JPH0410577A - ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法Info
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- JPH0410577A JPH0410577A JP2113153A JP11315390A JPH0410577A JP H0410577 A JPH0410577 A JP H0410577A JP 2113153 A JP2113153 A JP 2113153A JP 11315390 A JP11315390 A JP 11315390A JP H0410577 A JPH0410577 A JP H0410577A
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- gaas
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は太陽電池、特にＧａＡｓ系エピタキシャル層を
有するＧａＡｓ系太陽電池に関するものである。
有するＧａＡｓ系太陽電池に関するものである。
［従来の技術］
ＧａＡｓ系を用いた太陽電池は、ＧａＡｓの禁制帯幅か
太陽、電池の理想とされる１、５ｅＶに近い１．４３ｅ
Ｖであることから、他の多くの太陽電池の中でも最も高
い変換効率を示す。その構造の典型的な例を第２図に示
す。
太陽、電池の理想とされる１、５ｅＶに近い１．４３ｅ
Ｖであることから、他の多くの太陽電池の中でも最も高
い変換効率を示す。その構造の典型的な例を第２図に示
す。
ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓ−［−ピタキシャ
ル層２．ｐ型ＧａＡｓエピタキンヤル層３を成長する。
ル層２．ｐ型ＧａＡｓエピタキンヤル層３を成長する。
このＧａＡｓエピタキシャル層３上に更ニｐ型ｃ ａ
Ａｌ２Ａ ｓエピタキシャル層４を成長し、その一部を
エツチングによりくし形に除去して、そこにｐ型ＧａＡ
ｓエピタキシャル層３に接触する表面電極６を取り付け
る。そして表面に反射防止膜６を被覆し、ＧａＡｓ基板
１の裏面に裏面電極７を全面に取り付ける。入射した太
陽光によって、ｐｎ接合に発生した電力をｐ型ＧａＡｓ
エピタキシャル層３上に形成した表面電極５と、基板１
下に設けた裏面電極７とを通じて取り出す。
Ａｌ２Ａ ｓエピタキシャル層４を成長し、その一部を
エツチングによりくし形に除去して、そこにｐ型ＧａＡ
ｓエピタキシャル層３に接触する表面電極６を取り付け
る。そして表面に反射防止膜６を被覆し、ＧａＡｓ基板
１の裏面に裏面電極７を全面に取り付ける。入射した太
陽光によって、ｐｎ接合に発生した電力をｐ型ＧａＡｓ
エピタキシャル層３上に形成した表面電極５と、基板１
下に設けた裏面電極７とを通じて取り出す。
ここで、ｐ型Ｇａ ＡρＡｓエピタキ／ヤル層４および
反射防止膜６を形成する理由を説明する。
反射防止膜６を形成する理由を説明する。
まず、ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層３の表面には不飽
和結合（ダングリングボンド）による表面準位が高密度
で存在するので、発生したキャリアが表面電極５に取り
込まれる前に表面で再結合し、エネルギの変換効率か著
しく低下してしまう。そこで、表面準位を消滅させ、表
面へのキャリア流出を防くため、表面近傍の小数キャリ
ア濃度を減することを目的としてｐ型ＧａＡｓエピタキ
シャル層３の上に上記したｐ型ＧａＡρＡｓエピタキシ
ャル層を窓材として設ける構造がとられる。
和結合（ダングリングボンド）による表面準位が高密度
で存在するので、発生したキャリアが表面電極５に取り
込まれる前に表面で再結合し、エネルギの変換効率か著
しく低下してしまう。そこで、表面準位を消滅させ、表
面へのキャリア流出を防くため、表面近傍の小数キャリ
ア濃度を減することを目的としてｐ型ＧａＡｓエピタキ
シャル層３の上に上記したｐ型ＧａＡρＡｓエピタキシ
ャル層を窓材として設ける構造がとられる。
次に、ｐ型ＧａＡＱＡｓエピタキシャル層４の保護及び
入射光の反射を極力少なくすることを目的として、ｐ型
ＧａＡＬＡｓエピタキシャル層４上に５ｒｓＮａ等の太
陽光に対し透明かつ耐久性のある材、質の薄膜、即ち上
記した反射防止膜６か設けられる。
入射光の反射を極力少なくすることを目的として、ｐ型
ＧａＡＬＡｓエピタキシャル層４上に５ｒｓＮａ等の太
