JPH04105572U - レーザ装置 - Google Patents

レーザ装置

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JPH04105572U
JPH04105572U JP1991009065U JP906591U JPH04105572U JP H04105572 U JPH04105572 U JP H04105572U JP 1991009065 U JP1991009065 U JP 1991009065U JP 906591 U JP906591 U JP 906591U JP H04105572 U JPH04105572 U JP H04105572U
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cooling
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浩治 岩本
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Sony Corp
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡潔な構造でペルチェ素子を具備するレーザ
装置を構成し、製造の簡易化、コストの低廉化をはか
る。 【構成】 ペルチェ素子12を挟んで設けられる下部基
板11または下部基板13のいずれか一方をレーザ装置
のパッケージのベース部材と兼用する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、レーザ装置、特にそのレーザ素子を具備するレーザ装置に係わる。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザにおいて大出力化がなされるにつれ、効率良く冷却されることの 必要性が大となって来る。
【0003】 このような冷却を行う方法として電子冷却素子として利用可能なペルチェ素子 を用いることが行われる。
【0004】 その一例としては、図4に示すように、ペルチェ素子、実際上はペルチェ素子 群53が、その各ペルチェ素子の各一方の電極と接続し、例えば順次隣り合うペ ルチェ素子を接続する導電パターンがそれぞれ被着形成された下部基板51と上 部基板52との間に挟み込まれて、上部基板52側を冷却側とする冷却構体54 いわゆるTEクーラーを有し、その冷却側の上部基板52上に半導体レーザ素子 55が取付けられたヒートシンク56が実装(マウント)される。57はレーザ 素子55の後方からの発光を検出し、これによってレーザ素子55が所定の動作 状態に保持されるように駆動を制御する光検出素子例えばフォトダイオードであ る。
【0005】 このように、レーザ素子55が取付けられた冷却構体54は、その下部基板5 1が金属ケース等のパッケージ58のベース部材59に半田60を介して取付け られる。
【0006】 パッケージ58からは複数のリード61が気密的に導出されペルチェ素子群5 3、レーザ素子55、光検出素子57等のリード導出がなされる。またパッケー ジ58の上端には、レーザ素子55からの光を導出する透光窓62を有するキャ ップ部材63が閉塞封着される。
【0007】 このパッケージ58は、更に必要に応じて放熱フィン、水冷手段等を具備する 冷却手段にそのベース部材59が熱的に結合するように取付けられて、ペルチェ 素子の熱極側からの熱を放散するようになされる。
【0008】 ところが、このような構成による場合、実際上、冷却構体54の下部基板51 、即ち温極側をベースに半田付けすることは、その熱伝達を著しく阻害し、レー ザ素子の冷却が不充分となる場合があり、温度上昇が生じ、これに伴って安定な 発振が害われるとか、発振波長に狂いを生じて、例えば固体レーザ例えばYAG レーザの励起等に用いる場合、励起効率を低下させるなどの不都合が生じる。
【0009】 また、その組立も、冷却構体54の下部基板51に半田付けする作業やリード 導出のためのリードワイヤーの半田付けをパッケージ58内の狭隘な部分で行う 必要があるなど、生産性が著しく低く、コスト高を招来している。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】
本考案が解決しようとする課題は、構成が簡単で、放熱効果にすぐれ、組立容 易で生産性の向上、したがってコストの低廉化をはかることである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本考案は、図1Aにその一例の断面図を示し、同図Bにその平面図を示すよう に、下部基板11と、ペルチェ素子12と、上部基板13とを積層して成る冷却 構体10上にレーザ素子14を取り付けたヒートシンク15を実装し、キャップ 部材16により封止されて成るレーザ装置において、下部基板11または上部基 板13がレーザ装置のベース部材と、即ちパッケージのベース部材を兼ねさせる 。
【0012】
【作用】 上述の本考案のレーザ装置は、その冷却構体14、いわゆるTEクーラーの一 方の基板11または13をベース部材16、即ちパッケージの一部と兼用させた ことにより部品点数の減少、組立の簡易化がはかられると共に、ベース部材への 半田付けによる熱伝達の低減化を回避できる。
【0013】
【実施例】
