JPH0410529A - サセプタ及びウエーハ自動脱着装置 - Google Patents

サセプタ及びウエーハ自動脱着装置

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JPH0410529A
JPH0410529A JP2110612A JP11061290A JPH0410529A JP H0410529 A JPH0410529 A JP H0410529A JP 2110612 A JP2110612 A JP 2110612A JP 11061290 A JP11061290 A JP 11061290A JP H0410529 A JPH0410529 A JP H0410529A
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wafer
susceptor
pawls
robot
removing device
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Munenori Tomita
富田　宗範
Junichiro Takei
純一郎 武井
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、気相成長装置においてウェーハを載置するた
めのサセプタと、該サセプタ上に載置されたウェーハを
取り出したり、ウェーハをサセプタ上にセットするため
のウェーハ自動脱着装置に関する。
（従来の技術） 気相成長装置によってウェーハの表面上に薄膜層を形成
する気相成長装置においては、ウェーハはサセプタ上に
載置されて高周波誘導によって加熱される。
第７図に従来のサセプタ１０１の断面を示すか、該サセ
プタ１０１は熱伝導性及び耐熱性の高いカーボン或いは
これにＳｉＣを被覆したもの等て構成され、その表面上
にはウェーハＷを収容すべき平面視円形の凹部１０２か
形成され、その底面１０２ａは、ウェーハＷ全体を均一
に加熱する等の配慮から、図示のように凹面状に成形さ
れている。
（発明か解決しようとする課題） ところて、サセプタにウェーハをセットしたリ、気相成
長によってその表面に薄膜層か形成された高温のウェー
ハをサセプタから取り出す作業には熟練か要求され、こ
れを自動的に行なうことか望まれる。
そこて、ウェーハのサセプタに対する脱着を自動化した
場合、脆弱なウェーハを破壊することなく、以下に正確
、且つ能率的に脱着するかが問題となる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたしのて、その目的と
する処は、ウェーハを破壊することなく、正確、且つ能
率的に脱着することを可能ならしめるサセプタ及びウェ
ーハ自動着脱装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成すべく本発明は、ウェーハを収容すべき
底面か凹面を成す凹部を有するサセプタにおいて、前記
凹部の外周部の複数箇所に、側断面視Ｖ字状、平面視矩
形の溝を形成したことをその特徴とする。
又１本発明は、前記溝によって前記四部の底面に形成さ
れる突起の頂部から溝の谷部までの木ト長さａ、前記突
起の高さをｂとするとき、ａ−２，０〜３．０■、ｂ＝
０．１〜０．３１としたことを特徴とする。
更に、本発明は前記サセプタに形成された前記溝に係合
する開閉自在な複数の爪を有するロボットを含んてウェ
ーハ自動脱着装置を構成したことをその特徴とする。
（作用） 本発明に係るウェーハ自動脱着装置を構成するロボット
の複数の爪を開いた状態てこれらをサセプタに形成され
た溝に係合させると、サセプタの凹部に収容されたウェ
ーハの裏面側に爪の先部か入り込むため、この状態から
全ての爪を同時に閉しるとウェーハは複数の爪によフて
均等な力て確実に把持されてサセプタから自動的に取り
出され、これか破損するようなことかない。
又、逆に上記の要領で爪によフて把持されたウェーハを
サセプタの凹部にセットすることもてきる。尚、実験に
よれば、前述のように前記ａ、ｂの値かそれぞれａ　＝
２．０〜３．０　ＩＩｍ、　ｂ　＝０．１−０．３１で
ある場合に好結果か得られた。
（貰施例） 以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
第１図は本発明に係るサセプタの平面図、第２図はＭ１
図のＴｌ−ｒ１Ｍ！ｌｒ面図、第３図は第１図Ａ部の拡
大詳細図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線断面図、第５
図及び第６図は本発明に係るウェーハの自動脱着装置の
作用説明図である。
先ず、本発明に係るサセプタ１の構成を第１図乃至第４
図に基づいて説明するに、該サセプタｌは熱伝導性及び
耐熱性の高いカーボン或いはこれにＳｉＣを被覆したも
のてリンク状に成形され、その上面にはウェーハを収容
すべき平面視円形の凹部２か計２５個形成されている。
上記各四部２の径はウェーハの外径よりも大きく設定さ
れ、深さはウェーハの厚さよりも大きく設定されており
、第４図に示すように、その底面２ａは凹面状に成形さ
れている。
ところて、各四部２の外周部の３箇所には平面視矩形の