陽光に対し透明かつ耐久性のある材、質の薄膜、即ち上
記した反射防止膜６か設けられる。
このような構造にすることで、変換効率２０％以上のＧ
ａＡｓ系太陽電池が得られている。
ａＡｓ系太陽電池が得られている。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、地上に到達する太陽光の波長は短波長側の０
．３μｍから長波長側は数μｍまである。
．３μｍから長波長側は数μｍまである。
すなわち、太陽電池は０．３μｍより長波長の光を活用
できる。しかしなから、窓材としてのＧａＡ３Ａｓは、
禁制帯幅を大きくするため極力Ａｐ混晶比の高いものを
使うが（通常混晶比ｚ０８）、それでも禁制帯幅は２．
１ｅＶ（間接型、直接遷移ならば２．４ｅｖ）、波長で
０．６μｍ（直接遷移で０．５μｍ）である。それ以上
の高いエネルギをもつ光に対しては、ＧａＡρＡｓ窓材
のバンド間遷移による吸収のため、ＧａＡｓセルに届く
光の効率が悪くなってしまう。その結果、変換効率が落
ちる。
できる。しかしなから、窓材としてのＧａＡ３Ａｓは、
禁制帯幅を大きくするため極力Ａｐ混晶比の高いものを
使うが（通常混晶比ｚ０８）、それでも禁制帯幅は２．
１ｅＶ（間接型、直接遷移ならば２．４ｅｖ）、波長で
０．６μｍ（直接遷移で０．５μｍ）である。それ以上
の高いエネルギをもつ光に対しては、ＧａＡρＡｓ窓材
のバンド間遷移による吸収のため、ＧａＡｓセルに届く
光の効率が悪くなってしまう。その結果、変換効率が落
ちる。
このためＧａＡｆｆＡｓ窓材は極力薄くするが、薄くす
ると、表面へ流出するキャリアが増え、そのキャリアは
ＧａＡｌ２Ａｓの表面準位によって再結合してしまい、
変換効率を下げることになる。
ると、表面へ流出するキャリアが増え、そのキャリアは
ＧａＡｌ２Ａｓの表面準位によって再結合してしまい、
変換効率を下げることになる。
本発明の目的は、ダングリングボンドをなくすことによ
って、前記した従来技術の欠点を解消し、窓材をつけな
くても高い変換効率が得られるＧａＡｓ系太陽電池の製
造方法を提供することにある。
って、前記した従来技術の欠点を解消し、窓材をつけな
くても高い変換効率が得られるＧａＡｓ系太陽電池の製
造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、窓材がある場合に、窓材を極力
薄くしても、表面再結合を抑え高い変換効率が得られる
ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法を提供するものである。
薄くしても、表面再結合を抑え高い変換効率が得られる
ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の要旨は、ＧａＡｓ系セル表面を硫化物を含む溶
液で処理することによりタングリングホントを無（すこ
とにある。
液で処理することによりタングリングホントを無（すこ
とにある。
即ち、本発明は、太陽光が入射する側の電極を取り付け
たセル表面にＧａＡｓあるいはＧａＡＱＡｓエピタキシ
ャル層を有したセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電池の製
造方法において、前記セル表面となるエピタキシャル層
を形成して電極を取り付けた後、このエピタキシャル層
表面を硫化物を含む溶液で処理し、さらに反射防止膜で
被覆したものである。
たセル表面にＧａＡｓあるいはＧａＡＱＡｓエピタキシ
ャル層を有したセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電池の製
造方法において、前記セル表面となるエピタキシャル層
を形成して電極を取り付けた後、このエピタキシャル層
表面を硫化物を含む溶液で処理し、さらに反射防止膜で
被覆したものである。
また、本発明は、太陽光が入射する側の電極を取り付け
たセル表面にＧａＡｌＡｓより成る薄膜エピタキシャル
層を窓材として有したセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電
池の製造方法において、前記窓材となるＧａＡ（ｌＡｓ
より成る薄膜エビタキシャル層を形成して電極を取り付
けた後、このエピタキシャル層表面を硫化物を含む溶液
で処理し、さらに反射防止膜で被覆したものである。
たセル表面にＧａＡｌＡｓより成る薄膜エピタキシャル
層を窓材として有したセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電
