JPH0410307A - ノイズ防止シールド線の製造方法 - Google Patents
ノイズ防止シールド線の製造方法Info
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- JPH0410307A JPH0410307A JP11150190A JP11150190A JPH0410307A JP H0410307 A JPH0410307 A JP H0410307A JP 11150190 A JP11150190 A JP 11150190A JP 11150190 A JP11150190 A JP 11150190A JP H0410307 A JPH0410307 A JP H0410307A
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- Japan
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ0発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子機器内に発生した電磁ノイズの伝導、又
は輻射による他の機器への電磁障害を防止するため、電
子機器内、又は電子機器間を接続するノイズ防止シール
ド線に関する。
は輻射による他の機器への電磁障害を防止するため、電
子機器内、又は電子機器間を接続するノイズ防止シール
ド線に関する。
従来、電子機器内に発生した電磁ノイズの伝導、又は輻
射による電磁ノイズによる他の機器への電磁障害を防止
するためには、信号線に乗り伝播する電磁ノイズに対し
ては、夫々の機器の信号線の出口、又は入口に、簡単な
構成のものでは第4図に示すような機器筐体7を接地線
5により接地し、信号MA1との間にコンデンサ6を挿
入した貫通型コンデンサを用いるか、信号線を包みケー
ブルの外周に閉磁路のインダクタを取り付けるか、コン
デンサとインダクタを組み合せフィルタ回路を形成し、
信号線に挿入して電磁ノイズの低減をはかり、又外部か
らの電磁波の輻射に対しては、信号線を電気伝導度のよ
い金属の網で被覆したシールド線を用い電磁ノイズを防
止していた。一方、機器間の接続に従来のシールド線を
そのまま用いる時には、・機器の入力側、出力側にはノ
イズフィルタを実装する必要があり、従って余分なイン
レットフィルタ、アウトレットフィルタを必要とし、基
板実装時に基板上にノイズフィルタを組み込む必要があ
り、このため機器の出力側の信号線を接続する部分に貫
通型コンデンサを用い、基板上にビーズインダクタを信
号線に直列に挿入し、逆り型、又はπ型のノイズフィル
タを構成するとか、信号線ケーブルをトロイダル磁心の
中心孔に通してT型のノイズフィルタを構成する等の対
策を施していた。又100MHz以上の周波数帯域の電
磁ノイズに対しては、信号線と接地間にコンデンサを挿
入して電磁ノイズの抑制対策を行っていた。
射による電磁ノイズによる他の機器への電磁障害を防止
するためには、信号線に乗り伝播する電磁ノイズに対し
ては、夫々の機器の信号線の出口、又は入口に、簡単な
構成のものでは第4図に示すような機器筐体7を接地線
5により接地し、信号MA1との間にコンデンサ6を挿
入した貫通型コンデンサを用いるか、信号線を包みケー
ブルの外周に閉磁路のインダクタを取り付けるか、コン
デンサとインダクタを組み合せフィルタ回路を形成し、
信号線に挿入して電磁ノイズの低減をはかり、又外部か
らの電磁波の輻射に対しては、信号線を電気伝導度のよ
い金属の網で被覆したシールド線を用い電磁ノイズを防
止していた。一方、機器間の接続に従来のシールド線を
そのまま用いる時には、・機器の入力側、出力側にはノ
イズフィルタを実装する必要があり、従って余分なイン
レットフィルタ、アウトレットフィルタを必要とし、基
板実装時に基板上にノイズフィルタを組み込む必要があ
り、このため機器の出力側の信号線を接続する部分に貫
通型コンデンサを用い、基板上にビーズインダクタを信
号線に直列に挿入し、逆り型、又はπ型のノイズフィル
タを構成するとか、信号線ケーブルをトロイダル磁心の
中心孔に通してT型のノイズフィルタを構成する等の対
策を施していた。又100MHz以上の周波数帯域の電
