JPH04104841A - クリーンドラフトチャンバ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、クリーンルーム内に据付けて半導体ウェハな
どの薬液処理、もしくは半導体用薬液の濃縮処理を行う
クリーンドラフトチャンバに関する。

〔従来の技術〕

半導体の製造工程では、半導体ウェハの薬液による化学
洗浄プロセス、並びにエツチングプロセスなどがある。

すなわち、化学洗浄プロセスでは、高温加熱された過酸
化水素、アンモニア、塩酸硫酸などを組成とする溶液に
半導体ウェハを浸漬して洗浄を行う、また、エツチング
プロセスでは、弗酸、硝酸などを成分とする溶液に浸し
てエツチングを行−）、ところで、かかる半導体ウェハ
の薬液処理を行うに際しては、半導体ウェハに対するパ
ーティクル汚染を極度に嫌うために、通常はクリーンル
ーム内に据付けたクリーンドラフトチャンバ内に薬液を
収容した処理槽を設置して前記の各種薬液処理作業を行
うようにしている。

このクリーンドラフトチャンバは、チャンバ内に設置し
た処理槽に対して上方より高性能フィルタ（ＨＥＰＡフ
ィルタ、ＵＬＰＡフィルタ）を通じて清浄化したダウン
フロー気流を吹出し、薬液処理の過程で処理槽から発生
した薬液ベーパをダウンフロー気流に包み込んで一緒に
系外に排気すルモので、有害な薬液ベーパがクリーンル
ーム内に漏出するのを防止するようにしている。

一方、できるだけ少ない風量で薬液ベーパを確実に排気
処理できるようにした省エネルギー形のクリーンドラフ
トチャンバとして、第７図に示すような構成のものが特
開昭６３−２４８４４９号公報にて提案されている。

すなわち第７図において、ｌはクリーンドラフトチャン
バ、２はチャンバ内の作業台に設置した処理槽、２ａは
薬液加熱用ヒータ、３はチャンバの天井側に配備したし
ＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ、４はファン３の
上ｖＬ側に配備した給気ファン、５はチャンバの背面側
に開口した排気口、６は排気口に接続した排気ダクト、
７は排気ファン、８はチャンバの下部に配備した第２の
給気ファン、９は処理槽２の上方前面側に開口する送気
ダクト１０の通路内に配置した高性能フィルタである。

かかる構成のクリーンドラフトチャンバでは、例えば・
＼ンドリング用ロボットなどの操作により半導体ウェハ
をキャリアに収容して処理ＰＦ２内の薬液に浸漬し、所
定の薬液処理プロセスを行う。

この際に給気ファン４．８を運転すれば、チャンバ内に
は天井側から高性能フィルタ３を通過して流下するダウ
ンフロー気流（矢印Ａ）と、チャンバの前方より後方に
向けて処理槽２の上方を通流する水平方向のエアカーテ
ン気流（矢印Ｂ）が形成される。

これにより、処理槽２より発生して立ち昇る有害な薬液
ベーパは、ダウンフロー気流Ａ、およびエアカーテン気
流Ｂにより包み込まれ、周囲への拡散、逸出を抑えて排
気ダクト６より系外に吸引排気される。

ところで、前記したクリーンドラフトチャンバの構成で
は、半導体ウェハの薬液処理、並びに後述する薬液の１
ｌｌｌ縮処理を行う場合に次記のような問題点が残る。

（１）クリーンドラフトチャンバ内に薬液を満たした処
理槽、リンス槽を並べ、チャンバの前方からロボット操
作などで半導体ウェハを処理槽、リンス槽の間で搬送す
ると、ロボットのハンド、およびキャリアなどの部材が
水平方向のエアカーテン気流Ｂを横切るためにエアカー
テンの層流に乱れが生し、さらにこの層流の乱れがダウ
ンフロー気流Ａに干渉してその層流を乱し、この結果と
して処理槽から発生する薬液ベーパの包み込み機能が極
端に低下してしまう。

（２）水平方向のエアカーテン気流Ｂを吹き出す送気ダ
クトの吹出口には例えばハニカム状の整流板が組み込ま
れているが、このような構造では整流板が発塵源となっ
て処理槽に収容されている薬液半導体ウェハを汚染する
おそれがある。

（３）チャンバ内に処理槽を前後に並べて行列配置した
とすると、前方から後方へ流れるエアカーテン気流Ｂに
対して、前列（エアカーテン気流の上流側）に並ぶ処理
槽から発生した不純物がエアカーテン気流Ｂに乗って後
列（エアカーテン気流の下流側）に並ぶ処理槽の薬液を
干渉汚染するおそれがある。