溝３・・・か等角度ピッチ（例えば１２０°ピツチ）で
形成されている。各溝３は、第４図に示すように側断面
視Ｖ字状に成形され、このｉ３の短い斜面３ａによって
前記凹部２の底面２ａには突起４か形成され、この突起
４の頂部４ａから溝３の谷部３ｂまでの水平長さを図示
のようにａ、突起４の高さを図示のようにｂとすれば、
これらａ、ｂの値はそれぞれａ＝２．０〜３．０■、ｂ
＝０．１〜０．３　ｔｓ膳に設定されている。
而して、サセプタｌの各凹部２には、第４図に鎖線にて
示すウェーハＷか各々収容されるかウェーハＷの各突起
４より径方向外方の部位には、Ｗ１ｔ３によって空間Ｓ
か形成される。
次に、以上説明したサセプタ１の各凹部２に収容された
ウェーハＷを本発明に係るウェーハ自動脱着装置１０を
用いて取り出す作業を第５図及び第６図に基づいて説明
する。
ウェーハ自動脱着装置ｌＯは、基本的には開閉自在な３
本の爪１１・・・をそのアーム１２の先部に有するロボ
ットて構成され、サセプタｌの凹部２に収容されたウェ
ーハＷを取り出すに際してロボットの爪１１−・・は第
５図に鎖線にて示すようにサセプタｌ上の溝３・・・の
径方向外方に位置決めされる。
次に、爪１１・・・か第５図に実線にて示すように閉じ
て径方向内方に移動せしめられると、冬瓜１１の先部は
、第４図に鎖線にて示すように溝３の長い斜面３Ｃに沿
って移動し、このときこの爪１１の先部はウェーハＷの
外周部裏面側に形成される前記空間Ｓに入り込む。
上記状態から全ての爪１１−・・を同時に同量たけ閉じ
ると、第６図に示すように、ウェーハＷはその外周か爪
１１−・・の斜面１１ａ・・・に均等な力て支持される
形て把持され、このとき脆弱なウェーハＷか破損するこ
とかない、そして、この状態てロボットのアーム１２を
上動させれば、ウェーハＷは爪１１−・・に把持されて
サセプタｌから確実に、且つ能率的に取り出される。
又、逆に上記の要領て爪１１−・・に把持されたウェー
ハＷをサセプタｌの凹部２に収容してこれをセットする
こもてきる。
尚、実験によれば、前述のように前記ａ、ｂの値かそれ
ぞれａ　＝２．０〜３．０　ａｍ、ｂ　＝０．１〜０．
３■である場合には、ウェーハＷの脱着作業か良好に行
なわれることか明らかになった。
（発明の効果） 以上の説明で明らかな如く本発明によれば、ウェーハを
収容すべき底面か凹面を成す凹部を有するサセプタにお
いて、前記凹部の外周部の複数箇所に、側断面視Ｖ字状
、平面視矩形の溝を形成し、該サセプタに形成された前
記溝に係合する開閉自在な複数の爪を有するロボットを
含んてウェーハ自動脱着装置を構成したため、ウェーハ
を破壊することなく、正確、且つ能率的に脱着すること
かてきるという効果か得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るサセプタの平面図、第２図は第１
図の■−■線断面図、第３図は第１図Ａ部の拡大詳細図
、第４図は第３図の１’Ｖ−ＩＴ線断面図、第５図及び
第６図は本発明に係るウェーハ自動脱着装置の作用説明
図、第７図は従来のサセプタの縦断面図である。 ｌ・・・サセプタ、２・・・凹部、２ａ・・・凹部の底
面、３・・・溝、３ｂ・・・溝の谷部、４・・・突起、
４ａ・・・突起の頂部、ｌＯ・・・ウェーハ自動脱着装
置、１１・・・爪。 第７図 特許出願人　　信越半導体株式会社

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ウェーハを収容すべき底面が凹面を成す凹部を有
    するサセプタにおいて、前記凹部の外周部の複数箇所に
    、側断面視Ｖ字状、平面視矩形の溝を形成したことを特
    徴とするサセプタ。
  2. （２）前記溝によって前記凹部の底面に形成される突起
    の頂部から溝の谷部までの水平長さａ、前記突起の高さ
    をｂとするとき、ａ＝２．０〜３．０ｍｍ、ｂ＝０．１
    〜０．３ｍｍとしたことを特徴とする請求項１記載のサ
    セプタ。
  3. （３）前記請求項１又は２記載のサセプタに形成された
    前記溝に係合する開閉自在な複数の爪を有するロボット
    を含んで構成されることを特徴とするウェーハ自動脱着
    装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009032946A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長装置および気相成長方法
JP2012064872A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP2017022320A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 昭和電工株式会社 ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9201825A (nl) * 1992-10-21 1994-05-16 Od & Me Bv Inrichting voor het vervaardigen van een matrijs voor een schijfvormige registratiedrager.
