JPH11220074A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11220074A JPH11220074A JP10018860A JP1886098A JPH11220074A JP H11220074 A JPH11220074 A JP H11220074A JP 10018860 A JP10018860 A JP 10018860A JP 1886098 A JP1886098 A JP 1886098A JP H11220074 A JPH11220074 A JP H11220074A
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- Japan
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- heat
- resin case
- semiconductor device
- lead
- heat spreader
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワー素子の発生熱を効率良く放熱でき、信
頼性が高く、容易に製造できて高出力用でも安価なもの
とすることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数のＩＧＢＴＴｒ、ダイオードＤ1 ，
Ｄ2 をそれぞれヒートスプレッタ基板３１ａ，３１ｂに
搭載してヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを個々に形
成し、形成されたヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを
それぞれ放熱板２４上に搭載すると共に、接続ワイヤ２
６により対応するパワートランジスタＴｒ、ダイオード
Ｄ1 ，Ｄ2 にインナーリード３２が接続されたリードフ
レーム２５を該接続ワイヤ２６によってＩＧＢＴＴｒ、
ダイオードＤ1 ，Ｄ2 の上方に所定間隔を設けて３次元
的に支持配置した後、放熱板２４の下面が外部に露出す
るようにトランスファーモールド法によって樹脂ケース
２７を成形し、ＩＧＢＴＴｒ、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 等
を封止しする。
頼性が高く、容易に製造できて高出力用でも安価なもの
とすることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数のＩＧＢＴＴｒ、ダイオードＤ1 ，
Ｄ2 をそれぞれヒートスプレッタ基板３１ａ，３１ｂに
搭載してヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを個々に形
成し、形成されたヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを
それぞれ放熱板２４上に搭載すると共に、接続ワイヤ２
６により対応するパワートランジスタＴｒ、ダイオード
Ｄ1 ，Ｄ2 にインナーリード３２が接続されたリードフ
レーム２５を該接続ワイヤ２６によってＩＧＢＴＴｒ、
ダイオードＤ1 ，Ｄ2 の上方に所定間隔を設けて３次元
的に支持配置した後、放熱板２４の下面が外部に露出す
るようにトランスファーモールド法によって樹脂ケース
２７を成形し、ＩＧＢＴＴｒ、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 等
を封止しする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば交流電源に
よって電動機を駆動、制御するために用いられる電力用
の半導体装置に関する。
よって電動機を駆動、制御するために用いられる電力用
の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られているように、パワーエ
レクトロニクス分野で使用される電力用の半導体装置の
うち、３相交流電源によって電動機を駆動、制御するた
めの半導体装置の電気回路構成は、一般的には図８に示
すように大電流、高電圧を制御することができる複数の
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌ
ａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；バイポーラ型ＭＯＳＦＥ
Ｔ）Ｔｒ、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 等を用い、コンバー
タ、インバータを構成して図示しないが端子Ｒ，Ｓ，Ｔ
を電源に接続し、端子Ｕ，Ｖ，Ｗに負荷の電動機を接続
するようなものとなっている。そして、これらＩＧＢＴ
Ｔｒ、ダイオードＤをモジュール化してＰＩＭ（ｐｏｗ
ｅｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｏｄｕｌｅ）とし、機
器に組み込み使用される。こうしたＰＩＭのうち、例え
ば６００Ｖ／１０Ａ〜２０ＡクラスのＰＩＭは、図９の
平面図および図１０の断面図で示すようにパッケージが
トランスファーモールド法によって形成されたものとな
っている。また、６００Ｖ／３０Ａ〜５０ＡクラスのＰ
ＩＭは、図１１の斜視図および図１２の断面図で示すよ
うにパッケージがＤＢＣ法（ｄｉｒｅｃｔ ｂｏｎｄｉ
ｎｇ ｃｏｐｐｅｒ法）によって形成されたものとなっ
ている。
レクトロニクス分野で使用される電力用の半導体装置の
うち、３相交流電源によって電動機を駆動、制御するた
めの半導体装置の電気回路構成は、一般的には図８に示
すように大電流、高電圧を制御することができる複数の
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌ
ａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；バイポーラ型ＭＯＳＦＥ
Ｔ）Ｔｒ、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 等を用い、コンバー
タ、インバータを構成して図示しないが端子Ｒ，Ｓ，Ｔ
を電源に接続し、端子Ｕ，Ｖ，Ｗに負荷の電動機を接続
するようなものとなっている。そして、これらＩＧＢＴ
Ｔｒ、ダイオードＤをモジュール化してＰＩＭ（ｐｏｗ
ｅｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｏｄｕｌｅ）とし、機
器に組み込み使用される。こうしたＰＩＭのうち、例え
