JPH04104227A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、平面テレビや平面表示情報端末等に用いて有
用なアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の液ＩＩＩ表示装置における、蓄積容量素子（保持
容量素子又は補助容斌素子とも言う）を備えたアクティ
ブマトリックス基板の画素部の構造は、例えば、特開平
１−２５５８３１号公報に記載されている。

第２図は、従来の液晶表示装置の谷積容凧付きアクティ
ブマトリックス基板の画素部の一例を示したもので、前
記従来技術と薄膜トランジスタの構造が異なるが、本質
的には前記従来技術と同等である。

第２図の従来例においては、逆スタガー型構造の薄膜ト
ランジスタのゲート電極兼走査ｌ１Ａ６０２が金属膜を
材料として、また、蓄積容量素子の−方の電極が透明導
電膜６０３を材料として、第１の透明絶縁基板（第２図
には図示せず）上に形成されている。この上に、ゲート
絶縁膜兼蓄積容量素子用誘電体兼二層配線用層間絶縁膜
であるＳｉＮｘ膜（第２図には図示せず）が形成されて
いる。

更に、この上に、薄膜トランジスタの能動層である薄膜
半導体層６０６と透明画素電極６０７が形成されている
。透明画素電極６０７は蓄積容量素子の他方の電極を兼
ねている。薄膜トランジスタのソース電極６０８は透明
画素電極６０７と電気的に接続されており、ドレイン電
極６０９は互いに連結されて信号線を兼ねている。

表示品質の観点から、一般に、ノーマリ−・ホワイト・
モードで透過型の液晶表示を行なうことが望ましい。こ
の場合、第２図のアクティブマトリックス基板における
透明画素電極６０７以外の透光性領域６１０からの光の
漏れ込みを無くす必要がある。そのために、従来技術に
おいては、アクティブマトリックス基板に対向する第２
の透明絶縁基板上に、例えばＣｒ膜を用いて、第３図の
斜線部で示したような遮光層６１１が設けられている。

第３図においては、第１の基板において遮光されるべき
領域６１０を二点鎖線で示した。

第１の基板上の遮光されるべき領域６１０と第２の基板
上の遮光層６１１との位置合せ精度は、第１の基板と第
２の基板を貼り合わせる際の位置合せ精度によって決ま
り、これは、フォトリソグラフィーの位置合せ精度に較
べてはるかに低く、例えば約５μｍである。また、遮光
層６１１が第２の基板上に設けられているので、広い視
野角を確保するために、例えば、液晶層の厚みが７μｍ
の場合に斜め３５°方向からの入射光を遮るためには、
遮光されるべき領域６１０に３μｍ幅重ねるように遮光
層６１１を設ける必要がある。したがって、第３図にお
いては、位置合せのずれ余裕のためと斜めからの入射光
を遮るための重ね合せのために、合計８μｍもの大きな
設計上の余裕をとっている。

従来の液晶表示装置の蓄積容量付きアクティブマトリッ
クス基板の画素部の平面構造の他の例を第４図に示す。

第４図に示した画素部の平面構造は、前記特開平１−２
５５８３１号公報に示されたものと本質的に同じである
。

第４図に示した従来例においては、蓄積容量素子の一方
の電極が透明導電膜６０３と非透光性金属膜６０４とか
ら成っている点のみが、第２図に示した従来例と異なっ
ており、他は全く同じである。第２図の従来例について
述べたのと同様な理由から、第４図に示した従来例にお
いても、第２の透明絶縁基板上に、例えば、Ｃｒ膜を用
いて、第５図の斜線部で示したような遮光層６１１が設
けられている。第５図においては、第１の基板において
遮光されるべき領域６１０を二点鎖線で示した。第５図
における遮光層６１１は、結果的に第３図の遮光層６１
１と同じである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術においては、遮光層６１１の占める領域の
面積を小さくする点について配慮がされておらず、開口
率が低いという問題があった。特に、高精細表示のため
に、画素ピッチを小さくした場合、すなわち画素面積が
小さくなった場合に、この問題が重大となっていた。

