JPS5925397A - 心筋イメ−ジ剤および方法 - Google Patents
心筋イメ−ジ剤および方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は心筋イメージ(映像)剤および方法、更に詳し
くは、心筋潅流の測定および虚血や梗塞の診断並びに肝
臓や腎臓のイメージ剤として有用な、下記構造式で示さ
れる新規テクネチウム錯体に関する。
くは、心筋潅流の測定および虚血や梗塞の診断並びに肝
臓や腎臓のイメージ剤として有用な、下記構造式で示さ
れる新規テクネチウム錯体に関する。
R3R4R3R4
〔式中、Qは−(CH2)。−(nは2〜8、好ましく
は2〜5)結合基または1,2−フェニレン結紐アルキ
ルまたはハロゲンから選ばれるもの)、k□、 R2、
Ra およびR4は独立して同一または異なり水素、低
級アルキルまたはフェニル、およびAはアニオン基であ
る〕 このように本発明の化合物は、式; %式% 本明細書で用いる語句「低級アルキル」または「アルキ
ル」としては、炭素数12以下、好ましくは1〜8の直
鎖および分枝鎖基の両方が包含され、例えはメチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、【−ブチル、
イソブチノペペンチノヘヘキシル、イソヘキシル、ヘプ
チノu、4.4−ジメチルペンチル、オクチル、2,2
.4− トIJメチルペンチル、ノニル、デシル、ウン
デシル、ドデシル、これらの各種分枝鎖異性体、並ひに
かかる基のハロ置換基(F、 Br、 CiもしくはI
またはCF3なと)、アルコキシ置換基、アリール置換
基、アルキル−アリール置換基マたはハロアリール置換
基を有するものが挙げられる。
は2〜5)結合基または1,2−フェニレン結紐アルキ
ルまたはハロゲンから選ばれるもの)、k□、 R2、
Ra およびR4は独立して同一または異なり水素、低
級アルキルまたはフェニル、およびAはアニオン基であ
る〕 このように本発明の化合物は、式; %式% 本明細書で用いる語句「低級アルキル」または「アルキ
ル」としては、炭素数12以下、好ましくは1〜8の直
鎖および分枝鎖基の両方が包含され、例えはメチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、【−ブチル、
イソブチノペペンチノヘヘキシル、イソヘキシル、ヘプ
チノu、4.4−ジメチルペンチル、オクチル、2,2
.4− トIJメチルペンチル、ノニル、デシル、ウン
デシル、ドデシル、これらの各種分枝鎖異性体、並ひに
かかる基のハロ置換基(F、 Br、 CiもしくはI
またはCF3なと)、アルコキシ置換基、アリール置換
基、アルキル−アリール置換基マたはハロアリール置換
基を有するものが挙げられる。
本明細書で用いる語句「ハロゲン」または「ハロ」とは
、塩素、臭素、弗素または沃素を指称し、C1またはB
rか好ましい。
、塩素、臭素、弗素または沃素を指称し、C1またはB
rか好ましい。
語句「(CH2)。」としては、ノルマル鎖に2〜8個
、好ましくは2〜5個の炭素を有する直鎖または分枝鎖
基か包含され、これらは1つもしくはそれ以上の低級ア
ルキル置換基を有していてよい。(CH2)n基の具体
例としては、CH2CH2、(CH2)3、(CH2)
4、(CH2)5、(CR2)6、(CR2)7CH3 CH3CH3CH3 −CH2−CH−CH2−CH−等か包含される。
、好ましくは2〜5個の炭素を有する直鎖または分枝鎖
基か包含され、これらは1つもしくはそれ以上の低級ア
ルキル置換基を有していてよい。(CH2)n基の具体
例としては、CH2CH2、(CH2)3、(CH2)
4、(CH2)5、(CR2)6、(CR2)7CH3 CH3CH3CH3 −CH2−CH−CH2−CH−等か包含される。
1
CH3CH3
式CI)の化合物にあって、qか(CH2)2で、R1
、R2,に3およびに4かそれぞれメチル、エチノペ
n−プロピル、n−ブチルまたはフェニルである化れぞ
れ水素)で、R1、R2、R3およびに4がそれぞれメ
チルもしくは上記挙げた他のアルキル基のいずれかまた
はフェニルである化合物が好ましい。
、R2,に3およびに4かそれぞれメチル、エチノペ
n−プロピル、n−ブチルまたはフェニルである化れぞ
れ水素)で、R1、R2、R3およびに4がそれぞれメ
チルもしくは上記挙げた他のアルキル基のいずれかまた
はフェニルである化合物が好ましい。
トイチェおよびグラパンのヨーロッパ特許出願第003
8756号に、心臓ネガチブイメージ剤として有用なテ
クネチウム−99mのカチオン系親油性錯体か開示され
ており、かかる錯体は正常な心臓に蓄積し、正常組織の
比較的ホットなバックグランド(hot backgr
ound)に対しコールド領域の梗塞を視覚する。
8756号に、心臓ネガチブイメージ剤として有用なテ
クネチウム−99mのカチオン系親油性錯体か開示され
