JPS63248449A - ドラフトチヤンバ - Google Patents

ドラフトチヤンバ

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JPS63248449A
JPS63248449A JP62082378A JP8237887A JPS63248449A JP S63248449 A JPS63248449 A JP S63248449A JP 62082378 A JP62082378 A JP 62082378A JP 8237887 A JP8237887 A JP 8237887A JP S63248449 A JPS63248449 A JP S63248449A
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air flow
draft chamber
flow
draft
air
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JPH038821B2 (ja
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Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Junichi Murota
室田 淳一
Yoshio Fujisaki
藤崎 芳男
Masato Noda
野田 正人
Yoshimitsu Kitada
北田 由光
Terutaka Sawara
佐原 輝隆
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Hitachi Plant Engineering and Construction Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

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  • Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Ventilation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドラフトチャンバに係り、特に半導体製造工程
に於けるシリコンウェハ等の化学洗浄及びエツチングに
用いられる薬液槽が設置されるドラフトチャンバに関す
る。
〔従来の技術〕
半導体の製造工程にはシリコンウェハを化学洗浄し、及
びエツチングする工程がある。例えば化学洗浄プロセス
に於いてシリコンウェハは高温加熱(80℃〜120℃
)された過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸などを組
成とする溶液等の薬液槽にそれぞれlO〜20分間浸さ
れて処理されている。またフッ酸や硝酸を成分とする溶
液の薬液槽に数分間浸してエツチング処理される。
ところで、このようなシリコンウェハの処理工程は塵埃
の付着等を防止する為、クリーンルーム内に設置される
ドラフトチャンバ内で行われる。
従来のこの種のドラフトチャンバは、薬液槽から発生す
る有害ガスがクリーンルームに漏出することを防止する
為に、排気用のダクトが設置され、ファン駆動により外
部に有害ガスを排気するようにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来のドラフトチャンバは、ドラフトチャンバ
内に有害ガスが拡散混合した状態で排気するため大容量
のファンによって有害ガスと共にクリーンルーム内の空
調、清浄空気も大量に排出する結果を生じている。その
ため無駄が多く、又ファン駆動のための動力が大きくな
るという不具合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、薬液
槽から発生する有害ガスをクリーンルームに漏出するこ
となく少ない排風量で効率よく排出することが出来るド
ラフトチャンバを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は前記目的を達成するために、クリーンルーム内
に設置され、複数の液槽を有すると共に前面にキャリア
の操作用窓を有し、前記液槽にキャリアを順次浸漬する
処理を行うためのドラフトチャンバにおいて、前記液槽
のうち少なくとも有害ガスを発生する薬液槽の液面上方
でドラフトチャンバの前方から後方に向かう略水平方向
の第1の空気流を発生する第1の空気流発生手段と、前