（４）一方、半導体製造工程で使用する各種の薬液は高
純度（望ましくはｐｐｔレベル）に維持することが必要
であり、その薬液純度の管理のために随時薬液を分析し
て不純物濃度を測定することが行われている。この場合
の薬液分析方法としては、まず前処理として薬液試料を
蒸発皿に入れ、これを加熱して蒸発濃縮させ、濃縮した
薬液試料に対して原子吸収分析装置、炎光分光光度系、
螢光Ｘ線分析装置などの機器を用いて内容成分を分析す
る方法が一般に採られている。

この場合に、薬液試料を濃縮する前処理工程で薬液に塵
埃などのコンタミネーシヨンが混入するのを避けるため
に、前記したクリーンドラフトチャンバの清浄空間を利
用して薬Ｗ１．試料のｍ縮処理を行うようにしている。

具体的には第８図に示すように、クリーンドラフトチャ
ンバのチャンバ内に設置した処理槽２の中に個々に薬液
試料を満たした複数枚の蒸発皿１１をヒータ２８（ホン
トプレート）の上に並べて加熱、＊縮しつつ、この濃縮
過程で各蒸発皿から発生して上方へ立ち昇る薬液ベーパ
を前記したダウンフロー気流Ａ、エアカーテン気流Ｂに
包み込んで系外に排気するようにしている。

しかして第７図で述べたように、処理槽２に対しその上
面側に水平方向のエアカーテン気流Ｂを吹出し形成する
と、エアカーテン気ｆｉＢに対して上流側に並ぶ１発皿
の薬液から発生した不純物が下流側に並ぶ蒸発皿の薬液
に干渉して汚染を与えるといった問題が発生する。

そこで、本発明の発明者等は、クリーンドラフトチャン
バの内部に行列配置した複数の処理槽の相互間、ないし
は同し処理槽内で前後列に並べた複数枚の薬液濃縮用蒸
発皿の相互間で前記のような不純物の干渉汚染が発生す
るのを防止できるようにしたクリーンドラフトチャンバ
を開発し、特願平１−１０２．０２５号として提案して
いる。

その内容は、クリーンドラフトチャンバ内に設置した処
理槽に対し、処理槽の上面周域を包囲して排気系に通じ
る吸引フードを配置し、該吸引フードの内周側に開口す
る吸気口を通じて上方から流下するダウンフロー気流と
ともに処理槽から発生する薬液ベーパを吸引して系外に
排気するよう構成したものである。

上記構成によれば、処理槽に向けて上方よりチャンバ内
を流下したダウンフロー気流は、処理槽の上面に到達し
たところでその周域に開口する吸気口を通じて高速吸込
気流となって吸引フード内に吸い込まれ、ここから排気
経路を経て系外に吸引排気される。これ番二より、処理
槽から発生して立ち昇る有害な薬液ベーパは吸引フード
に吸い込まれる前記の高速吸込気流の誘引作用を受け、
チャンバ内の空間へ拡散することなしに、薬液槽の上面
周域から直ちに吸引フード内に吸い込まれて系外に排気
されることになる。したがってチャンバ内に行列配置し
た処理槽同士の相互間、ないし処理槽内に並べて収容し
た薬液濃縮用１発皿の相互間で薬液ヘーμが干渉し合う
のを良好に防止できる。

（発明が解決しようとするＩＩＩ！り ところで、前記提案になるクリーンドラフトチャンバを
使用して実際に薬液処理作業を行った場合には、処理槽
から発生した薬液ベーパの周囲への拡散を確実に防止で
きるが、一方では次記のような不具合の発生することが
明らかになった。

すなわち、チャンバ内で上方より処理槽に向けてダウン
フローする気流はクリーンルームの室温（空調設備によ
り比較的低い温度に空調されている）と殆ど同じ温度で
あるため、処理槽から発生して立ち昇る薬液ベーパに含
まれている薬液成分（例えば弗化アンモニウム、塩化ア
ンモニウムなどの成分）がダウンフロー気流により冷却
されて再結晶化が促進される。この結果、先記した吸弓
フード３および吸引フードに通じる排気ダクト内には結
晶生成物が多量に付着堆積するようになる。

この堆積物は定期的な保守点検時にクリーンドラフトチ
ャンバの運転を停止した上で洗浄により排除するように
しているが、有害性が高いこともあってその洗浄、除去
作業は橿めて厄介であるし、特に吸引フードに付着した
結晶生成物がフードより剥離して薬液中に落ち込むとこ
れが汚染源となる。

本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、各種
の薬液処理の際に、処理槽の相互間、ないしは処理槽内
に並べて収容した薬液濃縮用蒸発皿の相互間で干渉汚染
が発生するのを防止しつつ、しかも処理槽、ないし個々
の蒸発皿から発生した薬液ベーパの再結晶化を良好に防
止できるようにしたクリーンドラフトチャンバを提供す
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 上記課題を解決するために、本発明は次記のように構成
するものとする。