ており、かかる錯体は正常な心臓に蓄積し、正常組織の
比較的ホットなバックグランド(hot backgr
ound)に対しコールド領域の梗塞を視覚する。
上記テクネチウム−99mの錯体は、親油性配位子およ
び全カチオン電荷を有し、式:%式% (式中、各りは同一もしくは異なってテクネチウム−9
9mカチオンを強固にキレート化する親油性配位子、お
よび3つのXは同一もしくは異なってm個アニオン配位
子である)で示される。この錯体の具体例としては、9
9 m−Tc (diars)2X2+(diarsは
o C6H4(A s (CHa ) 2 ) 2 (
0フェニレンビス(ジメチルアルシン))オよびX2ハ
CIまたはBr’) 、好ましい心筋イメージ剤のt
rans−99m −Tc (dmpe)2Cg2”(
dmpeは(CH3)2P−CH2CH2−P(CH3
)2〕および99m−Tc(テトラホス)Ce2+〔テ
トラホスはP(CH2CH2P(C6H5)2)3〕が
包含される。
び全カチオン電荷を有し、式:%式% (式中、各りは同一もしくは異なってテクネチウム−9
9mカチオンを強固にキレート化する親油性配位子、お
よび3つのXは同一もしくは異なってm個アニオン配位
子である)で示される。この錯体の具体例としては、9
9 m−Tc (diars)2X2+(diarsは
o C6H4(A s (CHa ) 2 ) 2 (
0フェニレンビス(ジメチルアルシン))オよびX2ハ
CIまたはBr’) 、好ましい心筋イメージ剤のt
rans−99m −Tc (dmpe)2Cg2”(
dmpeは(CH3)2P−CH2CH2−P(CH3
)2〕および99m−Tc(テトラホス)Ce2+〔テ
トラホスはP(CH2CH2P(C6H5)2)3〕が
包含される。
上記錯体は、以下に示す手順を用いトイチェおよびグラ
パンによって製造される。即ち、配位子およびテクネチ
ウム−99m(パーテクネテートイオンまたはその還元
誘導体の形状で)を先ず、単相または二相システムにお
いてテクネチウムに対し大過剰(好ましくは4倍以上)
の親油性配位子を用い踏台する。得られる錯体を単離し
、標準クロマトグラフィ法で精製する。最後に、′精製
した1錯体を薬理的に許容しうる投与ビヒクルに溶解(
または懸濁)する。トイチェおよびグラパンが提案した
ビヒクルとしては、塩水ビヒクル、エタノール/塩水(
50150)ビヒクル(エタノールの濃度を変える)、
エタノールを他の有機部分(プロピレンクリコール、グ
リセロールまたはジメチルスルホキシドなど)に置換し
たビヒクル)、またはミセル中の放射性薬剤の可溶化に
基つくビヒクルが挙げられる。
パンによって製造される。即ち、配位子およびテクネチ
ウム−99m(パーテクネテートイオンまたはその還元
誘導体の形状で)を先ず、単相または二相システムにお
いてテクネチウムに対し大過剰(好ましくは4倍以上)
の親油性配位子を用い踏台する。得られる錯体を単離し
、標準クロマトグラフィ法で精製する。最後に、′精製
した1錯体を薬理的に許容しうる投与ビヒクルに溶解(
または懸濁)する。トイチェおよびグラパンが提案した
ビヒクルとしては、塩水ビヒクル、エタノール/塩水(
50150)ビヒクル(エタノールの濃度を変える)、
エタノールを他の有機部分(プロピレンクリコール、グ
リセロールまたはジメチルスルホキシドなど)に置換し
たビヒクル)、またはミセル中の放射性薬剤の可溶化に
基つくビヒクルが挙げられる。
本発明の各種化合物は、以下のようにして製造される。
式CI)の化合物は、アンモニウムパーテクネテート(
VII) (NH4TCO4)を好ましくハアニオン○ (A )源および不活性有機溶媒(アセトン、塩化メ
チレン、メタノールまたはエタノールなど)の存在下、
式: の過剰の配位子(! igand)と還流温度で反応さ
せることにより製造することができる。反応は約30〜
180℃、好ましくは約30〜130’Cの温度で行な
う。
VII) (NH4TCO4)を好ましくハアニオン○ (A )源および不活性有機溶媒(アセトン、塩化メ
チレン、メタノールまたはエタノールなど)の存在下、
式: の過剰の配位子(! igand)と還流温度で反応さ
せることにより製造することができる。反応は約30〜
180℃、好ましくは約30〜130’Cの温度で行な
う。
上記反応の実施に際し、配位子CIV) をこれとア
ンモニウムパーテクネテートのモル比か約2,5:1〜
10:1、好ましくは約3:1〜5:1、最適には約4
:1の範囲内となるように使用する。
ンモニウムパーテクネテートのモル比か約2,5:1〜
10:1、好ましくは約3:1〜5:1、最適には約4
:1の範囲内となるように使用する。
アニオンの濃度は臨界的でないが、該濃度は実際には配
位子交換反応の速度を調節するものであり、テクネチウ
ム−99mを加えた後0.5モルの濃度を付与するのに
十分な量でアニオンを存在させるのが好ましい。