本考案においては、図1にその一例を示すように、下部基板11と上部基板1 3との間に、TE(Thermo Electronic)素子のペルチェ素子 12、具体的には複数のペルチェ素子より成るペルチェ素子群を挟み込んだ冷却 構体10を構成する。
【0014】 各ペルチェ素子12は、上部基板13側を冷却がなされるいわゆる冷極側とし 、下部基板11側をいわゆる熱極側とするように配置する。
【0015】 そして、図2にその一例の断面図を示すように各上部基板11及び13には、 それぞれ各素子12の冷極及び熱極と電気的に接続し、各素子12間を所要の接 続関係をもって連結する導電層17が互いの対向面側に形成される。
【0016】 冷却構体10の一方の基板、図1の例では、下部基板11は、例えばその一側 縁に側方に延長された端子導出部18が形成される。この端子導出部18には、 例えば導電層17と同時に形成された或いは別工程で形成した銅箔パターン等に よって形成し得る端子導電層19が形成される。
【0017】 また、例えば上部基板10上に、レーザ素子14からの光を受光し、その動作 を制御するフォトダイオード等の光検出素子20がマウントされる。
【0018】 レーザ素子14は、単一発光部を有する半導体レーザ或いは多数の発光部を有 するレーザアレイのいずれの構成を採ることもできる。
【0019】 このようにレーザ素子14、光検出素子20等がマウントされた冷却構体10 の下部基板11自体をパッケージのベース部材として、これら冷却構体10、特 にレーザ素子14、光検出素子20を収容するように、キャップ部材16を被冠 して封止する。
【0020】 このキャップ部材16は、例えばフランジ部16fを外周に突出して有するカ ップ状をなし、これがコバール等より成るリング状シール体21を介して溶接す るとか樹脂シール等によって下部基板11上に気密的に封着される。
【0021】 端子導出部18は、キャップ部材16によって囲まれる領域内に延在させ、そ れぞれ、例えばレーザ素子14、光検出素子20、ペルチェ素子12の電極導電 層17、更に或いは図示しないが、このペルチェ素子による冷却温度を制御する ための温度検出素子、例えばサーミスタ、熱電対等を設ける場合は、これを含め てそれぞれリードワイヤ等によって電気的に接続する。
【0022】 尚、上部基板13上にもレーザ素子14、光検出素子20の各電極が図示しな いが例えばリードワイヤによって接続される導電層が設けられ、これが対応する 端子導電層19とリードワイヤ等によって接続される構成となし得る。
【0023】 そして、これら端子導電層19上を横切ってキャップ部材16が封着される部 分には必要に応じて絶縁層22が被着される。
【0024】 キャップ部材16のレーザ素子14との対向部には、これよりの発光を導出す る透光窓23が設けられる。
【0025】 下部基板11及び上部基板13は、熱伝導性が高い、例えば絶縁性の基板、例 えばAl2 3 、AlN、或いはこれらとWSiとの2層構造基板等によって構 成し得る。 そして、これら基板11及び13上に、無電解メッキ及び電気メッキ、蒸着、 銅箔等の金属箔の被着、フォトエッチング等のパターン化によって、上述した各 導電層の形成を行う。
【0026】 また、このような構成による大出力レーザ装置は、通常のように、図示しない が放熱手段、冷却手段等に、その下部基板11の下面(外面)が熱的に結合する ように取付けられる。 上述の図1の例では、冷却構体10の下部基板11をもって、キャップ部材1 6の閉蓋を行った場合、即ち下部基板11をいわばパッケージのベース部材に兼 ねさせた場合であるが、図3にその一例の断面図を示すように上部基板13によ ってキャップ部材16を閉蓋することもできる。即ち上部基板13をいわばパッ ケージのベース部材に兼ねさせた構成とすることもできる。
【0027】 図3において、図1Aと対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する が、この場合においては、その組立手順としては、下部基板11上に順次ペルチ ェ素子12群、上部基板13、レーザ素子12を有するヒートシンク15、及び 光検出素子20、キャップ部材16を組上げて行くこともできるし、上部基板1 3を中心に、その両面に各部品を組立るという方法を採ることができる。
【0028】 尚、本考案の具体的構造は、図示の各例に限らず、種々の変形変更を行うこと ができることは云うまでもないところである。
【0029】
【考案の効果】
上述したように、本考案によれば、冷却構体10、いわゆるTEクーラーの上 下いずれか一方の基板11または13を、パッケージベース部材と兼ねさせたの で、その組品点数の減少と共に、熱伝達の向上がはかられ、その構成が簡略化さ れることによってその組立が極めて簡易化される。したがって量産性の向上はも とより不良品の発生率の低下がはかられ、工業上大きな利益をもたらすことがで きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案によるレーザ装置の一例の断面図及び平
面図である。
【図2】ペルチェ素子群の一例の断面図である。
【図3】本考案によるレーザ装置の他の例の断面図であ
る。
【図4】従来のレーザ装置の断面図である。
【符号の説明】
11 下部基板 12 ペルチェ素子 13 上部基板 14 レーザ素子 16 キャップ部材