磁ノイズに対しては、信号線と接地間にコンデンサを挿
入して電磁ノイズの抑制対策を行っていた。
本発明は、電子機器内、又は電子機器間を接続する信号
線それ自身に電磁ノイズを抑制する特性を保持させるも
ので、伝導、又は輻射により、放射や導線による伝導又
は外部から信号線を経由する電磁ノイズの抑制のため、
従来電子機器間の信号線の入力側、出力側に実装してい
たノイズフィルタを除去し、又は簡単な構成で、しかも
インダクタの実装のみでノイズフィルタを構成出来るよ
うにしたノイズ防止シールド線を提供することを目的と
する。
線それ自身に電磁ノイズを抑制する特性を保持させるも
ので、伝導、又は輻射により、放射や導線による伝導又
は外部から信号線を経由する電磁ノイズの抑制のため、
従来電子機器間の信号線の入力側、出力側に実装してい
たノイズフィルタを除去し、又は簡単な構成で、しかも
インダクタの実装のみでノイズフィルタを構成出来るよ
うにしたノイズ防止シールド線を提供することを目的と
する。
口0発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明によるノイズ防止シールド線は、高周波帯域にお
ける電磁ノイズを抑制するため、誘電体セラミック粉末
を混練した高分子材を信号線を中心にして被覆し、信号
線を覆った前記誘電特性を持つ高分子材表面を電気良導
体からなる銅網からなる電磁遮蔽導体で覆い構成したも
ので、本発明のシールド線は実用時電磁遮蔽導体を接地
して用いることにより、信号線と電磁遮蔽導体間に静電
容量を持つ様にすることにより、基板上の信号線にビー
ズインダクタ等を直列に挿入するのみでノイズフィルタ
を容易に実現出来るノイズ防止シールド線である。即ち
、誘電体セラミック粉末を高分子材料中に分散させた誘
電率の高い高分子材を、信号が伝導する信号線に被覆し
、wi線、又は金属箔により電磁遮蔽導体を形成し、更
にその外周を電気絶縁性の高分子材にて被覆して製造さ
れたもので、信号線と電磁遮蔽導体間に大きな分布静電
容量を持った、電磁ノイズに対し抑制する特性を持つノ
イズ防止シールド線とする。
ける電磁ノイズを抑制するため、誘電体セラミック粉末
を混練した高分子材を信号線を中心にして被覆し、信号
線を覆った前記誘電特性を持つ高分子材表面を電気良導
体からなる銅網からなる電磁遮蔽導体で覆い構成したも
ので、本発明のシールド線は実用時電磁遮蔽導体を接地
して用いることにより、信号線と電磁遮蔽導体間に静電
容量を持つ様にすることにより、基板上の信号線にビー
ズインダクタ等を直列に挿入するのみでノイズフィルタ
を容易に実現出来るノイズ防止シールド線である。即ち
、誘電体セラミック粉末を高分子材料中に分散させた誘
電率の高い高分子材を、信号が伝導する信号線に被覆し
、wi線、又は金属箔により電磁遮蔽導体を形成し、更
にその外周を電気絶縁性の高分子材にて被覆して製造さ
れたもので、信号線と電磁遮蔽導体間に大きな分布静電
容量を持った、電磁ノイズに対し抑制する特性を持つノ
イズ防止シールド線とする。
即ち本発明は、
1、電気信号を伝導する電気良導体から成る信号線の周
囲を電気絶縁材で包み、前記電気絶縁材の外周を電磁遮
蔽導体で覆い、最外周に電気絶縁材を被覆し形成したシ
ールド線において、導電材からなる前記信号線の周囲の
電気絶縁材を、高分子材中に誘電体セラミック粉体を混
練した誘電体層により形成したことを特徴とするノイズ
防止シールド線である。
囲を電気絶縁材で包み、前記電気絶縁材の外周を電磁遮
蔽導体で覆い、最外周に電気絶縁材を被覆し形成したシ
ールド線において、導電材からなる前記信号線の周囲の
電気絶縁材を、高分子材中に誘電体セラミック粉体を混
練した誘電体層により形成したことを特徴とするノイズ
防止シールド線である。
2、信号線を複数本並列に形成した周囲を、高分子材中
に誘電体セラミック粉末を混練した誘電体層により形成
し、外周を電磁遮蔽導体で覆い、最外周を電気絶縁材で
被覆し形成したことを特徴とするノイズ防止シールド線
である。
に誘電体セラミック粉末を混練した誘電体層により形成
し、外周を電磁遮蔽導体で覆い、最外周を電気絶縁材で
被覆し形成したことを特徴とするノイズ防止シールド線
である。
従来の電子機器間を接続するシールド線は、中心の信号