位子交換反応の速度を調節するものであり、テクネチウ
ム−99mを加えた後0.5モルの濃度を付与するのに
十分な量でアニオンを存在させるのが好ましい。
また配合物は、アルキルパラベン(例えばメチルパラベ
ンおよびプロピルパラベン)などの保存剤や配位子の可
溶化剤(例えばP vP、エチレングリコールジステア
レート、グリコールおよびフェニルサリチル酸)を含む
各種のアジュバントを含有することができる。
ンおよびプロピルパラベン)などの保存剤や配位子の可
溶化剤(例えばP vP、エチレングリコールジステア
レート、グリコールおよびフェニルサリチル酸)を含む
各種のアジュバントを含有することができる。
本発明化合物の形成に使用しうる配位子の具体例として
は、以下のものが包含される。
は、以下のものが包含される。
の、”dmpe″としても公知のビス(1,2−ジメチ
ルホスフィ/)エタン、 式: の、’diphos″としても公知のビス(1,2−ジ
フェニルホスフィノ)エタン、 式: %式%) 式: の1.”depe”としても公知のビス(1,2−ジエ
チルホスフィノ)エタン、 式: の、’dppe’としても公知のビス(1,2−ジ−n
−フロビルホスフィノ)エタン、 式: の、’dbpe”としても公知のビア、(1,2−ジ−
n−ブチルホスフィノ)エタン、 の0−フェニレンビス(ジメチルホスフィン)、の0−
フェニレンビス(ジヒドロホスフィン)。
ルホスフィ/)エタン、 式: の、’diphos″としても公知のビス(1,2−ジ
フェニルホスフィノ)エタン、 式: %式%) 式: の1.”depe”としても公知のビス(1,2−ジエ
チルホスフィノ)エタン、 式: の、’dppe’としても公知のビス(1,2−ジ−n
−フロビルホスフィノ)エタン、 式: の、’dbpe”としても公知のビア、(1,2−ジ−
n−ブチルホスフィノ)エタン、 の0−フェニレンビス(ジメチルホスフィン)、の0−
フェニレンビス(ジヒドロホスフィン)。
上記配位子は具体例であって、式CIV) の範囲に
属する配位子のいずれも使用しうろことが理解されよう
。好ましい配位子はdmpe 、 d 1−pho s
および0−フェニレンビス(ジメチルホスフィン)テあ
る。
属する配位子のいずれも使用しうろことが理解されよう
。好ましい配位子はdmpe 、 d 1−pho s
および0−フェニレンビス(ジメチルホスフィン)テあ
る。
上述の如<、アニオン(A)はアンモニウムパーテクネ
テート(Vn)を配位子に加えると存在する。アニオン
(塩の形状で)は好ましくは、ノ\ロゲ7 (Cl−1
Br−1F−またはI−など)、ClO4−1PF−1
BF4−1SCN−または他の医薬的に許容しうるアニ
オンを包含し、C1’−か好ましい。
テート(Vn)を配位子に加えると存在する。アニオン
(塩の形状で)は好ましくは、ノ\ロゲ7 (Cl−1
Br−1F−またはI−など)、ClO4−1PF−1
BF4−1SCN−または他の医薬的に許容しうるアニ
オンを包含し、C1’−か好ましい。
テクネチウム−99mは、製造会社および放射線薬局な
どの商業源の製品として入手可能である。テクネチウム
−99mの比較的短かい半減期のため、放射性原子核種
をできるだけその使用時間に接近して発生させることが
最も望ましい。テクネチウム−99mの最も普通の源は
親−娘発生器である。モリブデン−99m(’親7放射
性原子核種)はコンテナ化支持基材(通常アルミナ)に
維持され、適正な溶離剤(通常塩水)で溶離すると、パ
ーテクネテートイオン形状のテクネチウム−99m(9
9mTCO○)が発生する(例えば米国特許第3369
121および3920995号参照)。
どの商業源の製品として入手可能である。テクネチウム
−99mの比較的短かい半減期のため、放射性原子核種
をできるだけその使用時間に接近して発生させることが
最も望ましい。テクネチウム−99mの最も普通の源は
親−娘発生器である。モリブデン−99m(’親7放射
性原子核種)はコンテナ化支持基材(通常アルミナ)に
維持され、適正な溶離剤(通常塩水)で溶離すると、パ
ーテクネテートイオン形状のテクネチウム−99m(9
9mTCO○)が発生する(例えば米国特許第3369
121および3920995号参照)。
以下に示す実施例は、本発明の好ましい実施態様である
。例中、温度の全ては℃を単位とする。
。例中、温度の全ては℃を単位とする。
実施例1
ジオキソヒスCC1,2−ジメチルホスフィノ)エタン
〕テクネチウム(■)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および登録商標「
テフロン」被覆攪拌棒を具備する二ロ250m1用丸底
フラスコに、アンモニウムパーテクネテート(VII
) 二NH4T c 04 (0−234311,1゜
3mモル)、リチウムバークロレート(0,18324
g、1.7mモル)、塩化メチレン(100ml)およ
