JPH04105362A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH04105362A JPH04105362A JP2221346A JP22134690A JPH04105362A JP H04105362 A JPH04105362 A JP H04105362A JP 2221346 A JP2221346 A JP 2221346A JP 22134690 A JP22134690 A JP 22134690A JP H04105362 A JPH04105362 A JP H04105362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- pad
- semiconductor integrated
- light
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、半導体集
積回路装置と外部との間を非接触に接続する技術に関す
る。
積回路装置と外部との間を非接触に接続する技術に関す
る。
たとえば、株式会社オーム社、昭和５４年３月発行、電
子通信学会編「電子通信ノ＼ンドブック」Ｐ５７６、な
どの文献に記載されているように、従来の半導体集積回
路装置において、所望の機能を有する集積回路素子と外
部との間における動作電力や情報（動作信号）の授受は
、当該集積回路素子に設けられた外部接続端子（パッド
）などに所望の導体箔や導線などを外部から接続するこ
とによって行われている。
子通信学会編「電子通信ノ＼ンドブック」Ｐ５７６、な
どの文献に記載されているように、従来の半導体集積回
路装置において、所望の機能を有する集積回路素子と外
部との間における動作電力や情報（動作信号）の授受は
、当該集積回路素子に設けられた外部接続端子（パッド
）などに所望の導体箔や導線などを外部から接続するこ
とによって行われている。
二のため、たとえば、単体の集積回路素子を可搬性のカ
ードに組み込んだ、いわゆるＩＣカードなどにおいては
、当該ＩＣカードが装填されるカード読み取り端末との
電気的な接続は、ＩＣカード上のパッドに対する直接的
な針り当てや導体プラグの押圧によって実現している。
ードに組み込んだ、いわゆるＩＣカードなどにおいては
、当該ＩＣカードが装填されるカード読み取り端末との
電気的な接続は、ＩＣカード上のパッドに対する直接的
な針り当てや導体プラグの押圧によって実現している。
〔発明が解決しようとする課題）
ところが、上記のように、集積回路素子のパッドに対す
る導体の接触によって電気的な接続を確保する方式では
、パッドを常に外部に露出させておく必要があるため、
静電気などによる悪影響を受けやすく、また、パッドの
汚損や摩耗などによって外部と集積回路素子との間にお
ける電気的な接続が阻害されたり不安定になるという問
題がある。
る導体の接触によって電気的な接続を確保する方式では
、パッドを常に外部に露出させておく必要があるため、
静電気などによる悪影響を受けやすく、また、パッドの
汚損や摩耗などによって外部と集積回路素子との間にお
ける電気的な接続が阻害されたり不安定になるという問
題がある。
また、集積回路素子の高密度化および多機能化、さらに
は集積回路素子自体に対する小型化の要求などによって
、必要なパッドの数の増大および寸法の微細化が促進さ
れており、前述のような、針当てやプラグの押圧による
安定な電気的接続の確保がますます困難になりつつある
。
は集積回路素子自体に対する小型化の要求などによって
、必要なパッドの数の増大および寸法の微細化が促進さ
れており、前述のような、針当てやプラグの押圧による
安定な電気的接続の確保がますます困難になりつつある
。
そこで、本発明の目的は、パッド数の増大や寸法の微細
化などに影響されることなく、外部との間における動作
電力および情報の少なくとも一方の授受を的確に行うこ
とが可能な半導体集積回路装置を提供することにある。
化などに影響されることなく、外部との間における動作
電力および情報の少なくとも一方の授受を的確に行うこ
とが可能な半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、外部との間における動作電力およ
び情報の少なくとも一方の的確な授受を損なうことなく
、汚損や静電気対策を施すことが可能な半導体集積回路
装置を提供することにある。
び情報の少なくとも一方の的確な授受を損なうことなく
、汚損や静電気対策を施すことが可能な半導体集積回路
装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる半導体集積回路装置は、外部と
の間における動作電力および情報の授受の少なくとも一
方を光を媒介として非接触に行うようにしたものである
。
の間における動作電力および情報の授受の少なくとも一
方を光を媒介として非接触に行うようにしたものである
。
上記した本発明の半導体集積回路装置によれば、たとえ
ば、外部からの情報および動作電力の少なくとも一方の
入力が行われる光電池からなる第１のパッドと、レーザ
による電位センスによって情報の出力を行うか、または
