JPH042201A - 静磁波フィルタ - Google Patents
静磁波フィルタInfo
- Publication number
- JPH042201A JPH042201A JP10178490A JP10178490A JPH042201A JP H042201 A JPH042201 A JP H042201A JP 10178490 A JP10178490 A JP 10178490A JP 10178490 A JP10178490 A JP 10178490A JP H042201 A JPH042201 A JP H042201A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- thin film
- crystal substrate
- magnetostatic wave
- ferromagnetic
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波無線装置に用いる静磁波フィルタ
に関し、特に入出カドランスジューサの取付は方が改良
された静磁波フィルタに関する。
に関し、特に入出カドランスジューサの取付は方が改良
された静磁波フィルタに関する。
（従来の技術）
強磁性体単結晶薄膜を単結晶基板の片面上に形成されて
いる静磁波フィルタの例を第４図（ａ）、 （ｂ）。
いる静磁波フィルタの例を第４図（ａ）、 （ｂ）。
（Ｃ）に示す、１は誘電体基板、２は強磁性体単結晶薄
膜を片面に形成した単結晶基板（以下試料と略称）、３
．４はスペーサ、５は誘電体基板１に形成された金属薄
膜パターン、６は接地導体、７は入力側トランスジュー
サ、８は出力側トランスジューサである。試料２として
例えばガドリニュウム・ガリュウム・ガーネッｌ−（Ｇ
、Ｇ、Ｇ）Ｍ板上にイットリュウム・鉄・ガーネット（
Ｙ、Ｉ。
膜を片面に形成した単結晶基板（以下試料と略称）、３
．４はスペーサ、５は誘電体基板１に形成された金属薄
膜パターン、６は接地導体、７は入力側トランスジュー
サ、８は出力側トランスジューサである。試料２として
例えばガドリニュウム・ガリュウム・ガーネッｌ−（Ｇ
、Ｇ、Ｇ）Ｍ板上にイットリュウム・鉄・ガーネット（
Ｙ、Ｉ。
Ｇ）薄膜を形成したものであり、薄膜側を誘電体基板１
に対向するように配置される。誘電体基板１は例えばア
ルミナセラミックスである。金属薄膜パターン５、入力
側トランスジューサ７及び出力側トランスジューサ８は
例えば誘電体基板１上にフォトエツチング法を用いて形
成されたものであり、金属薄膜パターン５、誘電体基板
ｌ及び接地導体６によりマイクロストリップ線路を構成
している。スペーサ３，４は低透磁率かつ低誘電率の材
料を用いる。
に対向するように配置される。誘電体基板１は例えばア
ルミナセラミックスである。金属薄膜パターン５、入力
側トランスジューサ７及び出力側トランスジューサ８は
例えば誘電体基板１上にフォトエツチング法を用いて形
成されたものであり、金属薄膜パターン５、誘電体基板
ｌ及び接地導体６によりマイクロストリップ線路を構成
している。スペーサ３，４は低透磁率かつ低誘電率の材
料を用いる。
このような構成において、Ａ点から入力された高周波信
号はマイクロストリップ線路に沿って試料２の下部に設
置された入力側トランスジューサ７に伝送される。ここ
で試料２は直流磁界を印加して磁化させておく。入力側
トランスジューサ７から生じる高周波磁界により試料２
の強磁性体薄膜上に静磁波が励振され、出力側トランス
ジューサ８の方向へ静磁波は伝搬する。つぎに出力側ト
ランスジューサ８で静磁波のエネルギーは高周波磁界に
変換され、マイクロストリップ線路に沿ってＢ点に伝送
される。したがって、Ａ点からＢ点への伝送特性は印加
した直流磁界の大きさ、強磁性体薄膜の飽和磁化の大き
さ及び入出カドランスジューサの形状により決まり、そ
れらによって選択された周波数帯域のみが通過する。
号はマイクロストリップ線路に沿って試料２の下部に設
置された入力側トランスジューサ７に伝送される。ここ
で試料２は直流磁界を印加して磁化させておく。入力側
トランスジューサ７から生じる高周波磁界により試料２
の強磁性体薄膜上に静磁波が励振され、出力側トランス
ジューサ８の方向へ静磁波は伝搬する。つぎに出力側ト
ランスジューサ８で静磁波のエネルギーは高周波磁界に
変換され、マイクロストリップ線路に沿ってＢ点に伝送
される。したがって、Ａ点からＢ点への伝送特性は印加
した直流磁界の大きさ、強磁性体薄膜の飽和磁化の大き
さ及び入出カドランスジューサの形状により決まり、そ