びアセトン(50+x+’)を入れる。かかる装置に窒
素をフラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−ジメ
チルホスフィン)エタン配位子(0,77g、5.2m
モル)を加える。反応系を攪拌し、2.5時間還流加熱
する。得られるオレンジ−イエロー溶液を室温まで冷却
せしめ、赤味沈殿物を沈析する。溶液および沈殿物を減
圧下、濃縮乾固する。残渣を最小量の塩化メチレンに溶
解し、次いてシ“クロロメタン溶液にトルエンを加えて
黄褐色沈殿物を沈析せしめる。沈殿物を戸数し、トルエ
ンで洗って過剰のビス(1,2−ジメチルホスフィン)
エタンを除去し、無水エチルエーテルで過剰のリチウム
クロレートを除去し、風乾して0.685g(99,8
%)の標記生成物を得る。
〕テクネチウム(■)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および登録商標「
テフロン」被覆攪拌棒を具備する二ロ250m1用丸底
フラスコに、アンモニウムパーテクネテート(VII
) 二NH4T c 04 (0−234311,1゜
3mモル)、リチウムバークロレート(0,18324
g、1.7mモル)、塩化メチレン(100ml)およ
びアセトン(50+x+’)を入れる。かかる装置に窒
素をフラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−ジメ
チルホスフィン)エタン配位子(0,77g、5.2m
モル)を加える。反応系を攪拌し、2.5時間還流加熱
する。得られるオレンジ−イエロー溶液を室温まで冷却
せしめ、赤味沈殿物を沈析する。溶液および沈殿物を減
圧下、濃縮乾固する。残渣を最小量の塩化メチレンに溶
解し、次いてシ“クロロメタン溶液にトルエンを加えて
黄褐色沈殿物を沈析せしめる。沈殿物を戸数し、トルエ
ンで洗って過剰のビス(1,2−ジメチルホスフィン)
エタンを除去し、無水エチルエーテルで過剰のリチウム
クロレートを除去し、風乾して0.685g(99,8
%)の標記生成物を得る。
実施例2
ジオキソビスC(1,2−ジエチルホスフィノ)エタン
〕テクネチウム(V)バークロレートの製造: − 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツ口250 me用丸底フラ
スコに、アンモニウムパーテクネテート (Vn)
:NH4TcO4(0,12575Q、 0.69m
モル)、リチウムバークロレート(0,14405g、
1.4mモル)、塩化メチレン(100+#)およびア
セトン(50m/)を入れる。かかる装置(こ窒素をフ
ラッジし、次いでフラスコにビス(1゜2−ジエチルホ
スフィノ)エタン配位子(0,57g、2.8mモル)
を注射器で加える。反応系を攪拌し、9時間還流加熱す
る。得られるゴールド−イエロー溶液を減圧下、濃縮乾
固する。褐色残渣をトルエン−塩化メチレン混合物に溶
解し、次いで無水エチルエーテルを加えて褐色生成物を
沈殿する。沈殿物を戸数し、トルエンで洗い、無水エチ
ルエーテルで洗い、減圧乾燥して0.38821g(8
6,9%)の標記生成物を得る。
〕テクネチウム(V)バークロレートの製造: − 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツ口250 me用丸底フラ
スコに、アンモニウムパーテクネテート (Vn)
:NH4TcO4(0,12575Q、 0.69m
モル)、リチウムバークロレート(0,14405g、
1.4mモル)、塩化メチレン(100+#)およびア
セトン(50m/)を入れる。かかる装置(こ窒素をフ
ラッジし、次いでフラスコにビス(1゜2−ジエチルホ
スフィノ)エタン配位子(0,57g、2.8mモル)
を注射器で加える。反応系を攪拌し、9時間還流加熱す
る。得られるゴールド−イエロー溶液を減圧下、濃縮乾
固する。褐色残渣をトルエン−塩化メチレン混合物に溶
解し、次いで無水エチルエーテルを加えて褐色生成物を
沈殿する。沈殿物を戸数し、トルエンで洗い、無水エチ
ルエーテルで洗い、減圧乾燥して0.38821g(8
6,9%)の標記生成物を得る。
実施例3
ジオキソビスCC1,2−ジ−n−プロピルホスフィノ
)エタン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニ
ー 水冷却コンデンサー、人口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツロ250+++l用丸底フ
ラスコに、アンモニウムパーテクネテート (yn)
: NH4Tc04 (0,130089、0,7
2mモル)、リチウムバークロレート(0,13758
g、1.3mモル)、塩化メチレン(100*/)およ
びアセトン(50m/)を入れる。かかる装置に窒素を