（１）チャンバ内に設置の処理槽に対して上方より清浄
化したダウンフロー気流を送風する給気系と、処理槽か
ら発生する薬液ベーパをダウンフロー気流に包み込んで
系外に吸引排気する排気系と、チャンバ内に設置した各
処理槽ごとに処理槽の上面周域を包囲して排気系に連通
ずる吸引フードと、前記の給気系に設けたダウンフロー
気流の加熱手段とを備えてクリーンドラフトチャンバを
構成する。

（２）前記（１）項１の構成において、吸気口を吸込フ
ードの全周域に開口する。

（３）前記（１）項１の構成において、吸引フードの後
段に排気流から薬液成分の結晶生成物を分離捕集するト
ラ、ブを設ける。

（４）前記（１）項１の構成において、薬液槽に配管し
た薬液供給管を吸引フードの外周を迂回して薬液槽の上
面に引込み配管する。

（５）前記（１）項１の構成において、処理槽内に薬液
加熱ヒータを装備した薬液蒸発皿を前後列に並べて薬液
濃縮処理を行う。

（６）前記（１）項の構成において、ダウンフロー気流
の加熱手段を高性能フィルタの上流側に配備する。

（７）チャンバ内に設置した上蓋付きの処理槽に向けて
上方より清浄化したダウンフロー気流を送風する給気系
と、処理槽の底部に設置した薬液加熱用ホットプレート
と、処理槽の下面、および側面上部に開口した導風口と
、該導風口を通じて処理槽の内部に流れる導風気流を系
外に吸引排気する排気系とを備えてクリーンドラフトチ
ャンバを構成する。

（８）チャンバ内に設置した上蓋付きの処理槽に向けて
上方より清浄化したダウンフロー気流を送風する給気系
と、処理槽の底部に設置した薬液加熱用ホントプレート
と、外部より取り込んだ空気を清浄化した上で処理槽の
下面、および側面上部に開口した導風口を通じて槽内に
押し込み送風する第２の給気系と、処理槽内を流れる導
風気流、およびチャンバ内を流下するダウンフロー気流
とを合流して系外に吸引排気する排気系とを備えてクリ
ーンドラフトチャツバを構成する。

（作用〕 上記（１）項の構成により、給気系の加熱手段で加熱昇
温された清浄空気がダウンフロー気流としてチャンバ内
に吹出し、チャンバ内の下部に配置した処理槽に向けて
流下する。そして処理槽の上面に到達したダウンフロー
気流は処理槽の周域に開口する吸気口より高速吸込気流
となって吸引フード内に吸い込まれ、ここから排気系を
経て系外に排気される。この状態で処理槽で各種の薬液
処理作業を行えば、処理槽から発生して立ち昇る有害な
薬液ベーパは前記高速吸込気流の誘引作用を受け、チャ
ンバ内の空間に拡散することなく処理槽の上面周域から
直ちに吸引フード内に吸い込まれ、ここから排気系を経
て系外に吸引排気される。したがってチャンバ内に並ぶ
処理槽、ないし処理槽内に並べて収容した薬液蒸発皿の
相互間で干渉し合う薬液ベーパの汚染を確実に防止する
ことができる。しかも、ダウンフロー気流は加熱手段に
より加熱昇温（例えば１００°Ｃ程度）されているので
、薬液ベーパがダウンフロー気流に触れても再結晶化す
ることがなく、吸引フード、ないしその下流側の排気ダ
クト内に結晶生成物が付着堆積するのを良好に防止でき
る。

この場合に、（２）項のように吸引フードの全周域に亙
って吸気口を開口しておくことにより、例えば処理槽内
に前後列に蒸発皿を並べて薬液の濃縮処理を行う場合で
も、各蒸発皿から発生した薬液ベーパは他の蒸発皿の上
を通過することなく吸弓フード内に吸引される。したが
って蒸発皿相互間での干渉汚染を確実に防止できる。

また、吸引フードの後段側に組合せた（３）項のトラッ
プは、吸引フード通過後の薬液ベーパが周囲温度により
冷やされて生成した結晶生成物を排気流から分離捕集す
るように働＜、シたがって、これらの結晶生成物が下流
側の排気系ダクト内に付着堆積するを防ぐことかできる
。

また、（４）項のように、半導体ウェハを処理する薬液
を処理槽へ供給する薬液供給管を吸引フード外周を迂回
して薬液槽の上面に引込み配管することにより、処理槽
と吸引フードとの間に配管スペースを確保する必要がな
く、吸引フードの吸気口を薬液槽の上面周域に近接開口
できるとともに、薬液供給管を点検する場合でも吸引フ
ードを取り外すことなく、メンテナンス作業を進めるこ
とができ。