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下部基板と、ペルチェ素子と、上部基板
    を積層して成る冷却構体上にレーザ素子を取り付けたヒ
    ートシンクを実装し、キャップ部材により封止されて成
    るレーザ装置において、上記下部基板または上記基板が
    上記レーザ装置のベース部材を兼ねるレーザ装置。
JP1991009065U 1991-02-26 1991-02-26 レーザ装置 Pending JPH04105572U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058680A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社デンソー レーザユニット

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2937791B2 (ja) * 1995-03-14 1999-08-23 日本電気株式会社 ペルチエクラーク
US5848082A (en) * 1995-08-11 1998-12-08 Sdl, Inc. Low stress heatsink and optical system
JP3076246B2 (ja) * 1996-08-13 2000-08-14 日本電気株式会社 ペルチェクーラ内蔵半導体レーザモジュール
US6614109B2 (en) 2000-02-04 2003-09-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for thermal management of integrated circuits
WO2002073757A2 (en) * 2001-03-08 2002-09-19 Siemens Plc A wavelength stablilised laser source
GB0105651D0 (en) * 2001-03-08 2001-04-25 Siemens Plc Temperature stabilised laser diode and gas reference package
JP2006013436A (ja) * 2004-05-26 2006-01-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置、その製造方法およびその組み立て装置
US20060067373A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Heidelberger Druckmaschinen Ag Cooling device for radiation sources provided during production of a printing form
US7586125B2 (en) * 2006-02-20 2009-09-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and fabricating method thereof
US20090090544A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Marlow Industries, Inc. System and Method for Substrate with Interconnects and Sealing Surface
US8811439B2 (en) 2009-11-23 2014-08-19 Seminex Corporation Semiconductor laser assembly and packaging system
JP6838326B2 (ja) * 2016-09-07 2021-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体
CN112730178A (zh) * 2020-12-22 2021-04-30 杭州春来科技有限公司 一种车载透射式烟度计及车辆

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5162560A (en) * 1974-11-26 1976-05-31 Kubota Ltd Jukitaichitsusoo fukumu gensuino shorihoho
JPS5994891A (ja) * 1982-11-24 1984-05-31 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS6370589A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Nec Corp 半導体レ−ザモジユ−ル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058680A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社デンソー レーザユニット

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Publication number Publication date
KR100254176B1 (ko) 2000-05-01
US5233622A (en) 1993-08-03

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