10分間フラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−
ノーn−プロピルホスフィノ)エタン配位子(0,87
y、3.3mモル)を加える。反応系を攪拌し、1.5
時間還流加熱する。得られるゴールド−イエロー溶液を
減圧下、濃縮乾固する。褐色残渣をトルエンで洗って過
剰のビス(1,2−ジ−n−プロピルホスフィン)エタ
ンを除去し、無水エチルエーテルで過剰のリチウムクロ
レートを除去し、減圧乾燥して0.30880 g(5
6,9%)の標記生成物を得る。
)エタン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニ
ー 水冷却コンデンサー、人口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツロ250+++l用丸底フ
ラスコに、アンモニウムパーテクネテート (yn)
: NH4Tc04 (0,130089、0,7
2mモル)、リチウムバークロレート(0,13758
g、1.3mモル)、塩化メチレン(100*/)およ
びアセトン(50m/)を入れる。かかる装置に窒素を
10分間フラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−
ノーn−プロピルホスフィノ)エタン配位子(0,87
y、3.3mモル)を加える。反応系を攪拌し、1.5
時間還流加熱する。得られるゴールド−イエロー溶液を
減圧下、濃縮乾固する。褐色残渣をトルエンで洗って過
剰のビス(1,2−ジ−n−プロピルホスフィン)エタ
ンを除去し、無水エチルエーテルで過剰のリチウムクロ
レートを除去し、減圧乾燥して0.30880 g(5
6,9%)の標記生成物を得る。
実施例4
ジオキソビス〔(1,2−ジ−n−ブチルホスフィノ)
エタン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツロ250g/用丸底フラス
コに、アンモニウムパーテクネテート (V[) :
NH4T c 04(o、 1 4 0 6 4 9
、0.78mモル)、リチウムバークロレート(0,
14551g11.4mモル)、塩化メチレン(100
*/)およびアセトン(50g/)を入れる。かかる装
置(こ窒素ヲフラツンし、次いてフラスコ(こビス(1
,2−ジ−n−ブチルホスフィノ)エタン配位子(1゜
10g、3.5mモル)を加える。反応系を攪拌し、2
.5時間還流加熱する。得られるゴールド−イエロー溶
液を減圧下、濃縮乾固する。オレンジ−褐色残渣を塩化
メチレンに溶解し、濾過して過剰のリチウムクロレート
を除去し、塩化メチレンで調整した2(7)(ID)x
lOcMのフィッシャーアルミナ酸(ブロックマン活性
■)カラムに充填する。
エタン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツロ250g/用丸底フラス
コに、アンモニウムパーテクネテート (V[) :
NH4T c 04(o、 1 4 0 6 4 9
、0.78mモル)、リチウムバークロレート(0,
14551g11.4mモル)、塩化メチレン(100
*/)およびアセトン(50g/)を入れる。かかる装
置(こ窒素ヲフラツンし、次いてフラスコ(こビス(1
,2−ジ−n−ブチルホスフィノ)エタン配位子(1゜
10g、3.5mモル)を加える。反応系を攪拌し、2
.5時間還流加熱する。得られるゴールド−イエロー溶
液を減圧下、濃縮乾固する。オレンジ−褐色残渣を塩化
メチレンに溶解し、濾過して過剰のリチウムクロレート
を除去し、塩化メチレンで調整した2(7)(ID)x
lOcMのフィッシャーアルミナ酸(ブロックマン活性
■)カラムに充填する。
充填すると、オレンジ−褐色ハンド(band)がカラ
ム樹脂↓こ吸着して残留する。カラムを塩化メチレンで
洗って、過剰のビス(1,2−ジ−n−ブチルホスフィ
ン)エタンを除去し、続いてハンドを無水メタノールで
溶離し、メタノールを蒸発乾固し、残渣を石油エーテル
に溶解しくオレンジ溶液)、ヘキサフルオロホスフェ−
)、 (LiPF6) ヲ加えて黄褐色沈殿物を得る。
ム樹脂↓こ吸着して残留する。カラムを塩化メチレンで
洗って、過剰のビス(1,2−ジ−n−ブチルホスフィ
ン)エタンを除去し、続いてハンドを無水メタノールで
溶離し、メタノールを蒸発乾固し、残渣を石油エーテル
に溶解しくオレンジ溶液)、ヘキサフルオロホスフェ−
)、 (LiPF6) ヲ加えて黄褐色沈殿物を得る。
実施例5
ジオキソビスCC1,2−ジフェニルホスフィノ)エタ
ン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆攪袢棒を具備する三ツ口5’00m(!用丸底フ
ラスコに、アンモニウムノぐ−チクネート(vn )
+、 NH4T CO4(o、 127681’、0.