出力信号を光に変換して外部に放射する発光ダイオード
などからなる第２のパッドとを設けることにより、当該
第１および第２のパッドに対するレーザビームの照射に
よって、非接触に半導体集積回路装置に対する動作電力
に供給および情報の授受の少なくとも一方を的確に行う
ことができ、たとえば、外部からの針当てやプラグなど
の抑圧による電気的な接続を行う場合のように、パッド
数の増大や寸法の微細化などに影響されることがなくな
る。
ば、外部からの情報および動作電力の少なくとも一方の
入力が行われる光電池からなる第１のパッドと、レーザ
による電位センスによって情報の出力を行うか、または
出力信号を光に変換して外部に放射する発光ダイオード
などからなる第２のパッドとを設けることにより、当該
第１および第２のパッドに対するレーザビームの照射に
よって、非接触に半導体集積回路装置に対する動作電力
に供給および情報の授受の少なくとも一方を的確に行う
ことができ、たとえば、外部からの針当てやプラグなど
の抑圧による電気的な接続を行う場合のように、パッド
数の増大や寸法の微細化などに影響されることがなくな
る。
また、第１および第２のパッドに照射される光や第２の
パッドから放射される光に対して透明な絶縁物によって
、当該第１および第２のパッドを含む半導体集積回路装
置の全域を一様に覆うことで、外部との間における動作
電力および情報の少なくとも一方の的確な授受を損なう
ことな（、汚損や静電破壊などから半導体集積回路装置
を確実に保護することができる。
パッドから放射される光に対して透明な絶縁物によって
、当該第１および第２のパッドを含む半導体集積回路装
置の全域を一様に覆うことで、外部との間における動作
電力および情報の少なくとも一方の的確な授受を損なう
ことな（、汚損や静電破壊などから半導体集積回路装置
を確実に保護することができる。
〔実施例１〕
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例である半
導体集積回路装置の一例について詳細に説明する。
導体集積回路装置の一例について詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の外観を模式的に示す斜視図であり、第２図は、その略
断面図、また第３図は、その作用の一例を説明する斜視
図である。
の外観を模式的に示す斜視図であり、第２図は、その略
断面図、また第３図は、その作用の一例を説明する斜視
図である。
半導体集積回路装［１の中央部には、必要に応じて所望
の情報の記憶や演算処理を行う集積回路部２が設けられ
ている。
の情報の記憶や演算処理を行う集積回路部２が設けられ
ている。
この場合、集積回路部２の周辺部には、たとえば光電池
からなる入力用光電池パッド３および電源用光電池パッ
ド４が配置されており、それぞれ内部配線構造３ａおよ
び内部配線構造４ａを介して、集積回路部２に電気的に
接続されている。
からなる入力用光電池パッド３および電源用光電池パッ
ド４が配置されており、それぞれ内部配線構造３ａおよ
び内部配線構造４ａを介して、集積回路部２に電気的に
接続されている。
入力用光電池パッド３には、入力信号に応じて、たとえ
ば光量や点滅時間などが変化するレーザビームなどから
なる入力光Ｐ１が照射され、これによって、当該入力用
光電池パッド３に生じる電気信号を、内部配線構造３ａ
を介して集積回路部２に伝達することにより、非接触に
外部から集積回路部２に対する所望の情報（動作信号な
ど）の入力が行われる。
ば光量や点滅時間などが変化するレーザビームなどから
なる入力光Ｐ１が照射され、これによって、当該入力用
光電池パッド３に生じる電気信号を、内部配線構造３ａ
を介して集積回路部２に伝達することにより、非接触に
外部から集積回路部２に対する所望の情報（動作信号な
ど）の入力が行われる。
また、電源用光電池パッド４には、たとえば所定の光量
が継続的に維持されるレーザビームなどからなる電源光
Ｐ２が照射され、当該電源光Ｐ２の照射によって電源用
光電池バッド４に継続的に発生する電力を内部配線構造
４ａを介して集積回路部２に供給することにより、集積
回路部２の動作に必要な電力を賄う。
が継続的に維持されるレーザビームなどからなる電源光
Ｐ２が照射され、当該電源光Ｐ２の照射によって電源用
光電池バッド４に継続的に発生する電力を内部配線構造
４ａを介して集積回路部２に供給することにより、集積
回路部２の動作に必要な電力を賄う。
さらに、集積回路部２の周辺部には、たとえば鏡面加工
された導体などからなる出力パッド５が配置されており
、内部配線構造５ａを介して、集積回路部２に電気的に
接続されている。
された導体などからなる出力パッド５が配置されており
、内部配線構造５ａを介して、集積回路部２に電気的に
接続されている。
この出力パッド５には、たとえば偏光レーザビームＰ３
が照射され、この偏光レーザビームＰ３の当該出力バッ
ド５からの反射光Ｐ３ｂの偏光方向θ２が、集積回路部
２から出力バンド５に送出される出力信号に応じた電位
の変化を反映して、入射光Ｐ３ａの偏光方向θ１に対し
て変化することを利用して、集積回路Ｎ２において得ら
れた所望の情報を外部から非接触に把握することが可能