ば６００Ｖ／１０Ａ〜２０ＡクラスのＰＩＭは、図９の
平面図および図１０の断面図で示すようにパッケージが
トランスファーモールド法によって形成されたものとな
っている。また、６００Ｖ／３０Ａ〜５０ＡクラスのＰ
ＩＭは、図１１の斜視図および図１２の断面図で示すよ
うにパッケージがＤＢＣ法（ｄｉｒｅｃｔ ｂｏｎｄｉ
ｎｇ ｃｏｐｐｅｒ法）によって形成されたものとなっ
ている。
【０００３】そして、トランスファーモールド法によっ
て形成されたＰＩＭは、次のようにして形成される。図
９および図１０において、先ず、ＰＩＭ１は、リードフ
レーム２上にパワー素子３等を搭載し、パワー素子３等
とリードフレーム２の対応部位とをボンディングワイヤ
４で接続してからインナー樹脂ケース５に内蔵させる。
その後、パワー素子３等を内蔵するインナー樹脂ケース
５と金属製の放熱板６とをモールド型にセットし、放熱
板６の放熱面が外面に出るようにしてアウター樹脂ケー
ス７をトランスファーモールド法により成形することに
より構成される。なお、８は入出力用の外部端子であ
り、９はＰＩＭ１を取り付けるための取付孔である。こ
れによりリードフレーム２上に搭載されたパワー素子３
が動作した際に発生する熱は、アウター樹脂ケース７の
薄い樹脂層１０を間に介して放熱板６に伝えられ、放熱
板６の外面から外部に放熱する。
て形成されたＰＩＭは、次のようにして形成される。図
９および図１０において、先ず、ＰＩＭ１は、リードフ
レーム２上にパワー素子３等を搭載し、パワー素子３等
とリードフレーム２の対応部位とをボンディングワイヤ
４で接続してからインナー樹脂ケース５に内蔵させる。
その後、パワー素子３等を内蔵するインナー樹脂ケース
５と金属製の放熱板６とをモールド型にセットし、放熱
板６の放熱面が外面に出るようにしてアウター樹脂ケー
ス７をトランスファーモールド法により成形することに
より構成される。なお、８は入出力用の外部端子であ
り、９はＰＩＭ１を取り付けるための取付孔である。こ
れによりリードフレーム２上に搭載されたパワー素子３
が動作した際に発生する熱は、アウター樹脂ケース７の
薄い樹脂層１０を間に介して放熱板６に伝えられ、放熱
板６の外面から外部に放熱する。
【０００４】一方、ＤＢＣ法によって形成されたＰＩＭ
１１は、次のようにして形成される。図１１および図１
２において、先ず、熱伝導性の良い絶縁セラミック板１
２の片面に設けられパターニングされた図示しない導電
層にパワー素子１３等を搭載し、また他面に設けられた
同じく図示しない導電層を金属製の放熱板１４の上面に
固着する。そして、リードインサート樹脂ケース１５の
底部となるように放熱板１４を設け、樹脂ケース１５に
インサートされ入出力用の外部端子となるリード１６と
パワー素子１３等とをボンディングワイヤ１７で接続
し、その後、樹脂ケース１５内にキャスティング樹脂１
８を充填し封止してから蓋１９を取り付けるようにして
構成される。なお、２０はＰＩＭ１１を取り付けるため
の取付孔である。これによりパワー素子１３が動作した
際に発生する熱は、絶縁セラミック板１２から放熱板１
４に熱抵抗の低い状態で伝えられ、放熱板１４の外面か
ら外部に放熱する。
１１は、次のようにして形成される。図１１および図１
２において、先ず、熱伝導性の良い絶縁セラミック板１
２の片面に設けられパターニングされた図示しない導電
層にパワー素子１３等を搭載し、また他面に設けられた
同じく図示しない導電層を金属製の放熱板１４の上面に
固着する。そして、リードインサート樹脂ケース１５の
底部となるように放熱板１４を設け、樹脂ケース１５に
インサートされ入出力用の外部端子となるリード１６と
パワー素子１３等とをボンディングワイヤ１７で接続
し、その後、樹脂ケース１５内にキャスティング樹脂１
８を充填し封止してから蓋１９を取り付けるようにして
構成される。なお、２０はＰＩＭ１１を取り付けるため
の取付孔である。これによりパワー素子１３が動作した
際に発生する熱は、絶縁セラミック板１２から放熱板１
４に熱抵抗の低い状態で伝えられ、放熱板１４の外面か
ら外部に放熱する。
【０００５】上記のように構成されたトランスファーモ
ールド法によるＰＩＭ１とＤＢＣ法によるＰＩＭ１１
は、次のような特徴をそれぞれ有するものであった。す
なわち、トランスファーモールド法によるＰＩＭ１は、
構成および製造方法も簡単なために安価であるがパワー
素子３で発生した熱を外部に放散する時の放熱効率が低
く、またパワー素子３等のサイズが大きく全体に大寸法
となる高出力用には適用することが困難なものであり、
高い信頼性を得ることが難しいものとなっていた。ま
た、ＤＢＣ法によるＰＩＭ１１は、パワー素子１３で発
生した熱を外部に放散する時の放熱効率が高く、全体が
大寸法となる高出力用に適していて、信頼性も高いもの
であるものの製造方法が手間の掛かるもので高価であっ
た。
ールド法によるＰＩＭ１とＤＢＣ法によるＰＩＭ１１
は、次のような特徴をそれぞれ有するものであった。す
なわち、トランスファーモールド法によるＰＩＭ１は、
構成および製造方法も簡単なために安価であるがパワー
素子３で発生した熱を外部に放散する時の放熱効率が低
く、またパワー素子３等のサイズが大きく全体に大寸法
となる高出力用には適用することが困難なものであり、
高い信頼性を得ることが難しいものとなっていた。ま
た、ＤＢＣ法によるＰＩＭ１１は、パワー素子１３で発
生した熱を外部に放散する時の放熱効率が高く、全体が
大寸法となる高出力用に適していて、信頼性も高いもの
であるものの製造方法が手間の掛かるもので高価であっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、パワー素子での発生熱を
効率良く放熱でき、信頼性が高く、また容易に製造する
ことができて高出力用のものでも安価に実現することが
できる半導体装置を提供することを目的とする。
みて本発明はなされたもので、パワー素子での発生熱を
効率良く放熱でき、信頼性が高く、また容易に製造する
ことができて高出力用のものでも安価に実現することが
できる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
放熱板上に絶縁層を介して複数のパワー素子を搭載し、
かつ放熱板の下面が外部に露出するように樹脂ケースを
成形してパワー素子を封止すると共に、パワー素子に電
気的に接続されたリードが樹脂ケースから延出するよう
形成された半導体装置において、複数のパワー素子が、
放熱板上に固着された複数のヒートスプレッタ基板上面
にそれぞれ分割して搭載されていることを特徴とするも
のであり、さらに、リードが、樹脂ケースの成形に際し
該リードとパワー素子とを接続する接続ワイヤにより、
