JPH04105402A - 集積化静磁波フィルタ - Google Patents
集積化静磁波フィルタInfo
- Publication number
- JPH04105402A JPH04105402A JP22330590A JP22330590A JPH04105402A JP H04105402 A JPH04105402 A JP H04105402A JP 22330590 A JP22330590 A JP 22330590A JP 22330590 A JP22330590 A JP 22330590A JP H04105402 A JPH04105402 A JP H04105402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- integrated
- filters
- region
- magnetostatic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波通信機器に用いる静磁波フィルタ
に係わり、特に１枚の強磁性体薄膜の形成された単結晶
基板上に複数のフィルタを集積する静磁波フィルタに関
する。
に係わり、特に１枚の強磁性体薄膜の形成された単結晶
基板上に複数のフィルタを集積する静磁波フィルタに関
する。
（従来の技術）
従来の集積型静磁波フィルタを第３図に示す。
図において、１は誘電体基板、２は強磁性体単結晶薄膜
を片面に形成した単結晶基板（以下試料という）、３は
誘電体基板１に形成された金属薄膜パターン、４は接地
導体、５はトランスジューサである。試料２としては、
例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇ、Ｇ、
Ｇ、）基板上にイツトリウム・鉄・ガーネット（Ｙ、
１．Ｇ、 ）薄膜を形成したものであり、薄膜側を誘電
体基板１に対向するように配置される。誘電体基板１は
例えばアルミナセラミックスである。金属薄膜パターン
３、トランスジューサ５は例えば誘電体基板１上にフォ
トエツチング法を用いて形成されたものであり、金属薄
膜パターン３、誘電体基板１及び接地導体４によりマイ
クロストリップ線路を構成している。
を片面に形成した単結晶基板（以下試料という）、３は
誘電体基板１に形成された金属薄膜パターン、４は接地
導体、５はトランスジューサである。試料２としては、
例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇ、Ｇ、
Ｇ、）基板上にイツトリウム・鉄・ガーネット（Ｙ、
１．Ｇ、 ）薄膜を形成したものであり、薄膜側を誘電
体基板１に対向するように配置される。誘電体基板１は
例えばアルミナセラミックスである。金属薄膜パターン
３、トランスジューサ５は例えば誘電体基板１上にフォ
トエツチング法を用いて形成されたものであり、金属薄
膜パターン３、誘電体基板１及び接地導体４によりマイ
クロストリップ線路を構成している。
以上のような構成において、Ａ点から入力された高周波
信号はマイクロストリップ線路に沿って試料２の下部に
設置されたトランスジューサ５に伝送される。ここで試
料２嘴直流磁界を印加して磁化させておく。トランスジ
ューサ５がら生じる高周波磁界により試料２の強磁性体
薄膜上の静磁波が励振され、対向するもう一方のトラン
スジューサ５の方向へ静磁波は伝搬する。次に、トラン
スジューサ５で静磁波のエネルギーは高周波磁界に変換
され、マイクロストリップ線路に沿ってＢ点に伝送され
る。しながって、Ａ点からＢ点への伝送特性は印加した
直流磁界の大きさ、強磁性体薄膜の飽和磁化の大きさ及
び入出カドランスジューサの形状により決まる周波数帯
域のみが通過する帯域通過特性を示す。
信号はマイクロストリップ線路に沿って試料２の下部に
設置されたトランスジューサ５に伝送される。ここで試
料２嘴直流磁界を印加して磁化させておく。トランスジ
ューサ５がら生じる高周波磁界により試料２の強磁性体
薄膜上の静磁波が励振され、対向するもう一方のトラン
スジューサ５の方向へ静磁波は伝搬する。次に、トラン
スジューサ５で静磁波のエネルギーは高周波磁界に変換
され、マイクロストリップ線路に沿ってＢ点に伝送され
る。しながって、Ａ点からＢ点への伝送特性は印加した
直流磁界の大きさ、強磁性体薄膜の飽和磁化の大きさ及
び入出カドランスジューサの形状により決まる周波数帯
域のみが通過する帯域通過特性を示す。
（発明が解決しようとする課題）
上記構成の従来のフィルタにおいては、誘電体基板１上
に複数個のトランスジューサ５を形成し、その上に複数
枚の試料２を設置する。これは、１枚の強磁性体薄膜上
に複数のフィルタを構成すると、フィルタにおいて励振
された静磁波が隣接するフィルタを混入し、フィルタの
通過特性にスプリアス応答を生じさせることを防ぐため
である。
に複数個のトランスジューサ５を形成し、その上に複数
枚の試料２を設置する。これは、１枚の強磁性体薄膜上
に複数のフィルタを構成すると、フィルタにおいて励振
された静磁波が隣接するフィルタを混入し、フィルタの
通過特性にスプリアス応答を生じさせることを防ぐため
である。
そのため、複数枚の強磁性体薄膜を誘電体基板上に設置
することになり、部品点数が増大し、組立工賃が増大す
るという問題点を有していた。
することになり、部品点数が増大し、組立工賃が増大す
るという問題点を有していた。
そこで、本発明の目的は、部品点数を多くしないで、す
なわち組立工数を多くしないで、複数の静磁波フィルタ