が伝送される信号線の周囲を包む電気絶縁材には信号の
伝送時、信号の減衰がないようにするため、通常誘電率
の低いポリエチレン等が使用されている。この様な従来
のシールド線と異なり本発明においては、高い誘電率を
持つセラミック粉末を高分子材中に練り込んで誘電率の
高い高分子材を作り、従来のシールド線のポリエチレン
が使われていた部分を誘電率の高い高分子材で置換した
シールド線とする。
が伝送される信号線の周囲を包む電気絶縁材には信号の
伝送時、信号の減衰がないようにするため、通常誘電率
の低いポリエチレン等が使用されている。この様な従来
のシールド線と異なり本発明においては、高い誘電率を
持つセラミック粉末を高分子材中に練り込んで誘電率の
高い高分子材を作り、従来のシールド線のポリエチレン
が使われていた部分を誘電率の高い高分子材で置換した
シールド線とする。
本発明のシールド線は、信号線が通る中心導体の周囲に
セラミック粉末を練り込んだ誘電率が60程の値を持つ
塩化ビニル系高分子材で包み、その外周を銅網又は銅箔
等の電磁遮蔽導体で包み、さらにその外周を高分子材の
有機電気絶縁材で被覆した構造である。信号が伝送され
る信号線の周囲を誘電率の高い高分子材で包み、更にそ
の外周を銅網により作られた電気良導体の電磁遮蔽導体
で覆った構造であるので、信号線と電磁遮蔽導体の間に
は等価的に信号線に並列に大きな静電容量を接続したと
同じ効果を持ち、シールド線の静電容量のみにより電磁
ノイズを抑制する効果を持つ。
セラミック粉末を練り込んだ誘電率が60程の値を持つ
塩化ビニル系高分子材で包み、その外周を銅網又は銅箔
等の電磁遮蔽導体で包み、さらにその外周を高分子材の
有機電気絶縁材で被覆した構造である。信号が伝送され
る信号線の周囲を誘電率の高い高分子材で包み、更にそ
の外周を銅網により作られた電気良導体の電磁遮蔽導体
で覆った構造であるので、信号線と電磁遮蔽導体の間に
は等価的に信号線に並列に大きな静電容量を接続したと
同じ効果を持ち、シールド線の静電容量のみにより電磁
ノイズを抑制する効果を持つ。
本発明のシールド線を用いたシールド線を接続する機器
の出力側に、例えばビーズインダクタを接続する時は逆
り型のノイズフィルタを構成し、又シールド線を間に、
入力側出力側の信号線にビーズインダクタを接続した時
は、T型のノイズフィルタを形成する。又、本発明のノ
イズ防止シールド線は、誘電一体層を形成する高分子材
に分散する高誘電体セラミック粉末の高分子材中への添
加量により、如何様にも静電容量の値を変えることが出
来、使用周波数帯域によりシールド線の静電容量の値を
選択すればよい。
の出力側に、例えばビーズインダクタを接続する時は逆
り型のノイズフィルタを構成し、又シールド線を間に、
入力側出力側の信号線にビーズインダクタを接続した時
は、T型のノイズフィルタを形成する。又、本発明のノ
イズ防止シールド線は、誘電一体層を形成する高分子材
に分散する高誘電体セラミック粉末の高分子材中への添
加量により、如何様にも静電容量の値を変えることが出
来、使用周波数帯域によりシールド線の静電容量の値を
選択すればよい。
本発明のノイズ防止シールド線について、説明する。
第1図に本発明の実施例によるノイズ防止シールド線の
構成を示す。第1図において、電気良導体である銅線か
らなる信号線1と、信号線を中心に同心円状に円筒状の
誘電体層3を形成し、その外周を電磁遮蔽導体で覆い、
電磁遮蔽導体と中心の信号線とにより対となる導体を形
成する。金属の電気良導体である細い銅線を編んで作っ
た電磁遮蔽導体2により誘電体層の外周を包み、更にそ
の外周を電気絶縁材の樹脂からなる絶縁被覆層4により
被覆される。信号線lは0.3φ■■の銅線を用い電磁
遮蔽導体2は、銅線からなる筒状の網又は例えば厚さが
6μ腸程の銅箔を用いてもよい。誘電体層の外周を覆う
電磁遮蔽導体は導電性があり、網状の導体はシールド線
の屈曲に対し強度を持つが、本発明のシールド線を固定
して使用する時は銅箔又はアルミ箔等のリボンを巻き付
けて用いてもよい。
構成を示す。第1図において、電気良導体である銅線か
らなる信号線1と、信号線を中心に同心円状に円筒状の
誘電体層3を形成し、その外周を電磁遮蔽導体で覆い、