池の製造方法において、前記窓材となるＧａＡ（ｌＡｓ
より成る薄膜エビタキシャル層を形成して電極を取り付
けた後、このエピタキシャル層表面を硫化物を含む溶液
で処理し、さらに反射防止膜で被覆したものである。
そして、上記硫化物を含む溶液が、（ＮＨ４）。
Ｓ、に、Ｓ、ＮＨ４Ｈ３，Ｃ５，Ｓ ” ４Ｈ，Ｏ，Ｎ
ａ、Ｓ、ＮｉＳ、ＬｉＳの水溶液のいずれか１つまたは
２つ以上を選択的に混合した水溶液であることが好まし
い。
ａ、Ｓ、ＮｉＳ、ＬｉＳの水溶液のいずれか１つまたは
２つ以上を選択的に混合した水溶液であることが好まし
い。
また、上記反射防止膜がＳｉＯｘ、 Ｓ Ｉ ３Ｎｉ
ｐＳＧ、ＴａｔＯｓのいずれかの材質から成っているこ
とが好ましい。
ｐＳＧ、ＴａｔＯｓのいずれかの材質から成っているこ
とが好ましい。
［作用］
ＧａＡｓ単体の表面準位を減少させる手段として、硫化
物で表面を処理する方法が報告されている。例えばＢ、
Ｊ、 Ｓｋｒｏｍｍｅらは、ＧａＡｓ表面にＮａ、Ｓ
を塗布することにより、表面にＡｒ＋レーザを照射した
時のフォトルミネセンス強度が１〜３桁増加することを
報告している（Ａｐｐ（２，ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、５１
（１９８７）２０２２） 、これはＧａＡｓ表面のダン
グリングボンドがＳ（硫黄）と結合し、表面準位が減少
したためと考えられている。
物で表面を処理する方法が報告されている。例えばＢ、
Ｊ、 Ｓｋｒｏｍｍｅらは、ＧａＡｓ表面にＮａ、Ｓ
を塗布することにより、表面にＡｒ＋レーザを照射した
時のフォトルミネセンス強度が１〜３桁増加することを
報告している（Ａｐｐ（２，ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、５１
（１９８７）２０２２） 、これはＧａＡｓ表面のダン
グリングボンドがＳ（硫黄）と結合し、表面準位が減少
したためと考えられている。
本発明はこの処理方法に着目したものであり、この方法
を特にＧａＡｓ系太陽電池に適用したものである。
を特にＧａＡｓ系太陽電池に適用したものである。
ＧａＡｌＡｓからなる窓材を有していない場合には、Ｇ
ａＡｓ系セル表面を硫化物を含む溶液で処理することに
よりダングリングボンドが無くなる。
ａＡｓ系セル表面を硫化物を含む溶液で処理することに
よりダングリングボンドが無くなる。
また、ＧａＡｌＡｓからなる窓材を有している場合でも
、ＧａＡρＡｓ窓材表面を硫化物を含む溶液で処理する
と、ＧａＡｌＡｓ窓材表面のダングリングボンドが無く
なる。従って、窓材を極力薄くしても表面準位による再
結合が抑制される。
、ＧａＡρＡｓ窓材表面を硫化物を含む溶液で処理する
と、ＧａＡｌＡｓ窓材表面のダングリングボンドが無く
なる。従って、窓材を極力薄くしても表面準位による再
結合が抑制される。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を第１図〜第３図を用いて説明す
る。
る。
本発明の効果を確認するため、第１図、第２図第３図に
示す構造をもつ３種のＧａＡｓ系太陽電池で、本発明方
法を適用したものと、適用しないものとを製作した。こ
れらをそれぞれ、Ａタイプ、Ｂタイプ、Ｃタイプと称す
る。ＡタイプはＧａＡｌＡｓ工ピタキシヤル層からなる
窓材（窓層）のないもの、Ｂタイプは窓層のある典型的
なもの、Ｃタイプはｐ型ＧａＡρＡ ｓ ／ ｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓというセル構造をもつ試作品である。
示す構造をもつ３種のＧａＡｓ系太陽電池で、本発明方
法を適用したものと、適用しないものとを製作した。こ
れらをそれぞれ、Ａタイプ、Ｂタイプ、Ｃタイプと称す
る。ＡタイプはＧａＡｌＡｓ工ピタキシヤル層からなる
窓材（窓層）のないもの、Ｂタイプは窓層のある典型的
なもの、Ｃタイプはｐ型ＧａＡρＡ ｓ ／ ｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓというセル構造をもつ試作品である。
そして、これらを放射スペクトルＡＭＩ（ＡｉｒＭａｓ
ｓの略で、地上で太陽が天頂にある場合の太陽光を示す
）における変換効率を調べた。いずれ゛の構造において
も、本発明方法を適用したものの方が高い変換効率を得
た。高効率となる理由はＧａＡｓ表面のダングリングボ
ンドが本実施例の処理によって削減し、表面再結合がお
きないためである。