また、（５）項のように処理槽内に蒸発皿を並べてて薬
液の濃縮処理を行えば、蒸発皿から発生して立ち昇る薬
液ベーパがそのまま処理槽の上面周域に開口する吸引フ
ードに吸い込まれるので、干渉汚染のおそれなしに複数
枚の蒸発皿を前後列に並べて薬液ｉｆｆ縮作業を安全に
行うことができる。しかも各蒸発皿ごとにヒータを一体
に組み込んだ構造とすることで、各蒸発皿の薬液温度を
例えばサーモ制御により個別に管理して薬液の突発的な
沸騰を防止することも可能である。

また、（６）項のダクトヒータは、高性能フィルタを通
じてチャンバ内に吹き出すダウンフロー気流を加熱昇温
する。したがって、処理槽から発生する薬液ベーパがダ
ウンフロー気流に触れて再結晶することがない。

一方、（７）項の構成では、チャンバ内を流下するダウ
ンフロー気流が、チャンバ内に設置した上蓋付き処理槽
の内部を貫流し、その内部に収容した半導体ウェハ処理
用の薬液槽５ないし薬液濃縮用蒸発皿から発生した薬液
ベーパとともに排気系を通じて系外に吸引排気される。

ここで、処理槽の下面に開口の導風口を通じて槽内に流
入する気流は槽内底部に設置のホットプレートの周面を
流れる際に加熱、昇温するので、蒸発皿などから立ち昇
る薬液ベーパが導風気流に触れて再結晶化するのを防止
する。また、処理槽の側面上部の開口を通じて上蓋の裏
面側を流れる導風気流は薬液ベーパを抑え込むエアカー
テンとして機能し、薬液ベーパが処理槽の上Ｉ（上蓋の
上面にはダウンフロー気流が直接当たるので温度が低い
）の裏面側に触れて再結晶するのを防止するように働く
、これにより少なくとも処理槽内で薬液成分の結晶が生
成するのを防止できる。

さらに、（８）項の構成では、チャンバ内を流下する清
浄なダウンフロー気流が処理槽の周囲を包み込むように
流れた後に排気系を通じて系外に排気される。一方、前
記のダウンフロー気流とは別に第２の給気系を経て送気
される清浄な気流が前記（７）項で述べたと同様に処理
槽内に押し込春導風され、槽内で発生した薬液ベーパの
再結晶化を防止しつつ、薬液ベーパとともに強制的に排
気される。

したがって薬液ヘーバの再結晶化防止と併せて、薬液ベ
ーパの周囲への漏出、拡散を確実に防止できる。

〔実施例〕

実施例１： 第１図ないし第３図は本発明の請求項１ないし６に対応
した半導体ウェハの薬液処理、並びに薬液のａｍ処理プ
ロセスに使用する本発明実施例のクリーンドラフトチャ
ンバの構成図を示すものであり、第７図、第８図に対応
する同一部材には同し符号が付しである。

まず、第１図において、クリーンドラフトチャンバ１の
上部にはＵＬＰＡフィルタとしての高性能フィルタ３、
給気ファン４、およびフィルタ３の上流側に配備のダク
トヒータ１２が設置され、チャンバ内部空間１８を隔て
て下部には処理槽２が設置されている。また、処理槽２
の上面側には薬液槽２の外周を包囲して吸引フード１３
が設置されており、かつ吸引フード１３の内周面側には
処理槽２の上面周域に臨む吸気口１４が開口している。

また、吸引フード１３の後段にはトラップ１５が設置さ
れており、排気風胴１６を経て排気ダクト５に連通じて
いる。また、１７は薬液貯留タンク１８より送液ボ、ン
プ１９を介して処理槽２との間に配管した薬液供給管で
あり、該薬液供給管１７は前記した吸引フード１３の外
周を迂回して処理槽２の上面に引込み配管されている。

さらに２０はチャンバ１の前面開放面を覆う例えば透明
ビニールカーテンなどのカバーである。

また、前記の処理槽２で薬液試料を濃縮処理を行う際に
使用する蒸発皿１１の実施例を第２図に示す。すなわち
、蒸発皿１１は、皿内に注入した各種薬液２１　（第１
図参照）の試料に対して高い耐蝕性をもった白金、もし
くはテフロン製の皿１１ａの外周を例えばニッケル製の
ケースｌｌｂで囲み、その内部に薬液加熱ヒータｌｌｃ
を一体に組み込んだ構造である。なお、図示してないが
、ケースｌｌｂには皿温度検出センサ、サーモスタット
などを組み込んでヒータｌｌｃを通電制御し、蒸発皿１
１に収容した薬液試料が突発的に沸騰して溢れでるドラ
フルを回避するようにしている。

