JPH0410672A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH0410672A JPH0410672A JP2114197A JP11419790A JPH0410672A JP H0410672 A JPH0410672 A JP H0410672A JP 2114197 A JP2114197 A JP 2114197A JP 11419790 A JP11419790 A JP 11419790A JP H0410672 A JPH0410672 A JP H0410672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- light emitting
- yellowing
- preventive agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ、
−ＸＮ；Ｘ＝Ｏを含む）の青色発光特性の改善に関する
。
−ＸＮ；Ｘ＝Ｏを含む）の青色発光特性の改善に関する
。
従来、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光の発光
ダイオードが開発されている（特開昭６２−１１９１９
６号公報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。 この発光ダイオードは光り３原色の１つである青色発光
であることから、可変色のダイオードを実現するために
も、注目されている。
ダイオードが開発されている（特開昭６２−１１９１９
６号公報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。 この発光ダイオードは光り３原色の１つである青色発光
であることから、可変色のダイオードを実現するために
も、注目されている。
ところが、上記の発光ダイオードは、現在のところ、青
色の発光の他に、緑色の成分も発光しているため、やや
緑がかって見えるという問題がある。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物
半導体を用いた発光ダイオードにおける発光色をより純
度の高い青色とすることである。
色の発光の他に、緑色の成分も発光しているため、やや
緑がかって見えるという問題がある。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物
半導体を用いた発光ダイオードにおける発光色をより純
度の高い青色とすることである。
上記課題を解決するための発明の構成は、発光層が窒化
ガリウム系化合物半導体（ＡムＧａ＋−ｘＮ；Ｘ＝０を
含む）で構成され、青色を発光するチップと、そのチッ
プが載置され、そのチップに対して電圧を印加するため
のリードフレームと、チップとリードフレームの一部と
を、少なくともチップの放射前方を封止する透光性の樹
脂封止部材とから成る発光ダイオードにおいて、 樹脂封止部材は、黄変防止剤を含んでいることを特徴と
する。
ガリウム系化合物半導体（ＡムＧａ＋−ｘＮ；Ｘ＝０を
含む）で構成され、青色を発光するチップと、そのチッ
プが載置され、そのチップに対して電圧を印加するため
のリードフレームと、チップとリードフレームの一部と
を、少なくともチップの放射前方を封止する透光性の樹
脂封止部材とから成る発光ダイオードにおいて、 樹脂封止部材は、黄変防止剤を含んでいることを特徴と
する。
樹脂封止部材に、黄変防止剤を混合させることにより、
発光ダイオードの樹脂封止部材を透過した光りにおいて
、波長４９０ｎｍより長波長成分を抑制することができ
た。 この結果、緑色の成分が減少し、青色の純度が高い光り
を得ることができた。
発光ダイオードの樹脂封止部材を透過した光りにおいて
、波長４９０ｎｍより長波長成分を抑制することができ
た。 この結果、緑色の成分が減少し、青色の純度が高い光り
を得ることができた。
【実施例１
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）を示した縦断面図であり、第２図はチッ９
プを載置した状態のリードフレームの断面図である。又
、第３図は第２図におけるリドフレームを発光チップ側
から見た平面図である。 リードフレーム２０は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対のリード部材１１．２１により構成されている。 そして、両リード部材１１．２１にはそれらの先端部１
２．２２に発光チップ１８を載置する平坦部１３．２３
が一体的に形成されている。 又、平坦部１３．２３に続く周囲には、発光チップ１８
の外形寸法に対して予め設定された公差寸法から成る段
差部１５．２５が一体的に形成されている。 更に、段差部１５．２５に続く側周面にはそれらの段差