記ドラフトチャンバの天井から下方に向かう第2の空気
流を発生する第2の空気流発生手段とを備え、前記薬液
槽から発生する有害ガスのクリーンルームへの漏出を防
止するを特徴としている。
〔作用〕
本発明によれば、前記第1の空気流発生手段から発生す
る略水平方向の第1の空気流により薬液槽から発生する
有害ガスをチャンバ内へ極力拡散しないように直接排出
し、この第1の空気流によるエアシールを越えて拡散す
る夕景の有害ガスはドラフトチャンバの天井から下方に
向かう第2の空気流(ダウンフロー)によってその拡散
が抑制され、有害ガスが操作用窓側を介してクリーンル
ームに漏出することを防止するようにしている。
〔実施例〕
以下添付図面に従って本発明に係るドラフトチャンバの
好ましい実施例を詳説する。
第1図は本発明に係るドラフトチャンバの一実施例を示
す正面図であり、第2図は第1図に於けるA−A線に沿
う断面図、第3図は第1図に於けるB−B線に沿う断面
図、第4図は第1図に於けるC−C線に沿う断面図、及
び第5図は第1図に於けるD−D線に沿う断面図である
。
このドラフトチャンバはクリーンルーム内に設置される
もので、その前面には第1図に示すように操作パネル1
0、ウェハキャリアの操作用窓が設けられている。この
操作用窓には四枚の透明引戸12が設けられると共に、
左右の透明引戸には更にキャリア供給用小引戸14及び
キャリア取出用小引戸16が設けられている。
又、ドラフトチャンバ内には、第2図に示すようにN 
H40H+ H202薬液槽20、リンス槽22、HF
薬液槽24及びリンス槽26の4漕が順次配列されてい
る。
薬液槽20にはヒータ34が配設され、20.24の薬
液槽には薬液供給装置(図示せず)より薬液が供給され
、リンス槽22.26には超純水が供給されるようにな
っている。又各液種の廃液は、液槽底面より自動排水弁
32を介して廃液されるようになっている(第4図、第
5図参照)。
更に、ドラフトチャンバ内には、ウェハキャリアをキャ
リア供給部27から前記各液槽を介してウェハ取出部2
8まで搬送するキャリア搬送装置30が設けられている
。尚、このキャリア搬送装置30は、第4図に示すよう
にウェハキャリアを各液槽に浸漬するために上下方向に
移動できるように構成されている。
さて、このドラフトチャンバの床面にはシールエアファ
ン40が配設され、天井には第1給気フアン50(第5
図)及び第2給気フアン60(第4図)が配設されてい
る。
シールエアファン40は、第3図及び第4図に示すよう
にプレフィルタ付き吸気口42からクリーンルーム内の
清浄空気を吸入し、HEPAフィルタ44からダクト4
6及び48を介して吹出口48A及び48Bよりシール
エアを送出する。尚、ダクト48は、第3図からも明ら
かなように薬液槽20.24のみに対応して設けられ、
従って薬液層20.24の上方のみにシールエアが送出
される。又、上記シールエアは吹出口48A及び48B
からそれぞれ上下二層流として送出され、上段側の流速
を速<シ(約1m/s)、下段側の流速を0.2m/S
程度になるようにしている。これは、薬液蒸発量の軽減
化を図ると共に、槽縁の配管類への気流の衝突乱流を防
止しミスト飛散の恐れをなくすためである。
一方、第1給気フアン50は、第5図に示すようにプレ
フィルタ付き吸気口52からクリーンルーム内の清浄空
気を吸入し、天井のダクト54及びHEPAフィルタ5
6を介して天井から下方に向かう空気流(ダウンフロー
)を送出している。
又、第2給気フアン60は、第4図に示すようにプレフ
ィルタ付き吸気口62からクリーンルーム内の清浄空気
を吸引し、天井のダクト64及びHEPΔフィルタ66
を介してダウンフローを送出している。ここで、HEP
Aフィルタ56から吹き出させるダウンフローの流速は
0.釦/Sとし、これにより前記シールエアの気流を乱
さないようにしている。又、HEPAフィルタ66から
吹き出されるダウンフローの流速は最大0.5m/s 
 とし、奥側のダウンフローよりも若干速くし、有害ガ
スがキャリアの操作用窓からクリーンルームに逃げるの
を防止している。
一方、ドラフトチャンバの背面には、第4図及び第5図
に示すように排気用のダクト72.74が設けられ、更
に薬液槽20.24が設けられている部分には前記吹出
口48A、48Bに略対向する位置に吸気ロアロAを有
するダクト76が設けられている(第1図及び第4図参
照)。又、リンス槽22.26には、第5図に示すよう
にダクト74に連通するダクト78が設けられている。
尚、ダクト72.74及び78の吸気口にはそれぞれダ
ンパ72A、74A及び78Δが設けられている。
これらのダクトは順次合流し、第2図に示すように排気