なお、図示されてないが、半導体ウェハの化学洗浄、エ
ツチング処理などの薬液処理プロセスを行う場合には、
処理槽２に薬液を満たした薬液槽を収容して薬液処理を
行うようにする。

上記構成のクリーンドラフトチャンバで、給気ファン４
．排気ファン７を運転すれば、クリーンルームの室内か
ら取り込んだクリーンエアをダクトヒータ１２で加熱昇
温し、さらに高性能フィルタ３で清浄化したダウンフロ
ー気流Ａが処理槽２に向けてチャンバ空間１ａを流下す
る。そしてダウンフロー気流Ａが処理槽２の上面に到達
すると、その上面周域に開口する吸引フード１３の吸気
口１４へ高速吸込気流Ｃとなって流れ込み、ここからト
ランプ１５．排気風胴１６．排気ダクト６、排気ファン
７を経て系外に吸引排気される。また、ダウンフロー気
流Ａの一部はチャンバ１の背後に開口した排気口５を通
じて前記の排気流と合流して排気される。なお、前記し
た給気ファン４．排気ファン７は、例えばインバータ制
御により駆動モータを適正な速度で運転制御するように
している。

ここで、処理槽２にて各種の薬液処理１例えば第３図の
ように複数枚の蒸発皿１１を前後列に並べて薬液試料の
濃縮処理を行うと、処理槽２より立ち昇る薬液ベーパが
発生するようになるが、この薬液ベーパは上方から流下
するダウンフロー気流Ａに抑えこまれてチャンバ空間１
ａへ殆ど拡散逸出することなく、かつ前記した高速吸込
気流Ｃによる誘引作用により処理槽２の上面に出たとこ
ろで直ちに吸引フード１３の吸気口１４に１い込まれる
ようになる。なお、吸引フード１３に吸い込まれずにチ
ャンバ空間１ａに漏出した僅かな量のベーパはダウンフ
ロー気流Ａとともに背面側の排気口５を通じて排気され
る。したがって、蒸発皿１１に入れた薬液２１に周囲か
ら塵埃などの異物が混入することもなく、かつ各蒸発皿
１１の相互間で薬液ベーパによる干渉汚染なしに、同時
に複数の蒸発皿で薬液試料の濃縮処理を進めることがで
きる。

しかも、チャンバ内を流下するダウンフロー気ｍＡはダ
クトヒータ１２により加熱昇温されているので、薬液ベ
ーパの成分１例えば弗化アンモニウム、塩化アンモニウ
ム　（これら成分は冷たい空気に触れると再結晶化する
）などの成分が処理槽２の周域で再結晶するのを良好に
防止できる。なお、薬液成分の再結晶化を防止するには
、ダクトヒータ１２でダウンフロー気流Ａを１００　”
Ｃ程度に加熱するのがよい。

また、前記した蒸発皿１１の代わりに処理槽２内に薬液
を満たした薬液槽を収容して半導体ウェーハの薬液処理
を行う場合には、薬液供給管１７を通じて薬液槽内への
薬液補給が行われる。一方、吸引フード１３の下流側で
は排気流の温度が周囲に奪われて次第に低下し、排気流
中に薬液成分の結晶が生しるようになるが、ここで発生
した結晶生成物はトランプ１５を通過する際に気流から
分離捕集される。なお、トラップ１５の膨張室内底部に
は冷却水２２を溜めて排気流を冷却し、結晶生成物の捕
集効率を高めるようにしている。なお、トランプ１５は
定期的に洗浄水で洗浄して補集した結晶生成物を排除す
る。

実施例２： 第４図は本発明の請求項７に対応する実施例を示すもの
である。この実施例ではチャンバ内に設置した処理槽２
が上蓋２ｂを備えた箱体であり、その底部は図示のよう
に薬液濃縮用の蒸発皿１１を加熱するホットプレート２
ｃを備えている。さらに処理槽２の下面、および前面上
部にはチャンバ内部空間１ａに通しる導風口２ｄ、　２
ｅが、また後面上部には前記の導風口２ｅと向かい合っ
た位置に排気ダクト６に通じる排気側の導風口２ｆが開
口している。

その他の構成は基本的に実施例１のクリーンドラフトチ
ャンバと同様である。

なお、前記導風口２ｄ、　２ｅ、　２ｆのうち、下面側
の導風口２ｄはホントブレー）２ｃの周域に開口し、前
後面側の導風口２ｅ、　２ｆはホットプレート２ｃの上
に載置した蒸発皿１１の上方位置で処理１２のほぼ全幅
に亙って開口している。