電磁遮蔽導体と中心の信号線とにより対となる導体を形
成する。金属の電気良導体である細い銅線を編んで作っ
た電磁遮蔽導体2により誘電体層の外周を包み、更にそ
の外周を電気絶縁材の樹脂からなる絶縁被覆層4により
被覆される。信号線lは0.3φ■■の銅線を用い電磁
遮蔽導体2は、銅線からなる筒状の網又は例えば厚さが
6μ腸程の銅箔を用いてもよい。誘電体層の外周を覆う
電磁遮蔽導体は導電性があり、網状の導体はシールド線
の屈曲に対し強度を持つが、本発明のシールド線を固定
して使用する時は銅箔又はアルミ箔等のリボンを巻き付
けて用いてもよい。
誘電体層3は、高い誘電特性を持つセラミック粉末の高
誘電体材料と、高分子材の結合材、ゴム類、複合ポリマ
ー、溶剤、可塑剤等とを選択し組み合せて作られたもの
で、有機材料に高誘電体セラミック粉末を混練した高分
子材料からなる。
誘電体材料と、高分子材の結合材、ゴム類、複合ポリマ
ー、溶剤、可塑剤等とを選択し組み合せて作られたもの
で、有機材料に高誘電体セラミック粉末を混練した高分
子材料からなる。
誘電材料としては、銅・ニッケル・マグネシウム・タン
グステン・チタン酸化物[Pb ((NiNb) (M
gW))TiO+)とバリウム・チタンカルシウム酸化
物(BaTi03 、 CaTi0:+ )と鉛(Pb
)ペロブスカイト系とからなる誘電材料、タンタル酸化
物(Ta20s)等のいずれでも良い。
グステン・チタン酸化物[Pb ((NiNb) (M
gW))TiO+)とバリウム・チタンカルシウム酸化
物(BaTi03 、 CaTi0:+ )と鉛(Pb
)ペロブスカイト系とからなる誘電材料、タンタル酸化
物(Ta20s)等のいずれでも良い。
又誘電体粉末を練り込む高分子材は塩化ビニル系樹脂の
他、ゴム類としては、シリコンゴム、ブチルゴム、プロ
ピレンゴム等があげられる。尚この分散に係る装置とし
ては、ボールミル、アトライター、サンドミル、ホモジ
ナイザ、3本ロール、ライカイ機などがあるが、セラミ
ック粉末と高分子材との混線にはいずれを用いても良い
。
他、ゴム類としては、シリコンゴム、ブチルゴム、プロ
ピレンゴム等があげられる。尚この分散に係る装置とし
ては、ボールミル、アトライター、サンドミル、ホモジ
ナイザ、3本ロール、ライカイ機などがあるが、セラミ
ック粉末と高分子材との混線にはいずれを用いても良い
。
次に本発明の実施例に係わるノイズ防止シールド線につ
き説明する。誘電率εの値が8000程の特性を持つ鉛
・ペロブスカイト系誘電体材料の焼結したブロックを粗
粉砕した後、トルエン系の溶剤中にてサンドミルを用い
、0.5μ厘〜1.5μmの粒径のセラミック粉末を作
り、溶剤を飛散した後、ポリビニールブチラールと誘電
体からなるセラミック粉末とを、重量比でポリビニール
ブチラールに対しほぼセラミック粉末を75%と、溶剤
としてエチルセルソルブを添加し、ボールミルにてスラ
リー化した。このスラリー内に0.3mmφの銅線を通
過させ、銅線の外周に200μm〜300μmの誘電体
層を形成させた。この誘電体層を覆うように銅メツシユ
を被覆し、全体を電気絶縁特性を持つビニルで被覆しノ
イズ防止シールド線を製造した。得られたシールド線に
用いた誘電体層の誘電率εの値はほぼ60を有し、外径
φ1.7mm、長さ1mのノイズ防止シールド線の静電
容量は1700PFであった。実施例による長さ1mの
ノイズ防止シールド線を内部インピーダンスが50Ωの
発振機に接続し、50Ωで終端してノイズ防止シールド
線を挿入した時と、ノイズ防止シールド線を挿入しない
時の終端抵抗両端の減衰特性を測定した結果は第2図の
通りである。
き説明する。誘電率εの値が8000程の特性を持つ鉛
・ペロブスカイト系誘電体材料の焼結したブロックを粗
粉砕した後、トルエン系の溶剤中にてサンドミルを用い
、0.5μ厘〜1.5μmの粒径のセラミック粉末を作
り、溶剤を飛散した後、ポリビニールブチラールと誘電
体からなるセラミック粉末とを、重量比でポリビニール
ブチラールに対しほぼセラミック粉末を75%と、溶剤
としてエチルセルソルブを添加し、ボールミルにてスラ
リー化した。このスラリー内に0.3mmφの銅線を通
過させ、銅線の外周に200μm〜300μmの誘電体
層を形成させた。この誘電体層を覆うように銅メツシユ