パワー素子の上方に所定間隔を設けて３次元的に支持配
置されていることを特徴とするものであり、さらに、放
熱板とリードとが一体に形成されていて、該放熱板とリ
ードの分離が樹脂ケースの成形後に行われることを特徴
とするものであり、さらに、放熱板上に、ヒートスプレ
ッタ基板に隣接してパワー素子以外の素子を搭載する配
線基板が固着されていることを特徴とするものであり、
さらに、樹脂ケースの成形が、トランスファーモールド
法によって行われることを特徴とするものである。
放熱板上に絶縁層を介して複数のパワー素子を搭載し、
かつ放熱板の下面が外部に露出するように樹脂ケースを
成形してパワー素子を封止すると共に、パワー素子に電
気的に接続されたリードが樹脂ケースから延出するよう
形成された半導体装置において、複数のパワー素子が、
放熱板上に固着された複数のヒートスプレッタ基板上面
にそれぞれ分割して搭載されていることを特徴とするも
のであり、さらに、リードが、樹脂ケースの成形に際し
該リードとパワー素子とを接続する接続ワイヤにより、
パワー素子の上方に所定間隔を設けて３次元的に支持配
置されていることを特徴とするものであり、さらに、放
熱板とリードとが一体に形成されていて、該放熱板とリ
ードの分離が樹脂ケースの成形後に行われることを特徴
とするものであり、さらに、放熱板上に、ヒートスプレ
ッタ基板に隣接してパワー素子以外の素子を搭載する配
線基板が固着されていることを特徴とするものであり、
さらに、樹脂ケースの成形が、トランスファーモールド
法によって行われることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００９】先ず第１の実施形態を図１乃至図６により
説明する。本実施形態は、複数のＩＧＢＴ、ダイオード
等を用いてコンバータ、インバータを構成するようにし
た図８に電気回路図を示すような電力用半導体装置で、
図１は平面図であり、図２は断面図であり、図３は樹脂
ケース内構造を示す平面図であり、図４は樹脂ケース内
構造を示す斜視図であり、図５はヒートスプレッタ体を
例示する図で、図５（ａ）は第１の例の斜視図で、図５
（ｂ）は第２の例の斜視図であり、図６はリードフレー
ムの平面図である。
説明する。本実施形態は、複数のＩＧＢＴ、ダイオード
等を用いてコンバータ、インバータを構成するようにし
た図８に電気回路図を示すような電力用半導体装置で、
図１は平面図であり、図２は断面図であり、図３は樹脂
ケース内構造を示す平面図であり、図４は樹脂ケース内
構造を示す斜視図であり、図５はヒートスプレッタ体を
例示する図で、図５（ａ）は第１の例の斜視図で、図５
（ｂ）は第２の例の斜視図であり、図６はリードフレー
ムの平面図である。
【００１０】図１乃至図６において、ＰＩＭ（ｐｏｗｅ
ｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｏｄｕｌｅ）２１は、パ
ワー素子であるＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ
2 を絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂに搭載したヒート
スプレッタ体２３ａ，２３ｂを放熱板２４の上面に固着
し、さらにヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂと、ヒー
トスプレッタ体２３ａ，２３ｂの上方に設けられたリー
ドフレーム２５とをボンディングワイヤ２６で接続した
後、放熱板２４の下面が外部に露出するよう樹脂ケース
２７をトランスファーモールド法により成形し、封止す
ることにより構成されている。
ｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｏｄｕｌｅ）２１は、パ
ワー素子であるＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ
2 を絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂに搭載したヒート
スプレッタ体２３ａ，２３ｂを放熱板２４の上面に固着
し、さらにヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂと、ヒー
トスプレッタ体２３ａ，２３ｂの上方に設けられたリー
ドフレーム２５とをボンディングワイヤ２６で接続した
後、放熱板２４の下面が外部に露出するよう樹脂ケース
２７をトランスファーモールド法により成形し、封止す
ることにより構成されている。
【００１１】このような構成のもので放熱板２４は、熱
伝導性が良好な例えば銅（Ｃｕ）等の金属によって方形
平板状に形成されたものであり、片方の長辺部分の両隅
部に取り付けねじ孔２８が形成されている。また、パワ
ー素子等を放熱板２４の上面に取り付けるために構成さ
れたヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂは、例えば窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）等の良熱伝導性絶縁材料でなる所定外形寸法
を有する絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂの両面に、そ
れぞれメタライズ処理により設けられた薄板状の銅層２
９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂを被着してなるヒートス
プレッタ基板３１ａ，３１ｂを備えて構成されている。
伝導性が良好な例えば銅（Ｃｕ）等の金属によって方形
平板状に形成されたものであり、片方の長辺部分の両隅
部に取り付けねじ孔２８が形成されている。また、パワ
ー素子等を放熱板２４の上面に取り付けるために構成さ
れたヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂは、例えば窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）等の良熱伝導性絶縁材料でなる所定外形寸法
を有する絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂの両面に、そ
れぞれメタライズ処理により設けられた薄板状の銅層２
９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂを被着してなるヒートス
プレッタ基板３１ａ，３１ｂを備えて構成されている。
【００１２】そして、ヒートスプレッタ基板３１ａ，３