US5700046A (en) * 1995-09-13 1997-12-23 Silicon Valley Group, Inc. Wafer gripper
US5669644A (en) * 1995-11-13 1997-09-23 Kokusai Electric Co., Ltd. Wafer transfer plate
JPH09213769A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの搬送装置
US6183186B1 (en) 1997-08-29 2001-02-06 Daitron, Inc. Wafer handling system and method
US5915910A (en) * 1997-08-29 1999-06-29 Daitron, Inc. Semiconductor wafer transfer method and apparatus
US6149368A (en) * 1998-06-12 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Wafer disk pad having one or more wafer loading points to facilitate vacuum wand wafer loading and unloading
US6167322A (en) 1998-07-10 2000-12-26 Holbrooks; Orville Ray Intelligent wafer handling system and method
DE19906398B4 (de) * 1999-02-16 2004-04-29 Steag Hamatech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US6770144B2 (en) * 2000-07-25 2004-08-03 International Business Machines Corporation Multideposition SACVD reactor
US6634882B2 (en) 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US7294317B2 (en) * 2001-02-08 2007-11-13 Sd Lizenzverwertungsgesellschaft Mbh & Co. Exothermic reaction system
ITMI20012014A1 (it) * 2001-09-27 2003-03-27 Lpe Spa Utensile per maneggiare fette e stazione per crescita epitassiale
US7033445B2 (en) * 2001-12-27 2006-04-25 Asm America, Inc. Gridded susceptor
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6709267B1 (en) 2002-12-27 2004-03-23 Asm America, Inc. Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss
EP1866465A2 (en) 2005-01-18 2007-12-19 ASM America, Inc. Reaction system for growing a thin film
USD603658S1 (en) * 2008-04-11 2009-11-10 Burns Brian D Combination coaster and ring sizer
JP5253933B2 (ja) * 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
USD664166S1 (en) * 2011-08-12 2012-07-24 Austin Engineering Ltd. Article handling apparatus
US8322766B1 (en) * 2011-11-02 2012-12-04 Gintech Energy Corporation Wafer gripper
CN102862396A (zh) * 2012-08-04 2013-01-09 江苏吉星新材料有限公司 晶片打标定位模具
CA147129S (en) * 2012-08-24 2013-04-18 Fsts Man Group Inc Drink tray
US9373534B2 (en) 2012-09-05 2016-06-21 Industrial Technology Research Institute Rotary positioning apparatus with dome carrier, automatic pick-and-place system, and operating method thereof
US9082801B2 (en) * 2012-09-05 2015-07-14 Industrial Technology Research Institute Rotatable locating apparatus with dome carrier and operating method thereof
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
CN111446185A (zh) 2019-01-17 2020-07-24 Asm Ip 控股有限公司 通风基座
TWI845682B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 工件基座主體
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
TW202534849A (zh) 2020-06-23 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基座及反應腔室
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6356932A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Sony Corp 基板供給装置
JPS6336048B2 (ja) * 1981-04-10 1988-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3272350A (en) * 1964-09-25 1966-09-13 Westinghouse Electric Corp Method and apparatus for semiconductor wafer handling
US3764511A (en) * 1972-03-29 1973-10-09 United Aircraft Corp Moated substrate holding pedestal
DE2415277A1 (de) * 1974-03-29 1975-10-16 Karl Schwab Stapelbare transportpalette
US4132311A (en) * 1977-09-29 1979-01-02 Shorewood Packaging Corp. Tape cartridge/cassette receptacle
US4208006A (en) * 1979-02-27 1980-06-17 Diamond International Corporation Molded pulp tray for beverage and food
JPS61222221A (ja) * 1985-03-28 1986-10-02 Toshiba Corp 気相成長装置用サセプタ
JPS62295839A (ja) * 1986-06-16 1987-12-23 Shin Meiwa Ind Co Ltd グリツプ装置
JPS62295840A (ja) * 1986-06-16 1987-12-23 Shin Meiwa Ind Co Ltd グリツプ装置
US4986215A (en) * 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
US5052560A (en) * 1990-09-27 1991-10-01 Stringham Richard B Confection holding structure for use in envelopes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6336048B2 (ja) * 1981-04-10 1988-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPS6356932A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Sony Corp 基板供給装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009032946A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長装置および気相成長方法
JP2012064872A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP2017022320A (ja) * 2015-07-14 2017-01-26 昭和電工株式会社 ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0454496A1 (en) 1991-10-30
EP0454496B1 (en) 1995-03-01
US5188501A (en) 1993-02-23
DE69107664D1 (de) 1995-04-06
DE69107664T2 (de) 1995-10-19

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