れらによって選択された周波数帯域のみが通過する。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
上記構成のフィルタにおいては、高周波信号と静磁波と
の結合量をスペーサの厚さにより制御している。これは
、高周波信号と静磁波との結合量を適当に選ぶことによ
り、所望の周波数帯域のみを励振し、不用なスプリアス
応答を抑圧するためである。しかし、このような構成の
静磁波フィルタを量産化する場合、組立部品数が多く非
能率的であり、製造コストの増大を余儀なくされるとい
う欠点を有していた。
の結合量をスペーサの厚さにより制御している。これは
、高周波信号と静磁波との結合量を適当に選ぶことによ
り、所望の周波数帯域のみを励振し、不用なスプリアス
応答を抑圧するためである。しかし、このような構成の
静磁波フィルタを量産化する場合、組立部品数が多く非
能率的であり、製造コストの増大を余儀なくされるとい
う欠点を有していた。
そこで、本発明の目的は、構成部品数を減少さセ組み立
てを容易にした静磁波フィルタを提供することにある。
てを容易にした静磁波フィルタを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、この目的を達成するために、強磁性体単結晶
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用いる静磁波フィ
ルタであって、入力側、出力側トランスジューサの少な
くとも一個以上が該単結晶基板の該強磁性体単結晶薄膜
の形成されていない面上に作成されている点に特徴があ
る。
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用いる静磁波フィ
ルタであって、入力側、出力側トランスジューサの少な
くとも一個以上が該単結晶基板の該強磁性体単結晶薄膜
の形成されていない面上に作成されている点に特徴があ
る。
（作用）
本発明による静磁波フィルタは、強磁性体単結晶薄膜を
成長させるための単結晶基板が静磁波の伝搬特性にはな
んら影響を及ぼすものではなく、単に強磁性体単結晶薄
膜をエピタキシャル成長させるための基板として用いら
れていたものを、高周波信号と静磁波との結合量を調整
するためのスペーサとして、積極的に利用したものであ
る。該単結晶基板は一般に非磁性の誘電体結晶例えばＧ
、Ｇ、Ｇが使われており、スペーサとして十分に用いる
ことができる。したがって該単結晶基板の厚さを適当に
選び、該単結晶基板上の強磁性体単結晶薄膜例えばＹ、
１．Ｇの形成されていない面上に入出カドランスジュー
サを形成することで、特別にスペーサを用意せずに高周
波信号と静磁波との結合量を制御することができる。
成長させるための単結晶基板が静磁波の伝搬特性にはな
んら影響を及ぼすものではなく、単に強磁性体単結晶薄
膜をエピタキシャル成長させるための基板として用いら
れていたものを、高周波信号と静磁波との結合量を調整
するためのスペーサとして、積極的に利用したものであ
る。該単結晶基板は一般に非磁性の誘電体結晶例えばＧ
、Ｇ、Ｇが使われており、スペーサとして十分に用いる
ことができる。したがって該単結晶基板の厚さを適当に
選び、該単結晶基板上の強磁性体単結晶薄膜例えばＹ、
１．Ｇの形成されていない面上に入出カドランスジュー
サを形成することで、特別にスペーサを用意せずに高周
波信号と静磁波との結合量を制御することができる。
該単結晶基板の厚さを決める方法としては、静磁波フィ
ルタとして使用するマイクロ波周波数に合わせて調整す
れば良く、通常３００〜５００μ慣である。
ルタとして使用するマイクロ波周波数に合わせて調整す
れば良く、通常３００〜５００μ慣である。
（実施例）
次に、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる静磁波フィルタの斜
視図である。第２図は、第１図の平面図である。第３図
は、第２図の線■−■に沿った断面図である。
視図である。第２図は、第１図の平面図である。第３図
は、第２図の線■−■に沿った断面図である。
本発明の第１図−第３図の実施例は、主要の構成要素、
すなわち、入力側トランスジューサ７、出力側トランス
ジューサ８、単結晶基板上に強磁性体単結晶薄膜を形成
した試料２よりなっている。
すなわち、入力側トランスジューサ７、出力側トランス
ジューサ８、単結晶基板上に強磁性体単結晶薄膜を形成
した試料２よりなっている。
ここで試料２に用いる単結晶基板としてはＧ、Ｇ、Ｇを
選び入力周波数３．８ ＧＨｚマイクロストリ・ンブ線
が３本、及びこのマイクロストリップ線の間隔が６００