勿論、第２図及び第４図において画素電極６０７の外縁
を外側に広げれば、開口率を高くすることができる。し
かし、通常、画素電極は、信号線または走査線のいずれ
か一方と断面構造上同しレベルにあるので、画素電極６
０７の外縁を外側に広げると、画素電極と信号線との間
、又は、画素電極と走査線との間の間隔が狭くなり、異
物等に因る短絡不良率が高くなるという問題があった。

具体的には、第２図並びに第４図の従来例の場合、画素
電極６０７の外縁のうちドレイン電極兼信号線６０９に
向い合った外縁を外側に広げると、ＳｉＮｘ膜上の断面
構造上同じレベルにあるドレイン電極兼信号線６０９と
画素電極６０７どの間の隙間が小さくなるので、両者間
の短絡による不良率が高くなるという問題があった。

また、画素電極と信号線とが断面構造上具なったレベル
にあり、画素電極と走査線とが断面構造上同じレベルに
ある場合にも同じ問題があった。

すなわち、この場合には、画素電極の外縁のうち走査線
に向い合った外縁を外側に広げると、走査線と画素電極
との間の隙間が小さくなるので、両者間の短絡による不
良率が高くなるという問題゛があった・ 本発明の目的は、製造工程上の良品率が高くて、しかも
、画素部の開口率の高い液晶表示装置、すなわち、製造
上のコストが低くて、しかも、表示品質の良い液晶表示
装置を提供することにある。

なお、以上の説明において、同じレベル及び異なったレ
ベルという表現を用いたが、ここで言うレベルとは、必
ずしも、高さのレベルではない。

例えば、２つの電極が共にひとつの絶縁膜の上にあるか
、共にひとつの絶縁膜の下にあるとき、この２つの電極
は同じレベルにあると言い、１つの電極が成る絶縁膜の
上にあり、他の電極がその絶縁膜の下にあるとき、この
２つの電極は異なったレベルにあると言うことにする。

〔課題を解決するための手段〕

透明画素電極が蓄積容量素子を構成する１対の電極の一
方の電極を兼ね、上記１対の電極の他方の電極が少なく
とも部分的に透光性であれば、そうでない場合に較べて
開口率が高くなることは、自明であるので、第２図並び
に第４図に示された従来例と同様、本発明においてもこ
の構造を前提とする。

上記前提のもとに、前記目的を達成するために、本発明
においては、蓄積容量素子を構成する１対の電極のうち
画素電極でない方の電極を、透光性導電膜と非透光性導
電膜とによって形成し、前記非透光性導電膜の一部を、
前記画素電極の外縁に沿って伸延し、前記外縁の一部又
は全部と平面構造的には重なるようにしたものである。

〔作用〕

蓄積容量素子を構成する１対の電極のうち、画素電極で
ない方の電極を、透光性導電膜と非透光性導電膜によっ
て構成し、この非透光性導電膜の一部を、平面構造とし
ては画素電極の外縁と重なるようにして、外縁に沿って
伸延することにより、第１の基板上の画素電極の外縁に
重なる領域に遮光層を設けることができる。

第２図及び第４図に示した従来例のように、ドレイン電
極兼信号線と画素電極とが断面構造的に同じレベルにあ
る場合、上記の非透光性導電膜よりなる遮光層は、画素
電極とは容量素子用誘電体である絶縁層を隔てており、
したがって、ドレイン電極兼信号線とも絶縁層を隔てて
いるので、短絡不良率の上昇を招くことなく、導電性遮
光層を、画素電極の外縁のうちドレイン電極兼信号線に
向かい合った外縁に重なるようにして、かつ、前記外縁
の外側に広げて、第１の基板上に設けることができる。