管80に接続される。尚、この排気管80には排気ファ
ン(図示せず)が配設されている。
又、90はコントロールユニット、92は蛍光灯、94
は溶液用フィルタである。
前記の如く構成された本発明に係るドラフトチャンバに
よれば薬液槽20.24から発生する有害ガスは、吹き
出し口48A、48Bからガイドダクト76の吸気ロア
ロAに向かう略水平方向のシールエアによってシールさ
れ、このシール外に流出した有害ガスはHEPAフィル
タ56及び66から送出される2層のダウンフローによ
ってその拡散が防止される。
尚、本実施例では前後2層のダウンフローをそれぞれ別
々の給気ファンによって発生するようにしたが、これに
限らず1台の給気ファンから発生する空気流を所要風量
(風速)となるように分岐させて2層のダウンフローを
発生させるようにしてもよい。また、キャリヤの搬送な
ど科学処理操作を完全に自動化した装置にあっては前面
操作扉は開けないので、天井からの空気流を総合しても
よい。そのため送気ファン、HEPAフィルタを各1個
を使用する構成にしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係るドラフトチャンバによ
れば、略水平方向のシールエアと天井からのダウンフロ
ーによって薬液槽から発生するを害ガスを効率良くその
拡散を防止するようにしたため、従来のドラフトチャン
バの約173 の排風量でよくなりファン駆動のための
動力を小さくすることができると共に、クリーンルーム
内の空調された清浄空気を大量に排出することがなくな
るという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るドラフトチャンバの一実施例を示
す正面図、第2図は第1図に於けるA−A線に沿う断面
図、第3図は第1図に於けるB−B線に沿う断面図、第
4図は第1図に於けるC−C線に沿う断面図、第5図は
第1図に於けるD−D線に沿う断面図である。 12・・・透明引戸、  14・・・キャリア供給用小
引戸、  16・・・キャリア取出用小引戸、  20
.24・・・薬液槽、  22.26・・・リンス槽、
 30・・・キャリア搬送装置、  40・・・シール
エアファン、44.56.66・・・HEPAフィルタ
、  46.48.54.64.72.74.76.7
8・・・ダクト、 50・・・第1給気フアン、 60
・・・第2給気フアン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)クリーンルーム内に設置され、複数の液槽を有す
    ると共に前面にキャリアの操作用窓を有し、前記液槽に
    キャリアを順次浸漬する処理を行うためのドラフトチャ
    ンバにおいて、 前記液槽のうち少なくとも有害ガスを発生する薬液槽の
    液面上方でドラフトチャンバの前方から後方に向かう略
    水平方向の第1の空気流を発生する第1の空気流発生手
    段と、 前記ドラフトチャンバの天井から下方に向かう第2の空
    気流を発生する第2の空気流発生手段と、を備え、前記
    薬液槽から発生する有害ガスのクリーンルームへの漏出
    を防止することを特徴とするドラフトチャンバ。 (2)前記浸漬処理の対象がシリコンウエハである特許
    請求の範囲第(1)項記載のドラフトチャンバ。 (3)前記第1の空気流発生手段は、上下2層流で、下
    段の空気流の流速が上段の空気流の流速よりも遅い空気
    流を発生する特許請求を範囲第(1)項記載のドラフト
    チャンバ。(4)前記上段の空気流の流速は1m/s程
    度であり、下段の空気流の流速は0.2m/s程度とす
    ることを特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載のド
    ラフトチャンバ。 (5)前記第2の空気流発生手段は、前記液槽の略真上
    と前記操作用窓とを流れる内外2層流で、内側の空気流
    の流速が外側の空気流の流速よりも遅い空気流を発生す
    る特許請求の範囲第(1)項記載のドラフトチャンバ。 (6)前記内側の空気流の流速は0.3m/s程度であ
    り、外側の空気流の流速は0.5m/s程度であること
    を特徴とする特許請求の範囲第(5)項記載のドラフト
    チャンバ。
JP62082378A 1987-04-03 1987-04-03 ドラフトチヤンバ Granted JPS63248449A (ja)

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