１ｂの上面側に設けられた銅層２９ａ，３０ａは所定パ
ターンとなるようパターニングされていて、１つ又は複
数のＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ2 等のパワ
ー素子が、それぞれ所定部分の上面にはんだ付けにより
取着されている。なお、一方の６個でインバータを構成
するヒートスプレッタ構造体２３ａは、絶縁セラミック
板２２ａ上の銅層２９ａは１つで、その１つの銅層２９
ａ上面にＩＧＢＴＴｒとダイオードＤ1 の２つの素子が
搭載されており、他方の２個でコンバータを構成するヒ
ートスプレッタ体２３ｂは、絶縁セラミック板２２ｂ上
の銅層２９ｂが３分割され、その分割された１つ１つに
ダイオードＤ2 が搭載されており、１つのヒートスプレ
ッタ体２３ｂとして３つのダイオードＤ2 が搭載された
ものとなっている。
１ｂの上面側に設けられた銅層２９ａ，３０ａは所定パ
ターンとなるようパターニングされていて、１つ又は複
数のＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ2 等のパワ
ー素子が、それぞれ所定部分の上面にはんだ付けにより
取着されている。なお、一方の６個でインバータを構成
するヒートスプレッタ構造体２３ａは、絶縁セラミック
板２２ａ上の銅層２９ａは１つで、その１つの銅層２９
ａ上面にＩＧＢＴＴｒとダイオードＤ1 の２つの素子が
搭載されており、他方の２個でコンバータを構成するヒ
ートスプレッタ体２３ｂは、絶縁セラミック板２２ｂ上
の銅層２９ｂが３分割され、その分割された１つ１つに
ダイオードＤ2 が搭載されており、１つのヒートスプレ
ッタ体２３ｂとして３つのダイオードＤ2 が搭載された
ものとなっている。
【００１３】また、ヒートスプレッタ基板３１ａ，３１
ｂにパワー素子等が設けられたヒートスプレッタ体２３
ａ，２３ｂは、放熱板２４の所定位置に下面側の銅層２
９ｂ，３０ｂをはんだ付けすることによって固着されて
いる。またさらに、放熱板２４に固着されたヒートスプ
レッタ体２３ａ，２３ｂの上方に、所定の絶縁距離を確
保するようにして３次元的に配置されるリードフレーム
２５は、例えば長方形状で所定板厚の銅板を図６に示す
ような所定形状のインナーリード３２、アウターリード
３３が形成されるように加工してなるものである。
ｂにパワー素子等が設けられたヒートスプレッタ体２３
ａ，２３ｂは、放熱板２４の所定位置に下面側の銅層２
９ｂ，３０ｂをはんだ付けすることによって固着されて
いる。またさらに、放熱板２４に固着されたヒートスプ
レッタ体２３ａ，２３ｂの上方に、所定の絶縁距離を確
保するようにして３次元的に配置されるリードフレーム
２５は、例えば長方形状で所定板厚の銅板を図６に示す
ような所定形状のインナーリード３２、アウターリード
３３が形成されるように加工してなるものである。
【００１４】また、リードフレーム２５をヒートスプレ
ッタ体２３ａ，２３ｂの上方の所定の高さ位置に設ける
にあたっては、図示しないが、先ずリードフレーム２５
を保持治具によりヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂの
上方の所定高さ位置に保持する。次に、この保持した状
態でヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂのＩＧＢＴＴｒ
やダイオードＤ1 ，Ｄ2 、ヒートスプレッタ基板３１
ａ，３１ｂの銅層２９ａ，３０ａの対応する部位同士
を、またこれらと対応するインナーリード３２の先端部
とを、例えば直径２５０μｍあるいは直径４００μｍと
いった比較的太いアルミニウム（Ａｌ）製のボンディン
グワイヤ２６を用い、超音波ボンディングにより接続す
ることによって結線する。その後、トランスファーモー
ルド前にリードフレーム２５を保持していた保持治具を
取り外しモールド金型にセットするが、モールド金型に
はリードフレーム２５とヒートスプレッタ体２３ａ，２
３ｂの位置、高さ関係が同定されるようなガイドが付加
されている。これによりモールド後にもヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂとリードフレーム２５は、所定の高
さ位置に所定の絶縁距離を設けるようにして保持され
る。
ッタ体２３ａ，２３ｂの上方の所定の高さ位置に設ける
にあたっては、図示しないが、先ずリードフレーム２５
を保持治具によりヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂの
上方の所定高さ位置に保持する。次に、この保持した状
態でヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂのＩＧＢＴＴｒ
やダイオードＤ1 ，Ｄ2 、ヒートスプレッタ基板３１
ａ，３１ｂの銅層２９ａ，３０ａの対応する部位同士
を、またこれらと対応するインナーリード３２の先端部
とを、例えば直径２５０μｍあるいは直径４００μｍと
いった比較的太いアルミニウム（Ａｌ）製のボンディン
グワイヤ２６を用い、超音波ボンディングにより接続す
ることによって結線する。その後、トランスファーモー
ルド前にリードフレーム２５を保持していた保持治具を
取り外しモールド金型にセットするが、モールド金型に
はリードフレーム２５とヒートスプレッタ体２３ａ，２
３ｂの位置、高さ関係が同定されるようなガイドが付加
されている。これによりモールド後にもヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂとリードフレーム２５は、所定の高
さ位置に所定の絶縁距離を設けるようにして保持され
る。
【００１５】そして、放熱板２４に固着されたヒートス
プレッタ体２３ａ，２３ｂと、これの上方にボンディン
グワイヤ２６によりリードフレーム２５を支持し一体化
したものを図示しないモールド型にセットし、トランス
ファーモールド法による成形を行い直方体状の樹脂ケー
ス２７を形成し、パワー素子等を封止する。なお、リー
ドフレーム２５は、樹脂ケース２７の成形前、成形後の
プレス加工によって不要箇所の切り落とし除去が行わ
れ、樹脂ケース２７が形成された状態では図６に斜線で
示す部位が除去された状態となっている。また成形され
た樹脂ケース２７は、放熱板２４の下面が放熱面として
平坦な外面の一部として露出するように形成されてお
り、さらにリードフレーム２５のアウターリード３３部
分が延出する側と逆の長辺部分の両隅部に、放熱板２４
の取り付けねじ孔２８に重なるよう同中心軸に取付孔３
４が形成されている。
プレッタ体２３ａ，２３ｂと、これの上方にボンディン