ｓの略で、地上で太陽が天頂にある場合の太陽光を示す
）における変換効率を調べた。いずれ゛の構造において
も、本発明方法を適用したものの方が高い変換効率を得
た。高効率となる理由はＧａＡｓ表面のダングリングボ
ンドが本実施例の処理によって削減し、表面再結合がお
きないためである。
ここで、まずＡタイプ、Ｂタイプについて製作法の詳細
を述べる。
を述べる。
Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｓ基板１（キャリア濃度Ｉ
Ｘ １０”ｃｍ−、厚さ３００μｍ）を用い、液相成
長法（Ｌ Ｐ Ｅ）でｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層２
（Ｓｉドープ、キャリア濃度２Ｘ１０”ｃｍ−、厚さ３
０μｍ）及びｐ型ＧａＡｓ：ｃピタキシャル層３（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度ｌＸ １０”ｃｍ−、厚さ２μｍ
）を成長した。
Ｘ １０”ｃｍ−、厚さ３００μｍ）を用い、液相成
長法（Ｌ Ｐ Ｅ）でｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層２
（Ｓｉドープ、キャリア濃度２Ｘ１０”ｃｍ−、厚さ３
０μｍ）及びｐ型ＧａＡｓ：ｃピタキシャル層３（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度ｌＸ １０”ｃｍ−、厚さ２μｍ
）を成長した。
第１図に示すＡタイプの場合は、太陽光が入射する側の
セル表面となるｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層３上に表
面電極５を形成した。
セル表面となるｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層３上に表
面電極５を形成した。
第２図に示すＢタイプの場合は、セル表面となるｐ型Ｇ
ａＡｓエピタキシャル層３上にｐ型ＧａＡＱＡｓエピタ
キシャル層４（Ｚｎドープ、 Ａ！２混晶比０．８．
キャリア濃度ｌＸｌ０”ｃｍ−厚さＯ，１μｍ）を窓層
として成長した後、電極蒸着部のみＧａＡａＡｓエピタ
キシャル層４を選択的に除去し、その上に表面電極５を
形成した。ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層３上の電極材
にはＡｕ−Ｚｎを用い、選択的に蒸着した後、基板１の
襄全面にＡｕ−Ｇｅ−Ｎ １−Ａｕｉｉ極材から成る裏
面電極７を蒸着し、４００℃×２分Ｎ、中でアロイした
。
ａＡｓエピタキシャル層３上にｐ型ＧａＡＱＡｓエピタ
キシャル層４（Ｚｎドープ、 Ａ！２混晶比０．８．
キャリア濃度ｌＸｌ０”ｃｍ−厚さＯ，１μｍ）を窓層
として成長した後、電極蒸着部のみＧａＡａＡｓエピタ
キシャル層４を選択的に除去し、その上に表面電極５を
形成した。ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層３上の電極材
にはＡｕ−Ｚｎを用い、選択的に蒸着した後、基板１の
襄全面にＡｕ−Ｇｅ−Ｎ １−Ａｕｉｉ極材から成る裏
面電極７を蒸着し、４００℃×２分Ｎ、中でアロイした
。
一方、第３図に示すＣタイプ構造の場合は、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡρＡｓエピタキシャル層８（Ｓ
ｉ ドープ、ＡＱ混晶比０，４． キャリア濃度２Ｘ
１０Ｉ７ｃｍ−、厚さ５μｍ）、セル表面となるｐ型Ｇ
ａＡＬＡｓエピタキシャル層９（Ｚｎドープ、ＡＣ混晶
比０．４．キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−、厚さ２
μｍ）を成長し、その上に表面電極５を形成した。ｐ型
ＧａＡ１２ＡＳエピタキシャル層９上の電極材にはＡｕ
−Ｚｎを用い、選択的に蒸着した後、基板１の裏金面に
ＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕ４４極材からなる裏面電極７を蒸
着し、４００℃×２分Ｎ！雰囲気中でアロイしたー。
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡρＡｓエピタキシャル層８（Ｓ
ｉ ドープ、ＡＱ混晶比０，４． キャリア濃度２Ｘ
１０Ｉ７ｃｍ−、厚さ５μｍ）、セル表面となるｐ型Ｇ
ａＡＬＡｓエピタキシャル層９（Ｚｎドープ、ＡＣ混晶