7mモル)、リチウムバークロレート(0,122g、
1゜15mモル)、ビス(1,2−ジフェニルホスフィ
ノ)エタン(1,5g、2.89mモル)およびアセト
ン(250m/)を入れる。かかる装置に窒素を10分
間フラッジし、次いで攪拌し、21時間還流加熱する。
ン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、入口−出口管、および「テフロン
」被覆攪袢棒を具備する三ツ口5’00m(!用丸底フ
ラスコに、アンモニウムノぐ−チクネート(vn )
+、 NH4T CO4(o、 127681’、0.
7mモル)、リチウムバークロレート(0,122g、
1゜15mモル)、ビス(1,2−ジフェニルホスフィ
ノ)エタン(1,5g、2.89mモル)およびアセト
ン(250m/)を入れる。かかる装置に窒素を10分
間フラッジし、次いで攪拌し、21時間還流加熱する。
得られる溶液を減圧下、濃縮乾固する。残渣を塩化メチ
レン、次いで無水エチルエーテルで洗って410FIg
(56,6%)の標記生成物を黄褐色固体の形状で得る
。
レン、次いで無水エチルエーテルで洗って410FIg
(56,6%)の標記生成物を黄褐色固体の形状で得る
。
実施例6
ジオキソビス[1:(1,2−ジエチルホスフィノ)ベ
ンゼン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、人口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツ口250 me用丸底フラ
スコ番こ、アンモニウムパーテクネテート (VII
) : NH4T CO4(0−11341g、
o、 6 3mモル)、リチウムバークロレート(0,
1000g、0.94mモル)、およびアセトン(15
0+++J)を入れる。かかる装置に窒素を20分間フ
ラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−ジメチルホ
スフィン)ベンゼン(即ち、0−フェニレンビス(ジメ
チルホスフィノ))配位子(0,8g、 4.0mモル
)を加える。反応系を攪拌し、4時間還流加熱する。得
られるコールド−イエロー溶液を減圧下、濃縮乾固する
。イエロー−褐色残渣を塩化メチレンで洗って、過剰の
ビス(1,2−ジエチルホスフィノ)ベンゼンを除去し
、無水エチルエーテルを加えて過剰のリチウムバークロ
レートを除去し、減圧乾燥して0.4320195%)
の標記生成物を得る。
ンゼン〕テクネチウム(V)バークロレートの製造ニー 水冷却コンデンサー、人口−出口管、および「テフロン
」被覆撹拌棒を具備する三ツ口250 me用丸底フラ
スコ番こ、アンモニウムパーテクネテート (VII
) : NH4T CO4(0−11341g、
o、 6 3mモル)、リチウムバークロレート(0,
1000g、0.94mモル)、およびアセトン(15
0+++J)を入れる。かかる装置に窒素を20分間フ
ラッジし、次いでフラスコにビス(1,2−ジメチルホ
スフィン)ベンゼン(即ち、0−フェニレンビス(ジメ
チルホスフィノ))配位子(0,8g、 4.0mモル
)を加える。反応系を攪拌し、4時間還流加熱する。得
られるコールド−イエロー溶液を減圧下、濃縮乾固する
。イエロー−褐色残渣を塩化メチレンで洗って、過剰の
ビス(1,2−ジエチルホスフィノ)ベンゼンを除去し
、無水エチルエーテルを加えて過剰のリチウムバークロ
レートを除去し、減圧乾燥して0.4320195%)
の標記生成物を得る。
実施例7
ジオキソヒスC(1,2−ジメチルホスフィノ)エタン
〕テクネチウム(V) クロリドの製造ニー栓付s
m+!血清バイアルに、ミニチク・ゼネレータのソデイ
ウムパーテクネテート(VII) (0,25罰)、蒸
留水(0,9+l、95%エタノール(0゜1 ate
) 、およびビス(1,2−ジメチルホスフィン)エ
タン配位子(0,20肩l)を入れる。バイアルを5分
間激しく振とうし、次いでバイアル(こ01gのテトラ
ブチル−アンモニウムクロリドを含有する2mlの塩化
メチレンを加える。バイアルを再度5分間激しく振とう
する。次いで、カチオンテクネチウム錯体を有する水性
相を取出す。
〕テクネチウム(V) クロリドの製造ニー栓付s
m+!血清バイアルに、ミニチク・ゼネレータのソデイ
ウムパーテクネテート(VII) (0,25罰)、蒸
留水(0,9+l、95%エタノール(0゜1 ate
) 、およびビス(1,2−ジメチルホスフィン)エ
タン配位子(0,20肩l)を入れる。バイアルを5分
間激しく振とうし、次いでバイアル(こ01gのテトラ
ブチル−アンモニウムクロリドを含有する2mlの塩化
メチレンを加える。バイアルを再度5分間激しく振とう
する。次いで、カチオンテクネチウム錯体を有する水性
相を取出す。
実施例8
ジオキソビスC(1,2−ジエチルホスフィノ)エタン
〕テクネチウム(V)クロリドの製造ニー栓付5渭e血
清バイアル(こ、ミニチク・ゼネレータのソデイウムパ
ーテクネテート(Vn) (、0,25IIIl、蒸留
水(0,9m/)、95%エタノール(0,1m14
) 、およびビス(1,2−ジエチルホスフィン)エタ
ン配位子(0,2(1+/)を入れる。バイアルを40
℃で60分間加熱し、次いて室温に冷却する0バイアル
(こ0,1gのテトラブチル−アンモニウムクロリドを
含有する塩化メチレン(2ml)を加える。バイアルを
5分間激しく振とうする。次いで、カナオンテクネチウ
ム錯体を有する水性相を取出す。
〕テクネチウム(V)クロリドの製造ニー栓付5渭e血
清バイアル(こ、ミニチク・ゼネレータのソデイウムパ
ーテクネテート(Vn) (、0,25IIIl、蒸留
水(0,9m/)、95%エタノール(0,1m14
) 、およびビス(1,2−ジエチルホスフィン)エタ
ン配位子(0,2(1+/)を入れる。バイアルを40
℃で60分間加熱し、次いて室温に冷却する0バイアル
(こ0,1gのテトラブチル−アンモニウムクロリドを
含有する塩化メチレン(2ml)を加える。バイアルを
5分間激しく振とうする。次いで、カナオンテクネチウ
ム錯体を有する水性相を取出す。
特許出願人 イー・アール・スクイブ・アンド・サンプ
・インコーホレイテッド
・インコーホレイテッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、構造式、 〔式中、Qは=(CH2) n(nは2〜8)結合基ま
たは1.2−フェニレン結合基、 R1、R2、R3およびR4は独立して同一または異な
り水素、低級アルキルまたはフェニル、および Aはアニオン基である〕 で示されるテクネチウム錯体。 2、Qが−(CH2)n−である前記第1項記載の錨索
、低級アルキルまたはハロゲンから選ばれるもの)であ
る前記第1項記載の錯体。 4、R□、 R2、R3およびR4がそれぞれ低級アル
キルである前記第1項、第2項または第3項記載の錯体
。 5、R1,R2,に3 およびR4がそれぞれフェニル
である前記第1項、第2項または第3項記載の錯体。 6、ジオキソビスCC1,2−ジメチルホスフィノ)エ
タン〕テクネチウムバークロレートである前記第1項記
載の錯体。 7、ジオキソビスC(1,2−ジエチルホスフィノ)エ
タン〕テクネチウムバークロレートである前記第1項記
載の錯体。 8、ジオキソビスC(1,2−ジメチルホスフィノ)エ
タン〕テクネチウム(V)クロリドである前記第1項記
載の錯体。 9、ジオキソビスCC1,2−ジエチルホスフィノ)エ
タン〕テクネチウム(V)クロリドである前記第1項記
載の錯体。 10、ジオキソビスC(1,2−ジーn−プロピルホス
フィノ)エタン〕テクネチウムバークロレートである前
記第1項記載の錯体。 11、ジオキソビスCC1,2−ジ−n−ブチルホスフ
ィノ)エタン〕テクネチウムバークロレートである前記
第1項記載の錯体。 12、ジオキソビスC(1,2−ジフェニルホスフィノ
)エタン〕テクネチウムバークロレートである前記第1
項記載の錯体。 13ジオキソビスC(1,2−ジメチルホスフィノ)ベ
ンゼン〕テクネチウムバークロレートである前記第1項
記載の錯体。 14、構造式、 R3R4Ra R4 〔式中、Qは−(CH2) 、 (nは2〜8)結合
基または1.2−フェニレン結合基、 R1,R2,R3およびR4は独立して同一または異な
り水素、低級アルキルまたはフェニル、およびAはアニ
オン基である〕 で示されるテクネチウム錯体、および医薬的に許容しう
る担体から成ることを特徴とする心臓、肝臓または腎臓
のイメージ組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/392,811 US4374821A (en) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | Myocardial imaging agent and method |
| US392811 | 1982-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925397A true JPS5925397A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=23552087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116828A Pending JPS5925397A (ja) | 1982-06-28 | 1983-06-27 | 心筋イメ−ジ剤および方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4374821A (ja) |
| EP (1) | EP0098140A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5925397A (ja) |
| AU (1) | AU1564283A (ja) |
| ZA (1) | ZA834211B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410672A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4387087A (en) * | 1980-04-18 | 1983-06-07 | Research Corporation | Cationic lipophilic complexes of 99m Tc and their use for myocardial and hepatobiliary imaging |
| US4451450A (en) * | 1981-10-15 | 1984-05-29 | New England Nuclear Corporation | Cationic compounds useful for making radiodiagnostic agents |
| US4512967A (en) * | 1982-08-02 | 1985-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Compamy | Cationic technetium complexes useful as radiodiagnostic agents |
| US4455291A (en) * | 1982-01-22 | 1984-06-19 | New England Nuclear Corporation | Accelerators for forming cationic technetium complexes useful as radiodiagnostic agents |
| USRE32826E (en) * | 1982-08-02 | 1989-01-10 | E. I Du Pont De Nemours And Company | Cationic technetium complexes useful as radiodiagnostic agents |
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| US4526776A (en) * | 1983-04-15 | 1985-07-02 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Cationic cyanato and thiocyanato complexes useful as radiodiagnostic agents |