グワイヤ２６によりリードフレーム２５を支持し一体化
したものを図示しないモールド型にセットし、トランス
ファーモールド法による成形を行い直方体状の樹脂ケー
ス２７を形成し、パワー素子等を封止する。なお、リー
ドフレーム２５は、樹脂ケース２７の成形前、成形後の
プレス加工によって不要箇所の切り落とし除去が行わ
れ、樹脂ケース２７が形成された状態では図６に斜線で
示す部位が除去された状態となっている。また成形され
た樹脂ケース２７は、放熱板２４の下面が放熱面として
平坦な外面の一部として露出するように形成されてお
り、さらにリードフレーム２５のアウターリード３３部
分が延出する側と逆の長辺部分の両隅部に、放熱板２４
の取り付けねじ孔２８に重なるよう同中心軸に取付孔３
４が形成されている。
【００１６】このように構成されたものでは、パワー素
子のＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1，Ｄ2 が動作するこ
とによって発生した熱は、先ず各素子からはんだ付けさ
れているヒートスプレッタ基板３１ａ，３１ｂの銅層２
９ａ，２９ｂに流れ、続いて銅層２９ａ，２９ｂから絶
縁セラミック板２２ａ，２２ｂ、さらに各々の下面に設
けられた銅層３０ａ，３０ｂに流れ、銅層３０ａ，３０
ｂがはんだ付けされている放熱板２４へと流れて放熱さ
れる。この放熱経路は、途中に熱抵抗の大きい材料や構
造がなく、すべて良熱伝導性絶縁材料で構成されると共
に比較的大きな平坦面同士の固着による構造であるた
め、熱抵抗が非常に小さく放熱効率が高く、ＰＩＭ２１
が高出力形であっても放熱が効率よく行われるためコン
パクトな形態とすることができる。
子のＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1，Ｄ2 が動作するこ
とによって発生した熱は、先ず各素子からはんだ付けさ
れているヒートスプレッタ基板３１ａ，３１ｂの銅層２
９ａ，２９ｂに流れ、続いて銅層２９ａ，２９ｂから絶
縁セラミック板２２ａ，２２ｂ、さらに各々の下面に設
けられた銅層３０ａ，３０ｂに流れ、銅層３０ａ，３０
ｂがはんだ付けされている放熱板２４へと流れて放熱さ
れる。この放熱経路は、途中に熱抵抗の大きい材料や構
造がなく、すべて良熱伝導性絶縁材料で構成されると共
に比較的大きな平坦面同士の固着による構造であるた
め、熱抵抗が非常に小さく放熱効率が高く、ＰＩＭ２１
が高出力形であっても放熱が効率よく行われるためコン
パクトな形態とすることができる。
【００１７】また、ＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ
2 等とインナーリード３２との間の接続を、比較的太い
ボンディングワイヤ２６を用いて行っているので、ボン
ディングワイヤ２６によってリードフレーム２５をヒー
トスプレッタ体２３ａ，２３ｂの上方の所定高さ位置に
３次元的に配置することができる。このため、リードフ
レーム２５をＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ2 等と
同じ平面上に配置する場合に比較して平面形状が小さな
ものとなり、ＰＩＭ２１を実装基板に実装する場合に占
有する面積が小さくてすみ、実装効率を向上させること
ができる。
2 等とインナーリード３２との間の接続を、比較的太い
ボンディングワイヤ２６を用いて行っているので、ボン
ディングワイヤ２６によってリードフレーム２５をヒー
トスプレッタ体２３ａ，２３ｂの上方の所定高さ位置に
３次元的に配置することができる。このため、リードフ
レーム２５をＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ2 等と
同じ平面上に配置する場合に比較して平面形状が小さな
ものとなり、ＰＩＭ２１を実装基板に実装する場合に占
有する面積が小さくてすみ、実装効率を向上させること
ができる。
【００１８】さらに、ＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，
Ｄ2 等は、放熱板２４に取り付けるに際して機能的に小
単位に分割し、予めインバータを構成する各１つのＩＧ
ＢＴＴｒとダイオードＤ1 の同じ組み合わせをヒートス
プレッタ体２３ａとして分離して構成し、またコンバー
タについても同様に、予め３個のダイオードＤ2 をヒー
トスプレッタ体２３ｂとして分離して構成しておくこと
ができ、効率的な製作を行うことができる。そして、放
熱板２４上での全体の組み立て時に各所要数のヒートス
プレッタ体２３ａ，２３ｂを集合させて取り付け組み上
げるものであるから、放熱板２４上の部品配置が効率的
な配置とすることが可能であり、また個々のユニット的
な生産が可能であるので生産性や製造歩留を向上させる
ことができる。
Ｄ2 等は、放熱板２４に取り付けるに際して機能的に小
単位に分割し、予めインバータを構成する各１つのＩＧ
ＢＴＴｒとダイオードＤ1 の同じ組み合わせをヒートス
プレッタ体２３ａとして分離して構成し、またコンバー
タについても同様に、予め３個のダイオードＤ2 をヒー
トスプレッタ体２３ｂとして分離して構成しておくこと
ができ、効率的な製作を行うことができる。そして、放
熱板２４上での全体の組み立て時に各所要数のヒートス
プレッタ体２３ａ，２３ｂを集合させて取り付け組み上
げるものであるから、放熱板２４上の部品配置が効率的
な配置とすることが可能であり、また個々のユニット的
な生産が可能であるので生産性や製造歩留を向上させる
ことができる。
【００１９】またさらに、パワー素子はヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂとして分割され小寸法のものを単位
として放熱板２４にはんだ付けされている。このため、
熱、機械的なストレスに対し、１枚の基板にパワー素子
を取り付けるようにしたものに比べ、各ヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂのヒートスプレッタ基板３１ａ，３
１ｂに生じる応力が非常に小さく、基板の割れやはんだ
付け部分の脆化に対する耐量が大きく、信頼性が高いも
のとなる。また、トランスファーモールド法による成形
で樹脂ケース２７の形成とパワー素子等の封止を行って
いるので、組み立てが簡単でコストを低減することがで
き、さらに、組み立ての自動化も容易で、これにより組
み立てに手間が掛からなくなって、さらなるコストの低
減が可能となる。
タ体２３ａ，２３ｂとして分割され小寸法のものを単位
として放熱板２４にはんだ付けされている。このため、
熱、機械的なストレスに対し、１枚の基板にパワー素子