したがって、第１の基板における透明画素電極以外の透
光性部分、すなわち、第２の基板上の遮光層によって遮
光されるへき第１の基板−ヒの領域を狭くすることがで
きる。すなわち、第２の基板上の遮光層の面積を小さく
できる。

画素電極とドレイン電極兼信号線とが断面構造的に異な
ったレベルにあり、画素電極とゲート電極兼走査線とが
断面構造的に同じレベルにある場合についても、上と同
じことが言える。すなわち、短絡不良率の上昇を招くこ
となく、導電性遮光層を１画素電極の外縁をうちゲート
電極兼走査線に向い合った外縁に重なるようにして、か
つ前記外縁の外側に広げて、第１の基板上に設けること
ができる。したがって、この場合においても、第１の基
板における透明画素電極以外の透光性部分、すなわち、
第２の基板上の遮光層によって遮光されるべき第１の基
板上の領域を狭くすることができる。すなわち、第２の
基板上の遮光層の面積を小さくできる。

上記第１の基板上の導電性遮光層と画素電極との位置合
せ精度は、大型基板のフォトリソグラフィーの位置合せ
精度、すなわち約１μｍである。

したがって、上記導電性遮光層と画素電極との設計上の
重なり余裕は２μｍもあれば十分であり、先に述べた、
第２の基板上の遮光層と第１の基板上の遮光されるべき
領域との間の設計上の余裕８μｍに較べれば、十分に小
さいので、上記導電性遮光層を設けたことが開口率を低
下させる要因とはならない。

すなわち、上記導電性遮光層を第１の基板上に設けるこ
とが開口率の低下の要因とならず、かつ、第２の基板上
の遮光層の面積を小さくできるので、開口率を高くする
ことができる。上記したように、このことによって短絡
不良率の上昇を招くことはない。

また１本発明では、上記導電性遮光層が、蓄積容量素子
を構成する１対の電極のうちの片側の電極の一部分であ
るので、片側の電極と別に第１の基板上に遮光層を設け
る場合に較べて、構成が単純であり、また、容量素子を
形成するための面積を同時に遮光のためにも用いるので
、開口率を高くできる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図及び第６図。

第７図により説明する。

第１図は、本発明の一実施例の液晶表示装置におけるア
クティブマトリックス基板の画素部の平面構造である。

本実施例においては、第２図及び第４図に示された従来
例と同じ画素ピッチであり、同じ構造と同じ寸法の薄膜
トランジスタ、画素電極、信号線、走査線が形成されて
おり、蓄積容量素子を構成する一対の１！極のうちの一
方の電極の構造が異なっている。第６図は、第１図のＡ
Ａ’断面図である。

第１の透明絶縁基板６０１の上に、ゲート電極兼走査線
６０２．並びに、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明導
電膜６０３と非透光性の金属膜６０４とから成る蓄積容
量素子用の片側の電極を、先ず、形成する。第１図の実
施例においては、透明導電膜６０３が形成及び加工され
た後に、ゲート電極兼走査線６０２と非透光性の金属膜
６０４が、例えばＣｒ膜を用いて、同時に形成されてい
るが、ゲート電極兼走査線６０２と非透光性の金属膜６
０４が形成された後に、透明導電膜６０３を形成しても
よい。また、必要により、ゲー１へ電極兼走査線６０２
と金属膜６０４を、異なった金属材料を用いて作製して
もよいことは言うまでもない。

次に、この上に、ゲート絶縁膜兼蓄積容量素子用誘電体
兼二層配線用層間絶縁膜であるＳｉＮｘ膜６０５を形成
する。更に、この上に、薄膜トランジスタの能動層であ
る半導体薄膜６０６と透明画素電極６０７を形成する。