μｍであるとき、スプリアス応答を無くする通常のスペ
ーサーの厚さは４５０μｍであるので、この試料２に用
いる基Ｆｉ、Ｇ、 Ｇ、 Ｇの厚さを４５０μｍとした
。さらに、該Ｇ、 Ｇ、 Ｇ基板上に液相成長法により
Ｙ、１．Ｇ単結晶を形成した。
選び入力周波数３．８ ＧＨｚマイクロストリ・ンブ線
が３本、及びこのマイクロストリップ線の間隔が６００
μｍであるとき、スプリアス応答を無くする通常のスペ
ーサーの厚さは４５０μｍであるので、この試料２に用
いる基Ｆｉ、Ｇ、 Ｇ、 Ｇの厚さを４５０μｍとした
。さらに、該Ｇ、 Ｇ、 Ｇ基板上に液相成長法により
Ｙ、１．Ｇ単結晶を形成した。
このＣ，Ｇ、Ｇ基板のＹ、１．Ｇ単結晶薄膜を形成して
ない側の面上に入力側、出力側トランスジューサ７．８
を真空蒸着によりアルミニュウム薄膜を形成後、フォト
エツチング法によりパターン形成した。
ない側の面上に入力側、出力側トランスジューサ７．８
を真空蒸着によりアルミニュウム薄膜を形成後、フォト
エツチング法によりパターン形成した。
（発明の効果）
本発明により、構成部品数を減少させ、組み立てを容易
にした静磁波フィルタを得ることができるので、その効
果は大である。
にした静磁波フィルタを得ることができるので、その効
果は大である。
第１図は本発明の一実施例に係わる静磁波フィルタの斜
視図である。 第２図は第１図の平面図である。 第３図は第２図の線■−■に沿った断面図である。 第４（ａ）図は従来の静磁波フィルタの斜視図である。 第４（ｂ）図は第４図の平面図である。 第４（Ｃ）図は第４図の線■−■に沿った断面図である
。 １・・・アルミナ基板、２・・・単結晶基板上に強磁性
体単結晶薄膜を形成した試料、３〜４・・・スペーサ、
５・・・マイクロストリップ線路、６・・・接地導体、
７・・・入力側トランスジューサ、８・・・出力側トラ
ンスジューサ。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第３
視図である。 第２図は第１図の平面図である。 第３図は第２図の線■−■に沿った断面図である。 第４（ａ）図は従来の静磁波フィルタの斜視図である。 第４（ｂ）図は第４図の平面図である。 第４（Ｃ）図は第４図の線■−■に沿った断面図である
。 １・・・アルミナ基板、２・・・単結晶基板上に強磁性
体単結晶薄膜を形成した試料、３〜４・・・スペーサ、
５・・・マイクロストリップ線路、６・・・接地導体、
７・・・入力側トランスジューサ、８・・・出力側トラ
ンスジューサ。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第３
Claims (1)
- 強磁性体単結晶薄膜が面上に形成された単結晶基板を
用いる静磁波フィルタであって、入力側、出力側トラン
スジューサの少なくとも一個以上が該単結晶基板の該強
磁性体単結晶薄膜の形成されていない面上に作成されて
いることを特徴とする静磁波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178490A JPH042201A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 静磁波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178490A JPH042201A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 静磁波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042201A true JPH042201A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14309813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178490A Pending JPH042201A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 静磁波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042201A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10178490A patent/JPH042201A/ja active Pending
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