を１枚の回路基板上に形成することができる集積化静磁
波フィルタを提供することである。
なわち組立工数を多くしないで、複数の静磁波フィルタ
を１枚の回路基板上に形成することができる集積化静磁
波フィルタを提供することである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、強磁性体単結晶
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用い、少なくとも
２組以上の送受信用トランスジューサが１枚の当該基板
上に形成された集積型静磁波フィルタにおいて、各フィ
ルタ素子の間に強磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領
域を設けるようにしたものである。
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用い、少なくとも
２組以上の送受信用トランスジューサが１枚の当該基板
上に形成された集積型静磁波フィルタにおいて、各フィ
ルタ素子の間に強磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領
域を設けるようにしたものである。
（作用）
上記のように構成された集積化静磁波フィルタは、強磁
性体薄膜の表面を機械的に荒すことにより、静磁波の伝
搬強度を大幅に減衰できることを積極的に利用したもの
である。静磁波はそのエネルギーを強磁性体薄膜内に集
中して伝搬するため、強磁性体薄膜の表面の機械的な状
態に敏感に反応する。従来の集積化静磁波フィルタでは
、フィルタ間の干渉を防ぐため、個別の強磁性体薄膜の
チップを並べていたが、本発明による各フィルタ間に強
磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領域を設けることで
、静磁波のエネルギーを減衰させ、従来の場合と同様に
フィルタ間の干渉を防ぐことができる。
性体薄膜の表面を機械的に荒すことにより、静磁波の伝
搬強度を大幅に減衰できることを積極的に利用したもの
である。静磁波はそのエネルギーを強磁性体薄膜内に集
中して伝搬するため、強磁性体薄膜の表面の機械的な状
態に敏感に反応する。従来の集積化静磁波フィルタでは
、フィルタ間の干渉を防ぐため、個別の強磁性体薄膜の
チップを並べていたが、本発明による各フィルタ間に強
磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領域を設けることで
、静磁波のエネルギーを減衰させ、従来の場合と同様に
フィルタ間の干渉を防ぐことができる。
（実施例）
次に、実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明集積化静磁波フィルタの一実施例を示す
斜視図で、１は誘電体基板、２は後記するように、強磁
性体単結晶薄膜を片面に形成した単結晶基板（試料）、
３は誘電体基板１に形成された金属薄膜パターン、４は
接地導体、５はトランスジューサである。ここで、試料
２は、例えば２組以上の送受信用トランスジューサ５に
またがる適当な大きさで、Ｇ、Ｇ、Ｇ （ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット）単結晶板上に液相成長法に
よりＹ、１．Ｇ （イツトリウム・鉄・ガーネット）
単結晶薄膜を形成したものである。また、トランスジュ
ーサ５は真空蒸着によりアルミニューム薄膜を形成後、
フォトエツチング法によりパターン形成される。そして
試料２の強磁性体単結晶膜の形成されている面とトラン
スジューサらとを対向するようにスペーサ（図示せず）
を介して設置されるが、各フィルタ素子の間に、各フィ
ルタ間の干渉を防ぐなめＹ、ＬＧ、薄膜の表面を機械的
に荒した領域６を設けるようにしたものである。なお−
例として６００番の紙ヤスリにより領域６を形成しな。
斜視図で、１は誘電体基板、２は後記するように、強磁
性体単結晶薄膜を片面に形成した単結晶基板（試料）、
３は誘電体基板１に形成された金属薄膜パターン、４は
接地導体、５はトランスジューサである。ここで、試料
２は、例えば２組以上の送受信用トランスジューサ５に
またがる適当な大きさで、Ｇ、Ｇ、Ｇ （ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット）単結晶板上に液相成長法に
よりＹ、１．Ｇ （イツトリウム・鉄・ガーネット）
単結晶薄膜を形成したものである。また、トランスジュ
ーサ５は真空蒸着によりアルミニューム薄膜を形成後、
フォトエツチング法によりパターン形成される。そして
試料２の強磁性体単結晶膜の形成されている面とトラン
スジューサらとを対向するようにスペーサ（図示せず）
を介して設置されるが、各フィルタ素子の間に、各フィ
ルタ間の干渉を防ぐなめＹ、ＬＧ、薄膜の表面を機械的
に荒した領域６を設けるようにしたものである。なお−
例として６００番の紙ヤスリにより領域６を形成しな。
この場合、荒した領域の程度は表面が白くなる程度又は
曇りガラス程度にする。このようにすると静磁波はＹ、
１．ＧＪｌ端部で乱反射して減衰する。しかし剥ぎ取っ
てしまうと膜端部が反射面になり戻ってくるので効果は
ない。
曇りガラス程度にする。このようにすると静磁波はＹ、
１．ＧＪｌ端部で乱反射して減衰する。しかし剥ぎ取っ
てしまうと膜端部が反射面になり戻ってくるので効果は
ない。