この透明画素電極６０７は蓄積容量素子を構成するもう
一方の電極を兼ねている。第２図及び第４図に示した従
来例と同様に、ソース電極６０８とドレイン電極兼信号
線６０９を形成する。この上に、よく知られているよう
に、保護膜（図示せず）と配向膜（図示せず）を形成し
て、アクティブマトリックス基板は完成する。

第１図においては、蓄積容量素子を構成する電極のうち
、非透光性の金属膜６０４によって形成されている領域
を斜線部で示した。本実施例においては、この非透光性
金属股６０４は、透明画素電極６０７の外縁に沿って伸
延し、長方形の外縁の４辺のうち、ドレイン電極兼信号
線６０９に向かい合った３辺と重なっている。

金属膜６０４はドレイン電極兼信号線６０９とは、Ｓｉ
Ｎｘ膜６０５を隔てて、異なったレベルにあるので、短
絡不良率を高めることなく、金属膜６０４を画素電極６
０７の外縁よりも外側へ広げる、すなわち、ドレイン電
極兼信号Ｌ；Ａ６０９に近づけることができた。したが
って、第１図に示したように、第１の基板における透明
画素’に１ｔＪｆｉ以外の透光性部分６１０を、第２図
及び第４図に示した従来例に較べて著しく小さくするこ
とができた。すなわち、第２の基板上の遮光層は、第７
図の斜線部６１１で示したように、上記従来例に較へて
著しく小さくできた。

以上のように、本実施例によれば製造工程上の良品率が
高く、しかも画素部の開口】ゼの高い液晶表示装置を低
コストのもとに容易に得ることができる。

ただし、上記実施例においては、上記３辺のうちの第１
図における」二辺は、ゲート電極６０２にも向かい合っ
ており、金属膜６０４はゲート電極６０２と同じレベル
にあるので、金属膜６０４を画素電極の上辺より−Ｌ方
へ広げることについては限界があるが、このことを考慮
しても、なお、本実施例の上述した効果は大きい。

本発明の他の５つの実施例の画素部の平面図を第８図〜
第１２図に示した。これらの実施例においては、断面構
造は上述の実施例と全く同じである。また、図に示した
符号は上述の実施例における符号と同一である。これら
の実施例においても、上述の実施例と同様、製造工程上
の良品率が高くて、しかも、画素部の開口部の高い液晶
表示装置。

すなわち、製造上のコストが低くて、しかも、表示品質
の良い液晶表示装置を実現できた。

上記の効果の他に、第８図に示した実施例においては、
蓄積容量素子を連結する配線の抵抗（以下では、蓄積容
量配線抵抗ということにする）を低くできるという別の
効果も同時に得られた。また、第１０図、第１１図に示
した実施例では、ゲート電極兼走査線６０９と金属膜６
０４との間の短絡不良率を、第１図に示した実施例に較
べて、低くできるという別の利点もある。また、第１２
図の実施例においては、ＩＴＯ膜６０３によって蓄積容
量素子間が電気的に接続されているので、蓄積容量素子
の片側の電極の６０３と６０４を形成後に、酸素中で熱
処理やプラズマ処理の工程を経る場合に、蓄積容量配線
抵抗のバラツキや変動を小さくできるという利点もある
。

上記実施例においては、アクティブマトリックスを構成
する能動素子として、逆スタガー型構造の薄膜トランジ
スタの例を示したが、本発明の効果は、能動素子の種類
及び構造に依るものではなく、正スタガー型やコプラナ
ー型の薄膜トランジスタ、並びに、金属・絶縁体・金属
（ＭＩＭ）型ダイオード等の二端子素子を用いても、同
様な効果があった。

また、上記実施例は、透明画素電極と信号線とが同じレ
ベルにある場合であったが、透明画素電極と走査線とが
同じレベルにある場合にも、本発明によれば同様の効果
が得られた。

また、上記実施例においては、蓄積容量素子の片側の電
極の一部を構成する非透光性導電膜の例として、非透光
性金属膜、例えばＣｒ膜を用いたが、非透光性であれば
、いかなる種類の導電膜、例えば、他の金属膜、金属的
伝導を示す不純物半導体膜、金属シリサイド膜等を用い
ても、同様な効果が得られた。