| US4582700A (en) * | 1983-09-01 | 1986-04-15 | Mallinckrodt, Inc. | Products and processes |
| GB8426845D0 (en) * | 1984-10-24 | 1984-11-28 | Amersham Int Plc | Complexes of technetium-99m |
| US4617184A (en) * | 1984-11-29 | 1986-10-14 | Tsolis Alexandros K | 99m Tc-1,2-dihydroxy-1,2-bis(dihydroxyphosphinyl)ethane complex for skeleton scanning |
| US4795626A (en) * | 1985-05-10 | 1989-01-03 | University Of Cincinnati | 99m Tc.sup.(III) myocardial imaging agents which are non-reducable in vivo |
| GB8531296D0 (en) * | 1985-12-19 | 1986-01-29 | Amersham Int Plc | Cationic complexes of technetium |
| GB8711496D0 (en) * | 1987-05-15 | 1987-06-17 | Amersham Int Plc | Tc-99m radiopharmaceuticals |
| GB8723438D0 (en) * | 1987-10-06 | 1987-11-11 | Amersham Int Plc | Cationic complexes of technetium-99m |
| CA1340899C (en) * | 1988-03-09 | 2000-02-15 | Andre Bardy | Procede de preparation de complexes nitruro 99m tc, 186 re ou 188 re utilisables comme produits radiopharmaceutiques |
| JP3616130B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2005-02-02 | イーストマン コダック カンパニー | 感赤外線性光熱写真ハロゲン化銀要素及び画像形成性媒体の露光方法 |
| US6171707B1 (en) | 1994-01-18 | 2001-01-09 | 3M Innovative Properties Company | Polymeric film base having a coating layer of organic solvent based polymer with a fluorinated antistatic agent |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB928442A (en) | 1959-02-27 | 1963-06-12 | Ici Ltd | New complex metal-containing organic compounds |
| US3695853A (en) * | 1970-04-01 | 1972-10-03 | Du Pont | Transition metal complexes of phosphine |
| US3987157A (en) * | 1974-08-29 | 1976-10-19 | Union Carbide Corporation | Technetium 99-m labeled radio-diagnostic agents employing stannous tartrate and method of preparation |
| US4017596A (en) * | 1975-03-03 | 1977-04-12 | Research Corporation | Radiopharmaceutical chelates and method of external imaging |
| US4387087A (en) * | 1980-04-18 | 1983-06-07 | Research Corporation | Cationic lipophilic complexes of 99m Tc and their use for myocardial and hepatobiliary imaging |
-
1982
- 1982-06-28 US US06/392,811 patent/US4374821A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-06-08 ZA ZA834211A patent/ZA834211B/xx unknown
- 1983-06-09 AU AU15642/83A patent/AU1564283A/en not_active Abandoned
- 1983-06-27 JP JP58116828A patent/JPS5925397A/ja active Pending
- 1983-06-27 EP EP83303699A patent/EP0098140A3/en not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410672A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0098140A2 (en) | 1984-01-11 |
| AU1564283A (en) | 1984-01-05 |
| ZA834211B (en) | 1984-03-28 |
| EP0098140A3 (en) | 1984-03-28 |
| US4374821A (en) | 1983-02-22 |
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