かかる構成で、給気ファン４．排気ファン７を運転する
と、チャンバ内を流下したダウンフロー気流Ａは処理槽
２の前面、下面側から欠配した導風口２ｄ、　２ｅを通
じて槽内に流入し、後面側の導風口２ｆを通じて排気フ
ァン７により吸引排気されるように通流し、槽内に矢印
Ａｌ、　Ａ２．　Ａ３で示す導風気流を形成する。ここ
で、導風気流Ａ１はホ７）プレート２ｃ　（薬液濃縮処
理を行う場合のホットプレート発熱温度は３００°Ｃ程
度である）の周域を通過する際に加熱して昇温する。一
方、導風気流Ａ２Ａ３は蒸発皿１１とその上方に位置す
る処理槽２の上蓋２ｂとの間を遮蔽するエアカーテンと
して作用する。

したがって、前記した送風状態で処理槽２に収容した蒸
発皿１１で薬液試料の濃縮処理を行うと、蒸発皿１１か
ら発生して立ち昇る薬液ベーパは槽内を貫流する前記の
導風気流に包み込まれ、チャンバ外に漏出、拡散するこ
となく排気ダクト６を通じて系外に吸引排気される。

しかも、この場合に処理槽２の下面側から流入する導風
気流Ａ１はホットブレー）２ｃにより加熱されて高温に
なっているので、薬液ベーパの再結晶化を抑える。また
、槽内で上方へ立ち昇ろうとする薬液ベーパはエアカー
テンを形成する導風気流Ａ２．　Ａ３によって遮られて
上蓋２ｂ　（上蓋はダウンフロー気流Ａが直接波流する
ので温度が低い）に直接触れることはなく、したがって
上蓋の裏面に結晶生成物が付着堆積することはない。な
お、上蓋２ｂは常時は閉しており、１発皿１１を出し入
れする際に開放される。

なお、この実施例では処理槽２の内部に前後方向に通流
するエアカーテンを形成している関係から、薬液試料の
４縮処理を行う場合に蒸発皿１１を前後２列に並べると
、蒸発皿の間で薬液ベーパの干渉汚染が生しる。したが
って蒸発皿１１は左右列に並べて使用することがａ・要
である。

実施例３： 第５図、第６図は本発明の請求項８に対応する実施例を
示すものである。すなわち、実施例２では、チャンバ内
に吹出し形成したダウンフロー気流を上蓋付きの処理槽
内に送風するのに対し、この実施例ではダウンフロー気
流とは別な給気系で得たクリーンエアを上蓋付き処理槽
内に送風して薬液ベーパを排気するようにしたのもであ
る。

すなわち、チャンバ内に設置した上蓋付き処理槽２の前
面側にはダウンフロー気流Ａの流下するチャンバ内部空
間と隔絶した風胴２３を画成し、ここに高性能フィルタ
２４．および給気ファン２５を組合わせて送風気流りを
得る第２の給気系を構成している。そして、風胴２３に
通じて処理槽２の下面。

前面には実施例２と同様に導風口２ｄ、　２ｅが開口し
、さらに処理槽の後面には排気ダクト６に通じる導風口
２ｆが開口している。また、ダウンフロー気流Ａは処理
槽２の上面、下面側を迂回して流れ、処理槽内を貫流し
た導風気流と合流して排気ダクト６へ吸引排気される。

なお、図示例では第６図に示すように薬液試料の濃縮処
理を行うクリーンドラフトチャンバＩに隣接して据付け
た秤量用のクリーンドラフトチャンバＨの底部に前記し
た第２の給気系の給気ファン２５を組み込み、クリーン
ドラフトチャンバＨのチャンバ内を流下するダウンフロ
ー気流の一部を給気ファン２５にて取り込んで前記風胴
２３へ送風気流りを送気するようにしている。なお、送
風気流りをクリーンルームの室内から直接取り込むこと
もできる。

かかる構成により、第２の給気系の給気ファン２５、高
性能フィルタ２４を経て得られた送風気流りは、導風口
２ｄ、　２ｅを通じて処理槽２に押し込み送風され、槽
内に導風気流Ｄｉ、　Ｄ２．　Ｄ３を形成する。

なお、この導風気流ＤＩ、　Ｄ２．　Ｄ３は、それぞれ
実施例２で述べた導風気流Ａｌ、　Ａ２．　Ａ３に対応
するものである。これにより、実施例２と同様に薬液試
料の濃縮処理の際に蒸発皿１１から発生する薬液へ一部
がは、槽内を貫流する導風気流Ｄｉ、　Ｄ２．　Ｄ３に
包み込まれるかたちで系外に吸引排気される。また、導
風気流Ｄ１は槽内に設置のホントブレー）２ｃにより加
熱昇温されるので、薬液ベーパが再結晶化することもな
い。

なお、実施例２．３では薬液試料の濃縮処理を行う場合
について述べたが、蒸発皿１１の代わりに処理槽２の中
に薬液を満たした薬液槽を収容することで、半導体ウェ
ハの薬液処理プロセスを行うことができる。