一例としてＹ、１．Ｇ膜端部の未処理のものと本発明の
ように＃６００の紙やすりで表面を荒したものの挿入損
失特性は第２図に示すように前者（８図〉はノイズが多
く、後者（ｂ図）はノイズが全く現われず、良好なフィ
ルタが得られた。なお、各デバイスの主な寸法等は次の
とおりである。
ように＃６００の紙やすりで表面を荒したものの挿入損
失特性は第２図に示すように前者（８図〉はノイズが多
く、後者（ｂ図）はノイズが全く現われず、良好なフィ
ルタが得られた。なお、各デバイスの主な寸法等は次の
とおりである。
飽和磁化・・・１５２０Ｇ、 ＹＩＧ Ｊｌｉ厚・・・
１９μｍ、表面を荒した領域の幅・・・ＩＷｌｌ、外部
磁界・・・７０００ｅ、伝搬路長・・・６．５ｍ、トラ
ンスジューサ・・・シングルストリップでストリップ幅
０．４ｍｍ （発明の効果） 以上述べた通り、本発明によれば、集積化静磁波フィル
タの各フィルタ間の干渉を防ぐために、複数の強磁性体
基板を用いずに、各フィルタの間に強磁性体薄膜の表面
を荒した領域を設けることで、各フィルタ間の干渉を防
ぎ、なおかつフィルタの構成部品点数を大幅に削減する
ことができる。
１９μｍ、表面を荒した領域の幅・・・ＩＷｌｌ、外部
磁界・・・７０００ｅ、伝搬路長・・・６．５ｍ、トラ
ンスジューサ・・・シングルストリップでストリップ幅
０．４ｍｍ （発明の効果） 以上述べた通り、本発明によれば、集積化静磁波フィル
タの各フィルタ間の干渉を防ぐために、複数の強磁性体
基板を用いずに、各フィルタの間に強磁性体薄膜の表面
を荒した領域を設けることで、各フィルタ間の干渉を防
ぎ、なおかつフィルタの構成部品点数を大幅に削減する
ことができる。
そのため製作コストを大幅に軽減でき、経済的にも大き
な効果がある。
な効果がある。
第１図は本発明集積化静磁波フィルタの一実施例を示す
斜視図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれＹ、１．Ｇ
膜端部の未処理のものと、本発明のものとの挿入損失特
性を示す図、第３図は従来の集積化静磁波フィルタの斜
視図である。 １・・・誘電体基板、２・・・強磁性体単結晶薄膜を片
面に形成した単結晶基板（試料）、３・・・金属薄膜パ
ターン、４・・・接地導体、５・・・トランスジューサ
、６・・・強磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領域。 図（０） ｎ級ｌ大 、ＧＨｚ 図（ｂ） 声阪我 、ＧＨｚ
斜視図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれＹ、１．Ｇ
膜端部の未処理のものと、本発明のものとの挿入損失特
性を示す図、第３図は従来の集積化静磁波フィルタの斜
視図である。 １・・・誘電体基板、２・・・強磁性体単結晶薄膜を片
面に形成した単結晶基板（試料）、３・・・金属薄膜パ
ターン、４・・・接地導体、５・・・トランスジューサ
、６・・・強磁性体薄膜の表面を機械的に荒した領域。 図（０） ｎ級ｌ大 、ＧＨｚ 図（ｂ） 声阪我 、ＧＨｚ
Claims (1)
- 強磁性体単結晶薄膜が面上に形成された単結晶基板を
用い、少なくとも２組以上の送受信用トランスジューサ
が１枚の当該基板上に形成された集積型静磁フィルタに
おいて、各フィルタ素子間の強磁性体薄膜の表面を機械
的に荒した領域を設けることを特徴とする集積化静磁波
フイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22330590A JPH04105402A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 集積化静磁波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22330590A JPH04105402A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 集積化静磁波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105402A true JPH04105402A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16796068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22330590A Pending JPH04105402A (ja) | 1990-08-25 | 1990-08-25 | 集積化静磁波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100405916B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2003-11-21 | 안호열 | 할로겐 램프 소켓 |
-
1990
- 1990-08-25 JP JP22330590A patent/JPH04105402A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100405916B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2003-11-21 | 안호열 | 할로겐 램프 소켓 |
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