部１５．２５から外側に傾斜して反射部１’４．２４が
一体的に形成されている。 ＧａＮ青色発光チップ１８は、このようなリード部材１
１．２１上に載置され、導電性ペーストで接合されてい
る。 ＧａＮ青色発光チップ１８はサファイヤ基板１８１と、
その上に成長されたｎ−ＧａＮ１ｇ２、と、更に、その
上に、Ｚｎをドープして成長された高抵抗ｉ −Ｇ ａ
Ｎ １８３とを有している。 そして、ｉ −Ｇ ａ Ｎ １８３の一端側には、その
一部にｉ −Ｇ ａ Ｎ １８３を貫通して設けられた
孔内に電極１８４が１−ＧａＮ１８３の表面とほぼ同一
となるように設けられている。また、ｉ −ＧａＮ１８
３の他端側には、同一平面上に図示しない電極が形成さ
れている。 このＧａＮ青色発光チップ１８はｎ−ＧａＮ１８２に電
気的に接続された電極１８４が陰極となるリード部材１
１の平坦部１３上に、１−ＧａＮ１８３上に形成された
電極が陽極となるリード部材２１の平坦部２３上に、そ
れぞれ載置され接合されている。 そして、発光チップ１８が接合されたリードフレーム２
０を内在させて、透明エポキシ樹脂による封止を施して
、レンズ部材１９が成形される。 この結果、第１図に示すようなＬＥＤＩＯが形成される
。 このレンズ部材１９を成形するエポキシ樹脂には、黄変
防止剤（ハイソール製、Ｎｏ、００４０）が混入されて
いる。そのエポキシ樹脂において、主剤と硬化剤と黄変
防止剤の重量比率が、１００：１００：５（Ａ）と、１
００：１００：１ （Ｂ）の２つのＬＥＤを製造した。 このＬＥＤＩＯのリード部材１１．２１に電圧を印加す
ると、その発光チップ１８からの青色光はその代表的な
光路を矢印で示したように、発光チップ１８の表面から
出た光に加えて、その発光チップ１８の端面から出た光
もリード部材１１゜２１に設けられた反射部１４．２４
により反射されてＬＥＤＩＯから前方へ照射される。 更に、発光チップ１８はリード部材１１．２１に設けら
れた段差部１５．２５によりそれらリード部材１１．２
１と正確に位置決めされているので、ＬＥＤＩＯから前
方へ照射される光は設計された光路を通ることになる。 レンズ部材１９を透過した光のスペクトルを測定したと
ころ、第４図の曲線Ａ、Ｂに示す特性が得られた。 又、比較のため、レンズ部材１９に黄変防止剤を混入し
ないＬ Ｅ Ｄ （Ｃ）も作成して、レンズ部材１９を
透過した光のスペクトルも測定した。その結果を第４図
の曲線Ｃに示す。 この曲線から分かることを表に示す。 黄変防止剤の混入割合が０．５％の発光ダイオード（１
３）は、黄変防止剤の混入割合が零の発光ダイオード（
Ｃ）に比べて、ピーク波長は３．４ｎｍ短波長側に推移
し、半値幅は５．３ｎｍだけ小さくなり、ドミナント波
長は３．４ｎｍだけ短波長側に推移した。この発光ダイ
オード（Ｂ）は、人間の目で認められる発光色も非常に
青の程度が増したものとなった。 又、黄変防止剤の混入割合が２．５％の発光ダイオード
＜Ａ）は、黄変防止剤の混入割合が零の発光ダイオード
（Ｃ）・に比べて、ピーク波長は３．６ｎｍ短波長側に
推移し、半値幅は８．１ｎｍだけ小さくなり、ドミナン
ト波長は４．８ｎｍだけ短波長側に推移した。 この発光ダイオード（Ａ）は、人間の目で認められる発
光色も極めて青の程度が増したものとなった。 このように、黄変防止剤を混入することで、４９０ｎｍ
よりも長波長の成分を少なくすることができ、ピーク波
長を短波長側に推移できる。このことからレンズ部材１
９を透過した光はより青色の純度が高い光となる。 又、人間により視認される発光色は、より青色の程度が
増した。この傾向は、黄変防止剤の混入割合が多い程、
顕著であった。 又、黄変防止剤の混入割合は、重量百分率で、０．１ｗ
ｔ％〜８ｗｔ％が望ましい。０．１ｗｔ％より小さいと
、青色を強調する効果が少なく、８ｗｔ％より大きいと
、全スペクトルの透過率が低下し望ましくない。 又、レンズ部材１９の透過スペクトルを測定した。その
結果を第５図に示す。 【発明の効果】 本発明は、発光層が窒化ガリウム系化合物半導体（Ａム
Ｇａ＋−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）で構成され、青色を発光
するチップを含み、そのチップを封止すると共にレンズ
を構成する透光性の樹脂封止部材とから成る発光ダイオ
ードにおいて、樹脂封止部材に、黄変防止剤を混入させ
たたことにより、青色の発光スペクトルを狭くすること
ができた。この結果、より青色の強い発光ダイオードを
得ることができた。
ド（ＬＥＤ）を示した縦断面図であり、第２図はチッ９
プを載置した状態のリードフレームの断面図である。又
、第３図は第２図におけるリドフレームを発光チップ側
から見た平面図である。 リードフレーム２０は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対のリード部材１１．２１により構成されている。 そして、両リード部材１１．２１にはそれらの先端部１