を取り付けるようにしたものに比べ、各ヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂのヒートスプレッタ基板３１ａ，３
１ｂに生じる応力が非常に小さく、基板の割れやはんだ
付け部分の脆化に対する耐量が大きく、信頼性が高いも
のとなる。また、トランスファーモールド法による成形
で樹脂ケース２７の形成とパワー素子等の封止を行って
いるので、組み立てが簡単でコストを低減することがで
き、さらに、組み立ての自動化も容易で、これにより組
み立てに手間が掛からなくなって、さらなるコストの低
減が可能となる。
【００２０】次に、第２の実施形態を図７により説明す
る。本実施形態は、複数のＩＧＢＴ、ダイオード等を用
いてコンバータ、インバータを構成し、さらに制御部を
も組み込むようにした電力用半導体装置で、図７は樹脂
ケース内構造を示す斜視図である。なお、第１の実施形
態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、第１
の実施形態と異なる本実施形態の構成について説明す
る。
る。本実施形態は、複数のＩＧＢＴ、ダイオード等を用
いてコンバータ、インバータを構成し、さらに制御部を
も組み込むようにした電力用半導体装置で、図７は樹脂
ケース内構造を示す斜視図である。なお、第１の実施形
態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、第１
の実施形態と異なる本実施形態の構成について説明す
る。
【００２１】図７において、ＰＩＭ４１は、銅板を加工
してなるリードフレーム４２が放熱板部４３とリード部
４４を備えて形成されたもので、放熱板部４３とリード
部４４とは上面が同一平坦面となっており、下面側に肉
厚が厚くなるよう形成された放熱板部４３の上面に、パ
ワー素子であるＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ
2 を絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂに搭載したヒート
スプレッタ体２３ａ，２３ｂが固着されている。さらに
放熱板部４３の上面には、ヒートスプレッタ体２３ａ，
２３ｂに隣接してプリント配線基板４５が接着されてお
り、このプリント配線基板４５には、ＩＧＢＴＴｒおよ
びダイオードＤ1 ，Ｄ2 で構成されたコンバータ、イン
バータを制御するＩＣ４６、チップ部品４７を備えたド
ライバ部４８が設けられている。
してなるリードフレーム４２が放熱板部４３とリード部
４４を備えて形成されたもので、放熱板部４３とリード
部４４とは上面が同一平坦面となっており、下面側に肉
厚が厚くなるよう形成された放熱板部４３の上面に、パ
ワー素子であるＩＧＢＴＴｒおよびダイオードＤ1 ，Ｄ
2 を絶縁セラミック板２２ａ，２２ｂに搭載したヒート
スプレッタ体２３ａ，２３ｂが固着されている。さらに
放熱板部４３の上面には、ヒートスプレッタ体２３ａ，
２３ｂに隣接してプリント配線基板４５が接着されてお
り、このプリント配線基板４５には、ＩＧＢＴＴｒおよ
びダイオードＤ1 ，Ｄ2 で構成されたコンバータ、イン
バータを制御するＩＣ４６、チップ部品４７を備えたド
ライバ部４８が設けられている。
【００２２】そしてＰＩＭ４１は、ヒートスプレッタ体
２３ａ，２３ｂと、プリント配線基板４５と、リード部
４４のインナーリード４８とを、それぞれ対応するもの
同士をボンディングワイヤ２６で接続した後、放熱板部
４３の下面が外部に露出するよう樹脂ケース４９をトラ
ンスファーモールド法により成形し、封止することによ
り構成されている。なお、５０はアウターリードであ
り、５１は放熱板部４３をリードフレーム４２の連結部
５２に接続する架橋部である。またリードフレーム４２
は樹脂ケース４９が形成された後、所定長さのアウター
リード５０が残るよう、また架橋部５１を放熱板部４３
から切り離すようにして樹脂ケース２７の外方に延出し
た部分が切断、除去される。
２３ａ，２３ｂと、プリント配線基板４５と、リード部
４４のインナーリード４８とを、それぞれ対応するもの
同士をボンディングワイヤ２６で接続した後、放熱板部
４３の下面が外部に露出するよう樹脂ケース４９をトラ
ンスファーモールド法により成形し、封止することによ
り構成されている。なお、５０はアウターリードであ
り、５１は放熱板部４３をリードフレーム４２の連結部
５２に接続する架橋部である。またリードフレーム４２
は樹脂ケース４９が形成された後、所定長さのアウター
リード５０が残るよう、また架橋部５１を放熱板部４３
から切り離すようにして樹脂ケース２７の外方に延出し
た部分が切断、除去される。
【００２３】このような構成のものでは、パワー素子か
らの熱を放熱する放熱板部４３が、リード部４４と共に
リードフレーム４２を形成するものであり、放熱板部４
３に搭載された各素子とインナーリード４８の先端部と
をボンディングワイヤ２６で接続したものをトランスフ
ァーモールド法により樹脂ケース４９を成形し封止する
ため、成形時にボンディングワイヤ２６で接続した部位
間の離間距離が変化せず信頼性が高いものなる。また同
時に放熱板部４３の厚さが下面側に厚くなるようにした
ものであるため、樹脂ケース４９を成形した状態でも放
熱板部４３の下面が外部に露出し放熱が確実に行え、か
つリード部４４が樹脂ケース４９の側面の厚さ方向中間
部分から延出した状態になって十分な沿面距離を確保す
ることができる。
らの熱を放熱する放熱板部４３が、リード部４４と共に
リードフレーム４２を形成するものであり、放熱板部４
３に搭載された各素子とインナーリード４８の先端部と
をボンディングワイヤ２６で接続したものをトランスフ
ァーモールド法により樹脂ケース４９を成形し封止する
ため、成形時にボンディングワイヤ２６で接続した部位
間の離間距離が変化せず信頼性が高いものなる。また同
時に放熱板部４３の厚さが下面側に厚くなるようにした
ものであるため、樹脂ケース４９を成形した状態でも放
熱板部４３の下面が外部に露出し放熱が確実に行え、か
つリード部４４が樹脂ケース４９の側面の厚さ方向中間
部分から延出した状態になって十分な沿面距離を確保す
ることができる。
【００２４】さらに、放熱板部４３の上面にプリント配
線基板４５を設けて配線を行うものであるので配線の自
由度が向上し、配線密度が向上したものとなり、このプ
リント配線基板４５にコンバータ、インバータと共に、
これらを制御するドライバ部４８を設けることができ
る。
線基板４５を設けて配線を行うものであるので配線の自
由度が向上し、配線密度が向上したものとなり、このプ