また、」二記実施例においては、蓄積容量素子のハ側の
電極の一部を構成する透光性導電膜として、インジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を用いたが、Ｉｌｌ、０
３膜、ＦｅまたはｓｂをトープしたＳｎ○２膜、ＡＱ又
はＳｉをドープしたＺ　ｎ　Ｏ膜、Ｃｄ２Ｓ　ｎ　Ｏ，
（ＣＴＯ）膜、　Ｃｄ　Ｉ　ｎ、０４（ＣＩ　Ｏ）膜等
の透明導電膜や、透光性の薄い金属膜を用いても、同様
な効果があった。

また、」−記実施例においては、容積容量素子用誘電体
としてＳｉＮｘ膜を用いたが、ＳｊＯ，膜やＳｉＯｘ膜
、ＡＱ２０．膜、Ｔａ２Ｏ，膜、ＴａＯｘ膜等の他の絶
縁体膜を用いても同様の効果が得られた。このことは、
薄膜トランジスタのゲー１へ絶縁膜やＭＩＭダイオード
用絶用膜縁膜層配線用層間絶縁膜についても、同様であ
った。

次に本発明の表示装置の駆動方法などを説明する。

第１３図に本発明による液晶デイスプレィシステムの構
成例を示す。システムは、ワークステーション、パーソ
ナルコンピュータ、ワードプロッセー等の情報処理シス
テム２１８とデイスプレィシステム２００により構成さ
れている。デイスプレィシステム２００は、液晶デイス
プレィモジュール２０２．光源２０１．光源調整回路２
０３゜画像データ発生回路２０４Ａとタイミング（ご号
発生回路２０４Ｂで構成されたコントロール回路２０４
、液晶の明るさ、コントラスト調県回路２１６、蓄積容
量駆動電圧発生回路２０５．共通電極駆動電圧発生回路
２０６、により構成されている。

液晶デイスプレィモジュール２０２は、液晶表示装置（
以下、液晶パネルとも言う）２１７．信号電圧を発生す
る信号回路２０７、及び、走査電圧を発生する走査回路
２０８により構成されている。

液晶パネル２１７は、ａ−３ｉ、ｐ−８ｉ等で構成され
た、薄膜トランジスタ２１１．蓄積容量２１２、液晶２
１４．前記薄膜トランジスタを駆動するための信号線２
１０及び走査線２０９、により構成されている。

蓄積容量駆動電圧発生回路２０５で発生するＶｓｔｇ電
圧及び、共通電極電圧発生回路２０６で発生するＶ　ｃ
ｏｗ電圧は、蓄積容量共通線２１５及び、共通電極端子
２１３にそれぞれ印加されるが、これらは、同一の電圧
レベル、位相でもよく特に限定するものではない。

また、蓄積容量２１２と蓄積容量共通線２１５との接続
方法は、第１４図に記載した接続例でもよく、特に限定
するものでない。さらに、信号線２１０と信号回路２０
７との接続方法は、第１５図に記載した接続例のように
信号線を上下方向に交互に引き出してそれぞれの信号線
を信号回路２０７Ａと信号回路２０７Ｂに接続してもよ
く、特に限定するものでない。

第１６図に、液晶デイスプレィモジュール２０２の一実
施例を示す。液晶デイスプレィモジュール２０２は、液
晶パネル２１７．信号回路基板２２７〜２３４．走査回
路基板２２２〜２２４．共通電極電圧ｖｃｏＩｌの引き
出し基板２２５，２２６．共通電極電圧Ｖ　ｃｏｗ及び
蓄積容量電圧’Ｊ　ｓｔｇの引き出し基板２３５，２３
６．信号供給基板２２０により構成されている。液晶パ
ネル２１７は、薄膜トランジスタ等が形成された第１の
基板２１７Ａと、対向共通電極等が形成された第２の基
板２１７Ｂから成い、２枚の基板の間に液晶材料が封入
されている。