比０．４．キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−、厚さ２
μｍ）を成長し、その上に表面電極５を形成した。ｐ型
ＧａＡ１２ＡＳエピタキシャル層９上の電極材にはＡｕ
−Ｚｎを用い、選択的に蒸着した後、基板１の裏金面に
ＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕ４４極材からなる裏面電極７を蒸
着し、４００℃×２分Ｎ！雰囲気中でアロイしたー。
このようにしてＡタイプ、Ｂタイプ、Ｃタイプにそれぞ
れ電極を形成した後、ＨＦ：Ｈ，０＝１＝１０溶液で酸
化膜を除去した。以上の工程を経たウェハをＡタイプ、
Ｂタイプ、Ｃタイプそれぞれ４枚ずつ準備し、２枚はＮ
ａ、Ｓ溶液で表面を処理し、他２枚は未処理のまま反射
防止膜６ （ＳｉＯｌ、２００人）を形成した。反射防
止膜６のＮａ、Ｓの処理は、ウェハにＮ ａ 、Ｓ水溶
液を滴下し、スピンナでウェハを回転させることにより
行った。
れ電極を形成した後、ＨＦ：Ｈ，０＝１＝１０溶液で酸
化膜を除去した。以上の工程を経たウェハをＡタイプ、
Ｂタイプ、Ｃタイプそれぞれ４枚ずつ準備し、２枚はＮ
ａ、Ｓ溶液で表面を処理し、他２枚は未処理のまま反射
防止膜６ （ＳｉＯｌ、２００人）を形成した。反射防
止膜６のＮａ、Ｓの処理は、ウェハにＮ ａ 、Ｓ水溶
液を滴下し、スピンナでウェハを回転させることにより
行った。
製造したＧａＡｓ系太陽電池の変換効率を放射スペクト
ルＡＭ１の条件で測定した。その結果は、下表の通りで
あり、いずれの場合もＮ ａ 、Ｓ処理によって大幅に
効率が向上した。
ルＡＭ１の条件で測定した。その結果は、下表の通りで
あり、いずれの場合もＮ ａ 、Ｓ処理によって大幅に
効率が向上した。
表
（％値は平均値である）
なお、上記実施例では液相成長法でエピタキシャル層を
成長した場合について述へたが、本発明はこれに限定さ
れるのもではなく、有機金属熱分解法等の気相成長法で
成長させた場合についても適用することができる。
成長した場合について述へたが、本発明はこれに限定さ
れるのもではなく、有機金属熱分解法等の気相成長法で
成長させた場合についても適用することができる。
［発明の効果］
本発明によれば次の効果を発揮する。
（１）Ｇ ａ Ａ ＱＡ ｓの窓層を有していなくても
、ＧａＡ９Ａｓ窓付構造と同等以上の効率を得ることが
できる。このため、製造プロセスが簡単であるばかつか
、安価で高効率のＧａＡｓ太陽電池を提供できる。
、ＧａＡ９Ａｓ窓付構造と同等以上の効率を得ることが
できる。このため、製造プロセスが簡単であるばかつか
、安価で高効率のＧａＡｓ太陽電池を提供できる。
（２）また、ＧａＡＱＡｓ窓付構造の場合でも、ＧａＡ
（Ａｓ表面での表面再結合を減少できるので、窓材を極
力薄くしても、表面再結合を有効に抑えることかできる
ため、変換効率を更に高くすることができる。
（Ａｓ表面での表面再結合を減少できるので、窓材を極
力薄くしても、表面再結合を有効に抑えることかできる
ため、変換効率を更に高くすることができる。
第１図は本発明を適用したＧａＡρＡｓ窓層のないＧａ
Ａｓ系太陽電池（Ａタイプ）の構造例を示す断面図、第
２図は同じく典型的なＧａＡｓ系太陽電池（Ｂタイプと
呼ぶ）の構造例を示す断面図、第３図は本発明を適用す
るために試作したＧａＡ（！Ａｓ太陽電池（Ｃタイプ）
の構造例を示す断面図である。 １はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓエピタキシャ
ル層、３はｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層、４ ｉ；！
ｐ型Ｇ ａ ＡＬＡ ｓエピタキシャル層（窓層）５
は表面電極、６は反射防止膜、７は裏面電極、８はｎ型
ＧａＡ（！Ａｓエピタキシャル層、９はｐ型ＧａＡＱＡ
ｓエピタキシャル層である。
Ａｓ系太陽電池（Ａタイプ）の構造例を示す断面図、第
２図は同じく典型的なＧａＡｓ系太陽電池（Ｂタイプと
呼ぶ）の構造例を示す断面図、第３図は本発明を適用す
るために試作したＧａＡ（！Ａｓ太陽電池（Ｃタイプ）
の構造例を示す断面図である。 １はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓエピタキシャ
ル層、３はｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層、４ ｉ；！
ｐ型Ｇ ａ ＡＬＡ ｓエピタキシャル層（窓層）５