２．２２に発光チップ１８を載置する平坦部１３．２３
が一体的に形成されている。 又、平坦部１３．２３に続く周囲には、発光チップ１８
の外形寸法に対して予め設定された公差寸法から成る段
差部１５．２５が一体的に形成されている。 更に、段差部１５．２５に続く側周面にはそれらの段差
部１５．２５から外側に傾斜して反射部１’４．２４が
一体的に形成されている。 ＧａＮ青色発光チップ１８は、このようなリード部材１
１．２１上に載置され、導電性ペーストで接合されてい
る。 ＧａＮ青色発光チップ１８はサファイヤ基板１８１と、
その上に成長されたｎ−ＧａＮ１ｇ２、と、更に、その
上に、Ｚｎをドープして成長された高抵抗ｉ −Ｇ ａ
Ｎ １８３とを有している。 そして、ｉ −Ｇ ａ Ｎ １８３の一端側には、その
一部にｉ −Ｇ ａ Ｎ １８３を貫通して設けられた
孔内に電極１８４が１−ＧａＮ１８３の表面とほぼ同一
となるように設けられている。また、ｉ −ＧａＮ１８
３の他端側には、同一平面上に図示しない電極が形成さ
れている。 このＧａＮ青色発光チップ１８はｎ−ＧａＮ１８２に電
気的に接続された電極１８４が陰極となるリード部材１
１の平坦部１３上に、１−ＧａＮ１８３上に形成された
電極が陽極となるリード部材２１の平坦部２３上に、そ
れぞれ載置され接合されている。 そして、発光チップ１８が接合されたリードフレーム２
０を内在させて、透明エポキシ樹脂による封止を施して
、レンズ部材１９が成形される。 この結果、第１図に示すようなＬＥＤＩＯが形成される
。 このレンズ部材１９を成形するエポキシ樹脂には、黄変
防止剤（ハイソール製、Ｎｏ、００４０）が混入されて
いる。そのエポキシ樹脂において、主剤と硬化剤と黄変
防止剤の重量比率が、１００：１００：５（Ａ）と、１
００：１００：１ （Ｂ）の２つのＬＥＤを製造した。 このＬＥＤＩＯのリード部材１１．２１に電圧を印加す
ると、その発光チップ１８からの青色光はその代表的な
光路を矢印で示したように、発光チップ１８の表面から
出た光に加えて、その発光チップ１８の端面から出た光
もリード部材１１゜２１に設けられた反射部１４．２４
により反射されてＬＥＤＩＯから前方へ照射される。 更に、発光チップ１８はリード部材１１．２１に設けら
れた段差部１５．２５によりそれらリード部材１１．２
１と正確に位置決めされているので、ＬＥＤＩＯから前
方へ照射される光は設計された光路を通ることになる。 レンズ部材１９を透過した光のスペクトルを測定したと
ころ、第４図の曲線Ａ、Ｂに示す特性が得られた。 又、比較のため、レンズ部材１９に黄変防止剤を混入し
ないＬ Ｅ Ｄ （Ｃ）も作成して、レンズ部材１９を
透過した光のスペクトルも測定した。その結果を第４図
の曲線Ｃに示す。 この曲線から分かることを表に示す。 黄変防止剤の混入割合が０．５％の発光ダイオード（１
３）は、黄変防止剤の混入割合が零の発光ダイオード（
Ｃ）に比べて、ピーク波長は３．４ｎｍ短波長側に推移
し、半値幅は５．３ｎｍだけ小さくなり、ドミナント波
長は３．４ｎｍだけ短波長側に推移した。この発光ダイ
オード（Ｂ）は、人間の目で認められる発光色も非常に
青の程度が増したものとなった。 又、黄変防止剤の混入割合が２．５％の発光ダイオード
＜Ａ）は、黄変防止剤の混入割合が零の発光ダイオード
（Ｃ）・に比べて、ピーク波長は３．６ｎｍ短波長側に
推移し、半値幅は８．１ｎｍだけ小さくなり、ドミナン
ト波長は４．８ｎｍだけ短波長側に推移した。 この発光ダイオード（Ａ）は、人間の目で認められる発
光色も極めて青の程度が増したものとなった。 このように、黄変防止剤を混入することで、４９０ｎｍ
よりも長波長の成分を少なくすることができ、ピーク波
長を短波長側に推移できる。このことからレンズ部材１
９を透過した光はより青色の純度が高い光となる。 又、人間により視認される発光色は、より青色の程度が
増した。この傾向は、黄変防止剤の混入割合が多い程、
顕著であった。 又、黄変防止剤の混入割合は、重量百分率で、０．１ｗ
ｔ％〜８ｗｔ％が望ましい。０．１ｗｔ％より小さいと
、青色を強調する効果が少なく、８ｗｔ％より大きいと
、全スペクトルの透過率が低下し望ましくない。 又、レンズ部材１９の透過スペクトルを測定した。その
結果を第５図に示す。 【発明の効果】 本発明は、発光層が窒化ガリウム系化合物半導体（Ａム
Ｇａ＋−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）で構成され、青色を発光
するチップを含み、そのチップを封止すると共にレンズ
を構成する透光性の樹脂封止部材とから成る発光ダイオ
ードにおいて、樹脂封止部材に、黄変防止剤を混入させ
たたことにより、青色の発光スペクトルを狭くすること
ができた。この結果、より青色の強い発光ダイオードを