リント配線基板４５にコンバータ、インバータと共に、
これらを制御するドライバ部４８を設けることができ
る。
【００２５】そして同時に第１の実施形態と同様に、パ
ワー素子のＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ2 が動作
することによって発生した熱は、ヒートスプレッタ基板
３１ａ，３１ｂから放熱板部４３へと流れて放熱される
が、この放熱経路には途中に熱抵抗の大きい材料や構造
がなく、すべて良熱伝導性絶縁材料で構成されると共に
比較的大きな平坦面同士の固着による構造であるため、
熱抵抗が非常に小さく放熱効率が高く、ＰＩＭ４１が高
出力形であっても放熱が効率よく行われることになって
コンパクトな形態とすることができる。
ワー素子のＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ2 が動作
することによって発生した熱は、ヒートスプレッタ基板
３１ａ，３１ｂから放熱板部４３へと流れて放熱される
が、この放熱経路には途中に熱抵抗の大きい材料や構造
がなく、すべて良熱伝導性絶縁材料で構成されると共に
比較的大きな平坦面同士の固着による構造であるため、
熱抵抗が非常に小さく放熱効率が高く、ＰＩＭ４１が高
出力形であっても放熱が効率よく行われることになって
コンパクトな形態とすることができる。
【００２６】また、ＩＧＢＴＴｒやダイオードＤ1 ，Ｄ
2 等は、機能的に小単位に分割して、予めインバータを
構成する各１つのＩＧＢＴＴｒとダイオードＤ1 の同じ
組み合わせをヒートスプレッタ体２３ａとして分離して
構成し、またコンバータについても同様に、予め３個の
ダイオードＤ2 をヒートスプレッタ体２３ｂとして分離
して構成しておくことができ、効率的な製作を行うこと
ができる。そして、放熱板部４３上での全体の組み立て
時に各所要数のヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを集
合させて取り付け組み上げるものであるから、放熱板部
４３上の部品配置が効率的な配置とすることが可能であ
り、また個々のユニット的な生産が可能であるので生産
性や製造歩留を向上させることができる。
2 等は、機能的に小単位に分割して、予めインバータを
構成する各１つのＩＧＢＴＴｒとダイオードＤ1 の同じ
組み合わせをヒートスプレッタ体２３ａとして分離して
構成し、またコンバータについても同様に、予め３個の
ダイオードＤ2 をヒートスプレッタ体２３ｂとして分離
して構成しておくことができ、効率的な製作を行うこと
ができる。そして、放熱板部４３上での全体の組み立て
時に各所要数のヒートスプレッタ体２３ａ，２３ｂを集
合させて取り付け組み上げるものであるから、放熱板部
４３上の部品配置が効率的な配置とすることが可能であ
り、また個々のユニット的な生産が可能であるので生産
性や製造歩留を向上させることができる。
【００２７】さらに、パワー素子はヒートスプレッタ体
２３ａ，２３ｂとして分割され小寸法のものを単位とし
て放熱板部４３にはんだ付けされている。このため、
熱、機械的なストレスに対し、１枚の基板にパワー素子
を取り付けるようにしたものに比べ、各ヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂのヒートスプレッタ基板３１ａ，３
１ｂに生じる応力が非常に小さく、基板の割れやはんだ
付け部分の脆化に対する耐量が大きく、信頼性が高いも
のとなる。また、トランスファーモールド法による成形
で樹脂ケース４９の形成とパワー素子等の封止を行って
いるので、組み立てが簡単でコストを低減することがで
き、さらに、組み立ての自動化も容易で、これにより組
み立てに手間が掛からなくなって、さらなるコストの低
減が可能となる。
２３ａ，２３ｂとして分割され小寸法のものを単位とし
て放熱板部４３にはんだ付けされている。このため、
熱、機械的なストレスに対し、１枚の基板にパワー素子
を取り付けるようにしたものに比べ、各ヒートスプレッ
タ体２３ａ，２３ｂのヒートスプレッタ基板３１ａ，３
１ｂに生じる応力が非常に小さく、基板の割れやはんだ
付け部分の脆化に対する耐量が大きく、信頼性が高いも
のとなる。また、トランスファーモールド法による成形
で樹脂ケース４９の形成とパワー素子等の封止を行って
いるので、組み立てが簡単でコストを低減することがで
き、さらに、組み立ての自動化も容易で、これにより組
み立てに手間が掛からなくなって、さらなるコストの低
減が可能となる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、パワー素子での発生熱を熱抵抗の小さい放熱
経路を介して効率良く放熱させることができ、基板の割
れ等の虞がなくて信頼性が高く、また容易に製造するこ
とができることから高出力用のものであっても低コスト
となるなどの効果を奏する。
によれば、パワー素子での発生熱を熱抵抗の小さい放熱
経路を介して効率良く放熱させることができ、基板の割
れ等の虞がなくて信頼性が高く、また容易に製造するこ
とができることから高出力用のものであっても低コスト
となるなどの効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の樹脂ケース内構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の樹脂ケース内構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施形態におけるヒートスプレ
ッタ体を例示する図で、図５（ａ）は第１の例の斜視
図、図５（ｂ）は第２の例の斜視図である。
ッタ体を例示する図で、図５（ａ）は第１の例の斜視
図、図５（ｂ）は第２の例の斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施形態におけるリードフレー
ムの平面図である。
ムの平面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の樹脂ケース内構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図８】電力用半導体装置の一般的な電気回路構成を説
明するための回路図である。
明するための回路図である。
【図９】従来の６００Ｖ／１０Ａ〜２０ＡクラスのＰＩ
Ｍの平面図である。
Ｍの平面図である。
【図１０】図９に示すＰＩＭの断面図である。
【図１１】従来の６００Ｖ／３０Ａ〜５０ＡクラスのＰ
ＩＭの斜視図である。
ＩＭの斜視図である。
【図１２】図１１に示すＰＩＭの断面図である。