は表面電極、６は反射防止膜、７は裏面電極、８はｎ型
ＧａＡ（！Ａｓエピタキシャル層、９はｐ型ＧａＡＱＡ
ｓエピタキシャル層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、太陽光が入射する側の電極を取り付けたセル表面に
ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を有し
たセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電池の製造方法におい
て、 前記セル表面となるエピタキシャル層を形成して前記電
極を取り付けた後、 このエピタキシャル層表面を硫化物を含む溶液で処理し
、 さらに反射防止膜で被覆したことを特徴とするＧａＡｓ
系太陽電池の製造方法。 ２、太陽光が入射する側の電極を取り付けたセル表面に
ＧａＡｌＡｓより成る薄膜エピタキシャル層を窓材とし
て有したセル構造をもつＧａＡｓ系太陽電池の製造方法
において、前記窓材となるＧａＡｌＡｓより成る薄膜エ
ピタキシャル層を形成して前記電極を取り付けた後、こ
のエピタキシャル層表面を硫化物を含む溶液で処理し、 さらに反射防止膜で被覆したことを特徴とするＧａＡｓ
系太陽電池の製造方法。 ３、上記硫化物を含む溶液が、（ＮＨ＿４）＿２Ｓ、Ｋ
＿２Ｓ、ＮＨ＿４ＨＳ、Ｃｓ＿２Ｓ・４Ｈ＿２Ｏ、Ｎａ
＿２Ｓ、ＮｉＳ、ＬｉＳの水溶液のいずれか１つまたは
２つ以上を選択的に混合した水溶液であることを特徴と
する請求項１または２に記載のＧａＡｓ系太陽電池の製
造方法。 ４、上記反射防止膜がＳｉＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、Ｐ
ＳＧ、Ｔａ＿２Ｏ＿３のいずれかの材質から成っている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の
ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113153A JPH0410577A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113153A JPH0410577A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410577A true JPH0410577A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14604913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113153A Pending JPH0410577A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ＧａＡｓ系太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410577A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157269A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
| US4751201A (en) * | 1987-03-04 | 1988-06-14 | Bell Communications Research, Inc. | Passivation of gallium arsenide devices with sodium sulfide |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113153A patent/JPH0410577A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157269A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
| US4751201A (en) * | 1987-03-04 | 1988-06-14 | Bell Communications Research, Inc. | Passivation of gallium arsenide devices with sodium sulfide |
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