前記信号供給基板２２０には、信号ケーブル２２１を経
由して、画像データ信号、電源電圧等が供給される。

共通電極電圧■ｃｏＩ１１は、共通電極端子２３８に加
えられる。また、蓄積容量電圧Ｖｓｔｇは、蓄積容量電
圧端子２３７を経て、蓄積容量共通線２］５に加えられ
る。

なお、引き出し基板２２５，２２６，２３５゜２３６を
有機フィルム等の弾力性のある基板で構成すると、実装
上都合がよい。

信号回路基板２２７〜２４３．及び、走査回路基板２２
２〜２２４の一実施例を第１７図に示す。

回路基板２３９は、パターン配線２３９Ｂ、２３９Ｃを
施した有機フィルム等の上に、信号回路又は走査回路を
形成した集積回路素子２３９Ａを固着したものである。

パターン配線２３９Ｂは走査電圧又は信号電圧の出力端
子、パターン配線２３９Ｃは、集積回路素子２３９Ａを
動作させるための画像データ信号及び電源電圧の入力端
子である。

第１８図に本発明の係る液晶デイスプレィを応用したシ
ステム例を示す。

第１８図（Ａ）は、液晶デイスプレィを卓上型コンピュ
ータの表示部に応用した例で、コンピュータ本体１．キ
ーボード２及び液晶デイスプレィ３により構成される。

従来の陰極線管（以下ＣＲＴと略す）によるデイスプレ
ィと比較すると、軽くしかも少ない面積で設置できる特
徴を有している。

特に、１台のコンピュータ本体１に対して複数のキーボ
ード２及び液晶デイスプレィ３により複数の操作者が同
時に作業できるシステムや、さらに軽量化が要求される
膝乗せ型のコンピュータに適用することによりその特徴
が十分に発揮される。

したがって、液晶デイスプレィをコンピュータの表示部
に用いることにより、ノートブック型を始めとする軽量
、省スペースの個人用途向けのコンピュータを実現でき
る。

第１８図（Ｂ）は液晶デイスプレィの他の応用例で、投
射型のデイスプレィの光シヤツタ一部に液晶デイスプレ
ィを用いた例である。システムの構成は、液晶デイスプ
レィ及び光学系を含む投射部４．スクリーン５および図
示していないビデオ信号処理部から成る。外部から入力
されたビデオ信号は、ビデオ信号処理部により液晶デイ
スプレィの表示に必要な信号形式、たとえばノンインタ
ーレースのＲＧＢデジタル信号等に変換され液晶デイス
プレィ上に画像が表示される。この表示画像は光学系を
通してスクリーンＥに結像される。

これらの構成要素の内、光シヤツタ一部は光学系の寸法
を決定する主要因で、多数の画素を小面積のパネルに納
めることが可能な液晶デイスプレィを用いることにより
光シヤツタ一部の小型化が図れ、光学系全体も小さくす
ることができる。