になっている。
が照射され、この偏光レーザビームＰ３の当該出力バッ
ド５からの反射光Ｐ３ｂの偏光方向θ２が、集積回路部
２から出力バンド５に送出される出力信号に応じた電位
の変化を反映して、入射光Ｐ３ａの偏光方向θ１に対し
て変化することを利用して、集積回路Ｎ２において得ら
れた所望の情報を外部から非接触に把握することが可能
になっている。
また、半導体集積回路装置１の全体は、前述の入力用光
電池パッド３．電源用光電池バッド４゜出力パッド５を
含めた全体が、入力光ＰＩ、電源光Ｐ２．偏光レーザビ
ームＰ３などに対して透明で、機械的、熱的な強度の優
れた絶縁物層６によって一様に覆われて保護されている
。
電池パッド３．電源用光電池バッド４゜出力パッド５を
含めた全体が、入力光ＰＩ、電源光Ｐ２．偏光レーザビ
ームＰ３などに対して透明で、機械的、熱的な強度の優
れた絶縁物層６によって一様に覆われて保護されている
。
このように、本実施例の半導体集積回路装置１によれば
、容易に微細なスポット径を実現できるレーザビームな
どの光を媒介として、非接触に、集積回路部２に対する
動作電力の供給や、外部との間における情報の人出力を
行うので、半導体集積回路装置１の小型化や、集積回路
部２の多機能化などによる入力用光電池パッド３．電源
用光電池パッド４．出力パッド５の数の増大や寸法の微
細化などに影響されることなく、的確な情報の入出力動
作を実現することができる。
、容易に微細なスポット径を実現できるレーザビームな
どの光を媒介として、非接触に、集積回路部２に対する
動作電力の供給や、外部との間における情報の人出力を
行うので、半導体集積回路装置１の小型化や、集積回路
部２の多機能化などによる入力用光電池パッド３．電源
用光電池パッド４．出力パッド５の数の増大や寸法の微
細化などに影響されることなく、的確な情報の入出力動
作を実現することができる。
また、外部からの針当てやプラグの接触などのために、
パッド部分を選択的に露出させる必要がないので、入力
用光電池バッド３．電源用光電池バッド４．出力パッド
５などを含めた半導体集積回路装置１の全体を、絶縁物
層６によって一様に覆うことができ、当該入力用光電池
パッド３．電源用光電池パッド４．出力パッド５などの
汚損や摩耗の防止、さらには集積回路部２などの静電破
壊からの保護などを確実に実現することができる。
パッド部分を選択的に露出させる必要がないので、入力
用光電池バッド３．電源用光電池バッド４．出力パッド
５などを含めた半導体集積回路装置１の全体を、絶縁物
層６によって一様に覆うことができ、当該入力用光電池
パッド３．電源用光電池パッド４．出力パッド５などの
汚損や摩耗の防止、さらには集積回路部２などの静電破
壊からの保護などを確実に実現することができる。
この結果、たとえば本実施例の半導体集積回路装置工を
組み込んだＩＣカードなどの製品の多機能化や、寿命お
よび操作性の向上などを、容易に実現することができる
。
組み込んだＩＣカードなどの製品の多機能化や、寿命お
よび操作性の向上などを、容易に実現することができる
。
〔実施例１〕
第４図は、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置１０の構成の一例を模式的に示す斜視図である。
置１０の構成の一例を模式的に示す斜視図である。
この実施例２の場合には、出力パッドとして、集積回路
部２から送出される出力信号を出力光Ｐ４として外部に
放射する発光ダイオードなどからなる出力用発光ダイオ
ードバッド７を設けたところが前記実施例１の場合と異
なるものである。
部２から送出される出力信号を出力光Ｐ４として外部に
放射する発光ダイオードなどからなる出力用発光ダイオ
ードバッド７を設けたところが前記実施例１の場合と異
なるものである。
本実施例２の場合も、前記実施例１の場合と同様の効果
を得ることができる。
を得ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、バッドの位置は、半導体集積回路装置の一生
面側に配置することに限らず、表裏両面または、裏面の
みに配置してもよいことは言うまでもない。
面側に配置することに限らず、表裏両面または、裏面の
みに配置してもよいことは言うまでもない。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になる半導体集積回路装置によれば、
たとえば、外部からの針当てやプラグなどの押圧による
電気的な接続を行う従来の場合のように、パッド数の増
大や寸法の微細化などに影響されることなく、非接触に
半導体集積回路装置に対する動作電力に供給および情報
の授受の少なくとも一方を的確に行うことができる。
たとえば、外部からの針当てやプラグなどの押圧による
電気的な接続を行う従来の場合のように、パッド数の増
大や寸法の微細化などに影響されることなく、非接触に
半導体集積回路装置に対する動作電力に供給および情報
の授受の少なくとも一方を的確に行うことができる。
また、媒介となる光に対して透明な絶縁物によって、パ
ッドを含む半導体集積回路装置の全域を一様に覆うこと
で、外部との間における動作電力および情報の少なくと