（発明の効果〕 本発明によるクリーンドラフトチャンバは、以上説明し
たように構成されているで、次記の効果を奏する。

請求項１の構成においては、チャンバ内に設置の処理槽
にλｊして上方より清浄化したダウンフロー気流を送風
する給気系と、処理槽から発生する薬液ベーパをダウン
フロー気流に包み込んで系外に吸引排気する排気系と、
チャンバ内に設置した各処理槽ごとに処理槽の上面周域
を包囲して排気系に連通ずる吸引フードと、前記の給気
系に設けたダウンフロー気流の加熱手段とを備えたこと
より、半導体ウェハなどの薬液処理、並びに半導体用薬
液の濃縮処理を行うクリーンドラフトチャンバを対＊ｉ
−、チャンバ内に設置した処理槽、ないしは処理槽内Ｃ
二並べて収容した薬液濃縮用蒸発皿の相互間での薬液ベ
ーパによる干渉汚染、および薬液・＼−バの再結晶化を
抑制しつつ、薬液処理プロセスに伴って発生した有害な
薬液ベーパを周囲への漏出、拡散なしに排気処理するこ
とができる。

請求項２の構成においては、吸引フードに対しその吸気
口を全周域に開口したので、吸引フードへの吸込気流に
よる薬液ベーパの誘引作用をより効果的に機能させるこ
とができる。

請求項３の構成においては、吸引フードの後段にトラッ
プを組合せたので、排気流中に生成した薬液成分の結晶
生成物を分離補集して下流側の排気ダクトに結晶生成が
付着堆積するのを防止できる。

請求項４の構成においては、処理槽に対する薬液供給管
を、吸引フードの外周を迂回して処理槽の上面に引込み
配管したことで、配管が吸引フードの機能を阻害するこ
とがなく、かつ薬液供給管のメンテナンス作業を容易に
進めることができる。

請求項５では、処理槽内に薬液加熱ヒータを装備した薬
液蒸発皿を前後列に並べて薬液濃縮処理を行うようにし
たので、同じ処理槽で同時に複数枚の蒸発皿を収容して
薬液ベーパの干渉汚染なしに薬液濃縮処理が実施でき、
しかも、各蒸発皿ごとに収容した薬液を個別に加熱し−
タにより温度管理して薬液試料が突発沸騰するなどのト
ラブル発生を未然に回避できる。

請求項６の構成においては、ダウンフロー気流の加熱手
段として、ダクトヒータを高性能フィルタの上流側に配
備したので、処理槽へ向けて送気するダウンフロー気流
を直接加熱することができる。

請求項７の構成においては、チャンバ内に設置した上蓋
付きの処理槽に向けて上方より清浄化したダウンフロー
気流を送風する給気系と、処理槽の底部に設置した薬液
加熱用水７）プレートと、処理槽の下面、および側面上
部に開口した導風口と、該導風口を通じて処理槽の内部
に流れる導風気流を系外に吸引排気する排気系とを備え
てクリーンドラフトチャンバを構成したことにより、請
求項１の構成と同様にチャンバ内に設置した処理槽、な
いしは処理槽内に並べて収容した薬液濃縮用蒸発皿の相
互間での薬液ベーパによる干渉汚染および薬液ベーパの
再結晶化を抑制し・つつ、薬液処理プロセスに伴って発
生した有害な薬液ベーパを周囲への漏出、拡散なしに排
気処理することができる。しかも処理槽に上蓋を備え、
かつ槽内にはホットプレートで加熱した導風を流すよう
にしたので、薬液ベーパの周囲拡散をより効果的に防止
しつつ、薬液ベーパの再結晶、および上蓋への結晶生成
物の付着が防げる。

請求項８の構成においては、チャンバ内に設置した上蓋
付きの処理槽に向けて上方より清浄化したダウンフロー
気流を送風する給気系と、処理槽の底部に設置した薬液
加熱用ホントプレートと、外部より取り込んだ空気を清
浄化した上で処理槽の下面、および側面上部に開口した
導風口を通じて槽内に押し込み送風する第２の給気系と
、処理槽内を流れる導風気流、およびチャンバ内を流下
するダウンフロー気流とを合流して系外に吸引排気する
排気系とを備えたことにより、請求項１の構成と同様に
チャンバ内に設置した処理槽、ないしは処理槽内に並べ
て収容した薬液濃縮用蒸発皿の相互間での薬液ベーパに
よる干渉汚染、および薬液ベーパの再結晶化を抑制しつ
つ、薬液処理プロセスに伴って発生した有害な薬液ベー
パを周囲への漏出、拡散なしに排気処理することができ
る。