を被覆し、全体を電気絶縁特性を持つビニルで被覆しノ
イズ防止シールド線を製造した。得られたシールド線に
用いた誘電体層の誘電率εの値はほぼ60を有し、外径
φ1.7mm、長さ1mのノイズ防止シールド線の静電
容量は1700PFであった。実施例による長さ1mの
ノイズ防止シールド線を内部インピーダンスが50Ωの
発振機に接続し、50Ωで終端してノイズ防止シールド
線を挿入した時と、ノイズ防止シールド線を挿入しない
時の終端抵抗両端の減衰特性を測定した結果は第2図の
通りである。
500MHzにおいて減衰率はほぼ40dBの特性が確
認できた。
認できた。
第3図は本発明によるノイズ防止シールド線の他の実施
例を示し、複数の導体をほぼ等間隔に並層で包み、更に
その外周を電気良導体の網状の電磁遮蔽導体で被覆し、
更に外周を有機電気絶縁材で被覆したものである。中心
に並列に配列した導体を包む誘電体層にはポリビニール
ブチラールに誘電体セラミック粉末を添加し、更にエチ
ルセルソルブを添加混練して作られた誘電率εの値が6
0程の特性を持つ誘電体層を形成し、更にその外周を電
磁遮蔽導体で被覆したフラットケーブル形のノイズ防止
シールド線とする。
例を示し、複数の導体をほぼ等間隔に並層で包み、更に
その外周を電気良導体の網状の電磁遮蔽導体で被覆し、
更に外周を有機電気絶縁材で被覆したものである。中心
に並列に配列した導体を包む誘電体層にはポリビニール
ブチラールに誘電体セラミック粉末を添加し、更にエチ
ルセルソルブを添加混練して作られた誘電率εの値が6
0程の特性を持つ誘電体層を形成し、更にその外周を電
磁遮蔽導体で被覆したフラットケーブル形のノイズ防止
シールド線とする。
ハ0発明の効果
〔発明の効果〕
容量を有する構造であるため、容易にフィルタ回路を形
成出来る利点を持ったノイズ防止シールド線であり、入
力側、出力側信号線に直列にインダクタを接続するのみ
で逆り型、又はT型のノイズフィルタを構成出来、機器
基板上でのノイズ部品点数も減り、又従来のこの種の電
磁ノイズ防止回路に比べその抑制効果も犬である。
成出来る利点を持ったノイズ防止シールド線であり、入
力側、出力側信号線に直列にインダクタを接続するのみ
で逆り型、又はT型のノイズフィルタを構成出来、機器
基板上でのノイズ部品点数も減り、又従来のこの種の電
磁ノイズ防止回路に比べその抑制効果も犬である。
第1図は、本発明によるノイズ防止シールド線の構造を
示す斜視図。 第2図は、本発明によるノイズ防止シールド線の、一実
施例の高周波における減衰特性を示す特性図。 第3図は、本発明におけるフラットケーブル形のノイズ
防止シールド線を示す斜視図。 第4図は、従来のノイズ防止フィルタを示す側面断面図
。 1・・・信号線、2−・電磁遮蔽導体、3・・・誘電体
層。 4・・・絶縁被覆層、5・・・接地線、6・・・コンデ
ンサ、7・・・機器筐体、8・・・半田。 第1図 第3図 第2図 m裏板(MHz)
示す斜視図。 第2図は、本発明によるノイズ防止シールド線の、一実
施例の高周波における減衰特性を示す特性図。 第3図は、本発明におけるフラットケーブル形のノイズ
防止シールド線を示す斜視図。 第4図は、従来のノイズ防止フィルタを示す側面断面図
。 1・・・信号線、2−・電磁遮蔽導体、3・・・誘電体
層。 4・・・絶縁被覆層、5・・・接地線、6・・・コンデ
ンサ、7・・・機器筐体、8・・・半田。 第1図 第3図 第2図 m裏板(MHz)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電気信号を伝導する電気良導体から成る信号線の周
囲を電気絶縁材で包み、前記電気絶縁材の外周を電磁遮
蔽導体で覆い、最外周に電気絶縁材を被覆し形成したシ
ールド線において、導電材からなる前記信号線の周囲の
電気絶縁材を、高分子材中に誘電体セラミック粉体を混
練した誘電体層により形成したことを特徴とするノイズ
防止シールド線。 2、信号線を複数本並列に形成した周囲を、高分子材中
に誘電体セラミック粉末を混練した誘電体層により形成
し、外周を電磁遮蔽導体で覆い、最外周を電気絶縁材で
被覆し形成したことを特徴とするノイズ防止シールド線
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02111501A JP3124536B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ノイズ防止シールド線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02111501A JP3124536B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ノイズ防止シールド線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410307A true JPH0410307A (ja) | 1992-01-14 |
| JP3124536B2 JP3124536B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=14562900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02111501A Expired - Fee Related JP3124536B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ノイズ防止シールド線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124536B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06103832A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 被覆ケーブル |
| US6215070B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-04-10 | Pirelli Cables (2000) Limited | Electric power cables |
| JP2016072803A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像読取装置及びこれを備えた画像形成装置 |
| JP2018506852A (ja) * | 2015-02-03 | 2018-03-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマ処理システム用の低温チャック |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP02111501A patent/JP3124536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06103832A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 被覆ケーブル |
| US6215070B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-04-10 | Pirelli Cables (2000) Limited | Electric power cables |
| JP2016072803A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像読取装置及びこれを備えた画像形成装置 |
| JP2018506852A (ja) * | 2015-02-03 | 2018-03-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマ処理システム用の低温チャック |
| US11594428B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US12009228B2 (en) | 2015-02-03 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3124536B2 (ja) | 2001-01-15 |
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