も一方の的確な授受を損なうことなく、汚損や静電破壊
などから半導体集積回路装置を確実に保護することがで
きる。
ッドを含む半導体集積回路装置の全域を一様に覆うこと
で、外部との間における動作電力および情報の少なくと
も一方の的確な授受を損なうことなく、汚損や静電破壊
などから半導体集積回路装置を確実に保護することがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の外観を模式的に示す斜視図、第２図は、その略断面図
、 第３図は、その作用の一例を説明する斜視図、第４図は
、本発明の他の実施例である半導体集積回路装置の外観
を模式的に示す斜視図である。 １・・・半導体集積回路装置、２・・・集積回路部、３
・・・入力用光電池パッド、３ａ・・・内部配線構造、
４・・・電源用光電池パッド、４ａ・・・内部配線構造
、５・・・出力パッド、５ａ・・・内部配線構造、６・
・・絶縁物層、Ｐｌ・・・入力光、Ｐ２・・・電源光、
Ｐ３・・・偏光レーザビーム、Ｐ３ａ・・・入射光、Ｐ
３ｂ・・・反射光、θ１．θ２・・・偏光方向、１ｏ・
・・半導体集積回路装置、７・・・出力用発光ダイオー
ドパッド、Ｐ４・・・出力光。 θＩＬ θ２：偏光方向 第４図 １′４二山刀尤
の外観を模式的に示す斜視図、第２図は、その略断面図
、 第３図は、その作用の一例を説明する斜視図、第４図は
、本発明の他の実施例である半導体集積回路装置の外観
を模式的に示す斜視図である。 １・・・半導体集積回路装置、２・・・集積回路部、３
・・・入力用光電池パッド、３ａ・・・内部配線構造、
４・・・電源用光電池パッド、４ａ・・・内部配線構造
、５・・・出力パッド、５ａ・・・内部配線構造、６・
・・絶縁物層、Ｐｌ・・・入力光、Ｐ２・・・電源光、
Ｐ３・・・偏光レーザビーム、Ｐ３ａ・・・入射光、Ｐ
３ｂ・・・反射光、θ１．θ２・・・偏光方向、１ｏ・
・・半導体集積回路装置、７・・・出力用発光ダイオー
ドパッド、Ｐ４・・・出力光。 θＩＬ θ２：偏光方向 第４図 １′４二山刀尤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部との間における動作電力および情報の授受の少
なくとも一方を光を媒介として非接触に行うようにした
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 ２、外部からの情報および動作電力の少なくとも一方の
入力が行われる光電池からなる第１のパッドと、レーザ
による電位センスによって情報の出力を行う第２のパッ
ドとを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体集
積回路装置。 ３、前記レーザとして偏光レーザを用い、前記第２のパ
ッドにおける電位の変化を反映した前記偏光レーザの偏
光面の変化を検出することによって前記第２のパッドに
おける電位センスを行うようにしたことを特徴とする請
求項１または２記載の半導体集積回路装置。 ４、外部からの情報および動作電力の少なくとも一方の
入力が行われる光電池からなる第１のパッドと、出力信
号を光に変換して外部に放射する発光ダイオードからな
る第２のパッドとを備えたことを特徴とする請求項１記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221346A JPH04105362A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221346A JPH04105362A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105362A true JPH04105362A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16765364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221346A Pending JPH04105362A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359313B1 (en) * | 1998-05-18 | 2002-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection transistor for a semiconductor chip |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2221346A patent/JPH04105362A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359313B1 (en) * | 1998-05-18 | 2002-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection transistor for a semiconductor chip |
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