JPH04106356U - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 とくにプラスチック基板など低温で成膜する
場合、基板の変形及び膜特性の劣化を防止する。 【構成】 イオンビームスパッタリング法によりイオン
源１からのイオンビームを引出し電極４を介してターゲ
ット６に照射し、ターゲット６の近傍に位置した基板７
にターゲット材料を堆積して成膜する薄膜形成装置にお
いて、引出し電極２の加速電極３の電極孔１０に対し基
板７に近い側の減速電極４の電極孔１２を、イオンビー
ムが基板７より遠い側のターゲット６を照射するようず
らす。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、イオンビームスパッタリング法によりとくにプラスチック基板など 低温の基板温度で成膜する薄膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、イオンビームスパッタリング法による薄膜形成装置は、図３に示すよう に、イオン源１から加速電極２及び減速電極３からなるイオン引出し電極４によ りビームを引出し、そのイオンビーム５によりターゲット６をスパッタリングし 、ターゲット６の近傍に配置された基板７にターゲット材料を付着させて堆積し 、基板７に成膜している。なお、図中８はマグネットである。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

従来の前記薄膜形成装置の場合、イオン源１から出たイオンビーム５のほとん どは、ターゲット６に衝突し、ターゲット材料をスパッタリングし、基板７に堆 積させるが、引出し電極４から出たイオンビームの一部はもれイオンビーム９と して基板７に衝突する。

【０００４】 ところで、例えばポリカーボネイト（ＰＣ），ポリメタクリル酸メチル（ＰＭ ＭＡ）のプラスチック基板など摂氏１００度以下の低温の基板温度で成膜しなけ ればならない基板７の場合、基板７にもれイオンビーム９が衝突すると、基板７ が変形したり、基板材料から出るガスにより膜特性が劣化するという問題点があ る。

【０００５】 本考案は、前記の点に留意し、基板の変形及び膜特性の劣化を防止した薄膜形 成装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】 前記課題を解決するために、本考案は、イオンビームスパッタリング法により イオン源からのイオンビームを引出し電極を介してターゲットに照射し、ターゲ ットの近傍に位置した基板にターゲット材料を堆積して成膜する薄膜形成装置に おいて、

【０００７】 引出し電極の加速電極の電極孔に対し基板に近い側の減速電極の電極孔を、イ オンビームが基板より遠い側のターゲットを照射するようずらしたものである。

【作 用】

前記のように構成された本考案の薄膜形成装置は、加速電極の電極孔に対し基 板に近い側の減速電極の電極孔が、イオンビームを基板より遠い側のターゲット に照射するようずらされているため、基板側に従来のようなもれイオンビームを 生じなく、イオンビームが基板を照射しなく、基板の変形及び膜特性の劣化を生 じない。

【０００８】

【実施例】

１実施例について図１及び図２を参照して説明する。それらの図において図３ と同一符号は同一もしくは相当するものを示す。

【０００９】 １０はほぼ等間隔に形成された加速電極２の電極孔、１１，１２は減速電極３ の電極孔であり、図２の上側，即ち基板７より遠い側の電極孔１１は、加速電極 ２の電極孔１０と同じ高さ，即ち対応した位置に形成されているが、下側，即ち 基板７に近い側の電極孔１２は、加速電極２の電極孔１０より低い位置にずらさ れて形成されており、両電極孔１０，１２を通過したイオンビームは若干上側へ 変位し、ほとんど全てがターゲット６を照射し、基板７を照射しない。

【００１０】 ここで、ずれた電極孔１２の形成範囲は、基板７に近い側から１０％以上，５ ０％以下が望ましい。即ち、少なくとも１０％程度はずれていないともれイオン ビームが基板７を照射する。又、５０％より幅広くずらすと、ターゲット６の上 方を照射してターゲット６を照射するイオンビームが少なくなり、成膜速度が遅 く、効率が低下する。

【００１１】

【考案の効果】

本考案は、以上説明したように構成されているので、以下に記載する効果を生 ずる。

【００１２】 加速電極２の電極孔１０に対し基板７に近い側の減速電極３の電極孔１２を、 イオンビームが基板７より遠い側のターゲット６に照射するようずらしてあるた め、基板７側に従来のようなもれイオンビームを生じなく、イオンビームが基板 ７を照射しなく、基板７の温度が上昇せず、基板７の変形及び膜特性の劣化を防 止することができ、かつ、従来の基板７側のもれイオンビームがターゲット６に 集束されるため、成膜速度が速く、効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の薄膜形成装置の１実施例の側面図であ
る。

【図２】図１の一部の拡大図である。

【図３】従来例の側面図である。

【符号の説明】

１ イオン源 ２ 加速電極 ３ 減速電極 ４ イオン引出し電極 ５ イオンビーム ６ ターゲット ７ 基板

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 イオンビームスパッタリング法によりイ
   オン源からのイオンビームを引出し電極を介してターゲ
   ットに照射し、ターゲットの近傍に位置した基板にター
   ゲット材料を堆積して成膜する薄膜形成装置において、
   引出し電極の加速電極の電極孔に対し基板に近い側の減
   速電極の電極孔を、イオンビームが基板より遠い側のタ
   ーゲットを照射するようずらした薄膜形成装置。