しかも処理槽に上蓋を備え、かつ槽内には第２の給気系
より送気される導風をホットプレートで加熱して流すと
ともに、その周囲にはチャンバ内を流下するダウンフロ
ー気流を流すようにしたので、薬液ベーパの周囲拡散を
より効果的に防止しつつ、薬液ベーパの再結晶、および
上蓋への結晶生成物の付着が防げる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１を示すクリーンドラフトチャ
ンバの構成断面図、第２図は第１図で採用する薬液′ａ
縮用蒸発皿の断面図、第３図は第１図における処理槽内
に並べた蒸発皿の配置平面図、第４図は本発明の実施例
２を示すクリーンドラフトチャンバの構成断面図、第５
図は本発明の実施例３を示すクリーンドラフトチャンバ
の構成断面図、第６図は第５図の正面図、第７図は従来
のクリーンドラフトチャンバの構成断面図、第８図は第
７図のクリーンドラフトチャンバで行う薬液濃縮処理の
作業状態図である０図において、１：クリーンドラフト
チャンバ、２：処理槽、２ｂ＝上蓋、２ｃ：ホットプレ
ート、２ｄ、　２ｅ、　２ｆ　：導風口、３．２４：高
性能フィルタ、４，２５：給気ファン、６：排気ダクト
、７：排気ファン、１１：蒸発皿、１１Ｃ：ヒータ、１
３；吸引フード、１４：＠気口、１５ニドラツプ、１７
：薬液供給管、２１：薬液、Ａ：ダウンフロー気流、Ｃ
：高速吸込気流、Ｄ：第２の送風気流、ＡＩ、　Ａ２．
　Ａ３．　Ｄｉ、　Ｄ２．　Ｄ３：導風気流、　　　　
　　　　　　　　　　　　　。 代理人弁理士　山　口　　厳　　−一 第２閃 弔３図 ユ 第４図 とケ 田 ん 匡 第す凶

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）半導体ウェハなどの薬液処理、ないしは薬液濃縮処
   理に使用するクリーンドラフトチャンバであって、チャ
   ンバ内に設置の処理槽に対して上方より清浄化したダウ
   ンフロー気流を送風する給気系と、処理槽から発生する
   薬液ベーパをダウンフロー気流に包み込んで系外に吸引
   排気する排気系と、チャンバ内に設置した各処理槽ごと
   に処理槽の上面周域を包囲して排気系に連通する吸引フ
   ードと、前記の給気系に設けたダウンフロー気流の加熱
   手段とを備えたことを特徴とするクリーンドラフトチャ
   ンバ。 ２）請求項１に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
   て、吸気口が吸込フードの全周域に開口していることを
   特徴とするクリーンドラフトチャンバ。 ３）請求項１に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
   て、吸引フードの後段に排気流から薬液成分の結晶生成
   物を分離捕集するトラップを設けたことを特徴とするク
   リーンドラフトチャンバ。 ４）請求項１に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
   て、処理槽に配管した薬液供給管が吸引フードの外周を
   迂回して処理槽の上面に引込み配管されていることを特
   徴とするクリーンドラフトチャンバ。 ５）請求項１に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
   て、処理槽内に薬液加熱ヒータを装備した薬液蒸発皿を
   前後列に並べて薬液濃縮処理を行うことを特徴とするク
   リーンドラフトチャンバ。 ６）請求項１に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
   て、ダウンフロー気流の加熱手段が高性能フィルタの上
   流側に配備したダクトヒータであることを特徴とするク
   リーンドラフトチャンバ。 ７）半導体ウェハなどの薬液処理、ないしは薬液濃縮処
   理に使用するクリーンドラフトチャンバであって、チャ
   ンバ内に設置した上蓋付きの処理槽に向けて上方より清
   浄化したダウンフロー気流を送風する給気系と、処理槽
   の底部に設置した薬液加熱用ホットプレートと、処理槽
   の下面、および側面上部に開口した導風口と、該導風口
   を通じて処理槽の内部に流れる導風気流を系外に吸引排
   気する排気系とを備えたことを特徴とするクリーンドラ
   フトチャンバ。 ８）半導体ウェハなどの薬液処理、ないしは薬液濃縮処
   理に使用するクリーンドラフトチャンバであって、チャ
   ンバ内に設置した上蓋付きの処理槽に向けて上方より清
   浄化したダウンフロー気流を送風する給気系と、処理槽
   の底部に設置した薬液加熱用ホットプレートと、外部よ
   り取り込んだ空気を清浄化した上で処理槽の下面、およ
   び側面上部に開口した導風口を通じて槽内に押し込み送
   風する第２の給気系と、処理槽内を流れる導風気流、お
   よびチャンバ内を流下するダウンフロー気流とを合流し
   て系外に吸引排気する排気系とを備えたことを特徴とす
   るクリーンドラフトチャンバ。