得ることができた。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係るＬＥＤを示し
た縦断面図。第２図は第１図のＬＥＤにおける発光チッ
プ及びその発光チップの載置されたリードフレームを示
した縦断面図。第３図は第２図におけるリードフレーム
を発光チップ側から見た平面図。第４図はチップで発光
した光がレンズ部材を透過した時の、その透過光のスペ
クトル分析を示す測定図、第５図はレンズ部材のスペク
トル分析を示す測定図である。 １〇 −発光ダイオード（ＬＥＤ＞ １１．２１． −リード部材 １３．２３ 平坦部１
４．２４ 反射部 １５．２５ 段差部発光チップ リードフレーム 特 許 出 願 人 豊田合成株式会社同 新技術事
業団 代 理 人 弁理士 藤谷 修 ｑ １υｂ ／Ｚ （４）
た縦断面図。第２図は第１図のＬＥＤにおける発光チッ
プ及びその発光チップの載置されたリードフレームを示
した縦断面図。第３図は第２図におけるリードフレーム
を発光チップ側から見た平面図。第４図はチップで発光
した光がレンズ部材を透過した時の、その透過光のスペ
クトル分析を示す測定図、第５図はレンズ部材のスペク
トル分析を示す測定図である。 １〇 −発光ダイオード（ＬＥＤ＞ １１．２１． −リード部材 １３．２３ 平坦部１
４．２４ 反射部 １５．２５ 段差部発光チップ リードフレーム 特 許 出 願 人 豊田合成株式会社同 新技術事
業団 代 理 人 弁理士 藤谷 修 ｑ １υｂ ／Ｚ （４）
Claims (1)
- 発光層が窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿ＸＧａ
＿１＿−＿ＸＮ；Ｘ＝０を含む）で構成され、青色を発
光するチップと、そのチップが載置され、そのチップに
対して電圧を印加するためのリードフレームと、前記チ
ップと前記リードフレームの一部とを、少なくとも前記
チップの放射前方を封止する透光性の樹脂封止部材とか
ら成る発光ダイオードにおいて、前記樹脂封止部材は、
黄変防止剤を含んでいることを特徴とする発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114197A JPH0410672A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114197A JPH0410672A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410672A true JPH0410672A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14631634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114197A Pending JPH0410672A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047851A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598367U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | 玉置 輝功雄 | ゴルフのウツドクラブ |
| JPS5925397A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-02-09 | イ−・ア−ル・スクイブ・アンド・サンズ・インコ−ポレイテツド | 心筋イメ−ジ剤および方法 |
| JPS60140884A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114197A patent/JPH0410672A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925397A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-02-09 | イ−・ア−ル・スクイブ・アンド・サンズ・インコ−ポレイテツド | 心筋イメ−ジ剤および方法 |
| JPS598367U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | 玉置 輝功雄 | ゴルフのウツドクラブ |
| JPS60140884A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047851A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置 |
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