２３ａ，２３ｂ…ヒートスプレッタ体 ２４…放熱板 ２５，４２…リードフレーム ２６…接続ワイヤ ２７，４９…樹脂ケース ３１ａ，３１ｂ…ヒートスプレッタ基板 ３２，４８…インナーリード ３３，５０…アウターリード ４３…放熱板部 ４４…リード部 ４５…配線基板 ４６…ＩＣ ４７…チップ部品 Ｄ1 ，Ｄ2 …ダイオード Ｔｒ…ＩＧＢＴ
Claims (5)
- 【請求項１】 放熱板上に絶縁層を介して複数のパワー
素子を搭載し、かつ前記放熱板の下面が外部に露出する
ように樹脂ケースを成形して前記パワー素子を封止する
と共に、前記パワー素子に電気的に接続されたリードが
前記樹脂ケースから延出するよう形成された半導体装置
において、複数の前記パワー素子が、前記放熱板上に固
着された複数のヒートスプレッタ基板上面にそれぞれ分
割して搭載されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 リードが、樹脂ケースの成形に際し該リ
ードとパワー素子とを接続する接続ワイヤにより、前記
パワー素子の上方に所定間隔を設けて３次元的に支持配
置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 放熱板とリードとが一体に形成されてい
て、該放熱板とリードの分離が樹脂ケースの成形後に行
われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 放熱板上に、ヒートスプレッタ基板に隣
接してパワー素子以外の素子を搭載する配線基板が固着
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 樹脂ケースの成形が、トランスファーモ
ールド法によって行われることを特徴とする請求項１、
請求項２、請求項３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018860A JPH11220074A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018860A JPH11220074A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220074A true JPH11220074A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11983305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018860A Abandoned JPH11220074A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220074A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10251863B4 (de) * | 2001-11-14 | 2005-09-08 | Yazaki Corp. | Stromverteilerkasten und Leistungsgerätemodul |
| WO2007138681A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Kokusan Denki Co., Ltd. | 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置 |
| US7671382B2 (en) | 2005-12-19 | 2010-03-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device with thermoplastic resin to reduce warpage |
| DE102009044485A1 (de) | 2008-11-28 | 2010-06-24 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungs-Halbleitereinrichtung |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2016115782A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2024513524A (ja) * | 2021-04-12 | 2024-03-25 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 成形体を備えるパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018860A patent/JPH11220074A/ja not_active Abandoned
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007138681A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Kokusan Denki Co., Ltd. | 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置 |
| US7868451B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-01-11 | Kokusan Denki Co. Ltd. | Resin sealing semiconductor device and electronic device using resin sealing semiconductor device |
| JP5024289B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-09-12 | 国産電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置 |
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| JP2024513524A (ja) * | 2021-04-12 | 2024-03-25 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 成形体を備えるパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
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