この他にも、液晶デイスプレィの小型あるいは軽量とい
う特徴を用いることにより、カラーの小型モニターや大
型の壁かけテレビを実現することができる。

この他、大型コンピュータの端末装置や、オーバーヘッ
ドプロジェクタ−、コンピュータ利用の学習機器、コン
ピュータゲーム機器等に応用することもできる。

〔発明の効果〕

以上の説明より明らかなように、本発明によれば、製造
工程上の良品率が高くて、しかも、画素部の開口率の高
い液晶表示装置を実現できるので、製造上のコストが低
くて、しかも、表示品質の良い液晶表示装置を提供する
ことが可能となり、各種画像表示装置応用に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の画素部の平面図、第２図及
び第４図は従来技術による画素部の平面図、第３図及び
第５図はそれぞれ第２図及び第４図の画素部に対応する
第２の基板上の遮光層の平面図、第６図は第１図におけ
るＡ−Ａ’断面図、第７図は第１図の画素部に対応する
第２の基板上の遮光層の平面図、第８図〜第１２図はそ
れぞれ本発明の他の実施例の画素部の平面図、第１３図
は本発明の液晶表示装置を用いた液晶デイスプレィシス
テムの構成図、第１４図と第１５図は液晶デイスプレィ
モジュールの他の実施例の構成図、第１６図は第１５図
に相当する液晶デイスプレィモジュールの一実施例の平
面図、第１７図は信号回路基板及び走査回路基板の実施
例の平面図、第１８図（Ａ）は本発明の液晶表示装置を
用いた卓上型コンピュータの概念図、第１８図（Ｂ）は
本発明の液晶表示装置を用いた投射型デイスプレィ装置
の概念図である。 １・・・コンピュータ本体、２・・・キーボード、３・
液晶デイスプレィ、４・・・投射部、５・・・スクリー
ン、２００・・・デイスプレィシステム、２０１・・光
源、２０２・・液晶デイスプレィモジュール、２０３・
光源調整回路、２０４・・コントロール回路、　２０４
Ａ・・画像データ発生回路、２０４Ｂ・・タイミング信
号発生回路、２０５・・蓄積容量駆Ｉ！Ｉｌ電圧発生回
路、２０６・・共通電極駆動電圧発生回路、２０７・・
信号回路、２０８−走査回路、２０９　　走査線、２１
０　・信号線、２１１　薄膜トランジスタ、２１２・蓄
積容量、２１３　共通電極端子、２１４液晶、２１５・
・・秩積容量共通線、２１６・・明るさ及びコントラス
ト調整回路、２１７・・液晶パネル、２１８・・・情報
処理システム、２２ｏ・・信号供給基板、２２１・・・
信号ケーブル、２２２〜２２４・・走査回路基板、２２
５，２２６・共通電極電圧の引き出し基板、２２７〜２
３４・・信号回路基板、２３５．２３６・・−共通電極
電圧及び容積容量電圧の引き出し基板、２３７・蓄積容
量電圧端子、２３８　・共通電極端子、２３９・回路基
板、２３９Ａ・・集積回路素子、２３９Ｂ、２３９Ｃ・
・パターン配線、６０１・・・第１の透光性絶縁基板、
６０２・・ゲート電極兼走査線、６０３・・ＩＴＯ膜、
６０４・・非透光性金属瞑、６０５・・・ＳｉＮｘ膜、
６０６・・半導体薄膜、６０７・・透光性画素電極、６
０８・ソース電極、６０９・・トレイン電極兼信号線、
６１０　・第１の基板」−の遮光されるべき領域。 禎 図 め 〆 図 猶 区 〃 目 ■ 閉 囁 図 ２θθ 狛 図 ３９ｂ ２３γＣ め 回 猶

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の透光性絶縁基板上に、能動素子の２次元アレ
   イと、前記能動素子に信号を供給する配線と、前記各能
   動素子に電気的に接続された透光性画素電極と、前記画
   素電極に電気的に接続された容量素子を備え、第２の透
   光性絶縁基板上には対向電極を備え、第１及び第２の絶
   縁基板を対向させ、該絶縁基板間に形成される間隙に液
   晶材料を封入して成る液晶表示装置において、前記画素
   電極が前記容量素子を構成する一対の電極の一方の電極
   を兼ねており、他方の電極は透光性導電膜と非透光性導
   電膜とから成り、前記非透光性導電膜の少なくとも一部
   が、前記画素電極の外縁に沿つて伸延し、前記外縁の少
   なくとも一部と平面構造的には重なっていることを特徴
   とする液晶表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置を有する
   直視型もしくは投射型の画像表示装置。