電流■は配線パターン１０ｂがら抵抗Ｒ１、配線パター
ン１０ｃ、軟磁性薄膜１及び配線パターン１０ａを通っ
てアースＧに流される。そして、高周波電流Ｉが流れる
方向の軟磁性薄膜１の両端間の電位差の変化は、出力端
子■からの出力電圧の変化として検出される。なお、符
号１２は抵抗Ｒ１とキャパシター〇４とにより構成され
るローパスフィルターを示す。このローパスフィルター
１２により、出力電圧から高域成分が取り除かれる。
配線パターン１０ａを通ってアースＧに流され、高周波
電流■は配線パターン１０ｂがら抵抗Ｒ１、配線パター
ン１０ｃ、軟磁性薄膜１及び配線パターン１０ａを通っ
てアースＧに流される。そして、高周波電流Ｉが流れる
方向の軟磁性薄膜１の両端間の電位差の変化は、出力端
子■からの出力電圧の変化として検出される。なお、符
号１２は抵抗Ｒ１とキャパシター〇４とにより構成され
るローパスフィルターを示す。このローパスフィルター
１２により、出力電圧から高域成分が取り除かれる。
なお、第１２図にこの例で用いられた軟磁性薄膜１のイ
ンピーダンスＺの外部磁場による変化の例を示す。
ンピーダンスＺの外部磁場による変化の例を示す。
以上のように、この実施例によれば、従来のＭＲヘッド
に比べて高い感度で磁気記録の読み取りを行うことがで
きる。また、この実施例による磁気ヘッドの構成は、従
来のＭＲヘッドと同様に簡単である。
に比べて高い感度で磁気記録の読み取りを行うことがで
きる。また、この実施例による磁気ヘッドの構成は、従
来のＭＲヘッドと同様に簡単である。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、軟磁性薄膜１としては、上述の実施例で挙げた
アモルファスＣｏｔｓＴａ＋＋Ｚｒｚｆｌ膜以外のもの
を用いることも可能である。
アモルファスＣｏｔｓＴａ＋＋Ｚｒｚｆｌ膜以外のもの
を用いることも可能である。
本発明は、以上述べたように構成されているので、高感
度で磁気記録の読み取りを行うことができる。
度で磁気記録の読み取りを行うことができる。
第１図は本発明の磁気ヘッドの原理を説明するための斜
視図、第２図は軟磁性薄膜の透磁率の外部磁場による変
化の例を示すグラフ、第３図〜第５図は本発明の一実施
例による磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜の作製方法及び
その磁気特性の測定方法を説明するための斜視図、第６
図は本発明の一実施例による磁気ヘッドにおける軟磁性
薄膜から出力される電圧のスペクトルアナライザーによ
る測定結果を示すグラフ、第７図は本発明の一実施例に
よる磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜のインピーダンスの
外部磁場による変化の例を示すグラフ、第８図は本発明
の一実施例による磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜から出
力される電圧の波形の例を示す波形図、第９図は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの概念的な構成を説明する
ための斜視図、第１０図は本発明の一実施例による磁気
ヘッドの構成例を示す側面図、第１１図は本発明の一実
施例による磁気ヘッドの構造例を示す平面図、第１２図
は本発明の一実施例による磁気ヘッドの構造例における
軟磁性薄膜のインピーダンスの外部磁場による変化の例
を示すグラフである。 図面における主要な符号の説明 １：軟磁性薄膜、 ２ニガラス基板、 ３ａ。 ３ｂ：を流端子、 ４ａ、４ｂ：電圧端子、５：バイア
ス磁場発生用の導体、 ７ａ、７ｂ。 ７ｃ：ヨーク、 ８：Ｍ！気記録媒体。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 ↑、＃：８月の原１１ 第１図 第３図 ン９リ 宵＝盲六；矛→ 第４図 」・ｊ定各２ 第５図 外部ぶ＆場にまクインヒ己夕′ンスの室ｌ乙のス列第７
図 七カ電Ｒ液ガクの一イタ１ 第８図 外部磁場 タト苦予６巨よ倦Ｅよ仝φメぽｙキ′−の斐イ已の＜＋
１第２図 ＭシＦ表 周坂叡人へ°り１−、ｔし 第６図 石森九ヘッＹ゛のセ状芝コ刀 第９図 石ｂ、気へ、７ト”ｙ旧ｉＮイ列 第１０図
視図、第２図は軟磁性薄膜の透磁率の外部磁場による変
化の例を示すグラフ、第３図〜第５図は本発明の一実施
例による磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜の作製方法及び
その磁気特性の測定方法を説明するための斜視図、第６
図は本発明の一実施例による磁気ヘッドにおける軟磁性
薄膜から出力される電圧のスペクトルアナライザーによ
る測定結果を示すグラフ、第７図は本発明の一実施例に
よる磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜のインピーダンスの
外部磁場による変化の例を示すグラフ、第８図は本発明
の一実施例による磁気ヘッドにおける軟磁性薄膜から出
力される電圧の波形の例を示す波形図、第９図は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの概念的な構成を説明する
ための斜視図、第１０図は本発明の一実施例による磁気
ヘッドの構成例を示す側面図、第１１図は本発明の一実
施例による磁気ヘッドの構造例を示す平面図、第１２図
は本発明の一実施例による磁気ヘッドの構造例における
軟磁性薄膜のインピーダンスの外部磁場による変化の例
を示すグラフである。 図面における主要な符号の説明 １：軟磁性薄膜、 ２ニガラス基板、 ３ａ。 ３ｂ：を流端子、 ４ａ、４ｂ：電圧端子、５：バイア
ス磁場発生用の導体、 ７ａ、７ｂ。 ７ｃ：ヨーク、 ８：Ｍ！気記録媒体。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 ↑、＃：８月の原１１ 第１図 第３図 ン９リ 宵＝盲六；矛→ 第４図 」・ｊ定各２ 第５図 外部ぶ＆場にまクインヒ己夕′ンスの室ｌ乙のス列第７
図 七カ電Ｒ液ガクの一イタ１ 第８図 外部磁場 タト苦予６巨よ倦Ｅよ仝φメぽｙキ′−の斐イ已の＜＋
１第２図 ＭシＦ表 周坂叡人へ°り１−、ｔし 第６図 石森九ヘッＹ゛のセ状芝コ刀 第９図 石ｂ、気へ、７ト”ｙ旧ｉＮイ列 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外部磁場に応じて透磁率が変化する軟磁性薄膜と、 上記軟磁性薄膜に高周波電流を流す手段と、上記軟磁性
薄膜にバイアス磁界を印加する手段とを具備し、 上記軟磁性薄膜に上記バイアス磁界を印加し、かつ上記
高周波電流を流した状態で上記高周波電流が流れる方向
の上記軟磁性薄膜の両端間の電位差の変化を検出するよ
うにした磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219828A JPH04102215A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 磁気ヘッド |
| EP91113933A EP0472162B1 (en) | 1990-08-21 | 1991-08-20 | Magnetic head |
| DE69122816T DE69122816T2 (de) | 1990-08-21 | 1991-08-20 | Magnetkopf |
| US07/747,849 US5585983A (en) | 1990-08-21 | 1991-08-20 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219828A JPH04102215A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102215A true JPH04102215A (ja) | 1992-04-03 |
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